本發明涉及半導體,尤其涉及一種硅片打標方法、裝置、設備及介質。
背景技術:
1、硅單晶由于其良好的電子遷移率和導熱性以及可控的摻雜特性,已成為制造集成電路的基礎材料。在硅片生產中,通常會通過激光打標方式在硅片背面刻上特定的信息,以便后續能夠實現對硅片來源和質量的跟蹤、控制及驗證等。
2、激光脈沖打標(hard?laser?mark,hlm)方式的主要過程包括:使wafer背面的既定打標區域內瞬時產生高溫,進而使得wafer材料發生氣化現象,與此同時,作用區域內堆積的熔融物會持續吸收能量,當融熔物質溫度升高且高于材料表面氣化溫度時會產生氣化壓力而使得熔融物噴出,進而在材料表面形成凹坑,多個凹坑規律型排列就形成了打碼字符。但是,一般打標的最終深度需要在45μm-50μm才可正常讀碼,若考慮打標后要再進行研磨、化學蝕刻等工序,則需要更深的打標深度。
3、然而,現有技術中由于打標形成的字符坑較深,導致熔融物不易噴出至坑外,造成熔融物大量附著在坑內壁的上邊緣,最終對wafer邊緣的平坦度帶來了不良影響,導致打標后的硅片難以滿足集成電路對硅片外周平坦性的高要求。
技術實現思路
1、本發明提供一種硅片打標方法、裝置、設備及介質,能夠有效減小打標對硅片平坦性的影響。
2、為了達到上述目的,本發明實施例采用的技術方案是:
3、一種硅片打標方法,包括:
4、對硅片的目標區域進行第一打標操作,使得部分所述目標區域凹陷形成目標字符坑;
5、對所述目標區域進行蝕刻處理,使得所述目標字符坑的內壁面相對豎直方向傾斜;
6、對所述目標字符坑進行第二打標操作。
7、一些實施例中,所述第一打標操作的深度大于或等于30微米,且小于或等于40微米。
8、一些實施例中,利用激光束進行第一打標操作和第二打標操作,所述第二打標操作采用的激光束的直徑與所述第一打標操作采用的激光束的直徑相同。
9、一些實施例中,所述蝕刻處理的時間大于或等于310秒。
10、一些實施例中,所述蝕刻處理的溫度大于或等于77℃,且小于或等于81℃。
11、一些實施例中,所述蝕刻處理采用的化學溶液的濃度大于或等于35%,且小于或等于45%。
12、一些實施例中,所述第二打標操作的深度大于或等于30微米,且小于或等于50微米。
13、本發明實施例還提供了一種硅片打標裝置,包括:
14、第一打標模塊,用于對硅片的目標區域進行第一打標操作,使得部分所述目標區域凹陷形成目標字符坑;
15、蝕刻處理模塊,用于對所述目標區域進行蝕刻處理,使得所述目標字符坑的內壁面相對豎直方向傾斜;
16、第二打標模塊,還用于對所述目標字符坑進行第二打標操作。
17、一些實施例中,所述第一打標操作的深度大于或等于30微米,且小于或等于40微米。
18、一些實施例中,利用激光束進行第一打標操作和第二打標操作,所述第二打標操作采用的激光束的直徑與所述第一打標操作采用的激光束的直徑相同。
19、一些實施例中,所述蝕刻處理的時間大于或等于310秒。
20、一些實施例中,所述蝕刻處理的溫度大于或等于77℃,且小于或等于81℃。
21、一些實施例中,所述蝕刻處理采用的化學溶液的濃度大于或等于35%,且小于或等于45%。
22、一些實施例中,所述第二打標操作的深度大于或等于30微米,且小于或等于50微米。
23、本發明實施例還提供了一種設備,包括存儲器、處理器及存儲在所述存儲器上并可在所述處理器上運行的計算機程序;所述處理器執行所述計算機程序時實現如上所述的硅片打標方法。
24、本發明實施例還提供一種計算機程序產品,包括計算機指令,該計算機指令被處理器執行時實現如上的硅片打標方法的步驟。
25、為達到上述目的,本發明的實施例提供一種可讀存儲介質,其上存儲有程序或指令,所述程序或指令被處理器執行時實現如上的硅片打標方法中的步驟。
26、本發明的有益效果是:
27、本實施例中,先對硅片進行第一打標操作,之后通過蝕刻處理實現對目標字符坑形貌的改變,使得目標字符坑的內壁面相對豎直方向形成傾斜度,最后再進行第二打標操作,實現最終的打標效果。如此,分兩次進行的打標操作,可以避免僅一次打標的方案中由于需要較高的打標深度導致打標產生的融熔物難以噴出坑外而過多聚集的問題,還可以利用目標字符坑的內壁面的傾斜度,提升后續拋光過程對目標字符坑內附著的融熔物的去除效率,從而能夠有效減小打標對硅片平坦性的影響。
1.一種硅片打標方法,其特征在于,包括:
2.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一打標操作的深度大于或等于30微米,且小于或等于40微米。
3.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,利用激光束進行第一打標操作和第二打標操作,所述第二打標操作采用的激光束的直徑與所述第一打標操作采用的激光束的直徑相同。
4.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述蝕刻處理的時間大于或等于310秒。
5.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述蝕刻處理的溫度大于或等于77℃,且小于或等于81℃。
6.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述蝕刻處理采用的化學溶液的濃度大于或等于35%,且小于或等于45%。
7.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述第二打標操作的深度大于或等于30微米,且小于或等于50微米。
8.一種硅片打標裝置,其特征在于,包括:
9.一種設備,包括存儲器、處理器及存儲在所述存儲器上并可在所述處理器上運行的計算機程序;其特征在于,所述處理器執行所述計算機程序時實現如權利要求1至7任一項所述的硅片打標方法。
10.一種可讀存儲介質,其上存儲有程序或指令,其特征在于,所述程序或指令被處理器執行時實現如權利要求1至7任一項所述的硅片打標方法中的步驟。