微帶天線陣列的測試方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及微帶天線陣列，特別是涉及一種微帶天線陣列的測試方法。
【背景技術】
[0002]微帶天線陣列包括多個陣元，多個陣元一起完成天線功能，達到單個天線無法達到或者不容易達到的指標。微帶天線陣列由于包括多個陣元，因此相互之間會存在影響，單個天線調試好后放入到陣列中并不一定能夠到達預期的參數。
[0003]故而微帶天線陣列需要進行反復調試才能達到預期的指標。而微帶天線陣列是由多個陣元組成，每次調試都需要對不同的陣元進行調節然后進行整體測試。單個陣元的調試涉及到改變陣元本身的結構參數，因此需要反復制作具有不同陣元的微帶天線陣列樣品進行測試，不僅浪費材料，也耗費了大量的時間。
【發明內容】
[0004]基于此，有必要提供一種可節省測試的材料和時間成本的微帶天線陣列的測試方法。
[0005]一種微帶天線陣列的測試方法，包括如下步驟:
[0006]制作金屬箔；
[0007]對微帶天線陣列中的單個陣元逐一進行測試，篩選出天線參數不符合要求的陣元;
[0008]對天線參數不符合要求的陣元，逐一進行調試；當其中一個陣元進行調試時，其他陣元連接匹配的負載；
[0009]每個陣元進行調試的步驟包括:
[0010]在所述陣元上的貼片的其中至少一對邊上貼上所述金屬箔，測試當前調試的陣元的天線參數；
[0011]反復更換不同尺寸的金屬箔，直到陣元的天線參數符合要求。
[0012]在其中一個實施例中，所述微帶天線陣列為五元陣。
[0013]在其中一個實施例中，所述五元陣包括一個位于中心位置的陣元和四個位于方形四角的陣元。
[0014]在其中一個實施例中，所述微帶天線陣列為低頻天線。
[0015]在其中一個實施例中，每個陣元的頻率范圍為1268±10兆赫茲。
[0016]在其中一個實施例中，所述天線參數為低仰角增益。
[0017]上述測試方法，通過在陣元的貼片的邊緣貼金屬箔，可以方便地改變貼片的整體尺寸，實現對陣元頻率的微調，在保證頻率符合要求的基礎上，又可以有效改善陣元的低仰角增益。測試方法簡單省時。
【附圖說明】
[0018]圖1為一種五陣元的微帶天線陣列的平面排布圖；
[0019]圖2為一實施例的微帶天線陣列的測試方法流程圖。
【具體實施方式】
[0020]以下結合附圖和實施例進行進一步說明。
[0021]如圖1所示，為一種五陣元的微帶天線陣列的平面排布圖。該微帶天線陣列包括一個位于中心位置的陣元110和四個位于方形四角的陣元121、122、123、124。陣元110、121、122、123、124制作好后，需要逐一進行調試，以使其參數符合預定的要求。以下以圖1所示的五陣元的微帶天線陣列進行說明。在其他實施例中，還可以是其他數量的陣元的微帶天線陣列，排布方式也可以不同。
[0022]如圖2所示，為一實施例的微帶天線陣列的測試方法流程圖。該方法包括如下步驟:
[0023]步驟SllO:制作金屬箔。金屬箔可以是金箔、銀箔、銅箔或鋁箔。金屬箔的寬度和長度與微帶天線陣元的貼片的邊緣相匹配。金屬箔的寬度與貼片的高度相當，金屬箔的長度不大于貼片的邊緣的長度。金屬箔的厚度可以隨測試要求變化。
[0024]步驟S120:對微帶天線陣列中的單個陣元逐一進行測試，篩選出天線參數不符合要求的陣元。參考圖1，就是對陣元110、121、122、123、124逐一進行測試。本實施例的五陣元微帶天線陣列用于低頻段的B3頻點，要求單個陣元的頻率在1268±10兆赫茲(MHz)，因此在制作陣元時，已經將陣元的頻率制作并調節到1268兆赫茲。但是在陣列中進行測試時，陣元的低仰角增益可能會很低，不符合作為陣元的要求。
[0025]步驟S130:對天線參數不符合要求的陣元，逐一進行調試。本步驟中，當其中一個陣元進行調試時，其他陣元連接匹配的負載。例如陣元121進行調試時，陣元110、122、123、124均連接50歐姆(Ω )的負載，以保證陣列環境。
[0026]步驟S130中對每個陣元進行調試的步驟包括:
[0027]步驟S131:在所述陣元上的貼片的其中至少一對邊上貼上所述金屬箔，測試當前調試的陣元的天線參數。以調試陣元121為例。陣元121的貼片具有兩對相對的邊緣1-1、I1-11在測試時，可以把金屬箔貼在一對邊緣1-1或一對邊緣11-11，或者同時在兩對邊緣上都貼金屬箔。
[0028]步驟S132:反復更換不同尺寸的金屬箔，直到陣元的天線參數符合要求。通過改變金屬箔的長度、厚度能夠得到不同尺寸的金屬箔。
[0029]上述實施例的測試方法，通過在陣元的貼片的邊緣貼金屬箔，可以方便地改變貼片的整體尺寸，實現對陣元頻率的微調，在保證頻率符合要求的基礎上，又可以有效改善陣元的低仰角增益。測試方法簡單省時。
[0030]以上所述實施例的各技術特征可以進行任意的組合，為使描述簡潔，未對上述實施例中的各個技術特征所有可能的組合都進行描述，然而，只要這些技術特征的組合不存在矛盾，都應當認為是本說明書記載的范圍。
[0031]以上所述實施例僅表達了本發明的幾種實施方式，其描述較為具體和詳細，但并不能因此而理解為對發明專利范圍的限制。應當指出的是，對于本領域的普通技術人員來說，在不脫離本發明構思的前提下，還可以做出若干變形和改進，這些都屬于本發明的保護范圍。因此，本發明專利的保護范圍應以所附權利要求為準。
【主權項】
1.一種微帶天線陣列的測試方法，包括如下步驟: 制作金屬箔； 對微帶天線陣列中的單個陣元逐一進行測試，篩選出天線參數不符合要求的陣元； 對天線參數不符合要求的陣元，逐一進行調試；當其中一個陣元進行調試時，其他陣元連接匹配的負載； 每個陣元進行調試的步驟包括: 在所述陣元上的貼片的其中至少一對邊上貼上所述金屬箔，測試當前調試的陣元的天線參數； 反復更換不同尺寸的金屬箔，直到陣元的天線參數符合要求。
2.根據權利要求1所述的微帶天線陣列的測試方法，其特征在于，所述微帶天線陣列為五元陣。
3.根據權利要求2所述的微帶天線陣列的測試方法，其特征在于，所述五元陣包括一個位于中心位置的陣元和四個位于方形四角的陣元。
4.根據權利要求1所述的微帶天線陣列的測試方法，其特征在于，所述微帶天線陣列為低頻天線。
5.根據權利要求1所述的微帶天線陣列的測試方法，其特征在于，每個陣元的頻率范圍為1268±10兆赫茲。
6.根據權利要求1所述的微帶天線陣列的測試方法，其特征在于，所述天線參數為低仰角增益。
【專利摘要】本發明涉及一種微帶天線陣列的測試方法，包括如下步驟：制作金屬箔；對微帶天線陣列中的單個陣元逐一進行測試，篩選出天線參數不符合要求的陣元；對天線參數不符合要求的陣元，逐一進行調試；當其中一個陣元進行調試時，其他陣元連接匹配的負載；每個陣元進行調試的步驟包括：在所述陣元上的貼片的其中至少一對邊上貼上所述金屬箔，測試當前調試的陣元的天線參數；反復更換不同尺寸的金屬箔，直到陣元的天線參數符合要求。上述測試方法，通過在陣元的貼片的邊緣貼金屬箔，可以方便地改變貼片的整體尺寸，實現對陣元頻率的微調，在保證頻率符合要求的基礎上，又可以有效改善陣元的低仰角增益。測試方法簡單省時。
【IPC分類】H01Q21-06
【公開號】CN104638384
【申請號】CN201510016585
【發明人】王春華, 陳拉鵬
【申請人】深圳市華信天線技術有限公司
【公開日】2015年5月20日
【申請日】2015年1月13日