一種高儲能電子電容器的制造方法
【技術領域】
[0001 ] 本發明涉及電容器領域，尤其涉及一種高儲能電子電容器。
【背景技術】
[0002]眾所周知，電容器的基本作用就是充電與放電，但由這種基本充放電作用所延伸出來的許多電路現象，使得電容器有著種種不同的用途，例如在電動馬達中，我們用它來產生相移；在照相閃光燈中，用它來產生高能量的瞬間放電等等；而在電子電路中，電容器不同性質的用途尤多，這許多不同的用途，雖然也有截然不同之處，但因其作用均來自充電與放電。
[0003]如今，由于物理化學的特性的限制，即使最先進技術水平研制的高性能蓄電池在放電功率和連續充放電壽命等特性方面也存在較大的限制和不足，主要表現在耐壓耐大電流性能上，現有的電容器難以達到電動汽車所需要的要求。
【發明內容】
[0004]本發明實施例提供了一種移動裝置存儲備忘的方法，用于在通話過程中將通話方信息存儲到備忘錄中，提高移動裝置與用戶的智能交互能力。
[0005]一種高儲能電子電容器，包括:第一供電單元和第二供電單元；以及串聯在第一供電單元與第二供電單元之間的至少兩個大容量電容器；大容量電容器被布置在基板上的所述MOS電容器上方；大容量電容器是堆疊式電容器，所述堆疊式電容器包括:依次堆疊的下部電極導電層、電介質層和上部電極導電層。
[0006]所述至少兩個大容量電容器包括:第一大容量電容器，所述第一大容量電容器具有與第一供電單兀相連接的第一電極、在第一電極上方形成的第一電介質、以及在第一電介質上方形成的第二電極；以及第二大容量電容器，所述第二大容量電容器具有與第二供電單元相連接的第三電極、在第三電極上方形成的第二電介質、以及在第二電介質上方形成的第四電極。
[0007]第一電極和第三電極通過對沉積在基板上方的由相同材料構成的導電層進行圖案化而被分離。
[0008]第二電極和第四電極共同地通過單個導電圖案來形成。
[0009]所述大容量電容器具有在UF范圍內的電容。
[0010]所述MOS電容器具有在η F范圍內的電容。
[0011]從以上技術方案可以看出，本發明實施例具有以下優點:
本發明在形成具有堆疊式結構的單元電容器時，可以在外圍電路區域中相同地形成大容量電容器。也就是說，可以在外圍電路區域中形成大容量電容器而沒有金屬接點，并且可以將所述大容量電容器布置在MOS電容器上方。
【附圖說明】
[0012]圖1為本發明高儲能電子電容器的示意圖；
圖2為本發明高儲能電子電容器另一示意圖。
【具體實施方式】
[0013]請參閱圖1、圖2，為本發明實施例一種高儲能電子電容器的實施例，包括:
一種高儲能電子電容器，包括:第一供電單元和第二供電單元；以及串聯在第一供電單元與第二供電單元之間的至少兩個大容量電容器；大容量電容器被布置在基板上的所述MOS電容器上方；大容量電容器是堆疊式電容器，所述堆疊式電容器包括:依次堆疊的下部電極導電層、電介質層和上部電極導電層。
[0014]所述至少兩個大容量電容器包括:第一大容量電容器，所述第一大容量電容器具有與第一供電單兀相連接的第一電極、在第一電極上方形成的第一電介質、以及在第一電介質上方形成的第二電極；以及第二大容量電容器，所述第二大容量電容器具有與第二供電單元相連接的第三電極、在第三電極上方形成的第二電介質、以及在第二電介質上方形成的第四電極。
[0015]第一電極和第三電極通過對沉積在基板上方的由相同材料構成的導電層進行圖案化而被分離。
[0016]第二電極和第四電極共同地通過單個導電圖案來形成。
[0017]所述大容量電容器具有在UF范圍內的電容。
[0018]所述MOS電容器具有在η F范圍內的電容。
[0019]方向y的母線20的平面圖。另外，示出取自中方向y的母線30的平面圖。母線20具有梯形的形狀，其長底邊對應于母線20的連接端子22側端部，并且其短底邊對應于與連接端子22相對的母線20的端部。母線20的較長底邊的長度為Wl，而其較短底邊的長度為W2。另外，母線30具有梯形的形狀，其較長底邊對應于母線30的連接端子32側端部，并且其較短底邊對應于與連接端子32相對的母線30的端部。母線30的較長底邊的長度為W1，并且其較短底邊的長度為W2。在這個實施例的電容器裝置100中，由于母線20和30被給定了前述形狀，使得電容器元件之間的母線20和30的每一個的電感彼此不同。
[0020]上面結合附圖對本發明的實施方式作了詳細說明，但是本發明并不限于上述實施方式，在本領域普通技術人員所具備的知識范圍內，還可以在不脫離本發明宗旨的前提下做出各種變化。以上所述，僅是本發明的較佳實施例而已，并非對本發明作任何形式上的限制，雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然而并非用以限定本發明，任何熟悉本專業的技術人員，在不脫離本發明技術方案范圍內，當可利用上述揭示的技術內容做出些許更動或修飾為等同變化的等效實施例，但凡是未脫離本發明技術方案內容，依據本發明的技術實質，在本發明的精神和原則之內，對以上實施例所作的任何簡單的修改、等同替換與改進等，均仍屬于本發明技術方案的保護范圍之內。
【主權項】
1.一種高儲能電子電容器，包括:第一供電單元和第二供電單元；以及串聯在第一供電單元與第二供電單元之間的至少兩個大容量電容器；大容量電容器被布置在基板上的所述MOS電容器上方；大容量電容器是堆疊式電容器，所述堆疊式電容器包括:依次堆疊的下部電極導電層、電介質層和上部電極導電層。
2.根據權利要求1所述的一種高儲能電子電容器，其中所述至少兩個大容量電容器包括:第一大容量電容器，所述第一大容量電容器具有與第一供電單兀相連接的第一電極、在第一電極上方形成的第一電介質、以及在第一電介質上方形成的第二電極；以及第二大容量電容器，所述第二大容量電容器具有與第二供電單元相連接的第三電極、在第三電極上方形成的第二電介質、以及在第二電介質上方形成的第四電極。
3.根據權利要求2所述的一種高儲能電子電容器，其中第一電極和第三電極通過對沉積在基板上方的由相同材料構成的導電層進行圖案化而被分離。
4.根據權利要求4所述的一種高儲能電子電容器，其中第二電極和第四電極共同地通過單個導電圖案來形成。
5.根據權利要求1所述的一種高儲能電子電容器，其中所述大容量電容器具有在UF范圍內的電容。
6.根據權利要求2所述的一種高儲能電子電容器，其中所述MOS電容器具有在nF范圍內的電容。
【專利摘要】本發明公開了一種高儲能電子電容器，包括：第一供電單元和第二供電單元；以及串聯在第一供電單元與第二供電單元之間的至少兩個大容量電容器；大容量電容器被布置在基板上的所述MOS電容器上方；大容量電容器是堆疊式電容器，所述堆疊式電容器包括：依次堆疊的下部電極導電層、電介質層和上部電極導電層，本發明在形成具有堆疊式結構的單元電容器時，可以在外圍電路區域中相同地形成大容量電容器，也就是說，可以在外圍電路區域中形成大容量電容器而沒有金屬接點，并且可以將所述大容量電容器布置在MOS電容器上方。
【IPC分類】H01G4-005, H01G4-38, H01G4-40
【公開號】CN104701015
【申請號】CN201410651535
【發明人】周科豆
【申請人】周科豆
【公開日】2015年6月10日
【申請日】2014年11月17日