可偏壓的旋轉底座的制作方法

實施例涉及半導體制造領域，尤其涉及具有旋轉底座的半導體處理工具。

背景技術：

1、旋轉底座在半導體制造環境中被使用，以便提供能夠在工具中處理的基板上實現高度均勻結果的工具。在現有工具中，旋轉底座可包括靜電吸附電極和偏壓電極。偏壓電極可以無線配置電耦接到固定板。例如，固定板可以電容耦接到偏壓電極。因此，省略了跨越導體的任何直接電耦接，并且偏壓電極隨底座自由旋轉。

2、此外，靜電吸附電極可以由穿過旋轉底座的軸承組件的電流供電。這有助于在旋轉底座的同時向吸附電極提供功率。例如，可以從直流電源汲取功率并將功率路由至軸承組件。電流流過軸承組件，隨后通過設置在底座下方的軸內部的吸附電源線路由至吸附電極。

技術實現思路

1、本文公開的實施例包括靜電吸盤。在實施例中，靜電吸盤包括：底座，所述底座具有支撐表面以及與支撐表面相對的第二表面，支撐表面用于支撐基板；吸附電極，所述吸附電極在底座內。在實施例中，偏壓電極在底座內，加熱元件在底座內。在實施例中，靜電吸盤進一步包括：軸，所述軸耦接至底座的第二表面；以及旋轉組件，所述旋轉組件耦接至軸以旋轉軸與底座。

2、實施例可進一步包括半導體工具。在實施例中，半導體工具包括：腔室；第一軸，所述第一軸穿過腔室，其中第一軸與腔室之間的擋板密封腔室。在實施例中，半導體工具進一步包括：第二軸，所述第二軸在第一軸內；以及底座，所述底座在腔室內的第二軸的第一端之上。在實施例中，半導體工具進一步包括：旋轉組件，所述旋轉組件耦接至第二軸以相對于第一軸旋轉第二軸與底座。

3、實施例可進一步包括半導體工具，所述半導體工具包括腔室，以及腔室內的底座。在實施例中，底座包括吸附電極、偏壓電極和加熱元件。在實施例中，第一軸穿過腔室的底部，第二軸穿過腔室的底部并且在第一軸內。在實施例中，底座耦接到第二軸。在實施例中，擋板在第一軸的一部分和腔室之間以密封腔室。在實施例中，真空饋通件在第二軸的與底座相對的一端，并且射頻(rf)旋轉饋通件在真空饋通件下方。

技術特征：

1.一種靜電吸盤，包括：

2.如權利要求1所述的靜電吸盤，其中所述旋轉組件是磁性驅動的旋轉組件。

3.如權利要求1所述的靜電吸盤，其中所述軸旋轉所述底座、所述吸附電極、所述偏壓電極與所述加熱設備。

4.如權利要求1所述的靜電吸盤，其中所述加熱元件包括電阻加熱元件。

5.如權利要求1所述的靜電吸盤，其中所述加熱元件包括多個燈。

6.如權利要求1所述的靜電吸盤，其中所述靜電吸盤至少部分地在腔室內。

7.如權利要求6所述的靜電吸盤，其中所述軸在不旋轉的外部軸內。

8.如權利要求7所述的靜電吸盤，其中所述軸的所述內部被配置成處于大氣壓力，并且軸與所述外部軸的所述內部之間的空間被配置成處于真空壓力。

9.如權利要求1所述的靜電吸盤，進一步包括：

10.如權利要求1所述的靜電吸盤，其中七根導線沿著所述軸往上延伸以接觸所述吸附電極、所述偏壓電極與所述加熱元件。

11.如權利要求10所述的靜電吸盤，其中所述導線耦接至滑環連接器以便允許所述導線旋轉。

12.一種半導體工具，包括：

13.如權利要求12所述的半導體工具，其中所述旋轉組件是磁性驅動組件。

14.如權利要求13所述的半導體工具，其中第一磁體附接至所述第二軸，并且其中第二磁體磁性耦接至所述第一磁體，并且其中所述第二磁體在所述第一軸外部。

15.如權利要求12所述的半導體工具，進一步包括在所述第一軸和所述第二軸下方的旋轉電饋通件。

16.如權利要求15所述的半導體工具，其中所述旋轉電饋通件是滑環饋通件。

17.如權利要求15所述的半導體工具，其中導電線從所述旋轉電饋通件穿過到所述底座中的部件。

18.如權利要求17所述的半導體工具，其中所述底座中的所述部件包括吸附電極、偏壓電極以及加熱元件。

19.一種半導體工具，包括：

20.如權利要求19所述的半導體工具，其中所述rf旋轉饋通件是滑環饋通件。

技術總結
本文公開的實施例包括靜電吸盤。在實施例中，靜電吸盤包括：底座，所述底座具有支撐表面以及與支撐表面相對的第二表面，支撐表面用于支撐基板；吸附電極，所述吸附電極在底座內。在實施例中，偏壓電極在底座內，加熱元件在底座內。在實施例中，靜電吸盤進一步包括：軸，所述軸耦接至底座的第二表面；以及旋轉組件，所述旋轉組件耦接至軸以旋轉軸與底座。

技術研發人員：A·薩布萊曼尼,郭飏,S·法澤里,R·桑達,A·R·科特拉帕
受保護的技術使用者：應用材料公司
技術研發日：
技術公布日：2024/10/21