硅片表面金屬收集方法及設備與流程

本發明涉及半導體制造，尤其涉及一種硅片表面金屬收集方法及設備。

背景技術：

1、硅片表面金屬收集是利用金屬收集裝置中的噴嘴(nozzle)吸取掃描液在硅片表面收集金屬，通過電感耦合等離子體質譜(inductively?coupled?plasma?massspectrometry，icp-ms)檢測掃描液中的金屬含量。

2、現有技術中，如圖1所示，硅片表面金屬收集的實現方式為nozzle從硅片中心沿著硅片直徑方向移動，同時金屬收集裝置中的硅片承載裝置帶動硅片轉動，因此掃描方式是螺旋式掃描，nozzle吸取掃描液，旋轉底座帶動硅片旋轉，掃描液接觸硅片表面進行表面金屬采集，通過icp-ms檢測溶液中的金屬含量。這種金屬表面收集方式中，當掃描液經過硅片的缺口(notch)時會存在掛液和漏液的情況，因此會采取去邊的方式(硅片表面至少去邊1mm)進行硅片表面金屬采集，距硅片邊緣至少1mm的表面金屬是無法收集的，進而無法準確的檢測硅片表面所有的金屬水平。

技術實現思路

1、為了解決上述技術問題，本發明提供一種硅片表面金屬收集方法及設備，能夠準確地檢測硅片表面的金屬水平。

2、為了達到上述目的，本發明實施例采用的技術方案是：

3、一種硅片表面金屬收集設備，包括：

4、掃描裝置，包括用于吸取掃描液的噴嘴；

5、硅片支撐裝置，用于支撐硅片并帶動所述硅片旋轉；

6、紅外激發裝置，用于向所述硅片發射紅外光，對所述硅片進行掃描，確定所述硅片的缺口位置；

7、控制裝置，用于根據所述硅片的缺口位置將擋板組件移動至所述硅片的缺口處，使得所述擋板組件與所述硅片的缺口邊緣相貼合；控制所述掃描裝置的噴嘴吸取掃描液，并控制所述噴嘴從所述硅片的中心沿著硅片直徑方向移動，控制所述硅片支撐裝置沿第一方向旋轉，在所述掃描裝置移動到所述擋板組件處時，控制所述噴嘴朝向硅片邊緣方向沿所述擋板組件移動，并控制所述硅片支撐裝置向與第一方向相反的方向旋轉。

8、一些實施例中，所述紅外激發裝置包括：

9、設置在所述硅片第一側的紅外線發射器，用于向所述硅片發射籠罩所述硅片全部表面的紅外線；

10、設置在所述硅片第二側的紅外線接收器，用于接收紅外線，并根據接收到的紅外線確定所述硅片的缺口位置。

11、一些實施例中，所述擋板組件包括第一擋板和第二擋板，所述第一擋板的第二端與所述第二擋板的第二端通過轉軸連接，所述第一擋板與所述第二擋板之間所成的角度可調，所述硅片支撐裝置包括：

12、用于承載硅片的旋轉底座；

13、設置在所述旋轉底座上的旋轉模塊，所述旋轉模塊設置有凹槽，所述凹槽內延伸出相互平行的第一伸縮桿和第二伸縮桿，所述第一伸縮桿和所述第二伸縮桿能夠沿所述凹槽的延伸方向移動，所述凹槽的延伸方向與所述硅片平行，所述第一伸縮桿和所述第二伸縮桿與所述硅片平行，所述第一伸縮桿的端部與所述第一擋板的第一端固定連接，所述第二伸縮桿的端部與所述第二擋板的第一端固定連接。

14、一些實施例中，所述第一擋板和所述第二擋板的高度均大于所述硅片的厚度，所述第一擋板和所述第二擋板的長度均大于所述缺口一側邊緣的長度。

15、一些實施例中，所述控制裝置具體用于將所述轉軸移動至所述缺口的兩個邊緣的交點處，調整所述第一擋板和所述第二擋板所成的角度，使得所述第一擋板和所述第二擋板分別與所述缺口的兩個邊緣貼合。

16、一些實施例中，所述設備還包括：

17、擋板清洗裝置，用于對所述擋板組件進行清洗；

18、所述控制裝置還用于在對所述硅片掃描結束后，將所述擋板組件移動至所述擋板清洗裝置中，以對所述擋板組件進行清洗。

19、一些實施例中，所述擋板清洗裝置包括：

20、外部承載裝置和位于所述外部承載裝置內的內部承載裝置；

21、管路，用于向所述內部承載裝置輸送清洗液，使所述內部承載裝置中的清洗液處于溢流狀態；

22、所述外部承載裝置用于容納所述內部承載裝置溢流出的清洗液；

23、設置在所述外部承載裝置上的排廢管，用于排出所述外部承載裝置中的清洗液。

24、本發明實施例還提供了一種硅片表面金屬收集方法，應用于如上所述的設備，所述方法包括：

25、利用所述硅片支撐裝置支撐硅片；

26、向所述硅片發射紅外光，對所述硅片進行掃描，確定所述硅片的缺口位置；

27、根據所述硅片的缺口位置將擋板組件移動至所述硅片的缺口處，使得所述擋板組件與所述硅片的缺口邊緣相貼合；

28、控制所述掃描裝置的噴嘴吸取掃描液，并控制所述噴嘴從所述硅片的中心沿著硅片直徑方向移動，控制所述硅片支撐裝置沿第一方向旋轉，在所述掃描裝置移動到所述擋板組件處時，控制所述噴嘴朝向硅片邊緣方向沿所述擋板組件移動，并控制所述硅片支撐裝置向與第一方向相反的方向旋轉。

29、一些實施例中，所述方法具體包括：

30、將所述轉軸移動至所述缺口的兩個邊緣的交點處，調整所述第一擋板和所述第二擋板所成的角度，使得所述第一擋板和所述第二擋板分別與所述缺口的兩個邊緣貼合。

31、一些實施例中，所述方法還包括：

32、在對所述硅片掃描結束后，將所述擋板組件移動至所述擋板清洗裝置中，以對所述擋板組件進行清洗。

33、本發明的有益效果是：

34、本實施例中，利用紅外線掃描確定硅片的缺口位置，利用擋板組件與硅片的缺口邊緣相貼合，并將掃描方式設計為控制硅片支撐裝置沿第一方向旋轉，在掃描裝置移動到擋板組件處時，控制噴嘴沿所述擋板組件移動，并控制硅片支撐裝置向相反方向旋轉，這樣可以避免掃描裝置移動到硅片缺口處，無需采取去邊的方式進行硅片表面金屬采集，可以收集硅片邊緣的表面金屬，規避因缺口的影響無法準確評估硅片表面金屬的問題，準確地檢測硅片表面的金屬水平。

技術特征：

1.一種硅片表面金屬收集設備，其特征在于，包括：

2.根據權利要求1所述的設備，其特征在于，所述紅外激發裝置包括：

3.根據權利要求1所述的設備，其特征在于，所述擋板組件包括第一擋板和第二擋板，所述第一擋板的第二端與所述第二擋板的第二端通過轉軸連接，所述第一擋板與所述第二擋板之間所成的角度可調，所述硅片支撐裝置包括：

4.根據權利要求3所述的設備，其特征在于，所述第一擋板和所述第二擋板的高度均大于所述硅片的厚度，所述第一擋板和所述第二擋板的長度均大于所述缺口一側邊緣的長度。

5.根據權利要求3所述的設備，其特征在于，所述控制裝置具體用于將所述轉軸移動至所述缺口的兩個邊緣的交點處，調整所述第一擋板和所述第二擋板所成的角度，使得所述第一擋板和所述第二擋板分別與所述缺口的兩個邊緣貼合。

6.根據權利要求1所述的設備，其特征在于，所述設備還包括：

7.根據權利要求6所述的設備，其特征在于，所述擋板清洗裝置包括：

8.一種硅片表面金屬收集方法，其特征在于，應用于如權利要求1-7中任一項所述的設備，所述方法包括：

9.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，應用于如權利要求3所述的設備，所述方法具體包括：

10.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，應用于如權利要求6所述的設備，所述方法還包括：

技術總結
本發明提供了一種硅片表面金屬收集方法及設備，屬于半導體制造技術領域。硅片表面金屬收集設備，包括：掃描裝置，包括用于吸取掃描液的噴嘴；硅片支撐裝置，用于支撐硅片并帶動硅片旋轉；紅外激發裝置，用于向硅片發射紅外光，對硅片進行掃描，確定硅片的缺口位置；控制裝置，用于根據硅片的缺口位置將擋板組件移動至硅片的缺口處，使得擋板組件與硅片的缺口邊緣相貼合；控制掃描裝置的噴嘴吸取掃描液，并控制噴嘴從硅片的中心沿著硅片直徑方向移動，控制硅片支撐裝置沿第一方向旋轉，在掃描裝置移動到擋板組件處時，控制硅片支撐裝置向相反方向旋轉。本發明能夠準確地檢測硅片表面的金屬水平。

技術研發人員：段應嬌
受保護的技術使用者：西安奕斯偉材料科技股份有限公司
技術研發日：
技術公布日：2024/10/21