專利名稱：半導體封裝及其制造方法
技術領域：
本發明涉及半導體封裝，尤其涉及半導體芯片和引線由導電層而不是由金屬絲連接的半導體封裝及其制造方法。
在半導體封裝中，半導體芯片由引線架支承，該引線架的每條引線把半導體芯片電連接到外部電路。
參照
圖1的典型半導體封裝，一種存儲器器件的半導體芯片12安裝在襯墊11上，引線架的各內引線14用諸如雙面絕緣膠帶之類的粘接物質13在半導體芯片12的外圍處粘附到襯墊11上。而且，半導體芯片12和內引線14用金屬絲焊接，然后，所得的結構用壓模材料16密封。
由于半導體芯片尺寸的減小，難于用金屬絲焊接法連接小尺寸的半導體芯片與引線。即，隨著半導體芯片的小型化，內引線之間的距離，即間距，減小了。因此，難于把金屬絲準確地焊接到間距細微的內引線上。對于0.2毫米或更小的內引線間距，不能采用金屬絲焊接法，因此不能保證半導體封裝的可靠性。
為了解決以上問題，本發明的目的是提供一種由導電層而不是由金屬絲連接半導體芯片和內引線的、從而用于細微間距內引線的半導體封裝制造方法，及提供一種使用該方法的半導體封裝。
因此，為實現上述目的，提供一種制造半導體封裝的方法，包括以下步驟(a)在待絕緣的各內引線上支承半導體芯片；(b)在所述半導體芯片上和所述各內引線的各上表面上形成絕緣層，其中所述絕緣層具有一開口，通過此開口暴露出作為所述半導體芯片的連接端的焊盤(bonding pad)和暴露出所述內引線的末端部分；以及(c)在所述開口中形成導電層以將所述焊盤電連接到所述內引線的所述末端部分。
這里，步驟(b)包括以下子步驟在不存在焊盤的半導體芯片上表面上形成第一絕緣層；以及在第一絕緣層的上表面上及在除各內引線末端之外的各內引線上表面的預定部分上形成第二絕緣層。
最好，所述第二絕緣層由至少二層組成。
還有，最好第一絕緣層的上表面與內引線平齊。
按照本發明的另一方面，提供一種半導體封裝，包括各內引線；具有連接端焊盤、被支承在將與其絕緣的所述各內引線上的半導體芯片；覆蓋在除去所述內引線預定部分之外的所述內引線上及覆蓋在不存在所述焊盤的那一部分上的絕緣層；以及把所述各內引線的所述預定部分電連接到所述焊盤的導電層。
通過參考附圖詳細敘述本發明的優選實施例，本發明的上述目的和各種優點將變得更為明顯。在這些附圖中圖1是常規半導體封裝的截面圖；圖2至8用于說明本發明一實施例的半導體封裝制造方法；以及圖9和10用于說明本發明另一實施例的半導體封裝制造方法。
按照本發明，半導體芯片和各內引線由導電層來電連接。現在來參考圖2至8描述按照本發明一實施例的半導體封裝制造方法。
參考圖2，引線架的各內引線34附著在半導體芯片32表面的邊沿上，在所述表面上形成一焊盤32a即電連接端。最好，所述各內引線34用諸如雙面絕緣膠帶之類的絕緣粘接物質來附著。
然后，如圖3所示，在不存在各焊盤32a的半導體芯片32的那一部分上表面上形成第一絕緣層35。于是，通過各開口38暴露出各焊盤32a。最好，第一絕緣層35的上表面與各內引線34的上表面平齊。
最好，第一絕緣層35由聚酰胺族(polyamide group)材料形成。第一絕緣層35可用分送方法(dispensing method)形成，這種方法多次涂敷絕緣材料以形成預定的圖案。作為另一種可供選擇的方法，可通過粘貼具有預定圖案的絕緣帶來形成該絕緣層。
接著，參考圖4，在第一絕緣層35的上表面上和在各內引線34的除了其末端部分34a之外的各上表面預定區域上形成各第二絕緣層36。因此，通過各開口38仍然暴露出半導體芯片32的各焊盤32a，各內引線末端的上表面部分34a也是暴露的。第二絕緣層36所用的材料及形成方法與第一絕緣層35的相同。
為方便起見，第一和第二絕緣層35和36是分別形成的。
其次，如圖5所示，各第三絕緣層37形成在各第二絕緣層36的上表面之上。第三絕緣層37增加了開口38的深度。第三絕緣層37所用的材料及形成方法與第一和第二絕緣層35和36的相同。
參考圖6，當第一、第二和第三絕緣層35、36和37全部形成時，把導電電鍍材料注入開口38以形成導電層39。導電層39覆蓋各內引線34暴露的上表面部分34a(見圖4)、半導體芯片32的各焊盤32a、和各第三層37的上表面。
然后，參考圖7，除去各第三絕緣層37和在各第三緣層37上的部分導電層39。這是為了避免因覆蓋在第三絕緣層37上表面的導電層的過度蔓延而造成各相鄰引線之間的電氣短路。
于是，導電層39將各內引線34電連接到了各焊盤32a。
最后，如圖8所示，已形成各第一和第二絕緣層35和36的半導體芯片32和各內引線34用壓模材料31壓模，從而完成了封裝。此時，內引線34的另一末端向外伸出。
按照本實施例，半導體芯片32和各內引線34由導電層39而不是由各常規的金屬絲連接。
本發明可采用于各種半導體封裝。例如，在制造如圖9所示的半導體封裝中，將半導體芯片320附著到襯墊322上。即，內引線340用絕緣膠330粘貼到襯墊322的邊沿而不是粘貼到半導體芯片320。
然后，用與前述方法相同的方式用導電層390連接半導體芯片320的焊盤321和內引線340。制成的半導體封裝示于圖10中。
按照本發明，半導體芯片和各內引線由導電層連接，因而提高了精度。因此，實現了具有細微間距的各內引線的連接，從而增加了半導體封裝的可靠性。
權利要求
1.一種制造半導體封裝的方法，包括以下步驟(a)將半導體芯片支承在將被絕緣的各內引線上；(b)在所述半導體芯片上和所述各內引線的上表面上形成絕緣層，其中所述絕緣層具有一開口，通過所述開口暴露出作為所述半導體芯片的連接端的焊盤和暴露出所述內引線的末端部分；以及(c)在所述開口中形成導電層，以將所述焊盤電連接到所述內引線的所述末端部分。
2.如權利要求1所述的方法，其中所述步驟(a)包括由絕緣膠把所述各內引線粘附到所述半導體芯片的邊沿的步驟。
3.如權利要求1所述的方法，其中所述步驟(a)包括由絕緣膠將所述內引線粘附到安放所述半導體芯片的襯墊的邊沿的子步驟。
4.如權利要求1所述的方法，其中所述步驟(b)包括以下子步驟在不存在所述焊盤的所述半導體芯片的那一部分上表面上形成所述第一絕緣層；以及在所述第一絕緣層的上表面上和在除所述各內引線的末端部分之外的所述各內引線的上表面預定部分上形成所述第二絕緣層。
5.如權利要求4所述的方法，其中所述第二絕緣層由至少二層組成。
6.如權利要求4所述的方法，其中所述第一絕緣層的上表面與所述內引線的上表面平齊。
7.如權利要求1所述的方法，其中所述步驟(c)包括除去部分所述導電層和部分所述絕緣層的子步驟。
8.一種半導體封裝，包括各內引線；具有作為連接端的焊盤、且被支承在將與其絕緣的所述各內引線上的半導體芯片；覆蓋在除所述內引線的預定部分之外的所述內引線上及覆蓋在不存在所述焊盤的那一部分上的各絕緣層；以及將所述各內引線的所述預定部分電連接到所述焊盤的導電層。
9.如權利要求8所述的半導體封裝，其中所述各絕緣層由多層組成。
全文摘要
一種制造半導體封裝的方法,包括以下步驟:在將被絕緣的各內引線上支承半導體芯片;在所述半導體芯片上及所述各內引線的上表面上形成絕緣層,其中所述絕緣層具有一開口,通過該開口暴露出作為所述半導體芯片的連接端的焊盤和暴露出所述內引線的末端部分;以及在所述開口中形成導電層,以將所述焊盤電連接到所述內引線的所述末端部分。
文檔編號H01L21/56GK1198005SQ9810559
公開日1998年11月4日 申請日期1998年3月16日 優先權日1997年4月28日
發明者韓圣英 申請人:三星航空產業株式會社