低方阻透明導電薄膜及其制備方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及微電子技術領域，特別是涉及一種低方阻透明導電薄膜及其制備方法。
【背景技術】
[0002]透明導電薄膜是集導電性能和光學透明性能于一體的薄膜材料，由于其優異的電導及光學性能成為近年來各領域研宄的熱點，可廣泛應用在觸控式面板、液晶顯示器、太陽能電池、LED等屏幕顯示領域，也可應用于電磁波屏蔽材料中。隨著用戶對器件性能要求的提高，用在器件中的透明導電薄膜的性能要求也在不斷的提高。
[0003]透明導電薄膜一般可通過干法或者濕法這兩種工藝流程制備而成。干法即為通過濺射法、真空蒸鍍法等，將氧化錫、氧化銦或者兩者的混合物等覆蓋在透明基材表面，從而而形成透明導電薄膜。濕法即為在透明基材表面涂布導電性高分子材料，從而形成透明導電薄膜；目前最常用的導電性高分子材料有聚苯胺、聚噻吩等。然而，通過這兩種工藝制備而成的透明導電薄膜都有一定的缺陷，例如，通過干法制備的透明導電薄膜易在加工制備過程中產生裂紋，致使其表面方阻變大；而通過濕法制備的透明導電薄膜，可能因為導電性高分子材料的涂布不均勻而出現導電性、調色不均勻等現象。并且，目前市場上的透明導電薄膜的方阻約為200 Ω / 口，方阻高，不利于應用在上述屏幕顯示等領域。
[0004]鑒于此，現在亟需一種具有低方阻的透明導電薄膜，以及該種透明導電薄膜的制備方法，該制備方法不僅能夠使得透明導電薄膜的方阻更低，還能夠避免出現上述兩種制備方法產生的缺陷。
【發明內容】
[0005]鑒于以上所述現有技術的缺點，本發明的目的在于提供一種低方阻透明導電薄膜及其制備方法，用于解決現有技術中透明導電薄膜方阻高的問題，以及干法制備的透明導電薄膜易產生裂紋，致使其表面方阻變大；濕法制備的透明導電薄膜因導電性高分子材料涂布不均勻而出現導電性、調色不均勻等現象的問題。
[0006]為實現上述目的及其他相關目的，本發明提供一種低方阻透明導電薄膜，其中，所述低方阻導電薄膜至少包括:
[0007]透明基材；
[0008]位于所述透明基材上的具有溝槽的粘接層；
[0009]位于所述溝槽內的金屬化物質；
[0010]位于所述粘接層及所述金屬化物質上的高分子導電層。
[0011]優選地，所述粘接層為紫外固化膠層或者丙烯酸系粘合劑層。
[0012]優選地，所述金屬化物質為固化后的銀漿或者銅金屬。
[0013]優選地，所述高分子導電層為聚乙撐二氧噻吩層。
[0014]優選地，所述粘接層的厚度為5 μ m?20 μ m，所述溝槽的深度為2 μ m?10 μ m，戶斤述高分子導電層的厚度為2 μπι?10 μπι。
[0015]優選地，所述透明基材為聚對苯二甲酸乙二醇酯基材。
[0016]本發明還提供一種低方阻透明導電薄膜的制備方法，其中，所述低方阻透明導電薄膜的制備方法至少包括如下步驟:
[0017]提供透明基材；
[0018]形成粘接層，覆蓋所述透明基材，在所述粘接層上形成溝槽；
[0019]在所述溝槽內形成金屬化物質；
[0020]形成高分子導電層，覆蓋所述粘接層及所述金屬化物質。
[0021]優選地，在所述粘接層上形成溝槽的具體方法為:在所述粘接層上通過金屬網格工藝壓印形成溝槽。
[0022]優選地，所述金屬化物質為固化后的銀漿，在所述溝槽內形成固化后的銀漿的具體方法為:在所述溝槽內通過濺射或刮印的方式填充銀漿，在120°C?150°C溫度下，固化15min?30min，從而在所述溝槽內形成固化后的銀楽。
[0023]優選地，所述金屬化物質為銅金屬，在所述溝槽內形成銅金屬的具體方法為:
[0024]形成銅種子層，覆蓋所述粘接層以及所述溝槽的側壁和底部；
[0025]在所述銅種子層表面和所述溝槽內通過濺射或電鍍的方式形成銅金屬；
[0026]去除所述粘接層表面的銅金屬和銅種子層。
[0027]優選地，形成高分子導電層，覆蓋所述粘接層及所述金屬化物質的具體方法為:將高分子導電材料以溶液的形式涂布在所述粘接層及所述金屬化物質上，在80°C?130°C溫度下，固化15min?30min，從而形成覆蓋所述粘接層及所述金屬化物質的高分子導電層。
[0028]如上所述，本發明的低方阻透明導電薄膜及其制備方法，具有以下有益效果:
[0029]本發明的低方阻透明導電薄膜，結構簡單，環保高效，且成本較低，方阻可低至10 Ω/ □以下，導電性、調色更均勻，可廣泛應用在觸控式面板、液晶顯示器、太陽能電池、LED等屏幕顯示領域，也可應用于電磁波屏蔽材料中。
[0030]本發明的低方阻透明導電薄膜的制備方法，工藝簡單，成本較低，且制備得到的透明導電薄膜的方阻更低，導電性、調色更均勻。
【附圖說明】
[0031]圖1顯示為本發明第一實施例的低方阻透明導電薄膜的剖面結構示意圖。
[0032]圖2顯示為本發明第二實施例的低方阻透明導電薄膜的制備方法的流程示意圖。
[0033]圖3?圖5顯示為本發明第二實施例的低方阻透明導電薄膜的制備方法的剖面結構示意圖。
[0034]圖6?圖8顯示為本發明其他實施例的低方阻透明導電薄膜的制備方法的剖面結構示意圖。
[0035]元件標號說明
[0036]10 透明基材
[0037]20 粘接層
[0038]21 溝槽
[0039]30 金屬化物質
[0040]40 高分子導電層
[0041]50 銅種子層
[0042]SI ?S4 步驟
【具體實施方式】
[0043]以下通過特定的具體實例說明本發明的實施方式，本領域技術人員可由本說明書所揭露的內容輕易地了解本發明的其他優點與功效。本發明還可以通過另外不同的【具體實施方式】加以實施或應用，本說明書中的各項細節也可以基于不同觀點與應用，在沒有背離本發明的精神下進行各種修飾或改變。
[0044]請參閱圖1，本發明第一實施例涉及一種低方阻透明導電薄膜。需要說明的是，本實施例中所提供的圖示僅以示意方式說明本發明的基本構想，遂圖式中僅顯示與本發明中有關的組件而非按照實際實施時的組件數目、形狀及尺寸繪制，其實際實施時各組件的型態、數量及比例可為一種隨意的改變，且其組件布局型態也可能更為復雜。
[0045]本實施例的低方阻導電薄膜至少包括:透明基材10 ;位于透明基材10上的具有溝槽21的粘接層20 ;位于溝槽21內的金屬化物質30 ;位于粘接層20及金屬化物質30上的高分子導電層40。
[0046]其中，粘接層20為紫外固化膠層或者丙烯酸系粘合劑層。在本實施例中，粘接層20為紫外固化膠層。
[0047]另外，金屬化物質30為固化后的銀漿或者銅金屬。本實施例中，金屬化物質30為固化后的銀漿。
[0048]另外，高分子導電層40為聚乙撐二氧噻吩層，即PEDOT層。
[0049]另外，透明基材10為聚對苯二甲酸乙二醇酯基材，即PET基材。
[0050]另外，粘接層20的厚度為5ym?20ym，溝槽21的深度為2 μ m?10 μ m，高分子導電層40的厚度為2μηι?10 μπι。而透明基材10的厚度可以根據實際需要進行選擇。
[0051]另外，溝槽21的數量可以根據需要制備，且這些溝槽21可以是連通或者非連通的，且特征尺寸為微米或納米級別。
[0052]本實施例的低方阻透明導電薄膜，結構簡單，環保高效，且成本較低；溝槽21內的金屬化物質30和其上方接觸的高分子導電層40相當于并聯的電阻，并聯后阻值變小，從而使得本實施例的低方阻透明導電薄膜的整體方阻降低，方阻可低至10Ω/ □以下；且導電性、調色相比較現有技術中的透明導電薄膜來說更均勻，可廣泛應用在觸控式面板、液晶顯示器、太陽能電池、LED等屏幕顯示領域，也可應用于電磁波屏蔽材料中。
[0053]本發明第二實施例涉及一種低方阻透明導電薄膜的制備方法，具體流程如圖2所示，其至少包括如下步