本發明屬于半導體光電子器件制造技術領域，尤其涉及紫外發光二極管外延片的制造技術。
背景技術：
發光二極管（led，lightemittingdiode）具有長壽、節能、環保、可靠性高等優點。近年來，led在大屏幕彩色顯示、交通信號燈和照明等領域發揮了越來越重要的作用。但要在全彩屏顯示和照明領域上能得到更加廣泛的應用，則需要進一步提升led外延產出的均一性。
多量子阱有源區作為led的核心區域，通常由多組ingan量子阱和gan壘層交替重疊構成。由于h2會令in原子在材料表面停留的時間減少，增加in原子的逃逸概率，從而影響ingan中in的并入效率。因此，在現有的生長工藝中，多量子阱一般在純n2氣氛下生長，如專利文獻201210189941.5公開的在純n2氣氛下生長量子阱，采用的生長溫度為：760℃和780℃。201210189941.5公開的技術方案是采用傳統n2氣氛生長mqw，主要適用于富in的藍綠光led外延生長，對于紫光發光二極管外延片，純n2氣氛生長的環境，熱傳導較h2摻入的生長氣氛差，不利于alingan體系中al的遷移，不利于形成二維平面生長，進而影響晶體質量的提升。同時，由于純n2氣氛缺少對in并入的抵御機制，不利于alingan體系mqw獲得及調控紫外波段發光波長。
技術實現要素：
鑒于以上現有技術存在的缺陷，本發明目的是提出一種有利于調控紫外發光二極管的波長，并改善紫外發光二極管的波長均一性的外延方法。
本發明技術方案是：在襯底上從下到上依次外延生長緩沖層、非摻雜algan層、n型algan層、多量子阱alxinyga1-x-yn/alainbga1-a-bn有源層、p型algan電子阻擋層和p型algan層；其特征在于：在外延生長所述多量子阱alxinyga1-x-yn/alainbga1-a-bn有源層時，采用的生長溫度為900～1000℃，并且在生長時氣氛為n2，還脈沖式地通入h2。
本發明采用較高的溫度生長多量子阱有源層，并在生長過程中脈沖式的通入大量的h2，通過增加h化學勢（加大h分壓），適當調控富in局域態的形貌及顆粒尺寸，得到紫外發光二極管外延片的波長在300～400nm，且發光波長的均一性得到改善。
優選的，所述多量子阱有源區的主要氣氛為n2，脈沖式通入h2的量設定在2000～8000sccm。脈沖式通入h2的方式，一方面生長alingan體系mqw時，在此h2量下，利用h化學勢增加（加大h分壓），使in原子在材料表面停留的時間減少，逐漸縮小in并入的窗口，材料表面將主要以ga-al-nh3或ga-al-nh2為主，避免富in局域態形貌的形成，達到調控發光波長均一性目的，另一方面，脈沖式通入h2，可避免大量h2引入所造成的生長環境溫度的波動。
具體實施方式
本發明采用aixtron公司的mocvd設備進行外延生長，使用nh3、tmga/tega、tmin分別作為n、ga、in源。
以上所述的外延層生長，具體包括如下步驟：
1、在藍寶石襯底l1上生長一層aln低溫緩沖層l2：生長溫度550℃，壓力為65000pa，厚度為30nm，nh3流量為15000sccm，tmal流量100sccm，生長氣氛為h2。
2、在aln低溫緩沖層l2上生長非摻雜algan層l3：生長溫度1050℃，壓力為40000pa，nh3流量為10000sccm，tmal流量30sccm，tmga流量為300sccm，厚度約3μm，生長氣氛為h2。
3、在非摻雜algan層l3上生長一層n型algan層l4：生長溫度1050℃，壓力20000pa，厚度約為2.5μm，摻雜濃度為1×1019cm-3，nh3流量為10000sccm，tmal流量20sccm，tmga流量為200sccm，生長氣氛為h2。
4、在n型algan層l4上生長8對多量子阱alxinyga1-x-yn/alainbga1-a-bn有源層l5：壓力為30000pa，阱壘生長溫度均為950℃。
第一對alxinyga1-x-yn/alainbga1-a-bn中，每一層al0.1in0.03ga0.87n的厚度為4nm，每一層al0.3in0.01ga0.69n的厚度為8nm。
阱壘層nh3流量均為20000sccm，阱層tmal流量20sccm，tega流量為400sccm，tmin流量為300sccm，壘層tmal流量60sccm，tega流量為900sccm，tmin流量為100sccm，阱壘層生長時連續通入n2，n2量為30000sccm，阱壘層生長時脈沖式地通入h2，其中h2量調控范圍為2000sccm～8000sccm。
5、在多量子阱alxinyga1-x-yn/alainbga1-a-bn有源層l5上生長6對p型al0.3ga0.7n/al0.5ga0.5n電子阻擋層（即p型algan電子阻擋層）l6：生長溫度1000℃，生長壓力10000pa，al0.3ga0.7n/al0.5ga0.5n生長厚度分別為10nm/2nm，mg原子摻雜濃度為2×1019cm-3，nh3流量為10000sccm,al0.3ga0.7n/al0.5ga0.5n周期中al源流量分別為60sccm及100sccm，生長氣氛為n2。
6、在p型al0.3ga0.7n/al0.5ga0.5n電子阻擋層（即p型algan電子阻擋層）l6上生長p型al0.2ga0.8n空穴注入層（即p型algan層）l7：生長溫度1050℃，壓力為20000pa，mg摻雜濃度1×1020cm-3，厚度為50nm。