一種MgO/ZnO復合介質保護膜及其制備方法
【技術領域】
[0001] 本發明屬于等離子顯示器領域，具體涉及一種MgO/ZnO復合介質保護膜及其制備 方法。
【背景技術】
[0002] F1DP(PlasmaDisplayPanel，等離子顯示板）顯示發光基于氣體放電原理，當在電 極之間附加一定電壓，惰性氣體Ne和Xe被擊穿，輝光放電產生的可見光或紫外光激發涂在 障壁上的熒光粉發出紅、綠、藍三原色光，從而實現PDP的彩色顯示。PDP基板上的電極間附 加電壓增至某一臨界值時，電極間的惰性氣體就會發生放電，把此時放電開始的瞬間電壓 Vf稱為著火電壓。德國著名科學家帕邢（Paschen)發現了著名的帕邢定律，即氣體的擊穿 電壓為：
【主權項】
1. 一種MgO/ZnO復合介質保護膜，其特征在于：該復合介質保護膜包括MgO薄膜，所述 MgO薄膜中滲雜有彌散分布的ZnO顆粒，所述復合介質保護膜的表面顆粒的形狀為S角形。
2. 根據權利要求1所述的MgO/ZnO復合介質保護膜，其特征在于：所述復合介質保護 膜中化的原子數百分含量為0.6?0.8%。
3. 根據權利要求1所述的MgO/ZnO復合介質保護膜，其特征在于：所述復合介質保護 膜的厚度為100?300nm。
4. 根據權利要求1所述的MgO/ZnO復合介質保護膜，其特征在于：所述ZnO顆粒的尺 寸為5?25nm。
5. 根據權利要求1所述的MgO/ZnO復合介質保護膜，其特征在于：所述復合介質保護 膜是通過反應磁控瓣射制得。
6. -種MgO/ZnO復合介質保護膜的制備方法，其特征在于泡括W下步驟：利用反應磁 控瓣射的方法在基片上共瓣射MgO/ZnO薄膜，薄膜中ZnO彌散分布于MgO中。
7. 根據權利要求6所述的MgO/ZnO復合介質保護膜的制備方法，其特征在于；所述反 應溫度為160°C。
8. 根據權利要求6所述的MgO/ZnO復合介質保護膜的制備方法，其特征在于：所述 MgO/ZnO薄膜中化的原子數百分含量為0. 6?0. 8%。
【專利摘要】本發明公開了一種MgO/ZnO復合介質保護膜及其制備方法，所述復合介質保護膜包括摻雜有彌散分布ZnO顆粒的MgO薄膜。由于在MgO薄膜中摻雜ZnO顆粒，改變了表面顆粒的形狀，表面顆粒形狀由橢圓形變成三角形。使得所述復合介質保護膜的二次電子發射系數提高，能夠有效降低顯示器的著火電壓，進而從一定程度上降低PDP顯示器的功耗和成本，提高器件的壽命，增強顯示器件工作電壓的穩定性。
【IPC分類】H01J9-00, H01J11-40
【公開號】CN104599923
【申請號】CN201510014108
【發明人】宋忠孝, 李怡雪, 何雙, 薛佳偉, 李曉華, 張丹, 郝芬芬, 馬洋, 陳建華, 李翠蘭, 劉曉婷, 朱凡
【申請人】西安交通大學
【公開日】2015年5月6日
【申請日】2015年1月12日