用于薄膜沉積設備的內部材料及其制造方法與流程

本公開涉及一種用于薄膜沉積設備的內部構件及其制造方法，更具體地，涉及用于在真空室中通過物理氣相沉積法例如濺射法沉積薄膜或金屬化合物以在基板上形成電路圖案的設備的內部構件及其制造方法。

背景技術：

通常，半導體器件通過在半導體基板例如晶片上形成電路圖案來制造。例如，通過包括真空沉積法的方法形成電路圖案。在此，導線或電極通過使用導電材料例如鋁(Al)、鈦(Ti)、鉬(Mo)、鎢(W)或金屬化合物例如硅化鉬(MoSi2)、氮化鈦(TiN)、氮化鉭(TaN)將導電薄膜沉積于半導體基板上來形成。

在真空沉積法中，用來形成導線、電極等的導電材料或金屬化合物可能會蒸鍍而無意中沉積到用于此法的真空沉積設備包括的部件上。因此，沉積物可能不穩定地貼附于部件。于是，沉積物可能從部件脫離而于工藝腔室中產生粒子以如沉積法中的粒子般作用，因而導致導線或電極的失誤并且減少形成于半導體基板上的導電薄膜的均勻度。

離開部件的沉積物可能流入用于形成導線或電極的導電薄膜，這可能導致導線或電極中的短路或缺陷，以降低半導體器件制造工藝的整體收率。

為了解決此問題，可以通過增加部件的表明粗糙度來增大沉積物與部件之間的結合面積，同時透過錨固效應(anchoring effect)可增加沉積物與部件之間的結合力。

然而，當各個部件以高表面粗糙度形成時，可能會過度地需要大量的形成部件用的原料，這可能導致原料的過度消耗并且可進一步降低真空沉積設備的耐久性。

因此，已采用電弧噴涂法以在部件上形成具有較高表面粗糙度的涂層。在電弧噴涂法中，能夠最小化形成部件用的原料的損失，并且在某種程度上維持真空沉積設備的耐久性。然而，當執行用以在半導體基板上形成導電薄膜的真空沉積法時，由于涂層的表面粗糙度及形狀的不均勻，沉積物可能無法均勻地沿著特定生長方向均勻地堆疊在部件上。因此，由于各個沉積物的內部應力的增加，沉積物與涂層之間可能發生分離。此外，實現高表面粗糙度時，可通過從涂層分離而形成粒子。大量的各自具有不穩定表面的粒子可能在涂層中作為缺陷出現。因此，此些粒子在真空沉積法中可能作為缺陷發揮作用。

技術實現要素：

技術問題

本發明的目的在于提供一種用于薄膜沉積設備的內部構件，該內部構件能夠穩定地收集部件上沉積及堆積的沉積物。

本發明另一目的在于提供用于薄膜沉積設備的內部構件的制造方法。

技術解決方案

為實現上述目的根據例示性實施例，提供一種用于薄膜沉積設備的內部構件，該內部構件包括：腔室結構，其包括在上方支撐對象的對象支撐單元、和在下方支撐用于對該對象進行薄膜沉積的靶材的靶材支撐單元，其中該靶材包括第一金屬材料，且該腔室結構具有位于其中的反應空間；以及涂層結構，其形成于該腔室結構的內表面上，該涂層結構覆蓋該內表面以使該內表面不暴露于該腔室結構的反應空間，且該涂層結構包括第二金屬材料，該第二金屬材料具有該第一金屬材料中的至少一種金屬元素。

根據例示性實施例，該第二金屬材料可包括從由鋁(Al)、鈦(Ti)、鉬(Mo)、鎢(W)、鉭(Ta)和鉻(Cr)組成的組中選擇的至少一者。

根據例示性實施例，該涂層結構可具有范圍為約10μm至約40μm的粗糙度。

根據例示性實施例，該第一金屬材料與該第二金屬材料的熱膨脹系數之差可在約±10％內。

根據例示性實施例，該涂層結構可包括：第一薄膜，其形成于該腔室結構的該內表面上，該第一薄膜具有范圍為約10μm至約40μm的粗糙度；以及第二薄膜，其形成于該第一薄膜上，該第二薄膜具有該第二金屬材料。在此，與該第一薄膜接觸的該腔室結構的內表面可具有范圍為約2μm至約10μm的粗糙度。

根據例示性實施例，該第一薄膜的熱膨脹系數可低于或等于該腔室結構的熱膨脹系數，并且可高于或等于該第二薄膜的熱膨脹系數。

根據例示性實施例，該第一薄膜的孔隙率可高于或等于所述第二薄膜的孔隙率。此外，該第一薄膜可具有范圍為約6％至約12％的孔隙率，且該第二薄膜可具有范圍為約2％至約8％的孔隙率。

根據例示性實施例，該第一薄膜可具有范圍為約50μm至約500μm的厚度，并且該第二薄膜可具有范圍為約20μm至約80μm的厚度。

根據例示性實施例，該涂層結構可包括第三薄膜，該第三薄膜處于該內表面上以及部件被相互裝配的裝配區域中，該第三薄膜具有范圍為約2μm至約10μm的粗糙度，且該部件包括該對象支撐單元以及該靶材支撐單元。在此，該第三薄膜可具有范圍為約20μm至約300μm的厚度。

根據例示性實施例，一種制造用于薄膜沉積設備的內部構件的方法，所述方法包括：準備腔室結構，所述腔室結構包括：對象支撐單元，其支撐對象；和靶材支撐單元，其支撐用于對該對象進行薄膜沉積的靶材，該靶材包括第一金屬材料，且該腔室結構具有位于其中的反應空間。然后，用第二金屬材料涂布暴露于該反應空間的內表面以在該內表面上形成涂層結構，該第二金屬材料具有該第一金屬材料中的至少一種金屬元素。

根據例示性實施例，可通過等離子體噴涂法、高速氧燃料噴涂法(HVOF)、高速空氣燃料噴涂法(HVAF)中的任一方法來形成該涂層結構。

根據例示性實施例，該第二金屬材料可包括從由鋁(Al)、鈦(Ti)、鉬(Mo)、鎢(W)、鉭(Ta)和鉻(Cr)所組成的組中選擇的至少一者。

根據例示性實施例，涂布該內表面之前，噴砂處理暴露于所述反應空間的內表面以形成預噴砂內表面，該預噴砂內表面具有范圍為約2μm至約10μm的粗糙度。

有利效果

根據一種用于沉積薄膜裝置的內部構件以及該內部構件的制造方法，由于用包含在用于在對象上形成導電薄膜的靶材中的金屬材料在暴露于腔室結構的反應空間的腔室結構的內表面上形成涂層結構，因此在使用靶材在對象上沉積薄膜的工藝中，可以通過涂層結構來以強結合力穩定地收集沉積并堆積在內表面上的薄膜沉積物。因此，本發明可以防止在腔室結構的內表面上沉積并堆積的薄膜沉積物脫離內表面以污染對象的工藝問題，從而不僅能夠提高由對象制造的半導體芯片以及顯示設備的制造收率，而且對它們的質量改進有相當大的貢獻。

附圖說明

圖1表示根據本發明實施例的用于薄膜沉積設備的內部構件的截面圖；

圖2表示圖1中“A”部分的放大截面圖；

圖3表示圖1中“B”部分的放大截面圖；

圖4為說明制造圖1中所示的用于薄膜沉積設備的內部構件的方法的流程圖；

圖5為表示以圖4中所示的方法僅涂布第一薄膜時檢測粗糙度的偏差的圖；

圖6為表示以圖4中所示的方法在第一薄膜上涂布第二薄膜時檢測粗糙度的偏差的圖；

圖7為表示圖5中僅涂布第一薄膜以及圖6中涂布第一與第二薄膜時的粗糙度的分布的圖。

具體實施方式

此下參照附圖，根據本發明概念的實施例將詳述用于薄膜沉積設備的內部構件及該內部構件的制造方法。以下將參照附圖更加詳細地說明本發明概念的例示實施例。然而本發明概念可以以不同形態實施，不應解釋為限于在此提出的實施例。然而，此非意在將根據本發明概念的實施例限制為具體公開的形式，而是應理解為也包括在本發明的概念及技術范疇內含有的所有變形、等同物或代替物。在附圖中，全文中相同附圖標記意指相同的要素。附圖中，為求圖示的清楚而放大了結構的尺寸。

盡管如“第一”和“第二”的術語用來描述各個部件，但該部件并不限定于這些術語。這些術語僅用來區分一個部件與另一個。例如，在不脫離本發明概念范圍的情況下，第一要素可稱為第二要素，同樣地第二要素可稱為第一要素。

在下面敘述中，技術用語僅用來解釋特定例示實施例，而非限定本發明。單數形式的術語可包括復數形式，除非指定相反含義。整篇說明書中當敘述一部件“包括”或“具有”時，其意指該部件可進一步地表明特征、整數、步驟、操作、要素、部件，或其組合。進一步地，其意指并不排除一個或多個其他特征、整數、步驟、操作、要素、部件或其組合、或附加的可能性。

本發明實施例中使用的術語可被解釋為本領域技術人員普遍理解的含義，除非有另行定義。通常，字典中定義的術語應視為與該技術領域的上下文含義相同，除非本文中明確地定義，否則不應當理解為異常或過度形式的含義。

圖1顯示了根據例示實施例的用于薄膜沉積設備的內部構件的示意圖，圖2顯示圖1中“A”部分的放大圖，圖3顯示圖1中“B”部分的放大圖。

參照圖1至圖3，根據例示實施例的用于薄膜沉積設備的內部構件1000包括：腔室結構100，其用于薄膜沉積設備，該腔室結構具有反應空間130；以及涂層結構200。在該反應空間中進行真空沉積工藝(例如濺射工藝)。此外，如浮游粒子的副產物可能在真空沉積工藝過程中產生。

腔室結構100包括：配置于其下部的對象支撐單元110，在對象支撐單元110上放置對象10；以及配置于其上部的靶材支撐單元120，靶材支撐單元120支撐靶材20，靶材20用于在對象10上形成導電薄膜15。在此，對象10可包括需要真空沉積法的各種基板，例如制造半導體芯片的半導體基板或制造顯示設備的玻璃基板。

腔室結構100可包括側壁結構140，側壁結構140在豎直方向上將對象支撐單元110的端部與靶材支撐單元120的端部連結，以形成反應空間130。此外，腔室結構100可具有其中另行組裝多個用于執行特定功能(例如氣體注射)的部件的結構。腔室結構100可以由不銹鋼金屬(SUS)或鋁(Al)形成，其具有優異的耐腐蝕性以及優異的耐熱性。

在此靶材20可包括第一金屬材料。該第一金屬材料可包括鋁(Al)、鈦(Ti)、鉬(Mo)、鎢(W)、鉭(Ta)或鉻(Cr)。靶材20包括鈦(Ti)時，可將等離子體氮氣(N2)注入反應空間130中，使得鈦(Ti)與氮氣(N2)互相反應以在對象10上沉積氮化鈦(TiN)。同樣地，靶材20中的鉬(Mo)與鉭(Ta)可分別與硅(Si)和氮氣(N2)反應，以在對象10上沉積硅化鉬(MoSi2)和氮化鉭(TaN)。另一方面，靶材20中的鎢(W)可以在沒有任何反應的情形下就沉積到對象10上。

包括第二金屬材料的涂層結構200被涂布到腔室結構100的內表面上。涂層結構200暴露于腔室結構100的反應空間130。第二金屬材料包括第一金屬材料中的至少一種金屬元素。例如，當第一金屬材料包括鋁時，第二金屬材料包括鋁。進一步地，第二金屬材料可由化合物或合金構成，該化合物或合金包括靶材20中包括的第一金屬材料，例如鋁(Al)、鈦(Ti)、鉬(Mo)、鎢(W)、鉭(Ta)、和鉻(Cr)。

當由包括第一金屬材料中的至少一種元素的第二金屬材料形成涂層結構200時，涂層結構200可基本上收集執行真空沉積法時由包括第一金屬材料的靶材20產生的副產物，以致使副產物經由涂層結構200粘附到腔室結構100的內表面，原因在于涂層結構200包括具有與第一金屬材料實質相同的至少一種金屬的第二金屬材料以在進行在對象10上形成導電薄膜15的真空沉積法時實現涂層結構200與副產物之間的優異結合力。優選地，由包括第一金屬材料的靶材20所形成的導電薄膜15以及第二金屬材料的熱膨脹系數之差在約±10％內，使得副產物穩定地被完整收集到涂層結構200。

因此，涂層結構200可具有范圍為約10μm至約40μm的粗糙度，以便以相對強的結合力來收集副產物。當涂層結構200具有小于約10μm的粗糙度時，由于涂層結構200的非常小的表面積，涂層結構200難以穩定地收集副產物。因此，涂層結構200具有小于約10μm的粗糙度是不優選的。當涂層結構200具有大于約40μm的粗糙度時，由于涂層結構與腔室結構100的內表面之間的低結合力，涂層結構200本身可能由腔室結構100的內表面剝離。因此，涂層結構200具有大于約40μm的粗糙度是不優選的。

此外，涂層結構200可包括腔室結構100的內表面上的兩個薄膜即第一薄膜210以及第二薄膜220，以便更穩定地收集副產物。

第一薄膜210是用中間金屬材料涂布于腔室結構100的內表面上。此時，涂有第一薄膜210的腔室結構100的內表面可具有范圍為約2μm至約10μm的粗糙度，使得第一薄膜210以穩定的結合力涂布。當內表面具有小于約為2μm的粗糙度時，由于內表面的非常小的表面積，第一薄膜210難以以穩定的結合力涂布。因此，內表面具有小于約2μm的粗糙度是不優選的。當內表面具有大于約10μm的粗糙度時，在形成具有大于約10μm的粗糙度的內表面的工藝中，可能嚴重損傷腔室結構100的內表面。因此，內表面具有大于約10μm的粗糙度是不優選的。

對應于涂層結構200的總粗糙度，涂布第一薄膜210以具有約10μm至約40μm的粗糙度，以在形成涂層結構200的粗糙度上發揮作用。因此，第一薄膜210可具有范圍為約50μm至約500μm的厚度t1。當第一薄膜210小于約50μm(即太薄)，因而腔室結構100的內表面暴露時，應力集中在暴露部位，以致可能在暴露部位上發生剝離現象。因此，第一薄膜210的厚度t1小于約50μm是不優選的。當第一薄膜210的厚度t1超過500μm(即太厚)時，殘留應力增加，于是第一薄膜210可能從腔室結構100的內表面剝離。因此，第一薄膜210的厚度t1超過約500μm是不優選的。

將第二薄膜220涂布在第一薄膜210上。在維持由第一薄膜210形成的粗糙度的同時，用第二金屬材料(其包括靶材20的第一金屬材料中包括的至少一種金屬元素)涂布第二薄膜220。因此，副產物實質上由第二薄膜220收集。也就是說，涂層結構200不僅可以根據第一薄膜210的粗糙度來改善副產物的收集效果，而且可以抑止收集的副產物從第二薄膜220剝離，原因在于通過第二薄膜220使表面粗糙度維持完好無損以將應力集中最小化。

因此，為了穩定的涂布，第二薄膜220可具有范圍約20μm至約80μm的厚度t2。當第二薄膜220的厚度t2小于約20μm(即太薄)時，第一薄膜210可暴露于第二薄膜220未均勻形成的部分。因此，第二薄膜220的厚度t2小于約20μm是不優選的。當第二薄膜220的厚度t2超過約80μm(即較厚)時，第二薄膜220會從第一薄膜210剝離。因此，第二薄膜220的厚度t2超過約80μm是不優選的。

另一方面，優選地，形成第一薄膜210的中間金屬材料的熱膨脹系數低于或等于腔室結構100的熱膨脹系數，并且高于或等于第二薄膜220的熱膨脹系數，以致中間金屬材料導熱地并且穩定地結合在腔室結構100的內表面與第二薄膜220之間。例如，當靶材金屬20由鈦(Ti)形成，而腔室結構100由不銹鋼(SUS)或鋁(Al)形成時，中間金屬材料可由鋁(Al)形成。于是，在通過熱膨脹系數的特性來緩沖熱應力的同時，可以防止傳送真空沉積工藝過程中在腔室結構100的反應空間130內產生的熱。也就是說，在真空沉積工藝過程中產生的熱會被傳送到腔室結構100的內表面以能夠防止使第一薄膜210從腔室結構100的內表面剝離的現象。

雖然此實施例描述腔室結構100的內表面、第一薄膜210、以及第二薄膜220的熱膨脹系數為依序降低，可領會到當這些部件之間的熱膨脹系數之差在約20％內時，可以在既定的程度上防止使第一薄膜210剝離的現象。

進一步地，第二薄膜220可具有范圍為約2％至約8％的孔隙率以作為緩沖，使得透過真空沉積法產生的熱不會被傳送到腔室結構100的內表面。當第二薄膜220具有小于約2％的孔隙率時，第二薄膜220可能無法承受起因于太低的孔隙率而由熱導致的應力，并且可能從第一薄膜210剝離。因此，第二薄膜220具有小于約2％的孔隙率是不優選的。當第二薄膜具有大于約8％的孔隙率時，第二薄膜220可能具有低的與第一薄膜210的層間結合力而從第一薄膜210剝離。因此，第二薄膜220具有大于約8％的孔隙率是不優選的。

類似的概念，第一薄膜210也可具有范圍約6％至約12％的孔隙率。當第一薄膜210具有小于約6％的孔隙率時，第一薄膜210可能無法承受熱所引起的應力并且可能從腔室結構100的內表面剝離。因此，第一薄膜210具有小于約6％的孔隙率是不優選的。當第一薄膜210具有大于約12％的孔隙率時，第一薄膜210可具有與腔室結構100的內表面的低結合力以從腔室結構100的內表面剝離。因此，第一薄膜210具有大于約12％的孔隙率是不優選的。此時，在第一以及第二薄膜210和220的孔隙率的各自中，優選第一薄膜210的孔隙率實質上比第二薄膜220高或相同，使得第一薄膜210有效地對熱發揮緩沖的作用。特別地，第一薄膜210的孔隙率應高于第二薄膜220的孔隙率的原因如下。第二薄膜220直接暴露于反應空間130是重要的，以便具有緊密結構，從而改善層間以及層內結合力。另一方面，第一薄膜210通過形成于其中的孔隙來降低導熱性是重要的，以便改進腔室結構100的熱耐久性。

同時，如圖3中所示，第三薄膜230可形成于間接地暴露于反應空間130的涂層結構200的組裝區域上。在該組裝區域，將部件例如對象支撐單元110、靶材支撐單元120、以及側壁結構140組裝以形成腔室結構100。

因此，優選第三薄膜230具有約300μm或更薄的厚度t3，原因在于第三薄膜230的過大厚度可能引起腔室結構100的結構特性不穩定。當第三薄膜230具有至少約20μm或更大的厚度t3時，組裝部分不會影響腔室結構100。

此外，第三薄膜230可具有范圍為約2μm至約10μm的粗糙度，以便在組裝區域穩定地收集副產物。當第三薄膜230具有小于約2μm的粗糙度時，第三薄膜230的表面區域可能過小而難以穩定地收集副產物。因此，第三薄膜230具有小于約2μm的粗糙度是不優選的。第三薄膜230具有大于約10μm的粗糙度時，在間隙中互相接觸的部件可能損傷。因此，第三薄膜230具有大于約10μm的粗糙度是不優選的。

在此方式中，由于涂層結構200用第二金屬材料在腔室結構100的暴露于反應空間130的內表面上形成，而第二金屬材料包括與用于在對象10上形成導電薄膜15的靶材20中包括的第一金屬材料實質上相同的金屬元素，因此在對象10上沉積導電薄膜15的工藝中，能夠通過涂層結構200以強結合力穩定地收集蒸鍍并沉積于內表面上的副產物。因此，由于能夠防止蒸鍍并沉積至腔室結構100的內表面上的副產物由內表面剝離而污染對象10的工藝問題，本公開可對由對象10制造的半導體芯片以及顯示設備的質量改進以及提高半導體芯片與顯示設備的制造收率有大的貢獻。

以下將進一步參照圖4，詳細地說明用于沉積薄膜的裝置的內部構件1000的制造方法。

圖4為漸次地表示圖1中所示的用于沉積薄膜的裝置的內部構件的制造方法的流程圖。

進一步參照圖4，為了制造用于沉積薄膜的裝置的內部構件，首先準備的是用于沉積薄膜的裝置的腔室結構100(S100)，腔室結構100包括：對象支撐單元110，其上放置有待處理的對象10；靶材支撐單元120，其支撐靶金屬20；以及側壁結構140，其將對象支撐單元110的端部與靶材支撐單元120的端部聯接；并具有腔室結構100內的反應空間130。腔室結構100可由具有優異耐腐蝕性及優異耐熱性的不銹鋼金屬(SUS)或鋁(Al)形成。

其次，噴砂處理暴露于腔室結構100的反應空間的內表面，以具有范圍為約2μm至約10μm的粗糙度(S200)。執行此操作使得第一薄膜210在具有足夠的表面積以及穩定的結合力下涂布到腔室結構100的內表面上。

接著，通過采用電弧噴涂法或火焰噴涂法涂布，在腔室結構100中經噴砂處理的內表面上形成第一薄膜(S300)。第一薄膜可使用中間金屬材料形成。于此，中間金屬材料優選地具有比內表面低或相等的熱膨脹系數，以便導熱地并且穩定地與腔室結構100的內表面結合。

此時，在對象10上形成源自靶材20的導電薄膜15的工藝中，可以以范圍為約10μm至約40μm的粗糙度來形成第一薄膜210的表面，以便收集副產物至涂層結構200。于是，副產物以強結合力粘附到暴露于腔室結構100的內表面。此外，第一薄膜210可以根據其粗糙度來形成范圍為約50μm至約500μm的厚度t1，使得腔室結構100的內表面不受損傷，也不會從其內表面剝離。

其次，通過等離子體噴涂法來在第一薄膜210上涂布包括第一金屬材料中包括的至少一種元素)的第二金屬材料，以形成第二薄膜220(S400)。于此，第二金屬材料可具有低于或等于前述中間金屬材料的熱膨脹系數，從而導熱地并且穩定地與第一薄膜210結合。

此時，在由第一薄膜210形成的粗糙度保持完好無損的同時，涂布第二薄膜220。此外，第二薄膜220可以以范圍為約20μm至約80μm的厚度t2來涂布，以穩定地涂布到第一薄膜210上。進一步地，第二薄膜220可以以范圍為約2％至約8％的孔隙率來形成，以發揮緩沖的功能，使得通過真空沉積法產生的熱不會被傳送到腔室結構100的內表面。因此，第一薄膜210也可具有范圍為約6％至約8％的孔隙率，如同第二薄膜220，能更有效地起到緩沖熱的作用。

此外，當第二薄膜220被涂布到第一薄膜210上時，使第一薄膜210的粗糙度的變化下降。以下，進一步參照圖5至圖7詳細地說明。

圖5表示考察以圖4中所示的方法只涂布第一薄膜時粗糙度偏差的圖，而圖6表示考察以圖4中所示的方法在第一薄膜上涂布第二薄膜時粗糙度偏差的圖，而圖7為表示圖5中僅涂布第一薄膜以及圖6中涂布第一和第二薄膜時的粗糙度分布的圖。

進一步參照圖5至圖7，當在腔室結構100的內表面上用厚度約150μm的鋁(Al)電弧噴涂僅第一薄膜210時，如圖5中所示，P值為0.019，呈非正態分布，并且標準偏差為98.98。另一方面，當第一以及第二薄膜210以及220分別地通過鋁(Al)的電弧噴涂以及通過鈦(Ti)的等離子體噴涂法、并且依序在腔室結構100的內表面上以約150μm以及約40μm的厚度涂布時，如圖6中所示，P值為0.440，呈正態分布，并且標準偏差為22.40，經確認此兩值較僅涂布第一薄膜210時低得多。

通過此步驟，當第一以及第二薄膜210以及220被依次涂布到腔室結構100的內表面上時，確認如圖7中所示那樣，當整體粗糙度均勻地分布時，可以以更為穩定的結合力來收集薄膜副產物。

特別地，與上述實施例不同，當第一以及第二薄膜210以及220各自的粗糙度均勻度下降時，第二薄膜220上收集到的副產物的生長方向互相碰撞以產生應力集中，以致當真空沉積法進行時第二薄膜220上收集的副產物從第二薄膜220分離。也就是說，當第一以及第二薄膜210以及220各自的整體粗糙度均勻分布時，副產物可在第二薄膜220上在均勻方向上生長以防止應力集中。

同時，當第二薄膜220通過等離子體噴涂法、高速氧燃料噴涂法(HVOF)、或高速空氣燃料噴涂法(HVAF)中的任一個形成時，可形成扁平粒子(splat)以取得改善的鋪展性以及優異的粘合性。此時，優選地，扁平粒子的尺寸在約50μm至約200μm的范圍，使得薄膜副產物均勻地生長。

盡管本實施例敘述通過在腔室結構100的內表面上涂布第一薄膜210以及第二薄膜220兩者來制造用于沉積薄膜裝置的內部構件1000，需理解的是，對于如圖3所示在腔室結構100的內表面上諸如對象支撐單元110、靶材支撐單元120以及側壁結構140等部件被組裝的部位，可以作為第三薄膜230的另一種形式，如圖3所示在腔室結構100的內表面上只涂布第二薄膜220，不涂布第一薄膜210。

盡管參照其例示實施例具體地示出并說明本發明，但應理解本領域技術人員可在不脫離實施例本質特征的情況下，在形式以及細節上做出各種變化。

工業實用性

如以上詳細說明那樣，由于通過用包括用以在對象上形成薄膜的靶材的金屬材料在暴露于腔室結構的反應空間的腔室結構的內表面上形成涂布層來制造用于薄膜沉積設備的內部構件，因此在通過使用靶材在對象上沉積薄膜的工藝中，可以以強結合力通過涂層結構來穩定地收集蒸鍍并且沉積在內表面上的副產物。因此可以防止在腔室結構的內表面上蒸鍍并且沉積的薄膜副產物從內表面剝離以污染對象的工藝問題。