半導體裝置的制作方法

本公開涉及一種半導體裝置。

背景技術：

1、在專利文獻1中公開了具備橫型構造的半導體元件(hemt)的半導體裝置的一個例子。半導體元件具有第一電極以及第二電極。在該半導體裝置中，半導體元件與芯片焊盤接合。第一電極以及第二電極經由導線與位于芯片焊盤的周邊的多個端子引線導通。

2、為了實現專利文獻1所公開的半導體裝置的寄生電感的降低，有時使半導體元件的第一電極以及第二電極與配線基板等導電接合，即進行倒裝芯片安裝。在該情況下，半導體元件不與芯片焊盤接合，因此從半導體元件發出的熱傳導到覆蓋該半導體元件的封固樹脂。通常，封固樹脂的熱傳導率比芯片焊盤的熱傳導率低，因此具備倒裝芯片安裝的半導體元件的半導體裝置的散熱性有降低的傾向。

3、現有技術文獻

4、專利文獻

5、專利文獻1：日本特開2020-188085號公報

技術實現思路

1、發明所要解決的課題

2、本公開的一個課題在于提供一種與以往相比實施了改良的半導體裝置。特別是本公開鑒于上述情況，其一個課題在于提供一種能夠實現散熱性的提高的半導體裝置。

3、用于解決課題的方案

4、由本公開提供的半導體裝置具備：第一半導體元件，其具有朝向第一方向的第一主面、以及在所述第一方向上位于與所述第一主面所朝向的一側相反的一側的第一電極以及第二電極；封固樹脂，其覆蓋所述第一半導體元件；以及散熱層，其與所述第一主面接合。所述散熱層具有在所述第一方向上朝向與所述第一主面相同的一側的散熱面，所述散熱面從所述封固樹脂向外部露出。在所述第一方向上觀察時，所述散熱面的周緣包圍所述第一主面。

5、發明效果

6、根據上述結構，能夠實現該半導體裝置的散熱性的提高。

7、本公開的其他特征以及優點通過基于附圖在以下進行的詳細的說明而變得更加明確。

技術特征：

1.一種半導體裝置，其特征在于，具備：

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

3.根據權利要求2所述的半導體裝置，其特征在于，

4.根據權利要求3所述的半導體裝置，其特征在于，

5.根據權利要求4所述的半導體裝置，其特征在于，

6.根據權利要求2所述的半導體裝置，其特征在于，

7.根據權利要求2所述的半導體裝置，其特征在于，

8.根據權利要求7所述的半導體裝置，其特征在于，

9.根據權利要求8所述的半導體裝置，其特征在于，

10.根據權利要求8或9所述的半導體裝置，其特征在于，

11.根據權利要求8或9所述的半導體裝置，其特征在于，

12.根據權利要求11所述的半導體裝置，其特征在于，

13.根據權利要求12所述的半導體裝置，其特征在于，

14.根據權利要求1至13中任一項所述的半導體裝置，其特征在于，

15.根據權利要求14所述的半導體裝置，其特征在于，

16.根據權利要求15所述的半導體裝置，其特征在于，

17.根據權利要求14至16中任一項所述的半導體裝置，其特征在于，

技術總結
半導體裝置具備第一半導體元件、封固樹脂以及散熱層。所述第一半導體元件具有朝向第一方向的第一主面、以及在所述第一方向上位于與所述第一主面所朝向的一側相反的一側的第一電極以及第二電極。所述封固樹脂覆蓋所述第一半導體元件。所述散熱層與所述第一主面接合。所述散熱層具有在所述第一方向上朝向與所述第一主面相同的一側的散熱面。所述散熱面從所述封固樹脂向外部露出。在所述第一方向上觀察時，所述散熱面的周緣包圍所述第一主面。

技術研發人員：富士和則,吉田夏彌,望月陽
受保護的技術使用者：羅姆股份有限公司
技術研發日：
技術公布日：2024/10/21