1.一種高密度低壓溝槽功率MOS器件，包括位于半導體基板上的元胞區（A）、柵電極引出區（B）和終端保護區（C），元胞區（A）位于半導體基板的中心區，柵電極引出區（B）環繞元胞區（A）外圍，終端保護區（C）環繞包圍柵電極引出區（B）；其特征是：在所述溝槽功率MOS器件的截面上，半導體基板由N+襯底（1）和設置于N+襯底（1）上表面的N-外延層（2）組成，N-外延層（2）的上部設有P-阱區（9），N+襯底（1）的下表面設有背面金屬層（20）；
所述溝槽功率MOS器件的元胞區（A）內包含有若干并聯設置的元胞，元胞采用溝槽結構；所述溝槽功率MOS器件的柵電極引出區（B）內包含有作為柵電極引出的溝槽結構；所述溝槽功率MOS器件的終端保護區（C）包括終端耐壓區（D）和終端截止區（E），在所述終端耐壓區（D）和終端截止區（E）內均包含有若干耐壓作用的溝槽結構；
所述溝槽結構包括位于P-阱區（9）的溝槽（5），溝槽（5）的下端延伸至N-外延層（2）的上部，在溝槽（5）的內壁表面生長柵極氧化層（7），在溝槽（5）內腔淀積導電多晶硅（8），導電多晶硅（8）的頂部低于N-外延層（2）的上表面；
在所述元胞區（A），溝槽（5）的槽口生長柵極氧化層（7）、熱氧化層（11）和絕緣介質層（12）；在所述元胞之間設有源極接觸孔（15-1），源極接觸孔（15-1）內以及溝槽結構的上方設置有源極金屬（17）；所述絕緣介質層（12）隔離源極金屬（17）和溝槽（5）中的導電多晶硅（8）；
在所述柵電極引出區（B），溝槽（5）的槽口以及溝槽結構之間的硅表面生長柵極氧化層（7）和熱氧化層（11），在熱氧化層（11）上淀積絕緣介質層（12）；在所述溝槽（5）內的導電多晶硅（8）上部開有柵極接觸孔（15-2），柵極接觸孔（15-2）內以及溝槽結構上方的絕緣介質層（12）上表面設置有柵極金屬（18）；
在所述終端保護區（C），溝槽（5）的槽口以及溝槽結構之間的硅表面生長柵極氧化層（7）和熱氧化層（11），在熱氧化層（11）上淀積絕緣介質層（12）；在所述終端截止區（E）的溝槽（5）內導電多晶硅（8）的上部設置有第一終端接觸孔（15-3），在所述溝槽（5）的上部外側設置有N+源極區（10），在N+源極區（10）內設置有第二終端接觸孔（15-4），N+源極區（10）的第二終端接觸孔（15-4）向下延伸至P-阱區（9）的上部；在所述第一終端接觸孔（15-3）、第二終端接觸孔（15-4）內、N+源極區（10）上方和溝槽結構上方的絕緣介質層（12）上表面設置終端截止環金屬（19），且N+源極區（10）上方的終端截止環金屬（19）和溝槽結構上方的終端截止環金屬（19）連接在一起。
2.如權利要求1所述的高密度低壓溝槽功率MOS器件，其特征是：在所述源極接觸孔（15-1）與溝槽（3）之間設置N+源極區（10），N+源極區（10）位于P-阱區（5）的上部。
3.一種高密度低壓溝槽功率MOS器件的制造方法，其特征是，包括以下步驟：
（1）、在N+襯底（1）上生長N-外延層（2）；
（2）、在N-外延層（2）制作溝槽（5）；
（3）、在溝槽（5）內生長一層犧牲氧化層（6），然后全部剝離；
（4）、在溝槽（5）內生長一層柵極氧化層（7）；
（5）、在溝槽（5）內已生長的柵極氧化層（7）上淀積導電多晶硅（8）；
（6）、進行導電多晶硅（8）的普遍刻蝕，使導電多晶硅（8）的頂部和硅表面處于同一高度；
（7）、在N-外延層（2）的上部進行P-阱區（9）的注入和推阱，形成P-阱區（9）；
（8）、再次進行導電多晶硅（8）的普遍刻蝕，將導電多晶硅（8）的頂部刻蝕至硅表面以下區域；
（9）、利用光罩版的掩蔽，在P-阱區（9）的上部進行N+源極區（10）的選擇性注入，并退火，形成N+源極區（10）；
（10）、在溝槽（5）的槽口和溝槽（5）之間的表面形成熱氧化層（11）；
（11）、在熱氧化層（11）和溝槽（5）表面淀積絕緣介質層（12）；
（12）、利用接觸孔光罩版的掩蔽，刻蝕掉二氧化硅，得到第一接觸孔（13）；所述第一接觸孔（13）的位置對應于元胞區（A）的源極接觸孔（15-1）的位置以及終端截止區（E）的N+源極區（10）的位置，第一接觸孔（13）由絕緣介質層（12）的上表面延伸至N-外延層（2）的上表面；
（13）、利用接觸孔光罩版的掩蔽，在柵極引出區（B）和終端保護區（C）刻蝕掉二氧化硅，得到第二接觸孔（14）；所述第二接觸孔（14）的位置分別對應于柵極接觸孔（15-2）和第一終端接觸孔（15-3），第二接觸孔（14）由絕緣介質層（12）的上表面延伸至溝槽（5）中導電多晶硅（8）的上表面；
（14）、利用第一接觸孔（13）和第二接觸孔（14）以外區域剩余的二氧化硅層作為掩蔽層，進行硅的刻蝕，得到源極接觸孔（15-1）、柵極接觸孔（15-2）、第一終端接觸孔（15-3）和第二終端接觸孔（15-4）；
（15）、在半導體基板表面淀積正面金屬層（16）；
（16）、利用金屬層光罩版的掩蔽，進行正面金屬層（16）的選擇性刻蝕，形成源極金屬（17）、柵極金屬（18）和終端截止環金屬（19）；
（17）、對整個N+襯底（1）的背面進行磨片減薄，減薄后淀積背面金屬層（20）。
4.如權利要求3所述的高密度低壓溝槽功率MOS器件的制造方法，其特征是：所述步驟（2）中制作溝槽（5）的過程具體為：在N-外延層（2）上淀積硬掩膜層（3），用光罩版進行掩蔽并刻蝕硬掩膜層（3），形成溝槽刻蝕用的硬掩膜窗口（4）；利用上述硬掩膜層（3）作為掩蔽層，通過硬掩膜窗口（4）進行自對準刻蝕得到溝槽（5）。
5.如權利要求3所述的高密度低壓溝槽功率MOS器件的制造方法，其特征是：所述N-外延層（2）厚度為2μm-20μm；所述溝槽（5）的深度為0.5μm-2μm；所述犧牲氧化層（6）的厚度為100A-2000A；所述柵極氧化層（7）的厚度為100A-2000A。
6.如權利要求3所述的高密度低壓溝槽功率MOS器件的制造方法，其特征是：所述導電多晶硅（8）的厚度為2000A-20000A。
7.如權利要求3所述的高密度低壓溝槽功率MOS器件的制造方法，其特征是：所述P-阱區（9）的結深度為0.4μm-1.8μm。
8.如權利要求3所述的高密度低壓溝槽功率MOS器件的制造方法，其特征是：所述熱氧化層（11）的厚度為500A-5000A。
9.如權利要求3所述的高密度低壓溝槽功率MOS器件的制造方法，其特征是：所述步驟（6）中，導電多晶硅（8）的頂部和硅表面高度相差±0.1μm。
10.如權利要求3所述的高密度低壓溝槽功率MOS器件的制造方法，其特征是：所述步驟（8）中，導電多晶硅（8）經再次刻蝕后，導電多晶硅（8）的頂部距離硅表面的距離為0.2μm-1μm。