激光裝置、激光裝置的波長控制方法和電子器件的制造方法與流程

本公開涉及激光裝置、激光裝置的波長控制方法和電子器件的制造方法。

背景技術：

1、近年來，在半導體曝光裝置中，隨著半導體集成電路的微細化和高集成化，要求分辨率的提高。因此，從曝光用光源發射的光的短波長化得以發展。例如，作為曝光用的氣體激光裝置，使用輸出波長大約為248nm的激光的krf準分子激光裝置、以及輸出波長大約為193nm的激光的arf準分子激光裝置。

2、krf準分子激光裝置和arf準分子激光裝置的自然振蕩光的譜線寬度較寬，為350～400pm。因此，在利用使krf和arf激光這種紫外線透過的材料構成投影透鏡時，有時產生色差。其結果，分辨率可能降低。因此，需要將從氣體激光裝置輸出的激光的譜線寬度窄帶化到能夠無視色差的程度。因此，在氣體激光裝置的激光諧振器內，為了使譜線寬度窄帶化，有時具有包含窄帶化元件(標準具、光柵等)的窄帶化模塊(line?narrowing?module：lnm)。下面，將譜線寬度被窄帶化的氣體激光裝置稱為窄帶化氣體激光裝置。

3、現有技術文獻

4、專利文獻

5、專利文獻1：美國專利申請公開第2021/0226414號

6、專利文獻2：國際公開第2021/015919號

7、專利文獻3：國際公開第2020/231946號

技術實現思路

1、本公開的1個觀點的激光裝置具有：波長可變的第1半導體激光器，其輸出連續振蕩的第1激光；第1放大器，其進行第1激光的脈沖化和放大，而輸出第1脈沖激光；波長轉換系統，其通過使用第1脈沖激光的波長轉換，而輸出第2脈沖激光；準分子放大器，其對第2脈沖激光進行放大，而輸出第3脈沖激光；監視器模塊，其計測第3脈沖激光的波長；以及處理器，其周期性地變更第3脈沖激光的目標波長，根據以相同的目標波長輸出的第3脈沖激光的波長的計測值，控制用于對第1半導體激光器的波長進行變更的電流，以使第3脈沖激光的波長成為目標波長。

2、本公開的1個觀點的激光裝置的波長控制方法包含以下步驟：通過第1半導體激光器輸出連續振蕩的第1激光；進行第1激光的脈沖化和放大，而輸出第1脈沖激光；通過使用第1脈沖激光的波長轉換，而輸出第2脈沖激光；對第2脈沖激光進行放大，而輸出第3脈沖激光；計測第3脈沖激光的波長；周期性地變更第3脈沖激光的目標波長；以及根據以相同的目標波長輸出的第3脈沖激光的波長的計測值，控制用于對第1半導體激光器的波長進行變更的電流，以使第3脈沖激光的波長成為目標波長。

3、本公開的1個觀點的電子器件的制造方法包含以下步驟：通過激光裝置生成第3脈沖激光，將第3脈沖激光輸出到曝光裝置，在曝光裝置內在感光基板上曝光第3脈沖激光，以制造電子器件，激光裝置具有：波長可變的第1半導體激光器，其輸出連續振蕩的第1激光；第1放大器，其進行第1激光的脈沖化和放大，而輸出第1脈沖激光；波長轉換系統，其通過使用第1脈沖激光的波長轉換，而輸出第2脈沖激光；準分子放大器，其對第2脈沖激光進行放大，而輸出第3脈沖激光；監視器模塊，其計測第3脈沖激光的波長；以及處理器，其周期性地變更第3脈沖激光的目標波長，根據以相同的目標波長輸出的第3脈沖激光的波長的計測值，控制用于對第1半導體激光器的波長進行變更的電流，以使第3脈沖激光的波長成為目標波長。

技術特征：

1.一種激光裝置，其具有：

2.根據權利要求1所述的激光裝置，其中，

3.根據權利要求2所述的激光裝置，其中，

4.根據權利要求1所述的激光裝置，其中，

5.根據權利要求1所述的激光裝置，其中，

6.根據權利要求1所述的激光裝置，其中，

7.根據權利要求6所述的激光裝置，其中，

8.根據權利要求7所述的激光裝置，其中，

9.根據權利要求1所述的激光裝置，其中，

10.根據權利要求9所述的激光裝置，其中，

11.根據權利要求9所述的激光裝置，其中，

12.根據權利要求1所述的激光裝置，其中，

13.根據權利要求1所述的激光裝置，其中，

14.根據權利要求1所述的激光裝置，其中，

15.根據權利要求14所述的激光裝置，其中，

16.根據權利要求1所述的激光裝置，其中，

17.根據權利要求16所述的激光裝置，其中，

18.根據權利要求16所述的激光裝置，其中，

19.一種激光裝置的波長控制方法，其包含以下步驟：

20.一種電子器件的制造方法，其包含以下步驟：

技術總結
激光裝置具有：波長可變的第1半導體激光器，其輸出連續振蕩的第1激光；第1放大器，其進行第1激光的脈沖化和放大，而輸出第1脈沖激光；波長轉換系統，其通過使用第1脈沖激光的波長轉換，而輸出第2脈沖激光；準分子放大器，其對第2脈沖激光進行放大，而輸出第3脈沖激光；監視器模塊，其計測第3脈沖激光的波長；以及處理器，其周期性地變更第3脈沖激光的目標波長，根據以相同的目標波長輸出的第3脈沖激光的波長的計測值，控制用于對第1半導體激光器的波長進行變更的電流，以使第3脈沖激光的波長成為目標波長。

技術研發人員：野極誠二,若林理
受保護的技術使用者：極光先進雷射株式會社
技術研發日：
技術公布日：2024/10/21