本發明涉及晶圓設備,尤其涉及一種晶圓清洗裝置及晶圓封裝設備。
背景技術:
1、晶圓是指制造半導體晶體管或集成電路的襯底,是一種晶體材料,其形狀為圓形所以稱為晶圓。在半導體行業自動化晶圓加工設備中所用到的用于存放晶圓的提籃為卡槽多層式結構。
2、在晶圓封裝工藝中,晶圓清洗是關鍵環節,現有技術中使用超聲波對晶圓進行清洗。在清洗之前,在清洗槽中注入清洗液,如果注入流速過大,清洗液容易飛濺出清洗槽,如果注入流速過小,將清洗槽注滿的時間會很長,而要控制清洗液的流速需要額外設置控制設備,使裝置的占用空間和設備成本增大。在清洗過程中,超聲波的震動會使清洗液從清洗槽的上方開口處溢出,造成裝置的污染和清洗槽內液體的流失,有可能導致用于清洗晶圓的液體減少,液面無法沒過晶圓影響清洗晶圓的效果。在完成清洗作業后,清洗槽的底部仍然難以清洗干凈。
技術實現思路
1、本發明的目的之一是為了克服現有技術中的不足,針對現有技術中存在的問題,提供一種晶圓清洗裝置及晶圓封裝設備。
2、為實現以上目的,本發明通過以下技術方案實現:
3、第一方面,本發明提供了一種晶圓清洗裝置,包括清洗槽和溢流槽,所述溢流槽設置于所述清洗槽的一側,所述清洗槽的頂部具有第一開口,所述清洗槽設置入水口,所述溢流槽的頂部具有第二開口,所述溢流槽設置出水口,所述第一開口與所述第二開口連通,所述第一開口相對于所述入水口的高度高于所述第二開口,所述入水口用于向所述清洗槽內補充液體,所述出水口用于將所述溢流槽從所述清洗槽處收集的液體排出。
4、在本申請的一個優選實施例中,所述清洗槽的底面具有坡度引水機構,所述坡度引水機構的最低處連接所述入水口,所述坡度引水機構的最高處連接所述清洗槽的側壁。
5、在本申請的一個優選實施例中,所述坡度引水機構包括多個斜坡,所述多個斜坡自所述入水口朝斜向上方向延伸至所述清洗槽的側壁。
6、在本申請的一個優選實施例中,所述斜坡為直線型或圓弧形。
7、在本申請的一個優選實施例中,所述入水口位于所述清洗槽的底面中心。
8、在本申請的一個優選實施例中,所述清洗槽內設置超聲波清洗機構,所述超聲波清洗機構固定在所述坡度引水機構的最高處。
9、在本申請的一個優選實施例中,所述清洗槽具有槽體和外殼,所述外殼包圍在所述槽體外且與所述槽體間隔設置,所述溢流槽固定設置于所述槽體和所述外殼之間,所述出水口位于所述外殼之外。
10、在本申請的一個優選實施例中,還包括防護罩,所述防護罩圍設于所述第一開口和所述第二開口的外圍,所述防護罩的頂部具有第三開口,所述第三開口分別與所述第一開口和所述第二開口連通。
11、在本申請的一個優選實施例中,所述清洗槽設置第一傳感器,用于檢測所述清洗槽中液體的第一液面位置,當所述第一液面位置低于預設第一閾值時,通過所述入水口向所述清洗槽內補充液體。
12、在本申請的一個優選實施例中,所述溢流槽設置第二傳感器,用于檢測所述溢流槽中液體的第二液面位置,當所述第二液面位置達到預設第二閾值時,通過所述出水口將所述溢流槽中的液體排出,通過所述入水口向所述清洗槽內補充液體。
13、在本申請的一個優選實施例中,所述溢流槽中設置過濾元件。
14、在本申請的一個優選實施例中,所述出水口位于所述溢流槽的底部最低處。
15、第二方面,本發明提供了一種晶圓封裝設備,包括循環裝置和如第一方面所述的晶圓清洗裝置,所述循環裝置與所述晶圓清洗裝置的入水口和出水口連接,用于通過所述入水口向所述清洗槽內補充液體,及通過所述出水口將所述溢流槽中的液體排出。
16、本發明所公開的晶圓清洗裝置及晶圓封裝設備,在往清洗槽中注入液體時通過斜坡分散進入液體的流量,使清洗槽內局部流量不會過大,在使用超聲波清洗機構對晶圓進行清洗時能夠將因超聲震動從清洗槽中濺出的液體收集在溢流槽中,避免污染裝置以及對液體再回收利用避免浪費,在完成清洗后對清洗槽進行清洗時,通過斜坡能夠更方便地將清洗槽內清洗干凈以及排出廢液。
1.一種晶圓清洗裝置,其特征在于,包括清洗槽和溢流槽,所述溢流槽設置于所述清洗槽的一側,所述清洗槽的頂部具有第一開口,所述清洗槽設置入水口,所述溢流槽的頂部具有第二開口,所述溢流槽設置出水口,所述第一開口與所述第二開口連通,所述第一開口相對于所述入水口的高度高于所述第二開口,所述入水口用于向所述清洗槽內補充液體,所述出水口用于將所述溢流槽從所述清洗槽處收集的液體排出。
2.根據權利要求1所述的晶圓清洗裝置,其特征在于,所述清洗槽的底面具有坡度引水機構,所述坡度引水機構的最低處連接所述入水口,所述坡度引水機構的最高處連接所述清洗槽的側壁。
3.根據權利要求2所述的晶圓清洗裝置,其特征在于,所述坡度引水機構包括多個斜坡,所述多個斜坡自所述入水口朝斜向上方向延伸至所述清洗槽的側壁。
4.根據權利要求3所述的晶圓清洗裝置,其特征在于,所述斜坡為直線型或圓弧形。
5.根據權利要求2所述的晶圓清洗裝置,其特征在于,所述入水口位于所述清洗槽的底面中心。
6.根據權利要求2所述的晶圓清洗裝置,其特征在于,所述清洗槽內設置超聲波清洗機構,所述超聲波清洗機構固定在所述坡度引水機構的最高處。
7.根據權利要求1所述的晶圓清洗裝置,其特征在于,所述清洗槽具有槽體和外殼,所述外殼包圍在所述槽體外且與所述槽體間隔設置,所述溢流槽固定設置于所述槽體和所述外殼之間,所述出水口位于所述外殼之外。
8.根據權利要求1所述的晶圓清洗裝置,其特征在于,還包括防護罩,所述防護罩圍設于所述第一開口和所述第二開口的外圍,所述防護罩的頂部具有第三開口,所述第三開口分別與所述第一開口和所述第二開口連通。
9.根據權利要求1所述的晶圓清洗裝置,其特征在于,所述清洗槽設置第一傳感器,用于檢測所述清洗槽中液體的第一液面位置,當所述第一液面位置低于預設第一閾值時,通過所述入水口向所述清洗槽內補充液體。
10.根據權利要求1所述的晶圓清洗裝置,其特征在于,所述溢流槽設置第二傳感器,用于檢測所述溢流槽中液體的第二液面位置,當所述第二液面位置達到預設第二閾值時,通過所述出水口將所述溢流槽中的液體排出,通過所述入水口向所述清洗槽內補充液體。
11.根據權利要求1所述的晶圓清洗裝置,其特征在于,所述溢流槽中設置過濾元件。
12.根據權利要求1所述的晶圓清洗裝置,其特征在于,所述出水口位于所述溢流槽的底部最低處。
13.一種晶圓封裝設備,其特征在于,包括循環裝置和如權利要求1至12任一項所述的晶圓清洗裝置,所述循環裝置與所述晶圓清洗裝置的入水口和出水口連接,用于通過所述入水口向所述清洗槽內補充液體,及通過所述出水口將所述溢流槽中的液體排出。