技術總結
本發明涉及一種同軸自旋注入器件，包括在一維材料上間排布的n個同軸自旋注入電極以及與同軸自旋注入電極互連的n個固定電極，以及負載以上結構的基底；所述的同軸自旋注入電極包括在一維圓柱形自旋溝道外依次環繞的同軸隧穿層、同軸鐵磁層和同軸包覆層。本發明采用了同軸環繞一維材料自旋溝道的自旋注入電極，避免了自旋注入電極覆蓋區域自旋溝道和基底的直接接觸，降低了接觸面帶來的電子散射問題，有效地提高了自旋注入效率。本發明提出同軸環繞一維自旋溝道的自旋注入電極，避免了由于一維材料特殊的中空圓柱形結構而導致的傳統注入電極/自旋溝道接觸面存在孔洞的問題，提高了自旋注入器件的可控性和可靠性。
技術研發人員：林曉陽;粟傈;斯志仲;趙巍勝;張有光
受保護的技術使用者：北京航空航天大學
文檔號碼：201610580174
技術研發日：2016.07.21
技術公布日：2017.02.22