本發明涉及led芯片。
背景技術：
：led即發光二極管，由于其可以直接將電能轉化為光能，因此在各種領域得到廣泛的應用，應用led照明時需要將其封裝為led芯片，傳統的芯片封裝方式由于透光率低，影響了照明效果，因此提供一種具有高透光率的led芯片成為現有技術中亟待解決的問題。技術實現要素：為解決前述技術問題，本發明采用了以下技術方案：提供了具有高透光率的led芯片，其特征是所述led芯片具有固晶區域，所述固晶區域由冷白區域以及暖白區域組成，所述led芯片的基板為陶瓷基板，所述基板上具有環形側壁，所述環形側壁表面具有熒光層，所述環形側壁中填充封裝膠。所述的具有高透光率的led芯片，其特征是所述陶瓷基板的的陶瓷材質選自氧化鋁、氮化鋁、氧化鋯以及氟化鈣。所述的具有高透光率的led芯片，其特征是所述led芯片包括依序堆疊的n型半導體層、半導體發光層、p型半導體層。所述的具有高透光率的led芯片，其特征是所述n型半導體層為n型gan(氮化鎵)層，所述半導體發光層包含氮化鎵或氮化銦鎵，所述p型半導體層為p型gan層，所述的p型gan層及n型gan層分別電連接連接至外部電源所述的具有高透光率的led芯片，其特征是所述的所述封裝膠包覆環形側壁和熒光層，所述封裝膠由包括硅膠和/或環氧樹脂的材料構成。所述的所述的具有高透光率的led芯片，其特征是位于所述led芯片在于環形側壁的固晶區域內交錯排列。本發明提供的具有高透光率的led芯片，與現有技術相比，通過改進led封裝結構，優化封裝膠體的材料選擇與結構設計，提高了led芯片的透光率，解決了現有技術中存在的問題。具體實施方式本發明提供的具有高透光率的led芯片，其特征是所述led芯片具有固晶區域，所述固晶區域由冷白區域以及暖白區域組成，所述led芯片的基板為陶瓷基板，所述基板上具有環形側壁，所述環形側壁表面具有熒光層，所述環形側壁中填充封裝膠。所述的陶瓷基板的材質選自氧化鋁、氮化鋁、氧化鋯以及氟化鈣。所述led芯片包括依序堆疊的n型半導體層、半導體發光層、p型半導體層。所述n型半導體層為n型gan(氮化鎵)層，所述半導體發光層包含氮化鎵或氮化銦鎵，所述p型半導體層為p型gan層，所述的p型gan層及n型gan層分別電連接連接至外部電源所述封裝膠包覆環形側壁和熒光層，所述封裝膠由包括硅膠和/或環氧樹脂的材料構成。所述led芯片在于環形側壁的固晶區域內交錯排列。所述封裝膠的相對介電常數范圍50～200。封裝膠中摻雜由納米銀粒子。所述納米銀粒子的制備方法為：1)在表面活性劑如十二烷基硫酸納和十二烷基磺酸鈉等存在下；2)采用532nm,10ns的激光在丙酮、水、甲醇、異丙醇等溶劑中輻照銀金屬基體材料與溶液界面處，用激光剝離銀箔，得到納米銀粒子。透光率測試測試將實施例1～4制得的led各取100只分別進行透光率測試，所結果如下實施例號1234透光率/％85878687實驗結果表明，采用本發明的具有高透光率的led芯片具有較高的透光率。技術特征：技術總結具有高透光率的LED芯片，其特征是所述LED芯片具有固晶區域，所述固晶區域由冷白區域以及暖白區域組成，所述LED芯片的基板為陶瓷基板，所述基板上具有環形側壁，所述環形側壁表面具有熒光層，所述環形側壁中填充封裝膠。技術研發人員：龐綺琪受保護的技術使用者：龐綺琪技術研發日：2017.07.06技術公布日：2017.09.22