一種用于多晶硅片擴散前去除金屬雜質清洗方法
【技術領域】
[0001] 本發明涉及晶娃太陽能電池片制造領域，具體地涉及一種用于多晶娃片擴散前去 除金屬雜質清洗方法。
【背景技術】
[0002] 在晶娃太陽能電池片的制備工藝流程中，首先是通過在娃片表面制備絨面來降低 表面反射率、增加光的吸收。在實際生產過程中，經常會出現制絨后的娃片裸露在空氣中沒 有及時進入擴散工藝，導致娃片表面氧化和沾污現象。另外，裸娃片自身攜帶的惰性金屬離 子在清洗制絨工藝中沒有完全清洗干凈現象。上述現象均會影響多晶娃太陽能電池片的電 性能參數。
【發明內容】
[0003] 本發明的目的是提供一種用于多晶娃片擴散前去除金屬雜質清洗方法，達到能夠 穩定可持續量產、提高短路電流和光電轉換效率的目的。
[0004] 為了解決上述問題，本發明采用的技術解決方案是提供一種用于多晶娃片擴散前 去除金屬雜質清洗方法，在清洗制絨至擴散兩道工藝間增加一道槽式清洗工藝，具體工藝 流程如下： (1) 將制絨后未能及時進入擴散工序的娃片置于純水中進行初步清洗； (2) 將初步清洗后的娃片置于體積分數為1-5%的肥1溶液中清洗； (3) 然后連續兩次經過純水清洗； (4) 將經過純水清洗的娃片置于體積分數為1-3%的HF溶液中清洗； (5) 最后連續兩次經過純水清洗，進入擴散工序。
[0005] 本發明的有益效果是通過采用上述技術方案，多晶娃太陽能電池片的電性能參數 中短路電流有20-40毫安的增益，光電轉換效率有0. 05-0. 1%的增益。
【附圖說明】
[0006] 圖1本發明提供的用于多晶娃片擴散前去除金屬雜質清洗方法的具體工藝流程。
【具體實施方式】
[0007] 下面根據本發明提供的用于多晶娃片擴散前去除金屬雜質清洗方法的技術解決 方案，采用下面的具體實施方案作進一步說明。本實施方案是在制絨、擴散、刻蝕、PECVD、絲 網印刷各道工序的工藝與原工藝相同的條件下進行的，其中A代表原工藝方案，B代表本發 明提供的技術方案。【具體實施方式】如下： (1) 將制絨后未能及時進入擴散工序的娃片置于純水中進行初步清洗； (2) 將初步清洗后的娃片置于體積分數為2%的肥1溶液中清洗，反應溫度為常溫； (3) 然后連續兩次經過純水清洗； (4) 將經過純水清洗的娃片置于體積分數為2. 5%的HF溶液中清洗，反應溫度為常溫； (5) 最后連續兩次經過純水清洗，依次進入擴散、刻蝕、PECVD、絲網印刷工序。
[000引采用本實施方式制備的多晶娃太陽能電池片的電性能參數如下表所示：
【主權項】
1. 一種用于多晶娃片擴散前去除金屬雜質清洗方法，在清洗制絨至擴散兩道工藝間增 加一道槽式清洗工藝，具體工藝流程如下： (1) 將制絨后未能及時進入擴散工序的娃片置于純水中進行初步清洗； (2) 將初步清洗后的娃片置于體積分數為1-5%的肥1溶液中清洗； (3) 然后連續兩次經過純水清洗； (4) 將經過純水清洗的娃片置于體積分數為1-3%的HF溶液中清洗； (5) 最后連續兩次經過純水清洗，進入擴散工序。
【專利摘要】本發明公開了一種用于多晶硅片擴散前去除金屬雜質清洗方法，在清洗制絨至擴散兩道工藝間增加一道槽式清洗工藝，具體工藝流程：首先將制絨后未能及時進入擴散工序的硅片置于純水中進行初步清洗；將初步清洗后的硅片置于體積分數為1-5%的HCl溶液中清洗；然后連續兩次經過純水清洗；將經過純水清洗的硅片置于體積分數為1-3%的HF溶液中清洗；最后連續兩次經過純水清洗，進入擴散工序。本發明的有益效果是通過采用上述技術方案，多晶硅太陽能電池片的電性能參數中短路電流有20-40毫安的增益，光電轉換效率有0.05-0.1%的增益。
【IPC分類】H01L31-18
【公開號】CN104638056
【申請號】CN201310569505
【發明人】王建樹, 王慶錢, 時利
【申請人】浙江鴻禧能源股份有限公司
【公開日】2015年5月20日
【申請日】2013年11月13日