專利名稱：一種硅的光探測器件的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種硅光生伏特探測器的結構，特別涉及一種用多孔硅熒光層實現紫外增強的p－n結硅光生伏特探測器的結構。
現有實現紫外增強的硅光生伏特探測器，如日本專利“特開平3－91967”和美國專利“US5，059，787”，它們分別采用淺p－n結和蘭寶石上硅薄膜內耗盡層擴展等結構。這類結構的共同缺陷在于，制造工藝難以控制，生產成本較高，并且與現有硅集成電路工藝難以相容。
本實用新型的目的是為克服現有技術的上述缺陷，設計一種結構簡單，工藝過程較易控制，生產成本低廉，并與現有硅集成電路工藝相容的紫外增強p－n結硅光生伏特探測器。
為實現本實用新型目的所采取的主要技術措施為，在硅p－n結光生伏特探測器探光面的金屬電極之間或(和)其四周的硅表面上布設有一層多孔硅的熒光膜。
由于多孔硅膜具有較好的紫外－可見光的轉換特性，把它布設在硅p－n結光探測器的探光表面上可以起到紫外增強的光探測效果。同時由于多孔硅膜可采用常溫化學方法等簡單工藝在硅表面上形成，因而又具有工藝簡單易控、成本低廉，并能與現有集成電路工藝相容等積極效果。
以下結合附圖
與實施例對本實用新型作進一步描述。
附圖為本實用新型用多孔硅熒光層實現紫外增強的p－n結光生伏特探測器一項實施例的結構示意圖。其中(a)為剖示圖，(b)為俯視圖，1為N型硅襯底，2為二氧化硅膜，3為P型摻雜層，4為金屬上電極，5為多孔硅熒光層，6為二氧化硅抗反射膜，7為N型重摻雜層，8為下電極。
本實用新型一項實施例用電阻率在10歐姆厘米以上，＜111＞晶面的N型硅晶片作襯底(1)，在硅襯底(1)的正面由二氧化硅窗口(2)、P型摻雜層(3)以及金屬上電極(4)形成平面結構的p－n結硅光生伏特探測器的探光面，在探光面的金屬上電極(4)之間的P型摻雜層(3)表面形成一層厚度不超過1微米的多孔硅熒光層(5)，在此熒光層的上面復蓋一層二氧化硅抗反射膜(6)，在硅襯底(1)的背面則由N型重摻雜層(7)和金屬層形成下電極(8)。
權利要求1.一種紫外增強的硅p-n結光生伏特探測器件，其特征為，在硅p-n結光生伏特探測器的探光面金屬上電極之間或(和)其四周的硅表面上布設有一層多孔硅的熒光膜。
2.按照權利要求1所述硅p－n結光生伏特探測器件 ，其特征為，所述多孔硅的熒光層是在所述p－n結探光硅表面上形成的一層厚度不超過1微米的多孔硅熒光層。
3.按照權利要求1所述硅p－n結光生伏特探測器件，其特征為，在所述多孔硅的熒光膜上復蓋有一層二氧化硅抗反射膜。
專利摘要本實用新型公開了一種紫外增強的p-n結硅光生伏特探測器的結構。它在探測器探光面的金屬電極之間或(和)其四周的硅表面上布設一層多孔硅的熒光膜。該結構具有工藝過程簡單易控、成本低廉、并能與現有集成電路工藝相容等諸多優點。
文檔編號H01L31/10GK2162712SQ93217410
公開日1994年4月20日 申請日期1993年7月2日 優先權日1993年7月2日
發明者夏永偉, 李國花, 滕學公, 樊志軍 申請人:中國科學院半導體研究所