射頻前端模組和電子設備的制作方法

本申請涉及射頻，尤其涉及一種射頻前端模組和電子設備。

背景技術：

1、隨著無線通信技術的不斷發展，特別是第五代移動通信技術(5th?generationmobi?le?communication?technology，簡稱5g)的不斷發展和應用的前提下，對于支撐該技術中的各類芯片的小型化的要求越來越高。示例性地，在射頻前端模組中，低噪聲放大器(low?noise?amplifier，lna)作為通信系統接收前端的重要器件，對系統的噪聲性能和接收靈敏度起決定性的作用。低噪聲放大器為噪聲系數較低的放大器，一般用作各類無線電接收機的高頻或中頻前置放大器，以及高靈敏度電子探測設備的放大電路等。在放大天線接收到的小信號同時，還要盡可能少地引入噪聲。然而，對于模組小型化要求越來越高的場景下，如何減少低噪聲放大器噪聲的引入，成為了一個亟待解決的問題。

技術實現思路

1、本申請的目的是：提供一種射頻前端模組，能夠減少整體噪聲的影響。

2、本申請第一方面，提供了一種射頻前端模組，包括：

3、基板；

4、第一芯片，設置在所述基板上，所述第一芯片包括低阻襯底以及設置在所述低阻襯底上的低噪聲放大晶體管；

5、設置在所述第一芯片之外的匹配單元，所述匹配單元的第一端被配置為接收輸入信號，所述匹配單元的第二端連接至所述低噪聲放大晶體管的輸入端。

6、進一步地，所述射頻前端模組還包括：

7、第二芯片，設置在所述基板上，所述第二芯片包括無源器件單元，所述匹配單元設置在所述第二芯片中，所述無源器件單元的輸出端與所述匹配單元的第一端連接。

8、進一步地，所述匹配單元設置在所述基板上。

9、進一步地，所述匹配單元包括第一電容，所述第一電容的第一端被配置為接收輸入信號，所述第一電容的第二端連接至所述低噪聲放大晶體管的輸入端。

10、進一步地，所述射頻前端模組還包括：

11、設置在第一芯片上的布線結構；

12、第一導電凸塊，設置在所述布線結構之上，并通過所述布線結構的第一連接結構連接至所述第一芯片，被配置為與低噪聲放大電路的輸入端連接；

13、所述匹配單元的第二端與所述第一導電凸塊連接。

14、進一步地，所述布線結構包括依序設置的第一介質層、第一金屬層和第二介質層，所述第一導電凸塊設置在所述第二介質層之上。

15、進一步地，所述第一芯片還包括第一焊盤，所述第一導電凸塊通過所述第一連接結構連接至所述第一焊盤，所述第一焊盤連接至所述低噪聲放大晶體管的輸入端。

16、進一步地，所述第一導電凸塊的尺寸大于所述第一焊盤的尺寸。

17、進一步地，所述射頻前端模組還包括：

18、第一被動元件單元，設置在所述布線結構中，所述第一被動元件單元的第一端通過所述布線結構的第二連接結構連接至所述第一芯片；

19、第二導電凸塊，設置在所述布線結構之上，所述第一被動元件單元的第二端連接至所述第二導電凸塊。

20、進一步地，所述射頻前端模組還包括：

21、第二被動元件單元，設置在所述布線結構中，所述第二被動元件單元的第一端通過所述布線結構的第四連接結構連接至所述第一芯片，所述第一被動元件單元的第二端通過穿過所述布線結構的第五連接結構連接至所述第一芯片。

22、進一步地，所述低阻襯底的電阻率小于或者等于100ω·cm。

23、本申請第二方面，提供了電子設備，包括上述任一項所述的射頻前端模組。

24、本申請實施例中提供的射頻前端模組和電子設備中，包括：基板；

25、第一芯片，設置在所述基板上，所述第一芯片包括低阻襯底以及設置在所述低阻襯底上的低噪聲放大晶體管；

26、設置在所述第一芯片之外的匹配單元，所述匹配單元的第一端被配置為接收輸入信號，所述匹配單元的第二端連接至所述低噪聲放大晶體管的輸入端。通過將匹配單元設置在第一芯片之外，從而是的匹配單元以及對應的連接線路都可以距離第一芯片的低阻襯底更遠，從而使得形成的寄生更小，降低了整體的噪聲。

技術特征：

1.一種射頻前端模組，其特征在于，包括：

2.根據權利要求1所述的射頻前端模組，其特征在于，還包括：

3.根據權利要求1所述的射頻前端模組，其特征在于，所述匹配單元設置在所述基板上。

4.根據權利要求1所述的射頻前端模組，其特征在于，所述匹配單元包括第一電容，所述第一電容的第一端被配置為接收輸入信號，所述第一電容的第二端連接至所述低噪聲放大晶體管的輸入端。

5.根據權利要求1所述的射頻前端模組，其特征在于，還包括：

6.根據權利要求5所述的射頻前端模組，其特征在于，所述布線結構包括依序設置的第一介質層、第一金屬層和第二介質層，所述第一導電凸塊設置在所述第二介質層之上。

7.根據權利要求5所述的射頻前端模組，其特征在于，所述第一芯片還包括第一焊盤，所述第一導電凸塊通過所述第一連接結構連接至所述第一焊盤，所述第一焊盤連接至所述低噪聲放大晶體管的輸入端。

8.根據權利要求7所述的射頻前端模組，其特征在于，所述第一導電凸塊的尺寸大于所述第一焊盤的尺寸。

9.根據權利要求5所述的射頻前端模組，其特征在于，還包括：

10.根據權利要求9所述的射頻前端模組，其特征在于，還包括：

11.根據權利要求1所述的射頻前端模組，其特征在于，所述低阻襯底的電阻率小于或者等于100ω·cm。

12.一種電子設備，其特征在于，包括如權利要求1-11中任一項所述的射頻前端模組。

技術總結
本申請提供了一種射頻前端模組和電子裝置，包括：基板；第一芯片，設置在所述基板上，所述第一芯片包括低阻襯底以及設置在低阻襯底上的低噪聲放大晶體管；設置在所述第一芯片之外的匹配單元，所述匹配單元的第一端被配置為接收輸入信號，所述匹配單元的第二端連接至所述低噪聲放大晶體管的輸入端。通過將匹配單元設置在第一芯片之外，從而是的匹配單元以及對應的連接線路都可以距離第一芯片的低阻襯底更遠，從而使得形成的寄生更小，降低了整體的噪聲。

技術研發人員：李鎂鈺,吳昊,歐陽靜云,宋楠,奉靖皓,倪建興
受保護的技術使用者：銳石創芯（深圳）科技股份有限公司
技術研發日：20231229
技術公布日：2024/10/21