硅基異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池及其制備方法與流程

本申請(qǐng)涉及太陽(yáng)能電池，尤其涉及一種硅基異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池及其制備方法。

背景技術(shù)：

1、硅基異質(zhì)結(jié)電池由于具有超高效率備受市場(chǎng)關(guān)注，近年來(lái)該技術(shù)研發(fā)進(jìn)展迅速。硅基異質(zhì)結(jié)電池的量產(chǎn)也初具規(guī)模，目前落地產(chǎn)能已超過50gw,規(guī)劃產(chǎn)能超過150gw。目前，硅基異質(zhì)結(jié)電池迎光側(cè)的鈍化層多采用本征非晶硅層，在保持鈍化效果的同時(shí)，不利于導(dǎo)電性的提升。

2、需要說(shuō)明的是，上述內(nèi)容并不必然是現(xiàn)有技術(shù)，也不用于限制本申請(qǐng)的專利保護(hù)范圍。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種硅基異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池及其制備方法，以解決或緩解上面提出的硅基異質(zhì)結(jié)電池鈍化層導(dǎo)電性不佳的技術(shù)問題。

2、本申請(qǐng)實(shí)施例第一方面提供一種硅基異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池，包括沿第一方向依次設(shè)置的硅基底、第一鈍化層、n型摻雜層和第一透明電極，其中，所述第一方向?yàn)樗龉杌椎暮穸确较蛑凶运龉杌字赶蛩龅谝煌该麟姌O的方向；

3、所述第一鈍化層包括沿所述第一方向依次設(shè)置的如下多個(gè)子層：本征摻氧非晶硅層和n面本征非晶硅層；

4、沿所述第一方向，所述本征摻氧非晶硅層的折射率遞增。

5、本申請(qǐng)的實(shí)施例第一方面，將第一鈍化層分成本征摻氧非晶硅層和n面本征非晶硅層，本征摻氧非晶硅層的存在，沿所述第一方向，所述本征摻氧非晶硅層的折射率遞增。由此，既能保證鈍化，又可以提高導(dǎo)電性，能有效提高開路電壓和填充因子。

6、本申請(qǐng)實(shí)施例第二方面提供一種硅基異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池的制備方法，包括：

7、提供硅基底，在所述硅基底的一側(cè)表面上依次形成第一鈍化層、n型摻雜層和和第一透明電極；

8、在所述硅基底的另一側(cè)表面依次形成第二鈍化層、p型摻雜層和第二透明電極；

9、分別在所述第一透明電極和所述第二透明電極上制備銅細(xì)柵，之后采用酸浸泡以便去除所述銅細(xì)柵表面氧化物，隨后通過濕法在所述銅細(xì)柵表面覆蓋錫膜；

10、分別在所述第一透明電極和所述第二透明電極上印刷主柵，而后進(jìn)行主柵的固化。

11、由此，得到硅基異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池。

技術(shù)特征：

1.一種硅基異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池，其特征在于，包括沿第一方向依次設(shè)置的硅基底、第一鈍化層、n型摻雜層和第一透明電極，其中，所述第一方向?yàn)樗龉杌椎暮穸确较蛑凶运龉杌字赶蛩龅谝煌该麟姌O的方向；

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅基異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池，其特征在于，滿足以下特征的至少一者：

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅基異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池，其特征在于，所述n型摻雜層包括沿所述第一方向依次設(shè)置的如下多個(gè)子層：第一n型摻雜種子層(401)、第二n型摻雜種子層(402)、n型摻雜主體層(403)和n型摻雜接觸層(404)；

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的硅基異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池，其特征在于，滿足以下條件的至少一者：

5.根據(jù)權(quán)利要求1～4任一項(xiàng)所述的硅基異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池，其特征在于，沿所述第一方向的相反方向，在所述硅基底背離所述第一鈍化層的一側(cè)依次設(shè)置有第二鈍化層、p型摻雜層和第二透明電極。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的硅基異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池，其特征在于，所述p型摻雜層包括沿所述第一方向的相反方向依次設(shè)置的如下多個(gè)子層：p型摻雜種子層(501)、p型摻雜主體層(502)和p型摻雜接觸層(503)。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的硅基異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池，其特征在于，所述p型摻雜種子層(501)的厚度＞1nm，晶化率＞50％，硼硅比＞0.01；或/和

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的硅基異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池，其特征在于，還包括設(shè)置于正背兩面的柵線；

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的硅基異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池，其特征在于，所述主柵的材質(zhì)包括銅、錫、鎳、銀的一種或多種；和/或

10.一種權(quán)利要求1～9任一項(xiàng)所述的硅基異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池的制備方法，其特征在于，包括：

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的硅基異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池的制備方法，其特征在于，在所述第一鈍化層上形成所述n摻雜層包括：在第一鈍化層遠(yuǎn)離所述硅基底的一側(cè)依次形成如下的子層：低氧種子層、含氧種子層、含氧主體層和無(wú)氧接觸層；

技術(shù)總結(jié)
本申請(qǐng)涉及太陽(yáng)能電池技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種硅基異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池及其制備方法。本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種硅基異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池，包括沿第一方向依次設(shè)置的硅基底、第一鈍化層、N型摻雜層和第一透明電極，其中，所述第一方向?yàn)樗龉杌椎暮穸确较蛑凶运龉杌字赶蛩龅谝煌该麟姌O的方向；所述第一鈍化層包括沿所述第一方向依次設(shè)置的如下多個(gè)子層：本征摻氧非晶硅層和N面本征非晶硅層；沿所述第一方向，所述本征摻氧非晶硅層的折射率遞增。本申請(qǐng)的實(shí)施例既能保證鈍化，又可以提高導(dǎo)電性，能有效提高開路電壓和填充因子。

技術(shù)研發(fā)人員：孟子博,李宏偉,王永恒,郭叢,楊廣濤
受保護(hù)的技術(shù)使用者：天合光能股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/30