本發明涉及半導體技術領域，尤其是一種半導體用熱沉材料。
背景技術：
隨著半導體技術及制造工藝的不斷完善，led的光通量和出光效率不斷提升，功率型led已經廣泛應用在日常生活及工業生產中。然而對于大功率led而言，芯片功率密度大，大熱量無疑對其散熱提出了更高的要求。
目前傳統基板材料基本上采用少數能滿足高熱導率的金屬或合金材料，但是為了保障電絕緣性，并使芯片與基板充分接觸，需要在芯片與基板之間涂覆高分子聚合物介質膜，但是，該高分子聚合物介質膜的熱導率通常較低，在芯片與基板之間形成了熱阻界面，而且溫度升高會導致性能變差。另外，該高分子介質膜與基板之間為機械結合，結合不夠緊密，也影響了熱傳導的性能。
技術實現要素：
為了解決上述問題，本發明提供了一種半導體用熱沉材料，可以與led芯片貼合。
為了實現上述目的，本發明所采用以下技術方案，一種半導體用熱沉材料，其原料按重量份計包括，石墨烯20～30份、稀土氧化物10～15份、納米碳管4～8份、碳化硅3～6份、銀導電膠1～5份、氧化釩1～3份、碳酸鈣3～5份、羥甲基纖維素鈉4～6份、aln顆粒10～15份、氧化鎂10～20份、三氧化二銻5～10份、偏硅酸鈉2～4份。
進一步，一種半導體用熱沉材料，其原料按重量份計包括，石墨烯26份、稀土氧化物13份、納米碳管5份、碳化硅5份、銀導電膠3份、氧化釩2份、碳酸鈣4份、羥甲基纖維素鈉5份、aln顆粒12份、氧化鎂14份、三氧化二銻7份、偏硅酸鈉3份。
進一步，按重量份計，石墨烯：稀土氧化物=2：1。
進一步，按重量份計，氧化鎂：三氧化二銻=2：1。
作為優選，所述的稀土氧化物中為y2o3。
本發明所述的熱沉材料具有良好的效果，且更容易與led芯片貼合，表面絕緣性及阻燃性能良好。
具體實施方式
下面通過具體的實施例對本發明做進一步的詳細描述。
實施例1：一種半導體用熱沉材料，其原料按重量份計包括，石墨烯26份、y2o313份、納米碳管5份、碳化硅5份、銀導電膠3份、氧化釩2份、碳酸鈣4份、羥甲基纖維素鈉5份、aln顆粒12份、氧化鎂14份、三氧化二銻7份、偏硅酸鈉3份。
實施例2:一種半導體用熱沉材料，其原料按重量份計包括，石墨烯20份、y2o310份、納米碳管4份、碳化硅3份、銀導電膠1份、氧化釩1份、碳酸鈣3份、羥甲基纖維素鈉4份、aln顆粒10份、氧化鎂10份、三氧化二銻5份、偏硅酸鈉2份。
實施例3：一種半導體用熱沉材料，其原料按重量份計包括，石墨烯30份、稀土氧化物15份、納米碳管8份、碳化硅6份、銀導電膠5份、氧化釩3份、碳酸鈣5份、羥甲基纖維素鈉6份、aln顆粒15份、氧化鎂20份、三氧化二銻10份、偏硅酸鈉4份。
實施例4：一種半導體用熱沉材料，其原料按重量份計包括，石墨烯25份、稀土氧化物12份、納米碳管6份、碳化硅4份、銀導電膠2份、氧化釩2份、碳酸鈣4份、羥甲基纖維素鈉5份、aln顆粒13份、氧化鎂15份、三氧化二銻6份、偏硅酸鈉3份。
以上所述僅包括本發明的優選實施例而已，并不用于限制本發明，對于本領域的技術人員來說，在本發明的精神和原則內可以有各種更改和變化，這些等同的變型或替換等，均包含在本發明的保護范圍之內。