專利名稱:電阻器及其制造方法
技術領域:
本發明涉及以電壓值的方式檢測電路中的電流值的用于檢測電流的電阻器及其制造方法。
作為現有的這種電阻器,已知有特開平6-20802號公報中公開的電阻器。
下面參照
這種現有的電阻器。
圖29(a)是現有電阻器的斜視圖,圖29(b)是其剖面圖。
在圖29(a)、(b)中,1是有相對的兩端2、3的長方體形的、由鎳、鉻、鋁或銅的合金構成的電阻金屬的一體結構的電阻體。在該電阻體1的兩端2、3有用錫焊等導電材料涂敷得到的端子4、5。6是電阻體1的除端子4、5之外的中央部分。為使該中央部分6在安裝電阻器時從基板面上凸出來,將端子4、5彎曲。7是在電阻體1的中央部分6上設置的絕緣材料。
下面,說明上述結構的現有電阻器的制造方法。
圖30是說明現有電阻器的制造方法的工序圖。
首先,如圖30(a)所示,形成具有預定電阻值的由鎳、鉻、鋁和銅的合金構成的一體結構的長方體形電阻體1。
然后,如圖30(b)所示,在電阻體1(圖中未示出)的整個表面上通過鍍覆(plating)涂敷導電材料8。
然后,如圖30(c)所示,通過用金屬絲刷剝去具有導電材料8的電阻體1的中央部分6,使電阻體1的中央部分6露出。
接著,如圖30(d)所示,將位于電阻體1的側部的端子4、5相對于中央部分6向下方彎曲。
最后,如圖30(e)所示,通過在電阻體1的中央部分6的周圍進行絕緣材料7的成形加工進行覆蓋,制成現有的電阻器。
然而,上述現有的電阻器是把電阻金屬彎曲且電阻體1和端子4、5是一體結構的電阻器,電阻體1由鎳、鉻、鋁和銅的合金構成,且端子4、5是在電阻體1的兩端2、3的表面上用鍍覆涂敷焊錫等導電材料而構成的。
構成上述電阻體1的鎳、鉻、鋁和銅的合金的電導率比銅、銀、金和鋁等一般導電性良好的金屬的電導率低。由于構成上述端子4、5的母材是與電阻體1相同的合金,構成上述端子4、5的母材的電阻值比一般導電性良好的金屬的電阻值大,為了減少其電阻值,把述端子4、5構成為在電阻體1的兩端2、3的表面上用鍍覆等涂敷焊料等導電材料。
一般地,在電阻值大的電阻器的情況下,在上述現有結構中,由于在電阻體1的兩端2、3表面上涂敷焊料等導電材料而到的端子4、5的電阻值減小,電阻體1和端子4、5的電阻值的差非常大,結果導致,作為電阻體1和端子4、5的合成電阻的電阻器整體電阻值,僅代表了電阻器1的電阻值,而端子4、5部分的電阻值可以忽略。
但是,在電阻值不大于0.1歐姆的電阻器的情況下,就不能忽視端子4、5的電阻值在電阻器整體中占的分量。即,通常在高電阻值電阻器的電阻值高精度測量時,用四探針法是沒有問題的,但在0.1歐姆以下的電阻器的阻值測量時,即使用例如四探針法,由于端子4、5的電阻值對電阻器的整體電阻值有影響,如果端子4、5的電阻值增加,則因端子4、5上何處有觸針,引起電阻值變化。在這種情況下,電阻體1的電阻值和端子4、5的電阻值的比率,若在電阻器整體中端子4、5占的電阻值比率大,則因測量位置不同造成的電阻值變化增大。因此,為了在現有結構的電阻器中高精度再現測量值,必須規定測量位置。但是,即使規定測量位置,再現這種測量位置也是非常困難的,存在著電阻值的測量再現性低的問題。
本發明正是為了解決上述問題而提出的,其目的在于提供一種測量位置變化也可保證高精度電阻的電阻器。
為了解決上述問題而提出的本發明的電阻器,包括金屬制的板狀電阻體、和與該板狀電阻體的兩端電氣連接并與其分離的金屬制的端子,上述端子由具有與上述電阻體電導率相同的或更大的電導率的材料構成。
根據上述結構,由于端子由具有與電阻體電導率相同的或更大的電導率的材料構成,端子的電阻值相對于電阻體的電阻值可減少,由此,在整個電阻器中端子占的電阻值比率可減小,從而可忽略因電阻值測量端子的測量位置變化等造成的電阻值變化的影響。其結果,即使不嚴格規定端子上的測量位置,也可以高精度地得到電阻值測量再現性,可以提供即使測量位置變化也可保證高精度電阻值的電阻器。
圖1(a)是本發明實施例1的電阻器的剖面圖;圖1(b)是其平面圖;圖1(c)是其主要部分,即從端子的開口部分側觀察的側面圖;圖2(a)~(d)是其制造方法的工序圖;圖3是該電阻器的其它例子的剖面圖;圖4(a)是本發明實施例2的電阻器的剖面圖;圖4(b)是其平面圖;圖5是本發明實施例3的電阻器的剖面圖;圖6是本發明實施例4的電阻器的主要部分,即從端子的開口部分側觀察的側面圖;圖7(a)是本發明實施例5的電阻器的剖面圖;圖7(b)是其平面圖;圖8(a)~(d)是其制造方法的工序圖;圖9(a)是本發明實施例6的電阻器的剖面圖;圖9(b)是其平面圖;圖10(a)是本發明實施例7的電阻器的剖面圖;圖10(b)是其平面圖;圖11(a)是本發明實施例8的電阻器的剖面圖;圖11(b)是其平面圖;圖11(c)是其主要部分,即從端子的開口部分側觀察的側面圖;圖12是本發明實施例8的電阻器的主要部分,即從端子的開口部分側觀察的側面圖;圖13(a)是本發明實施例9的電阻器的剖面圖;圖13(b)是其平面圖;圖14(a)是本發明實施例10的電阻器的剖面圖;圖14(b)是其平面圖;圖14(c)是沿其端子的寬度方向切開的剖面圖;圖15(a)是本發明實施例11的電阻器的剖面圖;圖15(b)是其平面圖;圖16是本發明實施例12的電阻器的剖面圖;圖17是本發明實施例13的電阻器的剖面圖;圖18是本發明實施例14的電阻器的剖面圖;圖19(a)~(d)是其制造方法的工序圖;圖20(a)是本發明實施例15的電阻器的剖面圖;圖20(b)是其表面側的平面圖;圖20(c)是其內表面側的平面圖;圖21(a)是本發明實施例16的電阻器的剖面圖;圖21(b)是其平面圖;圖22是本發明實施例16的電阻器的其它例子的剖面圖;圖23是本發明實施例17的電阻器的剖面圖;圖24(a)是本發明實施例18的電阻器的剖面圖;圖24(b)是其平面圖;圖25(a)~(e)是其制造方法的工序圖;圖26(a)是本發明實施例19的電阻器的剖面圖;圖26(b)是其平面圖;圖26(c)是圖26(b)的A-A剖面圖;圖27(a)~(e)是其制造方法的工序圖;圖28(a)是本發明實施例20的電阻器的剖面圖;圖28(b)是其平面圖;圖28(c)是圖28(b)的B-B剖面圖;圖29(a)是現有電阻器的斜視圖;圖29(b)是其剖面圖;圖30(a)~(e)是其制造方法的工序圖。
(實施例1)下面參照
本發明實施例1的電阻器。
圖1(a)是本發明實施例1的電阻器的剖面圖;圖1(b)是其平面圖;圖1(c)是其主要部分,即從端子的開口部分側觀察的側面圖。
在圖1中,11是板狀的銅鎳合金、鎳鉻合金、銅錳鎳合金等構成的電阻體。12、13是具有其寬度k與電阻體11的厚度T相等的凹溝14、且設置在電阻體11的兩端并與之電連接的第一和第二端子。該第一、第二端子12、13的厚度t比電阻體11的厚度T更厚,其寬度m與電阻體11的寬度W相同或更大,且其長度w比電阻體11的長度L更短,并由其電導率與電阻體11的電導率相同或比其更大的的銅、銀、金、鋁、銅鎳或銅鋅等金屬構成。
下面,參照
上述結構的本發明實施例1的電阻器的制造方法。
圖2是說明本發明實施例1的電阻器的制造方法的工序圖。
首先,如圖2(a)所示,把由其電導率與電阻體11的電導率相同或比其更大的的銅、銀、金、鋁、銅鎳或銅鋅等金屬構成的板狀或帶狀的金屬體,通過切削、鑄造、鍛造,壓力加工、拉拔加工等形成第一和第二端子12、13,它們具有其寬度k與電阻體11的厚度T相等的凹溝14、且其厚度t比電阻體11的厚度T更厚,其寬度m與電阻體11的寬度W相同或更大,其長度w比電阻體11的長度L更短,接著,如圖2(b)所示,將銅鎳合金、鎳鉻合金、銅錳鎳合金等構成的板狀或帶狀的金屬體,通過切割、拉拔加工和壓力加工等,形成具有可從體電阻率、截面積和長度求出的所期望的電阻值的板狀的預定形狀的電阻體11。
接著,如圖2(c)所示,用第一和第二端子12、13的溝14覆蓋電阻體11的兩端后,從第一和第二端子12、13的上下方向(夾著電阻體11的方向)進行熱壓。
然后,如圖2(d)所示,將由膜狀的環氧樹脂、聚酰亞胺樹脂或聚碳酰亞胺樹脂等構成的保護膜16用切割、拉拔加工或壓力加工等切成預定的形狀后,置于電阻體11(此圖中未示出)的上面和下面,通過熱壓或超聲波焊接在電阻體11的上面、下面和側面形成保護膜16,從而制成根據本發明實施例1的電阻器。
用第一、第二端子12、13的溝14覆蓋電阻體11的兩端時的插入方向,可以如上所述地從第一、第二端子12、13的開口部分插入,也可以從第一、第二端子12、13的側面插入。
為了調整和修正本發明實施例1的電阻器的電阻值,在測量預定位置間的電阻值的同時,或者在測量電阻值后并算出加工量之后,通過激光、拉拔加工、金剛石砂輪切割、研削或腐蝕在電阻體11上形成貫通溝,也可以是切割表面和/或側面的一部分。也可以在得到電阻體11的同時進行該電阻值的調整和修正。
在如上述制造的電阻器中,若第一、第二端子12、13采用比電阻體11導電率低的材料,由于在測量電阻值時因測量位置造成的電阻值的變化大,不合適,所以應采用電導率和電阻體11相同或比它更大的第一、第二端子12、13。
同樣地,若第一、第二端子12、13的厚度t比電阻體11的厚度T更厚,在測量電阻值時也可減小因測量位置造成的電阻值變化。尤其是,要得到完全滿足內部規格的電阻值誤差,第一、第二端子12、13的厚度t必須為電阻體的厚度T的三倍以上。
圖3是本發明實施例1的電阻器的其它例子的剖視圖。
在圖3中,15是第三導電金屬層,該第三導電金屬層15位于電阻體11和第一端子12之間以及電阻體11和第二端子13之間,以把電阻體11和第一、第二端子12、13電連接起來。作為此時的制造方法,把電阻體11和第一、第二端子12、13接合有以下幾種方法①熔化結合;②在電阻體11和第一、第二端子12、13之間夾入由例如銅、銀、金、錫、焊料等構成的第三導電性金屬,進行釬焊;③對電阻體11和第一、第二端子12、13電鍍后,將第一、第二端子12、13插入電阻體11進行熱壓結合;④在電阻體11和第一、第二端子12、13上涂敷導電漿料后,將第一、第二端子插入電阻體11,進行熱硬化等。
(實施例2)下面參照
本發明實施例2的電阻器。
圖4(a)是本發明實施例2的電阻器的剖面圖;圖4(b)是其平面圖。
在圖4中,17是在厚度方向上呈波紋狀彎曲的由銅鎳合金、鎳鉻合金、銅錳鎳合金等構成的電阻體。18、19是具有其寬度k與電阻體17的厚度T相等的凹溝20、且設置在電阻體17的兩端并與之電連接的第一和第二端子。該第一、第二端子18、19的厚度t比電阻體17的厚度T更厚,其寬度m與電阻體17的寬度W相同或更大,且其長度w比電阻體17的長度L更短,并由其電導率與電阻體17的電導率相同或比其更大的的銅、銀、金、鋁、銅鎳或銅鋅等金屬構成。
下面,說明上述結構的本發明實施例2的電阻器的制造方法。
本發明實施例2的電阻器的制造方法基本上與結合圖2說明的實施例1的電阻器制造方法相同。與實施例1的不同之處在于,將銅鎳合金、鎳鉻合金、銅錳鎳合金等構成的板狀或帶狀的金屬體,通過切割、拉拔加工和壓力加工等,形成具有可從體電阻率、截面積和長度求出的所期望的電阻值的板狀的預定形狀的電阻體11之后,將符合電阻器所期望尺寸的板狀電阻體11在厚度方向波紋狀彎折而形成電阻體17。
本發明實施例2的電阻器,以電阻體17的長度L在長度方向上伸長的方式進行彎曲以謀求高電阻,如果使其旋轉90°,即,以使電阻體的寬度W增寬的方式進行彎曲以謀求低電阻也是可以的。
此時,在電阻體17在寬度W方向上被彎曲的情況下,為了適應電阻體17彎曲后的厚度方向上的總厚V,第一、第二端子18、19的溝20的寬度k應增加,如果把電阻體17插入原來的溝20的寬度k,則會發生電阻體17的邊緣不彎曲等形狀變化。
(實施例3)下面參照
本發明實施例3的電阻器。
圖5是本發明實施例3的電阻器的剖面圖。
在圖5中,21是由銅鎳合金、鎳鉻合金、銅錳鎳合金等構成的電阻體。22是在電阻體21的上下表面之一上以與電阻體21尺寸相同的方式設置的由氧化鋁、玻璃、環氧玻璃樹脂或酚醛紙樹脂等構成的絕緣薄板。23、24是具有其寬度k與電阻體21的厚度T1和絕緣薄板22的厚度T2之和T相等的凹溝25、且設置在電阻體21的兩端并與之電連接的第一和第二端子。該第一、第二端子23、24的厚度t比電阻體21的厚度T1和絕緣薄板22的厚度T2之和T更厚,其寬度m與電阻體21的寬度W相同或更大,且其長度w比電阻體21的長度L更短,并由其電導率與電阻體21的電導率相同或比其更大的的銅、銀、金、鋁、銅鎳或銅鋅等金屬構成。
下面,說明上述結構的本發明實施例3的電阻器的制造方法。
本發明實施例3的電阻器的制造方法基本上與結合圖2說明的實施例1的電阻器制造方法相同。與實施例1的不同之處在于,將銅鎳合金、鎳鉻合金、銅錳鎳合金等構成的板狀或帶狀的金屬體,通過切割、拉拔加工和壓力加工等,形成具有可從體電阻率、截面積和長度求出的所期望的電阻值的板狀的預定形狀的電阻體21之后,用切割、切斷、拉拔或壓力加工等得到與電阻體21二維尺寸相同的絕緣薄板22,并將電阻體21和絕緣薄板22重疊在一起。
另外,第一、第二端子23、24的制造方法,其工序和材料與圖2(a)相同,只是因為絕緣基板22的厚度而導致第一、第二端子23、24的厚度t和形成的溝寬k不同。
(實施例4)
下面參照
本發明實施例4的電阻器。
圖6是本發明實施例4的電阻器的主要部分,即從端子的開口部分側觀察的側面圖。
在圖6中,26,27是具有凹部28的第一、第二端子,該凹部的形狀與電阻體11的寬度方向的橫截面形狀相同,且該第一、第二端子26、27的厚度t比電阻體11的厚度T更厚,其寬度m與電阻體11的寬度W相同或更大,且其長度w比電阻體11的長度L更短,并由其電導率與電阻體11的電導率相同或比其更大的的銅、銀、金、鋁、銅鎳或銅鋅等金屬構成。
(實施例5)下面參照
本發明實施例5的電阻器。
圖7(a)是本發明實施例5的電阻器的剖面圖;圖7(b)是其平面圖。
在圖7中,29是線狀的銅鎳合金、鎳鉻合金、銅錳鎳合金等構成的電阻體。30、31是具有其寬度k與電阻體29的直徑R相等的凹溝32、且設置在電阻體29的兩端并與之電連接的第一和第二端子。該第一、第二端子30、31的厚度t比電阻體29的厚度更厚,其寬度m與電阻體29的直徑R相同或比其更大,其長度w比電阻體29的長度L更短,并由其電導率與電阻體29的電導率相同或比其更大的的銅、銀、金、鋁、銅鎳或銅鋅等金屬構成。
下面,參照
上述結構的本發明實施例5的電阻器的制造方法。
圖8是說明本發明實施例5的電阻器的制造方法的工序圖。
首先,如圖8(a)所示,把由其電導率與電阻體29的電導率相同或比其更大的的銅、銀、金、鋁、銅鎳或銅鋅等金屬構成的線狀的金屬體,通過切削、鑄造、鍛造,壓力加工、拉拔加工等形成第一和第二端子30、31,它們具有其寬度k與電阻體29的直徑R相等的凹溝32、且其厚度t比電阻體29更厚,其寬度m與電阻體29的直徑R相同或更大,其長度w比電阻體29的長度L更短,
接著,如圖8(b)所示,將銅鎳合金、鎳鉻合金、銅錳鎳合金等構成的線狀的金屬體切斷,形成具有可從體電阻率、截面積和長度求出的所期望的電阻值的板狀的預定形狀的電阻體29。
接著,如圖8(c)所示,用第一和第二端子30、31的溝32覆蓋電阻體29的兩端后,從端子的上下方向(夾著電阻體11的方向)進行熱壓。
然后,如圖8(d)所示,將由膜狀的環氧樹脂、聚酰亞胺樹脂或聚碳酰亞胺樹脂等構成的保護膜33用切割、拉拔加工或壓力加工等切成預定的形狀后,置于電阻體29(此圖中未示出)的上下,通過熱壓或超聲波焊接在電阻體29的上面、下面和側面形成保護膜33,從而制成根據本發明實施例5的電阻器。
用第一、第二端子30、31的溝32覆蓋電阻體29的兩端時的插入方向,可以如上所述地從第一、第二端子30、31的開口部分插入,也可以從第一、第二端子30、31的側面插入。
把電阻體29和第一、第二端子30、31接合有以下幾種方法①熔化結合;②在電阻體29和第一、第二端子30、31之間夾入由例如銅、銀、金、錫、焊料等構成的第三導電性金屬,進行釬焊;③對電阻體29和第一、第二端子30、31電鍍后進行熱壓結合;④在電阻體29和第一、第二端子30、31上涂敷導電漿料后,將第一、第二端子30、31插入電阻體29,進行熱硬化等。
為了調整和修正本發明實施例5的電阻器的電阻值,在測量預定位置間的電阻值的同時,或者在測量電阻值后并算出加工量之后,通過激光、拉拔加工、金剛石砂輪切割、研削或腐蝕在電阻體29上形成貫通溝,也可以是切割表面和/或側面的一部分。也可以在得到電阻體29的同時進行該電阻值的調整和修正。
(實施例6)下面參照
本發明實施例6的電阻器。
圖9(a)是本發明實施例6的電阻器的剖面圖;圖9(b)是其平面圖。
在圖9中,34是把線彎折成圓柱線圈狀的銅鎳合金、鎳鉻合金、銅錳鎳合金等構成的電阻體。35、36是具有其寬度k與電阻體34的直徑R相等的凹溝37、且設置在電阻體34的兩端并與之電連接的第一和第二端子。該第一、第二端子35、36的厚度t比電阻體34的總厚度V更厚,其寬度m與電阻體34的直徑R相同或比其更大,其長度w比電阻體34的長度L更短,并由其電導率與電阻體34的電導率相同或比其更大的的銅、銀、金、鋁、銅鎳或銅鋅等金屬構成。
下面,參照
上述結構的本發明實施例6的電阻器的制造方法。
根據本發明實施例6的電阻器的制造方法,基本上與圖8所示的實施例5的電阻器的制造方法相同,與其不同之處在于,在將銅鎳合金、鎳鉻合金、銅錳鎳合金等構成的線狀的金屬體切斷,形成具有可從體電阻率、截面積和長度求出的所期望的電阻值的線狀的預定形狀的電阻體29之后,把符合所要求尺寸的線狀電阻體29彎折成圓柱線圈形狀而形成電阻體34。
(實施例7)下面參照
本發明實施例7的電阻器。
圖10(a)是本發明實施例7的電阻器的剖面圖;圖10(b)是其平面圖。
在圖10中,38是在同一平面內以左右對稱的方式把線彎折后的、銅鎳合金、鎳鉻合金、銅錳鎳合金等構成的電阻體。39、40是具有其寬度k與電阻體38的直徑R相等的凹溝41、且設置在電阻體38的兩端并與之電連接的第一和第二端子。該第一、第二端子39、40的厚度t比電阻體38的總厚度V更厚,其寬度m與電阻體38的直徑R相同或比其更大,其長度w比電阻體38的長度L更短,并由其電導率與電阻體38的電導率相同或比其更大的的銅、銀、金、鋁、銅鎳或銅鋅等金屬構成。
下面,參照
上述結構的本發明實施例7的電阻器的制造方法。
根據本發明實施例7的電阻器的制造方法,基本上與圖8所示的實施例5的電阻器的制造方法相同,與其不同之處在于,在將銅鎳合金、鎳鉻合金、銅錳鎳合金等構成的線狀的金屬體切斷,形成具有可從體電阻率、截面積和長度求出的所期望的電阻值的線狀的預定形狀的電阻體29之后,把符合要求尺寸的線狀電阻體29在同一平面內以左右對稱的方式彎折而形成電阻體38。
(實施例8)下面參照
本發明實施例8的電阻器。
圖11(a)是本發明實施例8的電阻器的剖面圖;圖11(b)是其平面圖;圖11(c)是其主要部分,即從端子的開口部分側觀察的側面圖。
在圖11中,42、43是線狀的銅鎳合金、鎳鉻合金、銅錳鎳合金等構成的第一、第二電阻體。44、45是具有其寬度k與電阻體42、43的直徑R相等的凹溝46、且設置在電阻體42、43的兩端并與之電連接的第一和第二端子。該第一、第二端子44、45的厚度t比電阻體42、43更厚,其寬度m與電阻體42、43的寬度W相同或比其更大,其長度w比電阻體42、43的長度L更短,并由其電導率與電阻體42、43的電導率相同或比其更大的的銅、銀、金、鋁、銅鎳或銅鋅等金屬構成。
下面,參照
上述結構的本發明實施例8的電阻器的制造方法。
根據本發明實施例8的電阻器的制造方法,基本上與圖8所示的實施例5的電阻器的制造方法相同,與其不同之處在于,將銅鎳合金、鎳鉻合金、銅錳鎳合金等構成的線狀的金屬體切斷,形成多個具有可從體電阻率、截面積和長度求出的所期望的電阻值的線狀的具有預定形狀的電阻體42、43,使該多個電阻體42、43配置為互相之間不電氣接觸,并與端子44、45相連接。
圖12是本發明實施例8的電阻器的其它例子,是從端子開放部分看到的側視圖。
圖12所示的47、48取代了圖11所示的寬度k與電阻體42、43的直徑R相等的凹溝46,是與在第一、第二端子44、45上分別形成的第一、第二電阻體42、43具有相同截面形狀的和第一、第二凹部。
(實施例9)下面參照
本發明實施例9的電阻器。
圖13(a)是本發明實施例9的電阻器的剖面圖;圖13(b)是其平面圖。
在圖13中,49是板狀或帶狀的銅鎳合金、鎳鉻合金、銅錳鎳合金等構成的電阻體。50、51是具有其寬度k與電阻體49的總厚度T相等的凹溝52、且設置在電阻體49的兩端并與之電連接的第一和第二端子。該第一、第二端子50、51的厚度t比電阻體49的厚度T更厚,其寬度m與電阻體49的寬度W相同或更大,且其長度w比電阻體49的長度L更短,并由其電導率與電阻體49的電導率相同或比其更大的的銅、銀、金、鋁、銅鎳或銅鋅等金屬構成。53是與第一、第二端子50、51不連接的、在電阻體49上形成的由環氧樹脂、聚酰亞胺樹脂或聚碳酰亞胺樹脂等構成的保護膜。
根據本發明實施例9的電阻器的制造方法,基本上與圖2所示的實施例1的電阻器的制造方法相同,即,將與電阻體形狀無關的膜狀的環氧樹脂、聚酰亞胺樹脂或聚碳酰亞胺樹脂等夾持電阻體49的上下面,通過熱壓或超聲波焊接在電阻體49的上面、下面和側面形成保護膜53,從而制成根據本發明實施例9的電阻器。
(實施例10)下面參照
本發明實施例10的電阻器。
圖14(a)是本發明實施例10的電阻器的剖面圖;圖14(b)是其平面圖;圖14(c)是該電阻器的沿寬度m方向切開的剖面圖。
在圖14中,54是板狀或帶狀的銅鎳合金、鎳鉻合金、銅錳鎳合金等構成的電阻體。55、56是具有其寬度k與電阻體54的總厚度T相等的凹溝57、且設置在電阻體54的兩端并與之電連接的第一和第二端子。該第一、第二端子55、56的厚度t比電阻體54的厚度T更厚,其寬度m與電阻體54的寬度W相同或更大,且其長度w比電阻體54的長度L更短,并由其電導率與電阻體54的電導率相同或比其更大的的銅、銀、金、鋁、銅鎳或銅鋅等金屬構成。58是與第一、第二端子55、56不連接的、在電阻體49上形成的、其厚度t與第一、第二端子55、56的寬度m相等的保護膜,由環氧樹脂、聚酰亞胺樹脂或聚碳酰亞胺樹脂等構成。
根據本發明實施例10的電阻器的制造方法,基本上與圖2所示的實施例1的電阻器的制造方法相同,即,將與電阻體形狀無關的膜狀的環氧樹脂、聚酰亞胺樹脂或聚碳酰亞胺樹脂等夾持電阻體54的上下面,通過熱壓或超聲波焊接在電阻體54的上面、下面和側面形成保護膜58,從而制成根據本發明實施例10的電阻器。
與上述本發明實施例9不同之處在于保護膜58的形成范圍,保護膜58以與第一、第二端子55、56的寬度m和厚度t相等的方式在電阻體54上形成,通過增加膜狀環氧樹脂、聚酰亞胺樹脂或聚碳酰亞胺樹脂等的厚度,使其比電阻體54上表面與第一、第二端子55、56的上表面之差、以及電阻體54下表面與第一、第二端子55、56的下表面之差更厚,并使L膜的擠壓范圍直到與第一、第二端子55、56的上表面和下表面處于同一平面內,可以實現這一點。
(實施例11)下面參照
本發明實施例11的電阻器。
圖15(a)是本發明實施例11的電阻器的剖面圖;圖15(b)是其平面圖。
在圖15中,59是板狀或帶狀的銅鎳合金、鎳鉻合金、銅錳鎳合金等構成的電阻體。60、61是在電阻體59的兩端設計的并與其電氣連接的、截面呈“L”形狀的第一、第二端子。該第一、第二端子60、61的在上述電阻體59的下側的部分的厚度y比與該電阻體59端面對接的部分的厚度x更厚。并由其電導率與電阻體54的電導率相同或比其更大的的銅、銀、金、鋁、銅鎳或銅鋅等金屬構成。
根據本發明實施例11的電阻器的制造方法,基本上與圖2所示的實施例1的電阻器的制造方法相同,對于圖2(a)中說明的第一、第二端子的形狀,是形成“L”形狀的第一、第二端子60、61。在與圖2(c)對應的工序中,將電阻體59載置在第一、第二端子60、61上,然后,把電阻體59和第一、第二端子60、61通過以下幾種方法接合起來①熔化結合;②在電阻體59和第一、第二端子60、61之間夾入由例如銅、銀、金、錫、焊料等構成的第三導電性金屬,進行釬焊;③在電阻體59和第一、第二端子60、61上涂敷導電漿料后,將第一、第二端子60、61插入電阻體59,進行熱硬化等。
(實施例12)下面參照
本發明實施例12的電阻器。
圖16是本發明實施例12的電阻器的剖面圖。
在圖16中,64是銅鎳合金、鎳鉻合金、銅錳鎳合金等構成的電阻體。65是在電阻體64的上表面上粘附氧化鋁、玻璃、環氧玻璃樹脂或酚醛紙等構成的絕緣薄板。66、67是在電阻體64的兩端設計的并與其電氣連接的、截面呈“L”形狀的第一、第二端子。該第一、第二端子66、67由其電導率與電阻體64的電導率相同或比其更大的的銅、銀、金、鋁、銅鎳或銅鋅等金屬構成。另外,上述絕緣薄板65也可以粘附在電阻體64的下面。
根據本發明實施例12的電阻器的制造方法,基本上與實施例11的電阻器的制造方法相同,與圖2(a)中說明的第一、第二端子的形狀對應地,形成截面呈“L”形狀的第一、第二端子66、67。在與圖2(b)對應的工序中,將銅鎳合金、鎳鉻合金、銅錳鎳合金等構成的板狀或帶狀的金屬體,通過切割、拉拔加工和壓力加工等,形成具有可從體電阻率、截面積和長度求出的所期望的電阻值的板狀的預定形狀的電阻體64之后,用切割、切斷、拉拔或壓力加工等得到與電阻體64二維尺寸相同的、由氧化鋁、玻璃、環氧玻璃樹脂或酚醛紙等構成的絕緣薄板65,并將電阻體64和絕緣薄板65重疊在一起。在與圖2(c)對應的工序中,將電阻體64載置在第一、第二端子66、67上,然后,把電阻體64和第一、第二端子66、67通過以下幾種方法接合起來①熔化結合;②在電阻體64和第一、第二端子66、67之間夾入由例如銅、銀、金、錫、焊料等構成的第三導電性金屬,進行釬焊;③在電阻體64和第一、第二端子66、67上涂敷導電漿料后,將第一、第二端子66、67插入電阻體64,進行熱硬化等。
(實施例13)下面參照
本發明實施例13的電阻器。
圖17是本發明實施例13的電阻器的剖面圖。
如圖17所示,68是兩端比中間部分厚、且兩者之間形成臺階的(電阻體長度方向的截面形狀呈“H”型)、由銅鎳合金、鎳鉻合金、銅錳鎳合金等構成的電阻體。69、70是在電阻體68的兩端71、72上設計的比中間部分73厚的臺階。74、75是與電阻體68的兩端電氣連接的第一、第二端子,該第一、第二端子74、75的截面呈“コ”的形狀,且內部比開口部分76、77更大,并由其電導率與電阻體68的電導率相同或比其更大的的銅、銀、金、鋁、銅鎳或銅鋅等金屬構成。
在圖17中,臺階69、70和開口部分76、77的拐角是在厚度方向上形成的,但這些69、70、76、77的方向并不僅限于上述情形,例如,也可以在與厚度方向垂直的方向上形成。而且對臺階和拐角的數目也不做限定。
根據本發明實施例13的電阻器的制造方法,基本上與圖2所示的實施例1的電阻器的制造方法相同,不同點在于構成材料的形狀不同,在與圖2(a)對應的工序中,使第一、第一端子74、75具有內側比開口部分76、77更大的形狀。在與圖2(b)對應的工序中,在電阻體68的兩端71、72上設計比中間部分73更厚的臺階69、70,使其形狀與端子74、75的溝的形狀吻合。
(實施例14)下面參照
本發明實施例14的電阻器。
圖18是本發明實施例14的電阻器的剖面圖。
在圖18中,79是板狀的環氧玻璃樹脂或酚醛紙等構成的絕緣薄板。80、81是在絕緣基板79的兩端上以使絕緣基板79的上下表面導通的方式形成的第一、第二端子。該第一、第二端子80、81由其電導率與電阻體78的電導率相同或比其更大的的銅、銀、金、鋁、銅鎳或銅鋅等金屬構成。在第一、第二端子80、81的上表面上有焊錫等的金屬層82。以使第一端子80上的金屬層82與第二端子81上的金屬層82電氣連接的方式,在金屬層82上形成銅鎳合金、鎳鉻合金、銅錳鎳合金等構成的電阻體78。
圖18中,第一、第二端子80、81在絕緣基板79的兩端形成,使絕緣基板79的上下表面得以導通,也可以通過貫穿絕緣基板79上下的電極實現導通。
下面,參照
上述結構的本發明實施例14的電阻器的制造方法。
圖19是說明本發明實施例14的電阻器的制造方法的工序圖。
首先,如圖19(a)所示,在環氧玻璃基板或酚醛紙基板等構成的絕緣基板79的上表面、下表面和側面上,形成由其電導率與電阻體78相同或比其更大的銅、銀、金等構成的帶狀金屬箔圖案,之后,通過曝光和蝕刻得到預定形狀的第一、第二端子80、81。
然后,如圖19(b)所示,在第一、第二端子80、81的上表面上通過絲網印刷涂敷焊料漿82。
然后,如圖19(c)所示,將銅鎳合金、鎳鉻合金、銅錳鎳合金等構成的板狀或帶狀的金屬體,通過切割、拉拔加工和壓力加工等,形成具有可從體電阻率、截面積和長度求出的所期望的電阻值的預定形狀的電阻體78之后,在焊料漿82的上面載置電阻體78的兩端,并通過重流進行固定,制成本發明實施例14的電阻器。
在實施例14中,通過焊料漿料82的硬化把電阻體78和第一、第二端子80、81結合起來,該結合可以采用①在電阻體78和第一、第二端子80、81之間夾入由例如銅、銀、金、錫、焊料等構成的第三導電性金屬,進行釬焊;②在電阻體78和第一、第二端子80、81上電鍍,進行熱壓結合等方法。
為了調整和修正本發明實施例14的電阻器的電阻值,在測量預定位置間的電阻值的同時,或者在測量電阻值后并算出加工量之后,通過激光、拉拔加工、金剛石砂輪切割、研削或腐蝕在電阻體78上形成貫通溝,也可以是切割表面和/或側面的一部分。
(實施例15)下面參照
本發明實施例15的電阻器。
圖20(a)是本發明實施例15的電阻器的剖面圖;圖20(b)是其外表面側的平面圖;圖20(c)是其內表面側的平面圖。
在圖20中,83是銅鎳合金、鎳鉻合金、銅錳鎳合金等構成的電阻體,84是板狀的環氧玻璃樹脂或酚醛紙等構成的絕緣薄板。85、86、87、88是在絕緣基板84的四角上以使絕緣基板84的上下表面導通的方式形成的第一、第二、第三、第四端子。該第一、第二、第三、第四端子85、86、87、88由其電導率與電阻體83的電導率相同或比其更大的的銅、銀、金、鋁、銅鎳或銅鋅等金屬構成。第一、第二、第三、第四端子85、86、87、88通過其上的金屬層89與上述電阻體83相連接。
圖20中,通過第一、第二、第三、第四端子85、86、87、88在絕緣基板84的四個角上形成,使絕緣基板84的上下表面得以導通,也可以通過貫穿絕緣基板84上下的電極實現導通。
根據本發明實施例15的電阻器的制造方法,基本上與圖19所示的電阻器的制造方法相同,不同之處在于實施例14中形成的端子數是兩個,而實施例15是四個。
(實施例16)下面參照
本發明實施例16的電阻器。
圖21(a)是本發明實施例16的電阻器的剖面圖;圖21(b)是其平面圖。
在圖21中,90是銅鎳合金、鎳鉻合金、銅錳鎳合金等構成的板狀的電阻體,91、92、93、94是長方體形狀的第一、二、三、四端子,分別與電阻體90兩端的上下表面直接電氣連接。
根據本發明實施例16的電阻器的制造方法,基本上與圖2所示的實施例1的電阻器的制造方法相同,在與圖2(a)對應的工序中,形成四個長方體的端子。在與圖2(c)對應的工序中,①在電阻體90的兩端的上表面上載置第一和第三端子91、93后,進行熔接,②在電阻體和端子之間,夾著例如銅、銀、金、錫、焊料等構成的第三導電金屬,在電阻體90的兩端的上表面上載置第一和第三端子91、93后,進行釬焊,③在電阻體90和第一、第三端子91、93上涂敷導電漿料后,在電阻體90的兩端的上面載置第一和第三端子91、93,通過熱硬化,把第一和第三端子91、93與電阻體90的兩端的上表面相連接,之后把電阻體90翻轉,同樣地把第二和第四端子92、94連接在電阻體90的兩端的下表面上。另外,也可以只把上述過程進行一次,把第一、二、三、四端子91、92、93、94一次性地連接到電阻體90上。
圖22是本發明實施例16的電阻器的其它例子的剖視圖。
圖22與圖21不同之處在于,第一和第二端子91和92、第三和第四端子93和94分別電氣連接,看上去各像一個端子。
因此,圖22的制造方法是這樣的①在電阻體90的兩端的上表面上載置第一和第三端子91、93后,進行熔接,②在電阻體和端子之間,夾著例如銅、銀、金、錫、焊料等構成的第三導電金屬,在電阻體90的兩端的上表面上載置第一和第三端子91、93后,進行焊接,③在電阻體90和第一、第三端子91、93上涂敷導電漿料后,在電阻體90的兩端的上面載置第一和第三端子91、93,通過熱硬化,把第一和第三端子91、93與電阻體90的兩端的上表面相連接,之后把電阻體90翻轉,同樣地把第二和第四端子92、94連接在電阻體90的兩端的下表面上時,把第一和第二端子91和92、以及第三和第四端子93和94同時連接起來。
(實施例17)
下面參照
本發明實施例17的電阻器。
圖23是本發明實施例17的電阻器的剖面圖。
在圖23中,95是在其靠近兩端處設計有第一、第二缺口96、97的、由銅鎳合金、鎳鉻合金、銅錳鎳合金等構成的板狀電阻體。該電阻體95的第一、第二缺口96、97也可設計成沿電阻體95寬度方向的長條。98、99是由其電導率與電阻體95的電導率相同或比其更大的的銅、銀、金、鋁、銅鎳或銅鋅等金屬構成的第一、第二端子。
第一、第二端子98、99中的第一、第二突起100、101具有與第一、第二缺口96、97相同或更小的尺寸,是分別在第一、第二端子98、99的寬度方向上設計的長條。
第一、第二端子98、99配置在電阻體95的兩端,電阻體95的第一缺口96和第一端子98的第一突起100,以及電阻體95的第二缺口97和第二端子99的第二突起101之間機械連接,且電阻體95和第一、第二端子98、99電氣連接。
下面,參照
上述結構的本發明實施例17的電阻器的制造方法。
根據本發明實施例17的電阻器的制造方法,基本上與圖2所示的實施例1的電阻器的制造方法相同,與圖2(a)說明的第一、第二端子形狀不同。與圖2(b)說明的電阻體的不同之處在于在電阻體95上設計缺口96、97。缺口96、97是在得到具有所期望電阻值的板狀的預定形狀的電阻體95后,通過切削或壓力加工形成。在與圖2(c)對應的工序中,如圖23所示,將電阻體95載置于第一、第二端子98、99上,使電阻體95的第一缺口96和第一端子98的第一突起100,電阻體95的第二缺口97和第二端子99的第二突起101吻合。另外,作為使電阻體95和第一、第二端子98、99接合的手段有①熔接,②在電阻體95和第一、第二端子98、99之間,夾著例如銅、銀、金、錫、焊料等構成的第三導電金屬,進行釬焊,③在電阻體95和第一、第三端子98、99之間涂敷導電漿料后,通過熱硬化,把電阻體95和第一、第二端子98、99連接起來。
(實施例18)下面參照
本發明實施例18的電阻器。
圖24(a)是本發明實施例18的電阻器的剖面圖;圖24(b)是其平面圖。
在圖24中,102是設置有第一、第二貫通孔103、104的由銅鎳合金、鎳鉻合金、銅錳鎳合金等構成的板狀電阻體。105、106是設置有具有可插入第一、第二貫通孔103、104的形狀的第一、第二突起107、108的第一、第二端子。第一、第二端子105、106是由其電導率與電阻體102的電導率相同或比其更大的的銅、銀、金、鋁、銅鎳或銅鋅等金屬構成的。
第一、第二端子105、106配置在電阻體102的兩端,電阻體102的第一貫通孔103和第一端子105的第一突起107,以及電阻體102的第二貫通孔104和第二端子106的第二突起108之間機械連接,且電阻體102和第一、第二端子105、106電氣連接。
下面,參照
上述結構的本發明實施例18的電阻器的制造方法。
圖25是說明本發明實施例18的電阻器的制造方法的工序圖。
首先,如圖25(a)所示,把由其電導率與電阻體102的電導率相同或比其更大的的銅、銀、金、鋁、銅鎳或銅鋅等金屬構成的板狀或帶狀的金屬體,通過切削、鑄造、鍛造,壓力加工、拉拔加工等形成具有第一、第二突起107、108的第一、第二端子105、106。
接著,如圖25(b)所示,將銅鎳合金、鎳鉻合金、銅錳鎳合金等構成的板狀或帶狀的金屬體,通過切割、拉拔加工和壓力加工等,形成具有可從體電阻率、截面積和長度求出的所期望的電阻值的板狀的預定形狀的電阻體102。
然后,如圖25(c)所示,通過拉拔、切削、激光等在電阻體102的兩端上形成第一、第二貫通孔103、104。
接著,如圖25(d)所示,把第一端子105的第一突起107插入電阻體102的第一貫通孔103,把第二端子106的第二突起108插入電阻體102的第二貫通孔104。
接著,如圖25(e)所示,通過擠壓沿電阻體102的外周彎折第一、第二端子105、106,使其在厚度方向夾持電阻體102。
另外,第一、第二端子105、106不必一定具有圖25所示的形狀,即使可插入電阻體102的大小的開口部分開得更少,而是在插入電阻體102兩端后再焊接也可以。
另外,作為使電阻體102和第一、第二端子105、106接合的手段有①熔化結合,②在電阻體和端子之間,夾著例如銅、銀、金、錫、焊料等構成的第三導電金屬,釬焊,③在電阻體102和第一、第二端子105、106上涂敷導電漿料后,熱硬化。
為了調整和修正本發明實施例18的電阻器的電阻值,在測量預定位置間的電阻值的同時,或者在測量電阻值后并算出加工量之后,通過激光、拉拔加工、金剛石砂輪切割、研削或腐蝕在電阻體102上形成貫通溝,也可以是切割表面和/或側面的一部分。也可以在得到電阻體102的同時進行該電阻值的調整和修正。
上述本發明實施例1中,由于是在電阻體11的兩端被一、第二端子12、13的溝14覆蓋之后,沿第一、第二端子12、13的上下方向(夾持電阻體11的方向)進行熱壓,第一、第二端子12、13從電阻體11的上下表面突出來,結果,具有即使不注意電阻器的里外面,也可安裝的效果。
本發明實施例2中,由于形成在金屬板厚度方向上波紋狀彎折的電阻體17,若只以電阻體17的長度L在長度方向上伸長的方式進行彎曲,可以增加電阻值幅度的上限,謀求高電阻;另一方面,如果以使電阻體的寬度W增寬的方式進行彎曲,可以增加電阻值幅度的下限,謀求低電阻。
本發明實施例中,由于第一、第二端子18、19具有其寬度k與電阻體11的厚度T相等的凹溝20、且厚度t比電阻體17的厚度T更厚,寬度m與電阻體17的寬度W相同或更大,長度w比電阻體17的長度L更短,第一、第二端子18、19可以比電阻體17更加減少形狀電阻值,所以第一、第二端子的電阻值在整個電阻器中占的比值減小,從而具有可以減小因電阻值測量端子的接觸位置變動對電阻值波動的影響的效果。而且由于電阻體17是浮起的結構,所以可以防止因電阻體17自身發熱造成的安裝基板的熱損壞。
在本發明實施例3中,由于結構為包括金屬板狀電阻體21、在該電阻體21的上下或表面的至少一個上配置的絕緣薄板22、以及具有其寬度k與電阻體21的厚度T1和絕緣薄板22的厚度T2之和T相等的凹溝25、并與電阻體21電連接的第一和第二端子23、24,因上述絕緣薄板22對電阻體21的支撐和補強,可提高機械強度,防止變形造成的特性變化。
在本發明實施例3中,由于第一、第二端子23、24的形狀是具有其寬度k與電阻體21的厚度T1和絕緣薄板22的厚度T2之和T相等的凹溝25,厚度t比電阻體21的厚度T1和絕緣薄板22的厚度T2之和T更厚,其寬度m與電阻體21的寬度W相同或更大,且其長度w比電阻體21的長度L更短,第一、第二端子23、24可以比電阻體21更加減少形狀造成的電阻值,所以第一、第二端子23、24的電阻值在整個電阻器中占的比值減小,從而具有可以減小因電阻值測量端子的接觸位置變動對電阻值波動的影響的效果。而且由于電阻體21是浮起的結構,所以可以防止因電阻體21自身發熱造成的安裝基板的熱損壞。
在本發明實施例5中,由于結構為包括線狀的金屬電阻體29,和具有其寬度k與電阻體29的直徑R相等的凹溝32、并與電阻體29電連接的金屬的第一和第二端子30、31,可以獲得具有板狀電阻體的電阻值、其直徑比板狀電阻體的厚度更大的線狀電阻體29,同時,可提高電阻器的機械強度和抗彎強度。
在本發明實施例6中,由于結構為包括把線彎折成圓柱線圈狀的電阻體34,和具有其寬度k與電阻體34的直徑R相等的凹溝37且與電阻體34電連接的第一和第二端子35、36,通過把電阻體34彎折成圓柱線圈形狀可以增加電阻體的長度,由此,可以增加電阻體34的電阻值幅度的上限。
在本發明實施例7中,由于結構為包括在同一平面內以左右對稱的方式把線彎折的電阻體38,和具有其寬度k與電阻體38的直徑R相等的凹溝41、且與電阻體38電連接的第一和第二端子39、40,通過在同一平面內以左右對稱的方式彎折構成電阻體38的線,以電流方向交叉的方式配置線,可以抵消產生的磁場,減少磁場分量。
在本發明實施例8中,由于結構為包括金屬線狀的、互相之間不電氣接觸的并列放置的第一、第二電阻體42、43,和具有覆蓋上述電阻體42、43的兩端的凹溝46、并與電阻體42、43電連接的金屬的第一和第二端子44、45,上述電阻體42、43并聯得到的電阻體的形狀不能調整電阻值,即,電阻值不與電阻器的形狀直接相關,由此,可以防止形狀變化造成的強度下降。
在本發明實施例11中,由于結構為包括金屬板狀的電阻體59,和在電阻體59的兩端設計的并與其電氣連接的、截面呈“L”形狀的金屬的第一、第二端子60、61,該第一、第二端子60、61的“L”形內壁作為放置上述電阻體59兩端的基準。由此,可以提高第一、第二端子60、61和電阻體59連接位置的精度,減小電阻值的波動。
在本發明實施例11中,第一、第二端子60、61的上述電阻體59的下側的部分的厚度y比與該電阻體59端面對接的部分的厚度x更厚,所以可以提高散熱性能。
在本發明實施例12中,由于結構為包括金屬板狀的電阻體64,在電阻體64的上表面或下表面之一上粘附的絕緣薄板65、和在電阻體59的兩端設計的并與其電氣連接的、截面呈“L”形狀的金屬的第一、第二端子66、67,因上述絕緣薄板65對電阻體64的支撐和補強,可提高機械強度,防止變形造成的特性變化。
在本發明實施例13中,由于結構為包括兩端71、72比中間部分73厚、且兩者之間形成臺階69、70的電阻體68,和在電阻體68的兩端71、72上設計的第一、第二端子74、75,該第一、第二端子74、75的截面呈“コ”的形狀,內部比開口部分更大,且電阻體68的臺階69、70至少與第一、第二端子74、75的開口部分內側電氣連接,通過電阻體68的臺階69、70與第一、第二端子74、75的開口部分內側機械結合,可以提高電阻體68與第一、第二端子74、75的結合位置精度和結合可靠性。
在本發明實施例14中,由于結構為包括金屬板狀的電阻體78,絕緣薄板79、與絕緣薄板79的兩端的上表面或下表面電氣連接的金屬的第一、第二端子80、81,且電阻體78和位于絕緣薄板79上面的金屬的第一、第二端子80、81電氣連接,通過提高第一、第二端子80、81的形成位置和尺寸的精度并控制電阻體78和第一、第二端子80、81電氣連接的面積,可減小電阻值的波動。
在本發明實施例15中,由于結構為包括金屬板狀的電阻體83,絕緣薄板84,在絕緣基板84的四角上以使絕緣基板84的上下表面導通的方式形成的第一、第二、第三、第四端子85、86、87、88,且位于絕緣薄板84上面的第一、第二、第三、第四端子85、86、87、88與上述電阻體89相連接,可以實現四端子電阻器,提高電流檢測精度。
在本發明實施例16中,由于結構為包括金屬電阻體90,和四個金屬的第一、第二、第三、第四端子91、92、93、94,第一、第二、第三、第四端子91、92、93、94分別配置在上述電阻體90的上下表面上并與電阻體90相連接,四個金屬的第一、第二、第三、第四端子91、92、93、94在電阻體90厚度方向上以電阻體90為中心呈對稱分布,所以,電阻器沒有里外的方向性。
在本發明實施例16中,如圖22所示,由于結構為位于上述電阻體90的上下表面的第一、第二、第三、第四端子91、92、93、94之間互相電氣連接,四個金屬的第一、第二、第三、第四端子91、92、93、94在電阻體90厚度方向上以電阻體90為中心呈對稱分布,所以,電阻器沒有里外的方向性。而且,可以增加端子的體積,提高散熱性能。
在本發明實施例17中,由于結構為包括在其靠近兩端處設計有第一、第二缺口96、97的金屬電阻體95,和具有與該第一、第二缺口96、97對應的第一、第二突起100、101的金屬的第一、第二端子98、99,且電阻體95和第一、第二端子98、99之間至少通過第一、第二缺口96、97和第一、第二突起100、101電氣連接,通過第一、第二缺口96、97和第一、第二突起100、101機械結合,可以提高電阻體95與第一、第二端子98、99的結合位置精度和結合可靠性。
在本發明實施例18中,由于結構為包括在其靠近兩端處設計有第一、第二貫通孔103、104的金屬電阻體102,和具有與該第一、第二貫通孔103、104對應的第一、第二突起107、108的金屬的第一、第二端子105、106,且和第一、第二端子105、106的第一、第二突起107、108的至少一個插入電阻體102的貫通孔103、104中的至少一個中,使第一、第二端子105、106的的至少一面與電阻體102電氣連接,通過第一、第二貫通孔103、104和第一、第二突起107、108機械結合,可以提高電阻體102與第一、第二端子105、106的位置精度、電阻值精度和結合可靠性。
在本發明實施例14的電阻器的制造方法中,由于具有以與絕緣基板79的上表面、下表面和側面的一部分電氣連接的方式,形成預定形狀的金屬箔圖案,得到第一、第二端子80、81的工序,此時,由于可以采用金屬箔曝光等薄膜形成工藝,可以提高形狀精度和形成位置精度,由此可以減少端子部分、和其與電阻體的連接部分的電阻值波動。
(實施例19)下面參照
本發明實施例19的電阻器。
圖26(a)是本發明實施例19的電阻器的剖面圖;圖26(b)是其平面圖;圖26(c)是圖26(b)的A-A剖面圖。
在圖26中,111是板狀的銅鎳合金、鎳鉻合金、銅錳鎳合金等構成的電阻體。112、113是具有其寬度k與電阻體111的厚度T相等的凹溝114、且在整個表面上通過鍍敷來涂敷一層由例如錫、錫鉛、錫銀、錫銻、錫鋅、錫鉍、銀鋅、銀鉛、金錫、鋅等構成的低熔點金屬115的凹狀第一、第二端子,該第一、第二端子112、113在溝114內通過上述電阻體111的兩端和低熔點器115電氣連接。該第一、第二端子112、113的厚度t比電阻體111的厚度T更厚,其寬度m與電阻體111的寬度W相同或更大,且其長度w比電阻體111的長度L更短,并由其電導率與電阻體111的電導率相同或比其更大的的銅、銀、金、鋁、銅鎳或銅鋅等金屬構成。上述低熔點金屬115,除了把電阻體111和第一、第二端子112、113電氣連接之外,其外周部分還可用作把電阻器安裝到印刷電路板上時的連接材料。此處的低熔點金屬115,指熔點在500℃以下的金屬,與用高熔點金屬涂敷端子的情況相比,可以防止在端子和電阻體連接時因端子或電阻體氧化造成的電阻特性劣化,所以設計時有此限制。116是在除第一、第二端子112、113之外的電阻體的整個表面覆蓋的環氧樹脂、聚酰亞胺或聚碳酰亞胺樹脂構成的絕緣保護膜。
下面,參照
本發明實施例19的電阻器的制造方法。
圖27是說明本發明實施例19的電阻器的制造方法的工序圖。
首先,如圖27(a)所示,把由其電導率與電阻體111的電導率相同或比其更大的的銅、銀、金、鋁、銅鎳或銅鋅等金屬構成的板狀或帶狀的金屬體,通過切削、鑄造、鍛造,壓力加工、拉拔加工等形成第一和第二端子112、113,它們具有其寬度k與電阻體111的厚度T相等的凹溝114、且其厚度t比電阻體111的厚度T更厚,其寬度m與電阻體111的寬度W相同或更大,其長度w比電阻體111的長度L更短,接著,如圖27(b)所示,在第一和第二端子112、113的整個表面上通過滾筒鍍形成一層由例如錫、錫鉛、錫銀、錫銻、錫鋅、錫鉍、銀鋅、銀鉛、金錫、鋅等構成的低熔點金屬115。
接著,如圖27(c)所示,將銅鎳合金、鎳鉻合金、銅錳鎳合金等構成的板狀或帶狀的金屬體,通過切割、拉拔加工和壓力加工等,形成具有可從體電阻率、截面積和長度求出的所期望的電阻值的板狀的預定形狀的電阻體111。
接著,如圖27(d)所示,將電阻體111的兩端通過溝114置于整個表面上涂敷有低熔點金屬115的第一、第二端子112、113的金屬模子中,對第一、第二端子112、113進行低溫鍛造。
然后,將其投入保溫在低熔點金屬115熔點以上的爐中,之后取出(圖中未示),通過低熔點金屬115實現了第一端子112或第二端子113與電阻體111的電氣連接。
最后,如圖27(e)所示,將由膜狀的環氧樹脂、聚酰亞胺樹脂或聚碳酰亞胺樹脂等構成的保護膜116用切割、拉拔加工或壓力加工等切成預定的形狀后,置于電阻體111(此圖中未示出)的上面和下面,通過熱壓或超聲波焊接在電阻體111的上面、下面和側面形成保護膜116,從而制成根據本發明實施例19的電阻器。
另外,與電阻體111連接后的第一、第二端子112、113的側面,不必限于象圖27所示那樣必須有間隙。例如,也有無間隙的情況,即,這因低溫鍛造的狀態而不同。
為了調整和修正本發明實施例19的電阻器的電阻值,在測量預定位置間的電阻值的同時,或者在測量電阻值后并算出加工量之后,通過激光、拉拔加工、金剛石砂輪切割、研削或腐蝕在電阻體111上形成貫通溝,也可以是切割表面和/或側面的一部分。也可以在得到電阻體111同時進行該電阻值的調整和修正。
在如上述制造的電阻器中,若第一、第二端子112、113采用比電阻體111導電率低的材料,由于在測量電阻值時因測量位置造成的電阻值的變化大,不合適,所以應采用電導率和電阻體111相同或比它更大的第一、第二端子112、113。
同樣地,若第一、第二端子112、113的厚度t比電阻體111的厚度T更厚,在測量電阻值時也可減小因測量位置造成的電阻值變化。
另外,為了抑制施加電流時的發熱造成的溫度上升,使第一、第二端子112、113的厚度t比電阻體111的厚度T更大也是有利的。
另外,即使把圖27(c)所示的工序移到圖27(a)所示的工序之前,即以圖27(c)→(a)→(b)→(d)→(e)的順序制造,也可得到同樣的效果。
(實施例20)下面參照
本發明實施例20的電阻器。
圖28(a)是本發明實施例20的電阻器的剖面圖;圖28(b)是其平面圖;圖28(c)是圖28(b)的B-B剖面圖。
在圖28中,121是板狀的銅鎳合金、鎳鉻合金、銅錳鎳合金等構成的電阻體。122、123是具有其寬度k與電阻體111的厚度T相等的凹溝124、且在整個表面上通過鍍敷來涂敷一層由例如錫、錫鉛、錫銀、錫銻、錫鋅、錫鉍、銀鋅、銀鉛、金錫、鋅等構成的低熔點金屬125的凹狀第一、第二端子,該第一、第二端子122、123在溝124內通過上述電阻體121的兩端和低熔點器125電氣連接。該第一、第二端子122、123的厚度t比電阻體121的厚度T更厚,其寬度m與電阻體121的寬度W相同或更大,且其長度w比電阻體121的長度L更短,并由其電導率與電阻體121的電導率相同或比其更大的的銅、銀、金、鋁、銅鎳或銅鋅等金屬構成。上述低熔點金屬115,除了把電阻體111和第一、第二端子112、113電氣連接之外,其外周部分還可用作把電阻器安裝到印刷電路板上時的連接材料。126是在除第一、第二端子122、123之外的電阻體的整個表面覆蓋的環氧樹脂、聚酰亞胺或聚碳酰亞胺樹脂構成的絕緣保護膜。
下面,參照
本發明實施例20的電阻器的制造方法。
根據本發明實施例20的電阻器的制造方法,基本上與圖27所示的實施例19的電阻器的制造方法相同,進行與圖27(e)說明的相同的工序,即,將由膜狀的環氧樹脂、聚酰亞胺樹脂或聚碳酰亞胺樹脂等構成的保護膜126用切割、拉拔加工或壓力加工等切成預定的形狀后,置于電阻體121(此圖中未示出)的上面和下面,通過熱壓或超聲波焊接在電阻體121的除第一、第二端子122、123之外的整個表面形成保護膜126,本發明與實施例19的不同之處在于,為了使絕緣保護膜126與上述第一、第二端子122、123的上下表面處于同一平面內而使其膜厚加厚,且為了修整形狀而進行必要的壓力加工。
另外,作為熱壓結合,即使僅在把膜狀絕緣保護膜126結合到電阻體121上時加壓,此后采用不加壓且加熱的狀態以促進絕緣保護膜126的硬化,也是可以的。
在上述本發明實施例19中,由于具有將凹狀的金屬制的第一、第二端子112、113加工后,在其整個表面上涂敷低熔點金屬115得到第一、第二端子112、113的第一工序;得到為了具有預定電阻值而進行了形狀調整的金屬板狀電阻體的第二工序;用該第一、第二端子112、113包覆上述電阻體111的兩端,對上述第一、第二端子進行低溫鍛造,加熱后冷卻使上述電阻體111與第一、第二端子112、113電氣連接的第三工序,通過實施第三工序,熔接后的接合部分不會發生變形,且可以減小接觸電阻。由此,可以提高電阻體111和第一、第二端子112、113間的電氣連接性能,在最初的涂敷之后,不必重新形成把電阻器安裝到印刷基板上用的連接材料,從而可提高生產率。
如上所述的本發明的電阻器,包括金屬制的板狀電阻體、和與上述板狀電阻體的兩端部電氣連接的分離的金屬制的端子,上述端子由其電導率與上述電阻體的電導率相同或比其更大的材料構成。在這種結構中,由于端子由其電導率與上述電阻體的電導率相同或比其更大的材料構成,所以端子的電阻值在整個電阻器中占的比值減小,從而可以減小因電阻值測量端子的接觸位置變動對電阻值波動的影響。結果,即使不對端子上的測量位置做嚴格規定,也可以高精度地得到電阻值的測量再現性,從而可以提供即使測量位置變化也可以保證高精度電阻值的電阻器。
權利要求
1.一種電阻器,其特征在于包括金屬制的板狀電阻體、和與上述板狀電阻體的兩端電氣連接的并與其分離的金屬制的端子,上述端子由其電導率與上述電阻體的電導率相同或比其更大的材料構成。
2.如權利要求1所述的電阻器,其特征在于電阻體具有沿金屬板的厚度方向呈波紋狀彎曲的形狀。
3.如權利要求1或2所述的電阻器,其特征在于端子具有其寬度與電阻體的厚度相等的凹溝,且具有其厚度比上述電阻體的總厚度更厚,其寬度與電阻體的寬度相等或比其更寬,其長度比電阻體的長度更短的形狀。
4.一種電阻器,其特征在于包括金屬制的板狀電阻體、在該電阻體的上表面或下表面的至少一面上配置的絕緣薄板、以及與該電阻體電氣連接的端子,該端子具有其寬度與上述電阻體厚度和絕緣薄板厚度之和相等的凹溝。
5.如權利要求4所述的電阻器,其特征在于端子具有其寬度與電阻體厚度和絕緣薄板厚度之和相等的凹溝,且具有其厚度比上述電阻體厚度和絕緣薄板厚度之和更厚,其寬度與電阻體的寬度相等或比其更寬,其長度比電阻體的長度更短的形狀。
6.一種電阻器,其特征在于包括金屬制的線狀電阻體、以及具有包覆該電阻體兩端部的凹溝并與該電阻體電氣連接的金屬制的端子。
7.一種電阻器,其特征在于包括把金屬制的線彎折成圓柱線圈形狀的電阻體、以及具有包覆該電阻體兩端部的凹溝并與該電阻體電氣連接的金屬制的端子。
8.一種電阻器,其特征在于包括把金屬制的線在同一平面內以左右對稱的方式彎折的形狀的電阻體、以及具有包覆該電阻體兩端部的凹溝并與該電阻體電氣連接的金屬制的端子。
9.一種電阻器,其特征在于包括由多個金屬制的線狀電阻體組成的、且這些電阻體之間以不直接電氣接觸的方式并置的電阻體,以及具有包覆該電阻體兩端部的凹溝并與該電阻體電氣連接的金屬制的端子。
10.如權利要求6、7、8或9所述的電阻器,其特征在于端子具有其寬度與電阻體的厚度相等的凹溝,且具有其厚度比上述電阻體的總厚度更厚,其寬度與電阻體的寬度相等或比其更寬,其長度比電阻體的長度更短的形狀。
11.一種電阻器,其特征在于包括金屬制的板狀電阻體、和位于該電阻體兩端且與其電氣連接、并具有“L”形截面的金屬制的端子。
12.如權利要求11所述的電阻器,其特征在于端子的位于電阻體下側的部分的厚度,比該端子的與上述電阻體端面對接的部分的厚度更厚。
13.一種電阻器,其特征在于包括金屬制的板狀電阻體、在該電阻體的上表面或下表面的至少一面上貼附的絕緣薄板、以及位于該電阻體兩端部分與其電氣連接、并具有“L”形截面的金屬制的端子。
14.一種電阻器,其特征在于包括其兩端比中央部分更厚、在兩者之間設置有臺階的金屬制的電阻體,以及位于上述電阻體兩端的金屬制的端子,上述金屬制的端子具有“コ”形斷面,并具有其內側比開口部分更大的形狀,且上述電阻體的臺階部分至少與上述端子的開口部分的內側電氣連接。
15.一種電阻器,其特征在于包括金屬制的板狀電阻體、絕緣基板、以將上述絕緣基板的兩端部的上表面和下表面電氣連接的方式形成的金屬制的端子,且上述電阻體和位于上述絕緣基板的上表面上的金屬制的端子電氣連接。
16.一種電阻器,其特征在于包括金屬制的板狀電阻體、絕緣基板、以將上述絕緣基板的上表面和下表面電氣連接的方式形成的四個金屬制的端子,且上述電阻體和位于上述絕緣基板的上表面上的金屬制的端子電氣連接。
17.如權利要求15或16所述的電阻器,其特征在于絕緣基板是環氧玻璃基板或酚醛紙基板。
18.一種電阻器,其特征在于包括金屬制的電阻體和四個金屬制的端子,上述端子分別配置在上述電阻體的兩端的上下表面上并與上述電阻體電氣連接。
19.如權利要求18所述的電阻器,其特征在于端子的寬度等于或大于上述電阻體的寬度。
20.如權利要求18所述的電阻器,其特征在于位于電阻體的兩端的上下表面上的端子之間電氣連接。
21.一種電阻器,其特征在于包括在靠近兩端處有缺口的金屬制的電阻體、和在該電阻體的兩端配置的并具有至少一個與上述缺口對應的突起的金屬制的端子,且上述電阻體和上述端子至少通過上述突起和上述缺口電氣連接。
22.一種電阻器,其特征在于包括具有至少兩個貫通孔的金屬制的電阻體、和在上述電阻體的兩端配置的并具有至少一個與上述貫通孔形狀相同的突起的金屬制的端子,上述端子的至少一個突起插入到上述電阻體的至少一個貫通孔中,上述端子的至少一個表面與上述電阻體電氣連接。
23.如權利要求4、6、7、8或9所述的電阻器,其特征在于端子的溝是根據上述電阻體的數目設置的、其形狀與電阻體或電阻體和絕緣薄板總體的橫向截面形狀相同的凹部。
24.如權利要求1、2、4、6、7、8或9所述的電阻器,其特征在于端子的厚度至少是電阻體厚度的三倍以上。
25.如權利要求1、2、4、6、7、8、9、11、13、14、18、20或22所述的電阻器,其特征在于電阻體和端子之間有第二導電金屬。
26.如權利要求1、2、4、6、7、8、9、14、18、20或22所述的電阻器,其特征在于在電阻體上形成保護膜。
27.如權利要求26所述的電阻器,其特征在于保護膜與端子的上表面和下表面處在同一平面內,且在上述端子的寬度范圍內形成。
28.一種電阻器的制造方法,其特征在于包括得到為具有預定電阻值而進行了形狀調整的金屬制的板狀電阻體的工序;得到具有凹溝的塊狀金屬制的端子的工序;以及將上述電阻體的兩端插入上述凹溝使上述端子與上述電阻體電氣連接的工序。
29.一種電阻器的制造方法,其特征在于包括得到為具有預定電阻值而進行了形狀調整的金屬制的板狀電阻體的工序;將上述電阻體加工成預定形狀的工序;得到具有凹溝的塊狀金屬制的端子的工序;以及將上述電阻體的兩端插入上述凹溝使上述端子與上述電阻體電氣連接的工序。
30.一種電阻器的制造方法,其特征在于包括在絕緣基板的上、側和下表面的一部分上,以與上、下表面電氣連接的方式形成具有預定形狀的金屬箔圖案而得到端子的工序;將上述絕緣基板分割成預定形狀的工序;得到為具有預定電阻值而進行了形狀調整的金屬制的電阻體的工序;以及將上述電阻體與上述絕緣基板的上面側的金屬箔圖形電氣連接的工序。
31.一種電阻器的制造方法,其特征在于包括得到為具有預定電阻值而進行了形狀調整的金屬制的板狀電阻體的工序;得到具有至少一個突起的預定形狀的塊狀金屬制的端子的工序;在上述電阻體的預定位置形成至少兩個貫通孔的工序;將上述突起中的至少一個插入上述貫通孔的至少一個中的工序;以上述端子的開口側夾著上述電阻體的厚度方向的方式進行彎折的工序;以及將端子與上述電阻體電氣連接的工序。
32.如權利要求28、29或31所述的電阻器的制造方法,其特征在于將端子連接到上述電阻體兩端的工序,是將上述電阻體的兩端插入凹溝中之后,進行加壓結合或緊固。
33.如權利要求28、29、30或31所述的電阻器的制造方法,其特征在于將端子連接到上述電阻體兩端的工序,包括在上述電阻體和端子之間夾持金屬箔的工序,和將上述電阻體、金屬箔和端子釬焊、壓接或超聲波焊接,使上述電阻體和上述端子連接的工序。
34.如權利要求28、29、30或31所述的電阻器的制造方法,其特征在于將端子連接到上述電阻體兩端的工序,包括在上述電阻體和/或端子上涂敷與形成上述電阻體和端子的材料不同的金屬體的工序;以及將上述涂敷后的電阻體和端子組合,之后進行釬焊、壓接或超聲波焊接;使上述電阻體和上述端子連接的工序。
35.一種電阻器的制造方法,其特征在于包括得到為具有預定電阻值而進行了形狀調整的金屬制的板狀電阻體的工序;得到具有至少一個突起的預定形狀的塊狀金屬制的端子的工序;用上述端子夾持上述電阻體并把上述突起插入上述缺口或溝中的工序;以及將端子與上述電阻體電氣連接的工序。
36.一種電阻器的制造方法,其特征在于包括得到為具有預定電阻值而進行了形狀調整的金屬制的板狀電阻體的工序;形成有至少兩個貫通孔、缺口、溝或凹部的金屬制的板狀電阻體的工序;通過在上述電阻體的兩端部的上下表面和端面夾持或卷入短柵狀金屬片,把金屬片的一部分壓入上述電阻體的貫通孔、缺口、溝或凹部以固定,而得到端子的工序;以及將端子與上述電阻體電氣連接的工序。
37.一種電阻器,其特征在于在金屬制的板狀電阻體的兩端部上,通過溝部配置其全部表面用低熔點金屬涂敷的凹形端子,并通過上述溝部內的低熔點金屬與上述電阻體電氣連接,并在上述電阻體的除上述端子之外的全部表面上覆蓋有絕緣保護膜。
38.如權利要求37所述的電阻器,其特征在于端子具有其厚度比上述電阻體的厚度更厚,其寬度與電阻體的寬度相等或比其更寬,其長度比電阻體的長度更短的形狀。
39.如權利要求37或38所述的電阻器,其特征在于端子的電導率比電阻體的電導率更大。
40.如權利要求37所述的電阻器,其特征在于絕緣保護膜與端子的上表面和下表面處在同一平面內,且在上述端子的寬度范圍內形成。
41.一種電阻器的制造方法,其特征在于包括加工凹形金屬制的端子后,在其全部表面上涂敷低熔點金屬以得到端子的第一工序;得到為具有預定電阻值而進行了形狀調整的金屬制的板狀電阻體的第二工序;用上述端子包覆上述電阻體的兩端部,對上述端子進行低溫鍛造,加熱后冷卻使上述電阻體和端子電氣連接的第三工序;以及在上述電阻體的除上述端子之外的全部表面上覆蓋預定形狀的絕緣保護膜的第四工序。
42.如權利要求41所述的電阻器的制造方法,其特征在于對于得到端子的第一工序和得到電阻體的第二工序,是先進行得到電阻體的第二工序,再進行得到端子的第一工序。
43.如權利要求41所述的電阻器的制造方法,其特征在于在將電阻體和端子電氣連接的第三工序和形成絕緣保護膜的第四工序之間,還具有對電阻體進行微調的工序。
全文摘要
本發明涉及以電壓值的方式檢測電路中的電流值的用于檢測電流的電阻器,目的在于提供即使測量位置變動也可保證高精度電阻值的電阻器。該電阻器包括金屬制的板狀電阻體(11)、和與上述板狀電阻體(11)的兩端部電氣連接的并與其分離的金屬制的端子(12)(13),上述端子(12、13)由其電導率與上述電阻體的電導率相同或比其更大的材料構成。由此可以減小端子的電阻值在整個電阻器中占的比值,從而可以忽略電阻值測量端子的接觸位置變動對電阻值波動的影響。
文檔編號H01C1/148GK1272945SQ98809757
公開日2000年11月8日 申請日期1998年10月1日 優先權日1997年10月2日
發明者池本浩一, 進藤泰宏, 知野見紀光 申請人:松下電器產業株式會社