專利名稱：衛星用半導體探測器的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種半導體應用技術，尤其是一種衛星用半導體探測器。
現有的衛星用半導體探測器因其初始表面的粗糙度較低，表面較光潔，因而在作鋰補償時，鋰的附著率較低，電阻率較低的半導體材料的缺陷受主完全補償。另其電極上無電極引線，采用壓接觸法，其抗振動能力差。另現有的探測器的保護槽表面未作處理，且槽內未填以絕緣物質；因而其穩定性差和噪聲大。
本實用新型的目的在于提供一種采用鋰補償時的鋰附著率高、在較低溫度下擴散可減少半導體材料缺陷，具有極好的長期穩定性、抗振動、抗干擾能力的衛星用半導體探測器。
本實用新型的目的可通過如下措施來實現一種衛星用半導體探測器，包括電極、管殼、絕緣墊、硅片；在電極上直接聯有電極引線，且所述的硅片的初始表面粗糙度為M20-30。另在保護槽內作腐蝕處理，并在保護槽內填以絕緣物質。
本實用新型相比現有技術具有如下優點1、本實用新型的硅片的初始表面較粗糙，因而有利于提高鋰的附著率，可使在采用鋰補償時達到足夠的濃度，擴散之后將多余的鋰去掉，去除表面氧化物，可減少可能造成的缺陷，從而可提高探測器的電特性。
2、本實用新型在電極上采用特定工藝，直接聯接電極引線可提高探測器的抗振動能力。
3、本實用新型在封裝前對保護槽內作腐蝕處理，可提高探測器的穩定性和降低噪聲。
本實用新型的具體結構由以下附圖給出
圖1是本實用新型的結構示意圖1-電極 2-電極引線 3-管殼 4-絕緣墊5-硅片 6-保護槽本實用新型還將結合附圖1實施例作進一步詳述參照圖1，一種衛星用半導體探測器，包括電極1、管殼3、絕緣墊4、硅片5；在電極1上直接聯有電極引線2，且所述的半導體探測器5的表面粗糙度為M28。在保護槽6內作酸腐蝕處理，并在保護槽6內填以絕緣物質。
權利要求1.一種衛星用半導體探測器，包括電極(1)、管殼(3)、絕緣墊(4)、硅片(5)；其特征在于在電極(1)上直接聯有電極引線(2)，且所述的硅片(5)的初始表面粗糙度為M20-30。
2.如權利要求1所述的衛星用半導體探測器，其特征在于在所述的保護槽(6)內作腐蝕處理，并在保護槽(6)內填以絕緣物質。
專利摘要本實用新型涉及一種衛星用半導體探測器,包括電機、管殼、絕緣墊、硅片;在電極上直接聯有電極引線,且所述的硅片的初始表面粗糙度為M20—30;本實用新型的鋰附著率高、可減少半導體材料缺陷,在保護槽內作表面處理并在槽內填以絕緣物質;具有極好的長期穩定性、抗振動、抗干擾能力。
文檔編號H01L31/0224GK2406339SQ9925617
公開日2000年11月15日 申請日期1999年12月30日 優先權日1999年12月30日
發明者譚繼廉, 李存璠, 盧子偉, 張金霞, 王柱生 申請人:中國科學院近代物理研究所