專利名稱：銻化銦薄膜的鍍層結構的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種銻化銦薄膜的鍍膜結構。
一般蒸鍍InSb薄膜，是在基底上直接鍍一層InSb層，由于膜層中In和Sb的配比與理論值偏差較大，使最終制得的銻化銦薄膜電子遷移率低，在霍爾元件中沒有實用價值。
本實用新型的目的是提供一種可以產生高電子遷移率的銻化銦薄膜的鍍層結構。
本實用新型的目的是這樣實現的銻化銦薄膜的鍍層結構，特征在于在具有隔離層(2)的基底(1)上，從內至外外次鍍In層(3)、InSb＋Sb層(4)和In層(5)。
用這種結構的鍍層經結晶化轉化，晶粒進一步長大后，可以制出電子遷移率高達30000cm2/V.S的銻化銦薄膜，使其在霍爾元件中具有實用價值。
以下結合附圖詳細敘述本實用新型的技術解決方案。
圖1是銻化銦鍍層結構示意圖。
如圖，在具有隔離層2的基底1上，從內至外依次鍍In層3、InSb＋Sb層4和In層5。
權利要求1.一種銻化銦薄膜的鍍層結構，其特征在于在具有隔離層(2)的基底(1)上，從內至外依次鍍In層(3)、InSb＋Sb層(4)和In層(5)。
專利摘要一種銻化銦薄膜的鍍層結構是在具有隔離層的基底上，從內至外依次鍍In層、InSb+Sb層和In層，具有這種鍍層結構的薄膜經結晶化轉化后可以制出高電子遷移率的銻化銦薄膜，使其在霍爾元件中具有實用性。
文檔編號H01L43/02GK2232161SQ9523168
公開日1996年7月31日 申請日期1995年7月13日 優先權日1995年7月13日
發明者于成民, 劉佩瑤, 孫仁濤, 馮桂華, 王曉雯, 關杰, 曾永寧, 王晶 申請人:機械工業部沈陽儀器儀表工藝研究所