攝像裝置和電子設備的制作方法

本公開涉及攝像裝置和電子設備。

背景技術：

1、近年來，為了實現攝像裝置的進一步小型化，已經提出了一種三維攝像裝置。作為示例，公開了下面專利文獻1中的攝像裝置。在專利文獻1所公開的技術中，設置有多個像素的基板和設置有驅動每個像素的多個像素晶體管的基板彼此堆疊，從而使攝像裝置小型化。

2、引文列表

3、專利文獻

4、專利文獻1：wo?2019/131965?a

技術實現思路

1、技術問題

2、然而，在傳統技術中，當攝像裝置被進一步小型化時，由于傳輸晶體管進一步的尺寸減小，噪聲可能會增加。結果，圖像質量可能會劣化。

3、因此，本公開提出了一種能夠抑制圖像質量劣化的攝像裝置和電子設備。

4、問題的解決方案

5、根據本公開，提供了一種攝像裝置，其包括：第一半導體基板；多個像素，其在所述第一半導體基板上沿著行方向和列方向配置；和像素分離部，其將所述第一半導體基板劃分為多個像素區域，在所述多個像素區域中分別配置有所述像素。所述多個像素彼此相鄰。在所述攝像裝置中，所述多個像素中的每個像素包括：光電轉換部，其位于由所述像素分離部劃分的一個所述像素區域中，并且產生與入射光相對應的電荷；浮動擴散部，其保持由所述光電轉換部產生的所述電荷；和傳輸晶體管，其將所述電荷從所述光電轉換部傳輸到所述浮動擴散部，并且所述傳輸晶體管具有柵電極，所述柵電極沿著所述第一半導體基板的厚度方向從所述第一半導體基板的第二面延伸到所述像素分離部中，所述第一半導體基板的所述第二面位于作為所述第一半導體基板的光入射面的第一面的相反側。

6、此外，根據本公開，提供了一種包括攝像裝置的電子設備。所述攝像裝置包括：第一半導體基板；多個像素，其在所述第一半導體基板上沿著行方向和列方向配置；和像素分離部，其將所述第一半導體基板劃分為多個像素區域，在所述多個像素區域中分別配置有所述像素。所述多個像素彼此相鄰。在所述攝像裝置中，所述多個像素中的每個像素包括：光電轉換部，其位于由所述像素分離部劃分的一個所述像素區域中，并且產生與入射光相對應的電荷；浮動擴散部，其保持由所述光電轉換部產生的所述電荷；和傳輸晶體管，其將所述電荷從所述光電轉換部傳輸到所述浮動擴散部，并且所述傳輸晶體管具有柵電極，所述柵電極沿著所述第一半導體基板的厚度方向從所述第一半導體基板的第二面延伸到所述像素分離部中，所述第一半導體基板的所述第二面位于作為所述第一半導體基板的光入射面的第一面的相反側。

技術特征：

1.一種攝像裝置，包括：

2.根據權利要求1所述的攝像裝置，其中

3.根據權利要求2所述的攝像裝置，其中

4.根據權利要求1所述的攝像裝置，其中

5.根據權利要求1所述的攝像裝置，還包括：

6.根據權利要求5所述的攝像裝置，其中

7.根據權利要求5所述的攝像裝置，其中

8.根據權利要求7所述的攝像裝置，其中

9.根據權利要求5所述的攝像裝置，其中

10.根據權利要求9所述的攝像裝置，其中

11.根據權利要求1所述的攝像裝置，其中

12.根據權利要求1所述的攝像裝置，其中

13.根據權利要求1所述的攝像裝置，其中

14.根據權利要求1所述的攝像裝置，其中

15.根據權利要求8所述的攝像裝置，其中

16.根據權利要求15所述的攝像裝置，其中

17.根據權利要求1所述的攝像裝置，其中所述像素分離部包括在所述像素分離部中的絕緣層。

18.根據權利要求17所述的攝像裝置，其中

19.根據權利要求18所述的攝像裝置，其中所述導電材料包括多晶硅。

20.一種電子設備，其包括攝像裝置，所述攝像裝置包括：

技術總結
提供了一種包括多個像素的攝像裝置，所述多個像素中的每個像素包括：光電轉換部(101)，其位于由像素分離部(120)劃分的像素區域中，并產生與入射光相對應的電荷；浮動擴散部(103)，其保持由光電轉換部產生的電荷；以及傳輸晶體管，其將電荷從光電轉換部傳輸到浮動擴散部。傳輸晶體管具有柵電極(102a)，該柵電極沿著第一半導體基板的厚度方向從第一半導體基板的第二面(11b)延伸到像素分離部中，所述第二面位于作為第一半導體基板(11)的光入射面的第一面(11a)的相反側。

技術研發人員：山下浩史
受保護的技術使用者：索尼半導體解決方案公司
技術研發日：
技術公布日：2024/10/21