本公開涉及氣體激光裝置的腔室的烘烤方法以及電子器件的制造方法。
背景技術:
1、近年來,在半導體曝光裝置中,隨著半導體集成電路的微細化及高集成化,要求分辨率的提高。因此,正在推進從曝光用光源發射的光的短波長化。例如,作為曝光用的氣體激光裝置,使用輸出波長約248nm的激光的krf準分子激光裝置、以及輸出波長約193nm的激光的arf準分子激光裝置。
2、krf準分子激光裝置及arf準分子激光裝置的自然振蕩光的譜線寬度寬,為350pm~400pm。因此,若由使krf以及arf激光那樣的紫外線透過的材料構成投影透鏡,有時產生色差。其結果,分辨率可能降低。因此,需要將從氣體激光裝置輸出的激光的譜線寬度窄帶化至色差能夠忽略的程度。因此,在氣體激光裝置的激光諧振器內,為了使譜線寬度窄帶化,有時具備包含窄帶化元件(標準具、光柵等)的窄帶化模塊(line?narrowing?module:lnm)。以下,將譜線寬度窄帶化的氣體激光裝置稱為窄帶化氣體激光裝置。
3、現有技術文獻
4、專利文獻
5、專利文獻1:日本特開2001-313432號公報
技術實現思路
1、本公開的一個方式的氣體激光裝置的腔室的烘烤方法可以在腔室的內部空間中產生光,在腔室的與內部空間接觸的壁面的外側設置有冷卻通路,所述冷卻通路構成為,冷卻腔室的冷卻介質在該冷卻通路中流動,所述烘烤方法具備:加熱步驟,在內部空間中產生光之前,使加熱介質在冷卻通路中流動,經由壁面對內部空間進行加熱;以及排氣步驟,將加熱后的內部空間中的氣體排出到腔室的外部空間。
2、本公開的一個方式的電子器件的制造方法可以包括以下步驟:通過氣體激光裝置生成激光,將激光輸出到曝光裝置,在曝光裝置內在感光基板上使激光進行曝光,以制造電子器件,氣體激光裝置具備腔室,在腔室的內部空間中產生光,在腔室的與內部空間接觸的壁面的外側設置有冷卻通路,冷卻通路構成為,冷卻腔室的冷卻介質在冷卻通路中流動,腔室通過作為氣體激光裝置的腔室的烘烤方法的如下烘烤方法被烘烤,所述烘烤方法具備:加熱步驟,在內部空間中產生光之前,使加熱介質在冷卻通路中流動,經由壁面對內部空間進行加熱;以及排氣步驟,將加熱后的內部空間中的氣體排出到腔室的外部空間。
1.一種氣體激光裝置的腔室的烘烤方法,在所述腔室的內部空間中產生光,在所述腔室的與所述內部空間接觸的壁面的外側設置有冷卻通路,所述冷卻通路構成為,冷卻所述腔室的冷卻介質在該冷卻通路中流動,所述烘烤方法包括:
2.根據權利要求1所述的氣體激光裝置的腔室的烘烤方法,其中,
3.根據權利要求2所述的氣體激光裝置的腔室的烘烤方法,其中,
4.根據權利要求2所述的氣體激光裝置的腔室的烘烤方法,其中,
5.根據權利要求2所述的氣體激光裝置的腔室的烘烤方法,其中,
6.根據權利要求5所述的氣體激光裝置的腔室的烘烤方法,其中,
7.根據權利要求5所述的氣體激光裝置的腔室的烘烤方法,其中,
8.根據權利要求7所述的氣體激光裝置的腔室的烘烤方法,其中,
9.根據權利要求8所述的氣體激光裝置的腔室的烘烤方法,其中,
10.根據權利要求1所述的氣體激光裝置的腔室的烘烤方法,其中,
11.根據權利要求1所述的氣體激光裝置的腔室的烘烤方法,其中,
12.根據權利要求1所述的氣體激光裝置的腔室的烘烤方法,其中,
13.根據權利要求1所述的氣體激光裝置的腔室的烘烤方法,其中,
14.根據權利要求1所述的氣體激光裝置的腔室的烘烤方法,其中,
15.根據權利要求1所述的氣體激光裝置的腔室的烘烤方法,其中,
16.根據權利要求1所述的氣體激光裝置的腔室的烘烤方法,其中,
17.根據權利要求1所述的氣體激光裝置的腔室的烘烤方法,其中,
18.根據權利要求1所述的氣體激光裝置的腔室的烘烤方法,其中,
19.一種電子器件的制造方法,其中,包括以下步驟: