陣列基板及其制作方法、顯示裝置的制造方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置。
【背景技術】
[0002]目前薄膜晶體管液晶顯不器(ThinFilm Transistor Liquid Crystal Display,簡稱TFT-LCD)的顯示模式主要有TN(Twisted Nematic,扭曲向列)模式、IPS (In PlaneSwitching，平面方向轉換)模式、FFS(Fringe Field Switching，邊緣場開關)模式等。TFT-LCD的陣列基板通常包括柵電極、源\漏電極(包括源電極、漏電極及源電極和漏電極之間的溝道)、像素電極、公共電極等，電荷容易聚集在電極上，會在兩電極之間產生耦合電容。
[0003]有些耦合電容并不是人們想要的，例如源電極與像素電極之間的耦合電容。這些耦合電容不僅能夠造成電能的浪費，也可能造成串擾現象的發生，串擾現象會使顯示畫面失真。尤其是源電極與像素電極之間的耦合電容、數據線與像素電極之間的耦合電容等，會造成嚴重的串擾現象。
【發明內容】
[0004]本發明的實施例提供一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置，其能夠極大地減小兩電極之間的耦合電容。
[0005]為達到上述目的，本發明的實施例采用如下技術方案:
[0006]一方面，提供了一種陣列基板，包括基板，所述基板上設有第一電極層和第二電極層，所述第一電極層和所述第二電極層之間設有電極絕緣層，所述電極絕緣層中設有溝槽，所述溝槽位于所述第一電極層的靠近所述第二電極層的靠近側，所述溝槽上設有能夠屏蔽所述第一電極層和所述第二電極層之間耦合電容的屏蔽層，所述屏蔽層與所述第一電極層和所述第二電極層絕緣，且所述屏蔽層接地。
[0007]除了在所述第一電極的所述靠近側設置屏蔽層之外，所述電極絕緣層還延伸到所述第一電極層的上方，且所述屏蔽層也延伸到所述第一電極層的上方。
[0008]在上述方案的優選方案中，所述電極絕緣層還進一步延伸到所述第一電極層的遠離所述第二電極層的遠離側，且所述遠離側的電極絕緣層中也設有溝槽，所述屏蔽層進一步延伸到所述第一電極層的遠離所述第二電極層的遠離側的溝槽上。
[0009]或者，除了在所述第一電極的所述靠近側設置屏蔽層之外，所述電極絕緣層還位于所述第一電極層的遠離所述第二電極層的遠離側，且所述遠離側的電極絕緣層中也設有溝槽，所述屏蔽層還位于所述第一電極層的遠離所述第二電極層的遠離側的溝槽上。
[0010]進一步地，所述第一電極層和第二電極層分別是源電極層和像素電極層，或者柵電極層和像素電極層，或者數據線和像素電極層，或者掃描線和像素電極層。
[0011]上述任一方案優選的是，還包括公共電極層，所述屏蔽層通過與所述公共電極層連接進行接地。具體而言，包括公共電極層的陣列基板有以下兩種結構:
[0012]第一種結構:所述第一電極層為源電極層，所述第二電極層為像素電極層，所述電極絕緣層覆蓋在所述源電極層和所述公共電極層上，所述像素電極層位于所述電極絕緣層上；所述溝槽暴露出部分所述公共電極層。
[0013]第二種結構:所述第一電極層為源電極層，所述第二電極層為像素電極層，所述電極絕緣層覆蓋在所述源電極層和所述像素電極層上，所述公共電極層位于所述電極絕緣層上。
[0014]另一方面，提供了一種包含上述任一方案所述的陣列基板的顯示裝置。
[0015]再一方面，提供了一種陣列基板的制作方法，所述陣列基板包括基板，具體制作方法包括:
[0016]在所述基板上沉積第一電極薄膜，通過構圖工藝形成第一電極層的圖形；
[0017]在所述基板上沉積第二電極薄膜，通過構圖工藝形成第二電極層的圖形；
[0018]在所述基板上沉積電極絕緣層薄膜，通過構圖工藝形成電極絕緣層的圖形，所述電極絕緣層位于所述第一電極層和所述第二電極層之間，所述電極絕緣層中設有溝槽，所述溝槽位于所述第一電極層的靠近所述第二電極層的靠近側；
[0019]在形成有所述電極絕緣層的基板上沉積屏蔽層薄膜，通過構圖工藝形成屏蔽層的圖形，所述屏蔽層位于所述溝槽中，所述屏蔽層與所述第一電極層和所述第二電極層絕緣，且所述屏蔽層接地。
[0020]具體而言，所述第一電極層為源電極層，所述第二電極層為像素電極層；所述制作方法還包括在所述基板上形成公共電極層，針對上述陣列基板方案中介紹的第一種結構，所述制作方法具體為:
[0021]在所述基板上形成源電極層和公共電極層；
[0022]在形成有源電極層和公共電極層的基板上沉積電極絕緣層薄膜，通過構圖工藝形成電極絕緣層的圖形，所述電極絕緣層覆蓋在所述源電極層和所述公共電極層上，所述電極絕緣層中設有溝槽，所述溝槽暴露出部分所述公共電極層；
[0023]在形成有所述電極絕緣層的基板上沉積屏蔽層薄膜，通過構圖工藝形成屏蔽層的圖形，所述屏蔽層位于所述溝槽中，所述屏蔽層與所述源電極層和所述像素電極層絕緣，且所述屏蔽層通過與所述公共電極層連接進行接地；
[0024]在形成有所述電極絕緣層的基板上形成所述像素電極層。
[0025]針對上述陣列基板方案中介紹的第二種結構，所述制作方法具體為:
[0026]在所述基板上形成源電極層和像素電極層；
[0027]在形成有源電極層和像素電極層的基板上沉積電極絕緣層薄膜，通過構圖工藝形成電極絕緣層的圖形，所述電極絕緣層覆蓋在所述源電極層和所述像素電極層上，所述電極絕緣層中設有溝槽；
[0028]在形成有所述電極絕緣層的基板上形成所述公共電極層，所述溝槽暴露出部分所述公共電極層；
[0029]在形成有所述電極絕緣層的基板上沉積屏蔽層薄膜，通過構圖工藝形成屏蔽層的圖形，所述屏蔽層位于所述溝槽中，所述屏蔽層與所述源電極層和所述像素電極層絕緣，且所述屏蔽層通過與所述公共電極層連接進行接地。
[0030]本發明實施例提供的陣列基板，在兩電極之間的絕緣層中設置能夠屏蔽兩電極之間耦合電容的屏蔽層，當某一個電極電位變化時，該電極與屏蔽層形成的電容進行充電，由于屏蔽層接地，所以屏蔽層的電位不會發生變化，因此該電極電位的變化不會對另一電極電位造成影響或者影響變的很小。因此，本發明實施例的屏蔽層能夠極大地減小兩電極之間的耦合電容，既減少了電能的浪費，又能夠有效地避免兩電極之間串擾現象的發生。
[0031 ] 由于屏蔽層能夠極大地減小兩電極之間的耦合電容，所以不用增大兩電極之間的距離，也不會因此而降低陣列基板的透過率。另外由于不用增大兩電極之間的距離，所以本發明實施例的技術方案也適用于高分辨率的陣列基板，其既能夠使陣列基板保持高分辨率，同時也能有效地避免兩電極之間串擾現象的發生。
【附圖說明】
[0032]圖1a為本發明一實施例的陣列基板截面示意圖。
[0033]圖1b為本發明一實施例中屏蔽層延伸到第一電極層正上方的陣列基板截面示意圖。
[0034]圖1c為本發明一實施例中屏蔽層延伸到第一電極層正上方和遠離側的陣列基板截面示意圖。
[0035]圖1d為本發明一實施例中屏蔽層位于靠近側和遠離側的陣列基板截面示意圖。
[0036]圖2a為本發明一實施例的陣列基板截面示意圖。
[0037]圖2b為本發明一實施例中屏蔽層延伸到第一電極層正上方和遠離側的陣列基板截面示意圖。
[0038]圖2c為本發明一實施例中屏蔽層位于位于靠近側和遠離側的陣列基板截面示意圖。
[0039]圖3為本發明一實施例的陣列基板表面結構不意圖。
[0040]圖4為圖3所示實施例的陣列基板沿A1-A2的截面結構示意圖。
[0041]圖5為本發明一實施例的陣列基板截面示意圖。
[0042]附圖標記:
[0043]1-基板，2-第一電極層，3-第二電極層，4-電極絕緣層，5-溝槽，6-屏蔽層，7-公共電極層，8-靠近側，9-遠離側，10-源電極層，11-像素電極層，12-柵線，13-數據線，14-漏電極。
【具體實施方式】
[0044]下面結合附圖對本發明實施例的陣列基板及其制作方法、顯示裝置進行詳細描述。
[0045]應當明確，所描述的實施例僅僅是本發明的一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有作出創造性勞動前提下所獲得的所有其它實施例，都屬于本發明保護的范圍。
[0046]如圖1 a所示，本發明實施例提供的陣列基板包括基板I，所述基板I上設有第一電極層2和第二電極層3，所述第一電極層2和所述第二電極層3之間設有電極絕緣層4，所述電極絕緣層4中