技術總結
一種Si襯底?GaN外延的IGBT半導體器件，包括N+緩沖層(Si)，所述N+緩沖層(Si)的下方為P+襯底(Si)和集電極，在N+緩沖層(Si)上設置一層SiC界面層，在SiC界面層上設置GaN外延層。相比傳統的Si材料，具有禁帶寬度寬、臨界擊穿電場強度大、飽和電子漂移速度高、介電常數小以及良好的化學穩定性等特點，可以使IGBT器件工作在更大功率、更高電壓、更高頻率和更惡劣的高溫環境中，使IGBT半導體器件的整體性能得到了提高。
技術研發人員：徐光
受保護的技術使用者：上海陛通半導體能源科技股份有限公司
文檔號碼：201620883353
技術研發日：2016.08.16
技術公布日：2017.01.11