自動調節硅片制絨工藝的裝置的制造方法
【專利說明】自動調節硅片制絨工藝的裝置
[0001]
技術領域
[0002]本發明涉及太陽能電池表面結構化的制絨工藝領域，特別涉及一種自動調節硅片制絨工藝的裝置。
【背景技術】
[0003]太陽能電池片的表面結構化制程是太陽能電池生產中非常重要的一步，對后面電池片制程的各項工藝有著重大的影響，而進行鏈式酸制絨是時下太陽能電池最常用的表面結構化方法。現在生產線上制絨工藝的調整通常是工藝人員通過測量硅片的減薄量，然后根據減薄量的結果，進行工藝的調節，以維持工藝的穩定性。這種做法存在兩個問題，第一，根據減薄量的結果進行工藝的調節始終是滯后的，如果工藝出現了問題，不能及時調節，那么這期間可能會出現一些制絨不合格的硅片；第二，工藝人員的調節結果不一定準確，制絨出來的硅片也就沒有達到最好的結果。本發明克服了現有工藝的不足，提供了一種自動調節硅片制絨工藝的裝置，可以實時對制絨工藝進行自動調節，維持工藝的穩定性，確保制絨效果達到最好，提升產品質量。
[0004]
【發明內容】
[0005]本發明為了克服現有工藝的不足，提供一種自動調節硅片制絨工藝的裝置，可以實時對制絨工藝進行自動調節，維持工藝的穩定性，確保制絨效果達到最好，提升產品質量。
[0006]本發明為了解決其技術問題所采用的技術方案是:一種自動調節硅片制絨工藝的裝置，該裝置由反射率測量系統、硅片厚度測量系統和反饋控制系統組成，所述反射率測量系統設置于制絨設備的下料端，所述硅片厚度測量系統設置于制絨設備的上料端與下料端，所述反饋控制系統分別與反射率測量系統、硅片厚度測量系統及制絨設備主控計算機相連接，所述反饋控制系統收集反射率測量系統和硅片厚度測量系統測得的信號，經內部算法處理后，下達指令予制絨設備主控計算機，對制絨設備的工藝參數進行自動調節。
[0007]制絨設備主控計算機對制絨設備的工藝參數進行自動調節，如反射率的調節，厚度減薄量的調節，溫度的調節，傳輸速度的調節及補液系數的調節；
作為本發明的進一步改進，所述反射率測量系統由激光反射率測量儀組成，無接觸測量娃片的反射率。
[0008]作為本發明的進一步改進，所述硅片厚度測量系統由電容測厚儀、電感測厚儀或電阻測厚儀組成，安裝在制絨設備的上料端和下料端，無接觸測量硅片的厚度變化；
作為本發明的進一步改進，所述反饋控制系統由可編程邏輯控制器或計算機組成。
[0009]本發明的有益效果是:本發明適用于太陽能電池表面結構化的制絨工藝，該發明裝置對硅片制絨工藝的自動調節，有效解決了工藝人員對工藝的調控問題，增強了工藝的準確性與穩定性，提升產品質量。
[0010]
【附圖說明】
[0011]圖1為本發明自動調節硅片制絨工藝裝置安裝在制絨設備上的結構示意圖；
圖中標示:1-反射率測量系統、2-硅片厚度測量系統、3-反饋控制系統、4-制絨設備主控計算機、5-上料端、6_下料端、7_制域槽、8_滾輪、9_娃片、10-制域設備。
[0012]
【具體實施方式】
[0013]為了加深對本發明的理解，下面將結合實施例和附圖對本發明作進一步詳述，該實施例僅用于解釋本發明，并不構成對本發明保護范圍的限定。
[0014]如圖1所示:一種自動調節硅片制絨工藝的裝置安裝在制絨設備10上，包括反射率測量系統1、硅片厚度測量系統2、反饋控制系統3、制絨設備主控計算機4、上料端5，下料端6，制絨槽7，滾輪8，硅片9。
[0015]反射率測量系統I設置于制絨設備10的下料端6，當硅片9經過下料端6時，反射率測量系統I無接觸測得硅片的反射率；在本實例中，由激光反射率測量儀測量硅片的反射率。
[0016]硅片厚度測量系統2設置于制絨設備10的上料端5與下料端6 ;當硅片9經過上料端5和下料端6時，硅片厚度測量系統2測得硅片9減薄量的變化；在本實例中，硅片厚度的變化由電容測厚儀測得。
[0017]反饋控制系統3分別與反射率測量系統1、硅片厚度測量系統2及制絨設備主控計算機4相連接；在本實例中，反饋控制系統是具有完成內部算法功能的計算機。
[0018]反饋控制系統3收集反射率測量系統I和硅片厚度測量系統2測得的信號，經內部算法處理后，下達指令予制絨設備主控計算機4 ;
制絨設備主控計算機4對制絨設備10的工藝參數進行自動調節，在本實例中，對反射率的調節，厚度減薄量的調節，溫度的調節，傳輸速度的調節及補液系數的調節；
以上所述僅為本發明示意性的【具體實施方式】，并非用以限定本發明的范圍。任何本領域的技術人員，在不脫離本發明的構思和原則的前提下所作的等同變化、修改與結合，均應屬于本發明保護的范圍。
【主權項】
1.一種自動調節硅片制絨工藝的裝置，其特征在于:該裝置由反射率測量系統(1)、硅片厚度測量系統(2)和反饋控制系統(3)組成，所述反射率測量系統(I)設置于制絨設備(10)的下料端(6)，所述硅片厚度測量系統(2)設置于制絨設備(10)的上料端(5)與下料端(6)，所述反饋控制系統(3)分別與反射率測量系統(1)、硅片厚度測量系統(2)及制絨設備主控計算機(4)相連接，所述反饋控制系統(3)收集反射率測量系統(I)和硅片厚度測量系統(2)測得的信號，經內部算法處理后，下達指令予制絨設備主控計算機(4)，對制絨設備(10)的工藝參數進行自動調節。
2.根據權利要求1所述的自動調節硅片制絨工藝的裝置，其特征在于:所述反射率測量系統(I)由激光反射率測量儀組成。
3.根據權利要求1所述的自動調節硅片制絨工藝的裝置，其特征在于:所述硅片厚度測量系統(2)由電容測厚儀、電感測厚儀或電阻測厚儀組成。
4.根據權利要求1所述的自動調節硅片制絨工藝的裝置，其特征在于:所述反饋控制系統(3)由可編程邏輯控制器或計算機組成。
【專利摘要】本發明公開了一種自動調節硅片制絨工藝的裝置，該裝置由反射率測量系統、硅片厚度測量系統、反饋控制系統組成，反射率測量系統設置于制絨設備的下料端，硅片厚度測量系統設置于制絨設備的上料端與下料端，反饋控制系統分別與反射率測量系統、硅片厚度測量系統及制絨設備主控計算機相連接，反饋控制系統收集反射率測量系統和硅片厚度測量系統測得的信號，經內部算法處理后，下達指令予制絨設備主控計算機，對制絨設備的工藝參數進行自動調節。本發明適用于太陽能電池表面結構化的制絨工藝，本發明裝置對硅片制絨工藝的自動調節，有效解決了工藝人員對工藝的調控問題，增強了工藝的準確性與穩定性，提升產品質量。
【IPC分類】H01L21-67, H01L31-18
【公開號】CN104538330
【申請號】CN201410748135
【發明人】陶龍忠, 樂雄英, 楊灼堅, 張堯, 李海波
【申請人】蘇州潤陽光伏科技有限公司
【公開日】2015年4月22日
【申請日】2014年12月10日