芯片型ptc熱敏電阻及其制造方法

專利名稱：芯片型ptc熱敏電阻及其制造方法
技術領域：
本發明涉及使用具有正溫度系數(下稱“PTC”)特性的導電性聚合物的芯片型PTC熱敏電阻，特別是涉及疊層型芯片型PTC熱敏電阻及其制造方法。
PTC熱敏電阻用于作為過電流保護元件。使用導電性聚合物的PTC熱敏電阻在電路有過電流時具有PTC特性的導電性聚合物本身發熱，導電性聚合物發生熱膨脹，電阻上升，使電路的電流衰減到安全的微小電流區域。
下面對已有的疊層型芯片型PTC熱敏電阻(下稱PTC熱敏電阻)加以說明。
已有的PTC熱敏電阻如日本特開昭61-10203號公報所示，是多片導電性聚合物片材與金屬箔交錯疊層，相對的側面上具備引出部的PTC熱敏電阻。


圖11(a)是已有的PTC熱敏電阻的剖面圖。在圖11(a)中，1a、1b、1c是導電性聚合物片材(下稱“聚合物片材”)。2a、2b、2c、2d是設置于1a、1b、1c的上下表面，開口部3交互錯位的電極。將2a、2b、2c、2d與聚合物片材1a、1b、1c交錯疊層形成疊層體4。5a、5b是設置于疊層體4的側面的引出部。
但是上述已有的PTC熱敏電阻的結構由于結構材料之間的熱膨脹系數的巨大差別，動作時的機械應力使引出部5a、5b與電極2a、2b、2c的連接部發生裂紋等，造成該部分的劣化，有時甚至于斷線。
又，引出部5a、5b沒有延伸到聚合物片材1c的下表面和聚合物片材1a的上表面，因此存在不能作為面安裝零件使用的問題。因此，為了將這些作為面安裝零件使用，有必要使引出部5a、5b延伸到聚合物片材1c的最下部和聚合物片材1a的最上部。這樣改造之后釬焊于印刷板的情況下的剖面圖示于圖11(b)。在這種結構中，在被釬焊于印刷板上時聚合物片材1a、1b、1c與電極2a、2b、2c、2d及引出部5a、5b之間由于熱膨脹系數存在巨大的差，特別是引出部5a將發生變形。因此，引出部5a與聚合物片材1c的連接面及與電極2c的連接處在殘存著應力的情況下釬焊固定。PTC熱敏電阻是在過電流流過時發生保護性動作，即導電性聚合物熱膨脹，電阻上升的零件，在發生保護性動作時由于聚合物片材1a、1b、1c的熱膨脹而發生巨大的機械應力。由于該保護性動作反復進行，即導電性聚合物反復膨脹、收縮，引出部5a與聚合物片材1c的連接面逐漸剝離。還存在引出部與電極連接處附近應力集中，連接處發生裂紋，該零件劣化，有時甚至于發生斷線的問題。
本發明的目的在于，解決上述已有的疊層型PTC熱敏電阻的存在問題，提供在內層主電極及內層副電極與側面電極的連接處不發生裂紋，連接長期可靠，并且適于表面安裝的芯片型PTC熱敏電阻。
本發明的PTC熱敏電阻包含具有PTC特性(正溫度系數)特性的導電性聚合物、設置為與所述導電性聚合物接觸的第1外層電極、隔著所述導電性聚合物與所述第1外層電極相對設置的第2外層電極、與所述第1外層電極及所述第2外層電極相對，同時位于這兩個外層電極之間，并且被所述導電性聚合物夾著的1個以上的內層電極、直接與所述第1外層電極電氣連接的第1電極、以及在電氣上獨立于所述第1電極設置的第2電極，其結構為，所述1以上的內層電極中以最靠近所述第1外層電極的位置上設置的內層電極為第1號，依序位于第n號位置的內層電極記為第n內層電極，這時，奇數號的內層電極直接連接于所述第2電極，偶數號的內層電極直接連接于所述第1電極，在所述內層電極總數為奇數個的情況下，所述第2外層電極與所述第1電極直接電氣連接，在所述內層電極總數為偶數的情況下，所述第2外層電極與所述第2電極直接電氣連接，所述奇數號的內層電極與所述第2電極連接的部分的厚度做得比其他部分大，所述偶數號的內層電極與所述第1電極連接的部分的厚度做得比其他部分的厚度大。
采取這樣的結構，則即使有導電性聚合物反復膨脹、收縮產生的應力的作用，也能夠提供在內層主電極及內層副電極與側面電極的連接處不發生裂紋，連接長期可靠，并且適于表面安裝的芯片型PTC熱敏電阻。
圖1(a)是本發明實施例1的PTC熱敏電阻的立體圖。
圖1(b)是圖1(a)中的A-A線的剖面圖。
圖2(a)～(c)是表示實施形態1的PTC熱敏電阻的制造方法的工序圖。
圖3(a)～(e)是表示實施形態1的PTC熱敏電阻的制造方法的工序圖。
圖4是實施形態2的PTC熱敏電阻的剖面圖。
圖5(a)～(d)是表示實施形態2的PTC熱敏電阻的制造方法的工序圖。
圖6(a)、(b)是表示本發明實施形態2的PTC熱敏電阻的制造方法的工序圖。
圖7是實施形態3的PTC熱敏電阻的剖面圖。
圖8(a)～(c)是表示實施形態3的PTC熱敏電阻的制造方法的工序圖。
圖9(a)～(c)是表示實施形態3的PTC熱敏電阻的制造方法的工序圖。
圖10(a)、(b)是表示長方形及梳子形狀的開口部的例子的立體圖。
圖11(a)是已有的PTC熱敏電阻的剖面圖。
圖11(b)是已有的PTC熱敏電阻的3層疊層結構使用于表面安裝時的剖面圖。
實施例1下面參照附圖對本發明實施例1的PTC熱敏電阻加以說明。實施例1是內層電極為一層的情況。
在圖1(a)、(b)中，導電性聚合物11由一種結晶性聚合物高密度聚乙烯與碳黑的混合物構成，具有PTC特性。第1外層電極12a位于導電性聚合物11的第1面上。第1副電極12b位于與主電極12a相同的面上，并且獨立于主電極12a。第2外層電極12c位于導電性聚合物11的第2面上。獨立于外層電極12c的第2副電極12d位于與第2主電極相同的面上。這些電極分別由電解銅箔構成。第1側面電極13a是鍍鎳形成的，設置于導電性聚合物11一個側面的整個面上。第1側面電極13a與外層電極12a外層電極13c電氣連接。第2側面電極13b也鍍鎳形成，設置于導電性聚合物11另～側面的整個面上。側面電極13b與副電極12b及副電極12d電氣連接。第1、第2保護性涂層14a、14b由環氧樹脂變化丙烯樹脂形成。內層主電極15a位于導電性聚合物11的內部，與外層電極12a及外層電極12c平行設置，并且與側面電極13b電氣連接。內層副電極15b位于與內層主電極15a相同的面上，并且獨立于內層主電極15a，與側面電極13a電氣連接。
下面參照附圖對具有如上所述結構的PTC熱敏電阻及其制造方法加以說明。
圖2(a)～(c)及圖3(a)～(e)是表示本發明實施例1的芯片型PTC熱敏電阻的制造方法的工序圖。
首先，將42重量％結晶化度70～90％的高密度聚乙烯、57重量％的用制造爐黑的方法制造的平均粒徑58nm、比表面積38m2/g碳黑和1重量％的防氧化劑用加熱到約170℃的兩支熱輥混合攪拌約20分鐘。然后從兩支熱輥取出形成片狀的所述混合物，制成圖2(a)所示的厚度約0.16mm的片狀導電性聚合物21。
接著，利用模壓在電解銅箔上形成梳子形狀的圖形，制成如圖2(b)所示的電極22。圖2(b)的槽26在后面的工序中被分割成片狀時，形成用于使主電極與副電極保持一定間隔的獨立的間隙。槽27是為了在將產品分割成單片時使切斷銅箔的部分減少，避免在分割時電產生電解銅箔的毛刺。又，槽27能夠防止電解銅箔的斷面在產品側面露出，銅箔氧化或安裝時釬焊引起的短路。內層電極用的電解銅箔至少要有35微米的厚度，最好是有70微米以上的厚度，以避免疊層體在熱壓成型工序中銅箔破裂。
接著如圖2(c)所示，將導電性聚合物21與電極22交互重迭，以175℃的溫度、約20Torr的真空度、約75kg/cm2的壓強進行約1分鐘的真空熱壓，實施加熱加壓成型，制成如圖3(a)所示的成一整體的片材33。還有，圖2(c)的3片電極22可以做成相同的形狀，由于可以用一種模具沖孔，可以降低成本。但是，如圖2(c)所示，必須將相鄰的電極22交互改變方向迭層。
其后，對形成一體的片材33進行熱處理(110℃～120℃、1小時)后在電子束照射裝置內進行約40Mrad的電子束照射，進行高密度聚乙烯的架橋。
接著，如圖3(b)所示，利用切割方法在所希望的芯片型PTC熱敏電阻的長度方向留出寬度形成細長的一定間隔的開口34。切割條件是飛輪轉速30000rpm，送進速度10mm/s。切割砂輪片使用NBC-ZB系列(ディスコ公司制)的磨粒粒徑是#320目、砂輪片厚度0.2mm。還有，磨粒如果太細，則切削能力下降，其結果是，砂輪片的發熱量增多。由于這種發熱，導電性聚合物如達到熔點以上的溫度，開口部34的聚合部剖面發生很大的變形，開口部附近的片材厚度發生偏差。因此，在接著的研磨工序中，電極研磨量發生偏差，因此，最好是使用比#600目的磨粒粗的磨粒做成的砂輪片。又，切割的送進速度如果極慢(0.5mm/s)則金屬箔塌邊少，在后面所述的連接可靠性變差。而送進速度過快也會引起砂輪片發熱，因此送進速度最好是1mm/s～50mm/s。而砂輪片的寬度如果太薄，則容易在切削阻力的作用下發生變形，切削線的精度變差，因此，為了使送進速度達到10mm/s以上，厚度最好是0.15mm以上。本實施例1的條件下，導電性聚合物的剖面不變形，金屬箔的剖面因切削時的塌邊而擴展開來，與側面電極的連接部分的面積在良好的狀態下增加。還有，設置開口部34的工序如圖10(a)、(b)所示，片材33也可以做成長方形或梳子形狀。
接著將形成如圖3(b)所示的開口部34后的片材33的上下表面用#200的IH輪(石井表記制)研磨，去除片材33的上下表面上產生的毛刺。
接著如圖3(c)所示，在形成開口部34的片材33的上下表面，除去開口部34的周邊，將環氧樹脂變性丙烯系樹脂網板印刷，其后用熱硬化爐使其熱硬化，形成保護性涂層35。
接著，如圖3(d)所示，在片材33的沒有形成保護性涂層35的部分和開口部34的內壁進行電鍍、其條件是，在氨基碳酸鎳溶液中以約4A/dm2的電流密度進行全面電鍍40分鐘，形成約20微米的鎳層構成的側面電極。
然后，利用切割方法將進行了圖3所示的全面電鍍的片材38分割成一片片，制作圖3(e)所示的本發明的芯片型PTC熱敏電阻39。
還有，在本實施例中，最外層電極使用形成圖案的金屬箔，但是也可以是最多層采用沒有形成圖案的金屬箔，其他的金屬箔采用模壓形成圖案的金屬箔。也可以將這些金屬箔與導電性聚合物用熱壓方法形成一整體，然后利用網板印刷或光刻工序在最外層的金屬箔上形成保護膜圖案，刻蝕形成外層電極。在這種情況下，在形成外層電極之后與本實施例1一樣制作，也能制成同樣的PTC熱敏電阻。
采用本發明的實施例1，由于用切割方法形成開口部34，內層的金屬箔在切割后的剖面由于切削時的塌邊而擴展。結果是，與側面電極連接的部分面積增加，因此內層電極與側面電極的連接部可靠性增大。又，上述切削時的塌邊量在金屬箔的厚度為90微米時剖面上下方向的尺寸為150微米～180微米。也就是說連接處的面積是沒有塌邊時的約1.6～2.0倍。
在這里，比較例采用將切削速度降低到很低的程度(送進速度0.5mm/s)形成開口部，以此制作內層金屬箔的切削面塌邊少(剖面尺寸為100微米)的樣品，分別在印刷板上各安裝20個進行解扣循環試驗。解扣循環試驗是作為熱膨脹收縮的加速試驗進行的試驗，連接于6V的直流電源，通以40A的過電流使其發生保護動作(解扣)，保持這樣的條件通電6秒鐘后切斷電源60秒鐘為1個循環的試驗。本試驗進行到6000個循環為止，分別在3000循環和6000循環后每次取下10個進行評價。
用切割形成開口部34的本發明的樣品在6000循環發生裂紋的比例是10個中的0個。而塌邊少的比較例的試樣中，6000循環發生裂紋的比例是，10個中的3個有側面電極與內層主電極的連接部發生裂紋的情況。從這一結果可以了解到，連接處的面積對可靠性有很大影響。在本實施例1中由于采取合適的切割條件，形成連接處剖面面積加大的開口部34，因此可以使連接處的可靠性得以提高。
實施例2實施例2是內層電極為2層的情況。圖4是實施例2的PTC熱敏電阻的剖面圖。
在圖4中，導電性聚合物41由高密度聚乙烯與碳黑的混合物構成并且具有PTC特性。第1外層電極42a位于所述導電性聚合物41的第1面上。獨立于所述電極42a的第1副電極42b位于與所述電極42a相同的面上。第2外層電極42c位于與所述導電性聚合物41的第1面相對的第2面上。第2副電極42d位于與所述電極42c相同的面上，并且獨立于所述電極42c。這些電極分別由電解銅箔構成。鍍鎳形成的第1側面電極43a設置于所述導電性聚合物41的一個側面的整個面上，并且將所述電極42a與所述電極42d電氣連接。鍍鎳形成的第2側面電極43b設置于所述導電性聚合物41的另一側面的整個面上，并且將所述第1副電極42b與所述第2主電極42c電氣連接。第1、第2保護性涂層44a、44b由環氧樹脂變性丙烯樹脂構成。第1內層主電極45a位于所述導電性聚合物41的內部，平行于所述電極42a及所述電極42c設置，并且與所述電極43b電氣連接。第1內層副電極45b位于與所述電極45a相同的面上，并且獨立于該內層主電極45a，與所述電極43a電氣連接。第2內層主電極45c位于所述導電性聚合物41的內部，平行于所述電極42a及所述電極42c設置，并且與所述電極43a電氣連接。第2內層副電極45d位于與所述電極45c相同的面上，并且獨立于所述電極45c，與所述電極43b電氣連接。
下面參照附圖對本發明實施例2的芯片型PTC熱敏電阻的制造方法加以說明。
圖5(a)～圖5(d)及圖6(a)、(b)是疊層數為3層的導電性聚合物的制造方法的工序圖。與實施例1一樣制作如圖5(a)、(b)所示的導電性聚合物51與電極52。內層的電解銅箔與2層時一樣，為了在后面的工序將疊層體加熱加壓成型時銅箔不會由于導電性聚合物擴張的力導致銅箔破裂，至少厚度要有35微米，特別是最好在70微米以上。接著，如圖5(c)、(d)所示，將2片電極52與導電性聚合物51重疊，加熱加壓成型，制作如圖5(d)所示的、成一整體的第1片材53。接著如圖6(a)所示，從第1片材53的兩側將兩片導電性聚合物51和兩片電極52疊加到第1片材53，并使電極52處于最外層，然后熱壓成型制成圖6(b)所示的成一整體的第2片材54。下面與本發明實施例1一樣進行制作，制造導電性聚合物的疊層數為3層的PTC熱敏電阻。
在實施例2中，分兩次熱壓成型是為了防止發生這樣的情況，即因為同時熱壓成型時內部的導電性聚合物傳熱困難，因而外側的導電性聚合物與內部的導電性聚合物的溫度差會造成成型的聚合物片材厚度不均勻。
在本實施例中也可以最外層采用沒有形成圖案的金屬箔，由其他金屬箔用模壓形成圖案，將這些金屬箔與導電性聚合物熱壓成型形成一整體，其后，在最外層金屬箔上形成圖案，制造芯片型PTC熱敏電阻。又可以從第2片材54的兩側配置導電性聚合物和其外側形成圖案的電極，反復熱壓成型就可以制造導電性聚合物的疊層數在5層以上的奇數層的PTC熱敏電阻。在這種情況下，如果最外層采用沒有形成圖案的金屬箔，則在后續工序中可以利用刻蝕形成圖案。
制作本實施例2的3層的樣品，進行解扣循環試驗至6000個循環，分別在3000、6000循環后各提取10個進行評價。在這批樣品中用切割方法形成開口部的樣品在6000循環發生裂紋的比例是10個中有0個，使側面電極與內層主電極的連接部的面積增加，可以了解到3層的產品也同樣能夠提高可靠性。
實施例3實施例3是內層電極為3層的情況。圖7是實施例3的PTC熱敏電阻的剖面圖。
在圖7中，導電性聚合物71是高密度聚乙烯與碳黑的混合物，并且具有PTC特性。第1主電極72a位于所述導電性聚合物71的第1面。第1副電極72b位于與所述電極72a相同的面，并且獨立于所述電極72a。第2外層電極72c位于所述導電性聚合物71的第2面。第2副電極72d位于與所述電極72c相同的面上，并且獨立于所述電極72c。這些電極分別由電解銅箔構成。鍍鎳形成的第1側面電極73a設置于所述導電性聚合物71的一個側面的整個面上，并且將所述電極72a與所述電極72c電氣連接。鍍鎳形成的第2側面電極73b設置于所述導電性聚合物71的另一側面的整個面上，并且把所述電極72b與所述電極72d電氣連接。第1、第2保護性涂層74a、74b由環氧樹脂變性丙烯系樹脂形成。第1內層主電極75a在所述導電性聚合物71的內部，平行于所述電極72a與所述電極72c設置，并且與所述電極73b電氣連接。第1內層副電極75b位于與所述電極75a相同的面上，并且獨立于所述內層主電極75a，與所述電極73a電氣連接。第2內層主電極75c在所述導電性聚合物71的內部，平行于所述電極72a與所述電極72c設置，并且與所述電極73a電氣連接。第2內層副電極75d位于與所述電極75c相同的面上，并且獨立于所述電極75c，與所述電極73b電氣連接。第3內層主電極75e在所述導電性聚合物71內部與所述電極72a和所述電極72c平行設置，并且與所述電極73b電氣連接。第3內層副電極75f位于與所述電極75e相同的面上，并且獨立于所述電極75e，電氣連接于所述電極73a。
下面參照附圖對本發明實施例3的芯片型PTC熱敏電阻的制造方法加以說明。
圖8(a)～(c)及圖9(a)～(c)是表示導電性聚合物的疊層數為4層的情況下的制造方法的工序圖。與實施例1一樣，制造如圖8(a)、(b)所示的導電性聚合物81與電極82。與內層的電解銅箔為2層時一樣，內層的電解電箔的厚度至少為35微米，特別希望具有70微米以上的厚度。接著如圖8(c)所示，將3片電極82和2片導電性聚合物81交錯疊層，并使最外層為電極82，然后熱壓成型制作如圖9(a)所示的成一整體的第1片材93。接著如圖9(b)所示從第1片材93兩側將2片導電性聚合物81與2片電極82交錯疊層并使電極82為最外層，然后熱壓成型，制作圖9(c)所示的形成一整體的第2片材94。下面與實施例1同樣進行制作，制造導電性聚合物的疊層數為4層的PTC熱敏電阻。
這種情況下也可以最外層采用沒有形成圖案的金屬箔，此外的金屬箔用模具形成圖案，其后在最外層的金屬箔上形成圖案，制造同樣的芯片型PTC熱敏電阻。
為了增加疊層數目，反復進行從上述第2片材94的兩側配置導電性聚合物電極，然后熱壓成型形成一整體的工序，就可以制造導電性聚合物的疊層數為6層以上的偶數的PTC熱敏電阻。在這種情況下，如果最外層采用沒有形成圖形的金屬箔，則在后面的工序也可以利用刻蝕形成圖案。
如上所述進行制作，可以增加導電性聚合物的疊層數，但是在導電性聚合物流入過電流，反復操作的情況下導電性聚合物膨脹、收縮產生的應力在疊層數目增加時也累積增加、側面電極與內層主電極及內層副電極的連接可靠性成問題。然而，如果采用本發明，則在結構上由于與側面電極連接的部分面積增加，所以對于連接部的應力減少，因此即是疊層數增加也能夠充分保證連接可靠性。
在上述實施例中，作為結晶性聚合物，對高密度聚乙烯進行了說明，但是從上述作用機制可以看出，本發明能夠適用于使用聚氟乙烯叉、PBT樹脂、PET樹脂、聚酰胺樹脂、PPS樹脂等結晶性聚合物PTC熱敏電阻。
又，在上述實施例中，關于開口部34的形成敘述了主要使用切割的方法，但是開口部34的形成并不限于上述方法，還可以采用模壓等方法和利用剪切力的一般性加工手段。
如上所述，本發明的PTC熱敏電阻由于內層電極與側面電極的連接處厚度做得比其他部分厚，因此連接處的強度增加了。其結果是，即使連接處受到導電性聚合物的膨脹與收縮產生的應力的作用，也不會在內層內電極與側面電極的連接處發生裂紋。因此，能夠提供具有優異的長期連接可靠性，并且能夠適于表面安裝的防止發生過電流用的PTC熱敏電阻。
權利要求
1．一種芯片型PTC熱敏電阻，其特征在于，包含具有正溫度系數(下稱“PTC”)特性的導電性聚合物、設置為與所述導電性聚合物接觸的第1外層電極、隔著所述導電性聚合物與所述第1外層電極相對設置的第2外層電極、與所述第1外層電極及所述第2外層電極相對，同時位于這兩個外層電極之間，并且被所述導電性聚合物夾著的1個以上的內層電極、與所述第1外層電極直接電氣連接的第1電極、以及在電氣上獨立于所述第1電極設置的第2電極，其結構為，所述1層以上的內層電極中以最靠近所述第1外層電極的位置上設置的內層電極為第1號，依序位于第n號位置的內層電極記為第n內層電極，這時，奇數號的內層電極直接連接于所述第2電極，偶數號的內層電極直接連接于所述第1電極，在所述內層電極總數為奇數個的情況下，所述第2外層電極與所述第1電極直接電氣連接，在所述內層電極總數為偶數的情況下，所述第2外層電極與所述第2電極直接電氣連接，所述奇數號的內層電極與所述第2電極連接的部分的厚度做得比其他部分大，所述偶數號的內層電極與所述第1電極連接的部分的厚度做得比其他部分的厚度大。
2．根據權利要求1所述的芯片型PTC熱敏電阻，其特征在于，具有位于所述第1外層電極的延長位置上，在電氣上獨立于所述第1外層電極，同時與所述第2電極直接電氣連接的第1副電極、以及位于所述第2外層電極的延長位置上，在電氣上獨立于所述第2外層電極，同時與所述第1電極或所述第2電極中的電氣上獨立于所述第2外層電極的一方直接電氣連接的第2副電極。
3．根據權利要求1所述的芯片型PTC熱敏電阻，其特征在于，具有位于所述內層電極的延長位置上，電氣上獨立于所述內層電極，同時在所述內層電極是所述偶數號時與所述第1電極直接電氣連接，在所述內層電極是所述奇數號時與所述第2電極直接電氣連接的內層副電極。
4．根據權利要求3所述的芯片型PTC熱敏電阻，其特征在于，所述奇數號的內層副電極與所述第1電極連接的部分的厚度做得比其他部分大，所述偶數號的內層副電極與所述第2電極連接的部分的厚度做得比其他部分的厚度大。
5．根據權利要求1所述的芯片型PTC熱敏電阻，其特征在于，所述第1電極是設置于所述導電性聚合物的一個側面上的第1側面電極，所述第2電極是設置于所述導電性聚合物的另一側面的第2側面電極。
6．一種芯片型PTC熱敏電阻的制造方法，其特征在于，具備將具有PTC特性的片狀導電性聚合物與至少3片以上的片狀導體交錯疊層形成一體化的片材的片材形成工序、通過在所述片材的規定位置上形成開口部，將被所述導電性聚合物夾著的導體、即內部電極的切斷處的剖面做得比其他部分的剖面寬大的開口部形成工序、以及形成與面對所述開口部的導體電氣連接的電極的電極形成工序。
7．根據權利要求6所述的芯片型PTC熱敏電阻的制造方法，其特征在于，所述導體是金屬箔。
8．根據權利要求6所述的芯片型PTC熱敏電阻的制造方法，其特征在于，所述開口部形成工序利用在所述片材上施加剪切力的方法形成開口部。
9．根據權利要求6所述的芯片型PTC熱敏電阻的制造方法，其特征在于，所述開口部形成工序利用切割方法形成開口部。
10．根據權利要求6所述的芯片型PTC熱敏電阻的制造方法，其特征在于，所述開口部形成工序在所述片材上形成長方形或梳子形狀的開口部。
全文摘要
本發明芯片型PTC熱敏電阻由具有PTC特性的導電性聚合物、與該聚合物接觸著設置的第1外層電極、隔著該聚合物與第1外層電極相對設置的第2外層電極、與第1、第2外層電極相對,并位于這兩個外層電極間,而且被導電性聚合物夾著的1個以上的內層電極、直接與第1外層電極電氣連接的第1側面電極、及在電氣上獨立于第1側面電極設置的第2側面電極。從第1外層電極起,奇數號的內層電極直接連接第2側面電極,偶數號的內層電極直接連接第1側面電極。內層電極總數為奇數時,第2外層電極與第1側面電極直接電氣連接,為偶數時,第2外層電極與第2側面電極直接電氣連接。上述結構中,內層電極與第1側面電極和第2側面電極連接部分的厚度做得比其他部分厚,以此可以提供長期連接可靠性好,并適于表面安裝的芯片型PTC熱敏電阻。
文檔編號H01C1/14GK1323441SQ99812009
公開日2001年11月21日 申請日期1999年10月12日 優先權日1998年10月13日
發明者小島潤二, 池內揮好, 池田隆志, 森本光一, 巖尾敏之 申請人:松下電器產業株式會社