專利名稱：反射型液晶顯示器的制作方法
技術領域：
本發明涉及液晶顯示器，尤其涉及一種有源矩陣反射型液晶顯示器。
一種有源矩陣反射型液晶顯示器具備由薄膜晶體管(TFT)控制的反射極，一個反向公用電極，和置于這些電極之間的液晶，的由施加在電極上的電壓改變液晶層的學透射狀態以控制為了顯示的目的由反射極反射的光的強度。
反射型液晶顯示器使用在“SocietyforInformationDisplay83Digest1983”中第146-147頁所公開的規則有源矩透射型液晶顯示器中采用的TFT。
在這種可使用TFT的常規反射型液晶顯示器中，有必要調準TFT的柵極和本征半導體膜，以及調準本征半導體膜和漏極及源極。調準會有誤差，因而，考慮到誤差的因素，每個相關的對應元件的設計尺寸都要有預定的尺寸余量。因此存在的問題是TFT的尺寸大。所需的處理步驟多，以及為了調準相關的每個對應層需相當長的時間。
本發明的一個目的是提供一個有源矩陣反射型液晶顯示器，該顯示器能解決在常規有源矩陣反射型晶體顯示器中由于采用TFT所面臨的這些問題，并且這種顯示器在制造TFT過程中較容易地調準，使用的TFT小，并且制造顯示器的步驟較少。
根據本發明，利用一種具有一個反方向交錯結構的薄膜晶體管就可以實現上述目的，在該反向交錯結構中晶體管有一個漏電極，該漏電極包含有一個掃描導體和信號導體在上面相交的區域;一個源電極，該源電極上包含這樣一個區域，在該區域上平行于信號導體且長度比掃描導體寬度大的短路導體與掃描導體相交;一個柵極，該柵極包含一個在掃描導體上、在漏極和源極之間形成的區域、和一個包含柵極使柵極與溝道區域重合而形成本征半導體區域。
如果可以用相同的光掩模形成信號導體和短路導體，則形成在掃描導體和信號導體相交區域的漏極、形成在短路導體和掃描導體相交區域的源極、以及形成在漏極和源極間的柵極三者之間的位置關系就由光掩模設計的精度來決定，即使在掃描導體和每個掃描導體和短路導體之間的位置關系在調準這些導體時多少有些垂直或水平的偏差，亦是如此。包含有柵極的本征半導體薄膜區域形成的作用在于使溝道區域與柵極彼此完全重合。最終將源、漏極和影響TFT特性的溝道區域之間的位置關系維持在由光掩模設計所決定精度范圍內，即使在生產時進行的調準存在偏差也能維持這個精度。
圖1A-1D示，出本發明的有源矩陣反射型液晶顯示器的第一實施例中的TFT襯底在其各個制造步驟的布局圖案的平面圖。
圖2A、2B和2C分別示出沿圖1D中ⅡA1-ⅡA1，ⅡB1-ⅡB1和ⅡC1-ⅡC1線剖開的和沿著圖1D表面的垂直方向剖開的剖面圖。
圖3示出制造第一實施例步驟之一的剖面圖。
圖4示出制造第一實施例之一的剖面圖。
圖5示出制造第一實施例步驟之一的剖面圖。
圖6示出制造第一實施例步驟之一的剖面圖。
圖7示出制造第一實施例之一的剖面圖。
圖8示出制造第一實施例步驟之一的剖面圖。
圖9示出制造第一實施例步驟之一的剖面圖。
圖10示出本發明中相類似的TFT襯底的平面圖。
圖11A、11B、和11C分別示出沿圖1D中ⅪA1-ⅪA1、ⅪB1-ⅪB1和ⅪC1-ⅪC1剖開的本發明第三實施例的TFT襯底的剖面圖，和沿圖1D表面的垂直方向剖開的剖面。
圖12A、12B和12C分別示出沿圖1D中ⅫA1-ⅫA1、ⅫB1-ⅫB1和ⅫC1-ⅫC1線剖開的本發明第三實施例的TFT襯底的剖面圖，和沿圖1D表面的垂直方向剖開的剖面。
圖13A、13B和13C示出本發明的第四實施例的TFT襯底在相應的制造步驟的布局圖案的平面圖。
圖14A、14B和14C示出本發明的第五實施例的TFT襯底在相應的制造步驟的布局圖案的平面圖。
圖15A、15B和15C示出本發明的第六實施例的TFT襯底在相應的制造步驟的布局圖案的平面圖。
圖16A、16B和16C分別示出沿圖15B中ⅩⅥA2-ⅩⅥA2、ⅩⅥB2-ⅩⅥB2和ⅩⅥC2-ⅩⅥC2線剖開的本發明第六實施例的TFT襯底的剖面圖，和沿著圖15B表面的垂直方向剖開的剖面圖。
圖17A、17B和17C分別示出沿圖15B中ⅩⅦA2-ⅩⅦA2和ⅩⅦB2-ⅩⅦB2和ⅩⅦC2-ⅩⅦC2線剖開的本發明第七實施例的TFT襯底的剖面圖，和沿著圖15B表面的垂直方向剖開的剖面圖。
圖18A、18B和18C示出本發明的第八實施例的TFT襯底在相應的制造步驟的布局圖案。
圖19A、19B和19C分別示出沿圖18D中ⅩⅨA3-ⅩⅨA3、ⅩⅨB3-ⅩⅨB3和ⅩⅨC3-ⅩⅨC3線剖開的本發明第八實施例的TFT襯底的剖面圖，和沿圖18D表面的垂直方向剖開的剖面圖。
圖20A、20B和20C示出本發明的第九實施例的TFT襯底在相應的制造步驟的布局圖案的平面圖。
圖21A、21B和21C示出本發明的第十實施例的TFT襯底在相應的制造步驟的布局圖案的平面圖。
圖22示意性示出帶有一個模板掩模的一個濺射裝置的結構。
圖23示出一個模板掩模的布局圖案。
圖24是一個采用了根據本發明的反射型液晶顯示器的應用例1的立體圖。
圖25是一個采用了根據本發明的反射型液晶顯示器的應用例2的立體圖。
圖26是一個采用了根據本發明的反射型液晶顯示器的應用例3的立體圖。
圖27是一個采用了根據本發明的反射型液晶顯示器的應用例4的立體圖。
下面參照附圖詳細描述本發明的由薄膜晶體管(TFT)驅動的有源矩陣反射型液晶顯示器的實施例。在這些實施例中，下面將主要描述上面配備有TFT和反射型電極的襯底(下面稱作TFT襯底)的結構和制造此襯底的方法。
圖1A-1D根據本發明的有源矩陣以射型液晶顯示器的第一實施例在其各個制造步驟的布局圖案。圖2A、B和C分別是沿圖1D的ⅡA1-ⅡA1，ⅡB1-ⅡB1和ⅡC1-ⅡC1一剖開的剖面圖。圖3-9表示制造秕一實施例的各個步驟。圖10是一個類似矩陣的TFT襯底的平面圖。制造第一實施例的TFT襯底的方法如下1)把用來作柵極1的Al(鋁)和Cr(鉻)(＝Cr/Al)沉積在玻璃襯底5上，并且通過一個掩模在最后所得的襯底上加上布局圖案。此時，形成了存貯電容(Cslg)電極6(見圖1A和3)。
2)然后，順序沉積一個SiN薄膜7(它將成為絕緣柵薄膜)，一個本征半導體薄膜(i層)4，和一個非本征半導體薄膜(n+層)8。然后，通過逆向曝光依次對(n+)層8和i層4加上布局圖案(見圖1A、4)。
3)然后，沉積將要成為漏極2和源極3的Cr和Al(＝Al/Cr)，并且通過一個掩模依次為Al/Cr電極2、3和n+層8加上布局圖案(見圖1A、5和6)。
4)然后，沉積上一層將成為TFT保護薄膜的有機PAS(鈍化)膜9，并且通過一個掩模依次給膜9和層4加上布局圖案(圖1、7)。
5)然后，用一個掩模為終端部分的SiN膜7加上布局圖案以便引柵電極(圖1A、8)。
6)然后，沉積將成為反射型電極的Al10，并且通過一個掩模給Al10加上布局圖案(圖1D、9)。
圖1C的區域11表示有機PAS膜9存在的區域，由于有機PAS膜的緣故，使有機PAS膜存在的這一區域的表面的不均勻性減小了。
如圖1C所示，在第一實施例的布局圖案中，在一個將成為柵極1的掃描導體、將成為漏極2的信號導體直接重疊的區域，和一個掃描電極同將成為源極3的短路導體直接重疊的區域就形成了漏極2和源極3。在漏極和源極3之間形成柵極1。結果，柵極1的寬度即是溝道的寬度。因此，很容易調準各個層，并且制造的TFT具有高精度，并且降低了不均勻性。在設計TFT過程中不需要考慮調準中的誤差，因而可減小TFT的尺寸。
按此方法，由4個掩模制作TFT襯底，其中包括一個用來引出柵極的掩模，因而改善了生產效率。該設備結構的特點是必須在約緣膜9的下面直接設置本征半導體層4，作為在柵極1上的TFT的保護膜。如圖1D所示，存貯電容Cstg在第一實施例中的Al10和Cstg電極6之間形成。
在反射型液晶顯示器中，存貯電容是在反射極的背部形成的，勿需考慮由于存貯電容的存在而在透射液晶顯示器中可能會發生的漸暈固子的下降。因此，除了TFT和導體區域以外的區域都可用作在上面形成存貯電容的區域。如上所述，如果TFT的面積減小，存貯電容的面積可以相應增加。因而增加了存貯電容值Cstg。由于存貯電容維持的像素電壓的維持時間正比于Cstg與液晶電阻值的乘積，因而當維持時間恒定時，Cstg的增加意味著，即使液晶有一個小電阻率也是可以使用的。因而，可選擇的液晶材料范圍有益地增大了。圖11A、B和C是分別沿圖1的ⅪA1-ⅪA1、ⅪB1-ⅪB1和ⅪC1-ⅪC1線剖開的本發明第二實施例的剖面圖。第二實施例的TFT襯底的制造方法如下1)把將成為柵極1的Al和Cr(＝Cr/Al)沉積在玻璃襯底5上，并通過一個掩模在最后所得的襯底上加上布局圖案。
2)然后，依次沉積上將成為絕緣柵的SiN膜7，本征半導體薄膜(i層)4，和一個非本征半導體薄膜(n+層)8。
3)然后，沉積一層將成為漏極2和源極3的Cr和Al(＝Al/Cr)，并且通過一個掩模依次為Al/Cr電極2、3和n+層8加上布局圖案。
4)然后，沉積一層將成為TFT保護薄膜的有機PAS膜9，并且通過一個掩模依次在膜9和層4加上布局圖案。
5)然后，通過一個掩模在終端部分的SiN膜7加上布局圖案以引出柵極(圖1A，8)。
6)然后，沉積一層將成為反射極的Al10，并且通過一個掩模對Al10加上圖案(圖1D、9)。
省去在第一實施例中進行的逆向曝光即可以得到第二實施例，如圖11B所示，有必要在第二實施例的剖面結構中的漏極2的下面直接設置一個(n+8)層和i層4。其結果是，襯底的表面變得平整，因而降低了漏極2的導體破裂的百分率。因此不用逆向曝光就改善了生產效率。安此方法，TFT襯底用4個掩模制作，其中包括引出柵極的掩模在內。因而，提高了生產率。
圖12A、12B和12C是分別沿圖1D的ⅫA1-ⅫA1、ⅫB1-ⅫB1和ⅫC1-ⅫC1線剖開的本發明的第三實施例的剖面圖。第三實施例的制作TFT襯底的方法如下所述1)在玻璃襯底5上沉積一層將成為柵極1的Al和Cr(＝Cr/Al)，并且通過一個掩模在最后所得的襯底上加上布局圖案。
2)然后，沉積一層將成為絕緣柵的SiN膜7和本征半導體薄膜(i層)4，并且通過逆向曝光在i導4上加上布局圖案。
3)然后，沉積一層將成為漏極2和源極3的Cr和Al(＝Al/Cr)，并且通過一個掩模在Al/Cr電極2、3上加上布局圖案。
4)然后，沉積一層將成為TFT保護薄膜的有機PAS膜9，并且通過一個掩模按順序在膜9和層4上加上布局圖案。
5)然后，通過一個掩模在終端部分的SiN膜7上加上布局圖案以引出柵極(圖1A，8)。
6)然后，沉積一層將成為反射極的Al10，并且通過一個掩模加上布局圖案。
不配備在第一實施例中存在的(n+)層9，即可以得到第一實施例。由于在第三實施例中不采用(n+)層9，i層4大大變薄，并且因此減少了來自TFT的漏電流。通過采用激光退火，使此實施例有利于改進場效應遷移率。由于不配置(n+)層9，提高了生產效率。按此方法，通過4個掩膜來制作TFT襯底，其中包括用來引柵電極的一個掩膜在內，從而提高了生產效率。
圖13A-13C表示本發明第四實施例在相應制造步驟中的布局圖案。此實施例的特征是在用作反射電極的Al10和上一步驟的柵極1′之間形成一個存貯電容Cstg。
圖14A-14C表示本發明第五實施例在相應制造步驟中的布局圖案。此實施例的特征在于，沿著形成的TFT附近增加了柵極1的寬度以便因而改善驅動TFT的能力。
圖15A-15B表示本發明第六實施例在相應制造步驟中的布局圖案。圖16A、B和C是分別沿圖15B的ⅩⅥA2-ⅩⅥA2、ⅩⅥB2-ⅩⅥB2和ⅩⅥC2-ⅩⅥC線剖開的本發明第六實施例的剖面圖。制造第六實施例的TFT襯底的方法如下所述1)在玻璃襯底5上沉積一層將成為柵極1的Al和Cr(＝Cr/Al)并且通過一個掩模在最后所得的襯底上加上布局圖案。
2)然后，按順序沉積將成為絕緣柵的SiN膜7，本征半導體薄膜(i層)4，和一個非本征半導體薄膜(n+)層8。并且通過逆向曝光按順序在(n+)層8和i層4上加上布局圖案。
3)然后，沉積一層將成為漏極2和源極3的Cr和Al(＝Al/Cr)，并且通過一個掩模依次為Al/Cr電極2、3和(n+)層8加上布局圖案。
4)然后，沉積一層將成為TFT保護薄膜的有機PAS膜9，并且通過一個掩模依次在膜9和層4加上布局圖案。
5)然后，用一個掩模在終端部分的i層4和SiN膜7加上布局圖案以引出柵極(圖1A，8)。
在第六實施例中，源極3被直接用作反射極，因而掩模數目減少了一個。如圖15B所示，讓柵極1與第六實施例布局圖案中的每個漏極2和源極3重疊，即可以形成TFT。結果，柵極1的寬度即變為溝道的寬度。因此，調準各個層變得很方便，因而提高了生產效率。按此方法，通過4個掩模來制造TFT襯底，這4個掩模包括為了引出柵極的一個掩模在內。在此，提高生產效率。如圖15所示，在第六實施例中存貯電容Cstg是在源極(Al/Cr)3和Cstg電極6之間形成的。
圖17A、17B和17C是分別沿圖15B的ⅩⅦA2-ⅩⅦA2、ⅩⅦB2-ⅩⅦB2和ⅩⅦC2-ⅩⅦC2線剖開的本發明第七實施例的剖面圖。第七實施例的TFTT襯底的制造方法如下所述1)在玻璃襯底5上沉積一層將成為柵極1的Al和Cr(＝Cr/Al)并且通過一個掩模在最終所得的襯底上加上布局圖案。
2)然后，按順序沉積將成為絕緣柵的SiN膜，一層本征半導體薄膜(i層)4，和一層非本征半導體薄膜(n+層)8。并且通過逆向曝光按順序在(n+)層8上加上布局圖案。
3)然后，沉積一層將成為漏極2和源極3的Cr和Al(＝Al/Cr)，并且通過一個掩模依次為Al/Cr電極2、3和(n+)層8加上布局圖案。
4)然后，沉積一層將成為TFT保護薄膜的有機PAS膜9，并且通過一個掩模依次在膜9和層4加上布局圖案。
5)然后，用一個掩模在終端部分的i層4和SiN膜7加上布局圖案以引出柵極(圖1A，8)。
省去在第六實施例中對于i層4進行的逆向曝光過程即可以得到第七實施例。如圖17A所示，的必要在第七實施例的剖面結構中的漏極2的下面直接設置i層。結果，可使得襯底表面平整且漏極2的破損百分率降低。由于不在i層4的后面曝光。因而提高了生產效率。按此方法，通過4個掩模來制作TFT襯底，這4個掩模包括一個引出柵極的掩模在內，因而提高了生產效率。
圖18A、18B和18C表示本發明第八實施例在相應制造步驟中的布局圖案。圖19A、B和C是分別沿圖18D的ⅩⅨA3-ⅩⅨA3、ⅩⅨB3-ⅩⅨB3和ⅩⅨC3-ⅩⅨC3線剖開的本發明第八實施例的剖面圖。制造第八實施例TFT襯底的方法如下所述1)在玻璃襯底5上沉積將成為柵極100的Cr，并且通過一個掩模在最終所得的襯底上加上布局圖案。
2)然后，按順序沉積一層將成為絕緣柵膜的SiN膜，一層本征半導體薄膜(i層)4和一層非本征半導體薄膜(n+層)8。以及將成為漏極200和源極300的Al-Si，并且通過一個掩模順序在Al-Si電極200、300和(n+)層8上加上布局圖案。
3)然后，對有機PAS膜9進行印制，并且用PAS膜7作為掩模按順序在i層4和將成為絕緣柵膜的SiN膜7上加在布局圖案。
4)然后，沉積將成為反射極的Al10，并且通過一個掩模在Al10上加在布局圖案。
如圖18D所示，通過使柵極100和每個漏極和源極200和300相交即可以形成TFT。按此方法，用有機PAS膜9作為掩模，通過在將成為門絕緣膜的SiN膜7上加上布局圖案就可使柵極100的終端部分露出。因此，按此方法通過4個掩模來制作TFT，其中包括用來引出柵極的一個掩模在內。
圖20A-20C表示本發明第九實施例在相應步驟中的布局圖案。第九實施例的特征是根據在柵極1上并列的第1、第2和第3源極31、32和33而形成的TFT的串接，因而降低了來自TFT的漏電流。
圖21A-21C表示本發明第十實施例在各個制造步驟中的布局圖案。本實施例的特征在于，依據對柵極1提供一個支路110而形成的TFT的并接，因而即使TFT中的任何一個不正常工作也可以向一個象素段提供一個正常顯示信號。
圖22示意地表示一個具有一個模板掩模的濺射裝置40，把濺射掩模41(圖23)放置在一個玻璃襯底5和一個Al或Cr板43之間，濺射掩模與例如由掩模制出的柵極有相同的布局圖案。玻璃襯底放在一個臺42上，從Al或Cr板43上濺射的電極材料顆粒沉積在玻璃襯底5上以形成一個柵極或漏極或源極。因此，省去了常規使用的光刻過程。因而提高了制造TFT的生產效率。此濺射掩模也可以用在真空沉積裝置上。
圖24表示用于一個便攜式個人計算機或一個文字處理機的一個有創造性的液晶屏的例子。把帶有TFT的液晶屏51放置在殼蓋52內，殼蓋52鉸接在帶肯鍵盤54的機體53上，當把殼蓋52關上時，就呈現出沒有突出物的類似箱子的外形，從而就使得這種計算機或文字處理機便于攜帶。在殼蓋52的開/閉部分設置一個光調節開關55，其作用是減小了殼蓋的尺寸。與液晶屏51是反射型時，則殼蓋52將增厚很多。所采用的液晶屏52可以是單色的，或者是彩色的。
圖25是用于便攜式個人計算機或文字處理機的本發明的另一個應用的例子。把一個反射型彩色液晶屏56裝在殼蓋57上，該殼蓋57鉸接到帶有鍵盤59的機體58上，寫把殼蓋57關上時，就呈現出沒有突出物的類似箱子的外形，從而使這種計算機或文字處理機便于攜帶。將一個監測環境光亮和色調的光學元件60安裝在反射型彩色液晶屏56的殼蓋57的下部。在采用反射型彩色液晶屏的情況下，由液晶屏復制的圖象的色調隨環境光的強弱和色調而變化。因此，為了控制施加到液晶屏上的信號電壓，光學元件60要對環境光的亮度和色調進行測量，以便復制出一個最佳顏色，其中包括復制一個最接近將被復制的顏色的顏色，還包括最終改變復制的顏色，使與環境光有極端色調時使用者可以清楚地辨認出被復制的顏色和環境光大顏色上的差別。此方法即使在反射型液晶屏中也可以實現最佳彩色復制，并且這種顯示器在各種場合都完全可用，例如地單色光滑下。
圖26表示一種便攜式個人計算機或文字處理機殼蓋的實施例。殼蓋61有一個安裝在此殼蓋內的反射型液晶屏62。機體63有一人結合在其上面的鍵盤(未示出)。連接殼蓋61和機體63的一對導壁64a、64b從殼蓋61的各個側邊伸出，這樣使得殼蓋61可以垂直滑動。滑動導壁的作用是把液晶屏放在一個最佳位置上。
圖27表示一個用于一個便攜式個人計算機或文字處理機的反射型液晶屏的應用例子，此屏與帶有背面照明的透射型液晶屏相比消耗電能低，重量輕并且最度薄。因此，對于便攜個人計算機或文字處理機來說，反射型液晶屏是最佳的。然而，反射型液晶屏需要外部光源，由于可得到的光量不充足，此屏的使用條件可能會受到限制。有些透射型液晶屏具有一個設置在液晶屏和背面照明之間的半透射型反射板，使得在背面照明不打開時此屏作為一個反射型液晶屏使用。然而，由于光的利用效率低，這種屏不實用。另外，當使用背面照明時，半透射型的反射板降低了背面照相的效率。基本上，本實施例使用一個反射型液晶屏，并將環境光不充足時使用的前照明燈65。裝配在殼蓋66中。在使用時，在拉出并點亮前照明燈時，光67照亮該屏的正面。在不使用前照查燈65時，它就構成殼蓋66的一部分。
根據本發明，在制造一個有源矩陣反射型液晶顯示器的TFT襯底時，可以容易地調準各個相應的層、且調準精確度高。因此，在TFT的設計中不必考慮與調準有關的誤差，因而使TFT小型化。TFT面積的減小的作用在于相應地增加了存貯電容電極的面積，因而增加了存貯電容值，這樣，此顯示器甚至可用在有小電阻率的液晶中，因而供選擇的液晶材料的范圍很大。與使用相同的液晶材料相比，可以得到低幀頻顯示模式。
由于TFT的制作具有高精度和高可復制性，顯示屏中的TFT的特性之間沒有差異，因而提供節一種沒有不均勻顯示的有源矩陣反射型液晶顯示器。
本發明提供了一種可靠性高、低成本的有源矩陣反射型液晶是示器，其中減少了TFT襯底的步驟的數目，因而提高了生產效率。
權利要求
1.一種反射型液晶顯示器，包括多個掃描導體，多個信號導體和多個薄膜晶體管以及反射型像素電極，反射型像素電極設置在多個掃描導體和多個信號導體相交的區域的附近，其特征在于薄膜晶體管有一個反向交錯結構，在該反射交錯結構中每個晶體管有一個漏極，該漏極包含一個相關的對應掃描導體和相關的對應信號導體相交的區域；一個源極，該源極上包含有一個平行于信號導體的相關的對應短路導體與掃描導體相交的區域；一個柵極，該柵極包含一個在掃描導體上、在漏極和源極之間形成的區域；和一個反射極，該反射極設置在短路導體的端部。
2.根據權利要求1所述的反射型液晶顯示器，其特征在于，多個存貯電容電極和一個設置在相應的每個存貯電容電極和一個相應的對應反射電極之間的絕緣層形成一個存貯電容。
3.根據權利要求1所述的反射型液晶顯示器，其特征在于，在多個信號導體伸展的方向短路導體的長度片掃描導體的寬度大。
4.根據權利要求3所述的反射型液晶顯示器，其特征在于，短路導體從相關的對應掃描導體和短路導體相交的區域沿相交方向突出出來。
5.根據權利要求3所述的反射型液晶顯示器，其特征在于，每個短路導體基本上呈L形狀，它包含有平行于信號導體和掃描導體的部分。
6.根據權利要求1所述的反射型液晶顯示器，其特征在于，至少部分反射極是形成在有機鈍化膜上。
7.根據權利要求1所述的反射型液晶顯示器，其特征在于，一個反射電極和一個在上面形成有一個控制反射極的薄膜晶體管的掃描導體在此反射極和鄰近的掃描導體之間支持一個絕緣層，從而形成一個存貯電容。
8.根據權利要求1所述的反射型液晶顯示器，其特征在于，用相同的材料彼此整體式整制作短路導體和對應的反射極。
9.一種制造反射型液晶顯示器的方法，該顯示器具有多個掃描導體，多個信號導體，多個薄膜晶體管，多個反射像素電極和多個存貯電容(Cstg)，這些存貯電容設置在相應的多個掃描導體與相應的多個信號導體相交的區域的附近，其特征在于(a)形成掃描導體;(b)形成信號導體和多個短路導體，短路導體平行于信號導體并且與掃描導體相交。
10.根據權利要求9所述的方法，其特征在于掃描導體形成步驟包括同時形成存貯電容電極，每個存貯電容電極構成存貯電容的一部分。
11.根據權利要求9所述的方法，其特征在于在上一步驟之后，形成多個相關的對應反射極。
全文摘要
本顯示器制作過程中顯示器的各層容易調準、使用的TFT小并且制造步驟少。每個TFT包括一個漏極，該漏極含有一個掃描導體與一個相關的信號導體相交的區域；一個源極，該源極包含有一個平行于信號導體的相關的短路體的與相關的對應掃描導體相交的區域；一個柵極，該柵極包含一個在掃描導體上在漏極和相關的源極之間形成的區域；和一個相關的對應反射電極，該反射電極設置在相關的短路導體的端部。
文檔編號H01L29/78GK1075555SQ93101598
公開日1993年8月25日 申請日期1993年2月18日 優先權日1992年2月19日
發明者高畠勝, 森祜二, 長江慶治 申請人:株式會社日立制作所