低發射比的選擇性太陽能熱吸收涂層的制作方法
【專利摘要】一種低發射比的選擇性太陽能熱吸收涂層，由上往下依次包括減反層、主吸收性涂層、高反射基底層以及覆蓋于該高反射基底層下表面的一用于提高和改善選擇性太陽能熱吸收涂層的附著性和/或抗腐蝕性的薄膜涂層。本實用新型通過增設所述薄膜涂層，可以增厚紅外高反射基底層的厚度，而這些較厚的涂層能夠輕易地使選擇性太陽能熱吸收涂層擁有更低的紅外發射比。在擁有更低紅外發射比的同時，選擇性太陽能熱吸收涂層受基材條件的影響也更小。
【專利說明】低發射比的選擇性太陽能熱吸收涂層
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及一種用于平板太陽能集熱器的選擇性太陽能熱吸收涂層，尤其是指一種低發射比的選擇性太陽能熱吸收涂層。
【背景技術】
[0002]對于平板太陽能集熱器的應用來說，最常見和普遍的一種制備技術就是在金屬板材上制備選擇性太陽能熱吸收涂層。就目前而言，絕大多數的選擇性太陽能熱吸收涂層是采用真空鍍膜的工藝制得。
[0003]利用真空鍍膜的方法制備選擇性太陽能熱吸收涂層，這種方法包括了一種多層薄膜的結構，以此形成一個選擇性太陽能熱吸收涂層的膜系。通常情況下選擇性太陽能熱吸收涂層包括了一層高反射基底層，此高反射基底層擁有較低的紅外發射率。在紅外高反射基底層之上堆疊一層或多層的中間亞層，這種中間亞層結構構成了選擇性太陽能熱吸收涂層的吸收層和干涉阻擋層。頂層是一層或多層用于減少反射的膜層(減反層)。
[0004]就目前而言，紅外高反射層通常是由直流或中頻磁控濺射進行鍍制，經過直流或中頻磁控濺射所鍍的紅外高反射層能夠幫助降低整個選擇性太陽能熱吸收涂層的紅外發射比。但是為了讓沉積率和生產能力能夠達到最優的情況，磁控濺射所鍍的涂層的厚度是受到限制的。較薄的涂層厚度下涂層的紅外發射比相對于較厚的涂層將會受到基材條件更多的限制(例如:基材表面粗糙度和基材表面的純度)，不利于在擁有相對較高的生產能力的情況下進行大規模生產。
實用新型內容
[0005]本實用新型提供一種低發射比的選擇性太陽能熱吸收涂層，其主要目的在于克服現有直流或中頻磁控濺射所鍍的紅外高反射層存在的鍍膜厚度受限、不利于大規模生產的缺陷。
[0006]為解決上述技術問題，本實用新型采用如下技術方案:
[0007]一種低發射比的選擇性太陽能熱吸收涂層，:由上往下依次包括減反層、主吸收性涂層、高反射基底層以及覆蓋于該高反射基底層下表面的一用于提高和改善選擇性太陽能熱吸收涂層的附著性和/或抗腐蝕性的薄膜涂層。
[0008]進一步的，所述薄膜涂層為金屬涂層、金屬氧化物涂層、金屬氮化物涂層或者金屬氮氧化物涂層。
[0009]進一步的，所述高反射基底層為采用大面積電子束蒸發鍍膜工藝制得的鋁鍍層、銅鍍層或者銀鍍層。
[0010]進一步的，還包括一金屬帶基材，該金屬帶基材的上表面覆蓋有所述薄膜涂層。
[0011]進一步的，所述金屬帶基材為鋁帶、不銹鋼帶或者銅帶。
[0012]進一步的，所述高反射基底層的厚度為50nm?lOOOnm。
[0013]進一步的，所述減反層包括一作為次減反層的TCO透明導電氧化物涂層以及一作為主減反層的Si02 (S1x)氧化物涂層，所述Si02 (S1x)氧化物涂層覆蓋于所述TC0透明導電氧化物涂層。
[0014]和現有技術相比，本實用新型產生的有益效果在于:
[0015]1、本實用新型設計巧妙、實用性強，通過增設所述薄膜涂層，可以增厚紅外高反射基底層的厚度，而這些較厚的涂層能夠輕易地使選擇性太陽能熱吸收涂層擁有更低的紅外發射比。在擁有更低紅外發射比的同時，選擇性太陽能熱吸收涂層受基材條件的影響也更小。
[0016]2、在本實用新型中，通過在電子束蒸發鍍制的較厚的高反射基底層之下再鍍上一層較薄的薄膜可以提高和改善選擇性太陽能熱吸收涂層的附著性和/或抗腐蝕性。鍍制這種較薄的能夠提高和改善膜系附著性和/或抗腐蝕性的涂層的方法可以是DC或AC磁控濺射工藝。這種薄膜涂層的成分可以是一種金屬Me或一種金屬氧化物MeOx或一種金屬氮化物MeNy或一種金屬氮氧化物MeOxNy。在電子束蒸發鍍制的較厚的高反射基底層之下再鍍上一層較薄的可以提高和改善膜系附著性和/或抗腐蝕性的薄膜，這樣就形成了一種具有紅外高反射特性的選擇性太陽能熱吸收涂層膜系。
[0017]3、在本實用新型中，通過使用透明導電薄膜(TC0)來作為選擇性太陽能熱吸收涂層亞層結構中的減反層，在選擇性太陽能熱吸收涂層的亞層結構中使用TC0涂層作為減反層能夠使減反層具有較好的性能，而且對于大面積選擇性太陽能熱吸收涂層制備的生產能力來說也是相當高的。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0018]圖1為本實用新型中所述選擇性太陽能熱吸收涂層的結構示意圖。
[0019]圖2為本實用新型實施例四的中間亞層結構AZ0/Si02減反層和單層Si02減反層選擇性太陽能熱吸收涂層膜系反射率光譜的對比示意圖。
[0020]圖3為本實用新型實施例五的中間亞層結構AZ0/Si02減反層和單層Si02減反層選擇性太陽能熱吸收涂層膜系反射率光譜的對比示意圖。
【具體實施方式】
[0021]參照圖1。一種低發射比的選擇性太陽能熱吸收涂層，由上往下依次包括減反層、主吸收性涂層3以及高反射基底層4，該高反射基底層4采用大面積電子束蒸發鍍膜工藝制備而成，這種鍍膜工藝所使用的蒸發材料為鋁、銅或者銀。所述減反層包括一作為次減反層的TC0透明導電氧化物涂層2以及一作為主減反層的Si02 (S1x)氧化物涂層1，所述Si02 (S1x)氧化物涂層1覆蓋于所述TC0透明導電氧化物涂層2。
[0022]進一步的，所述高反射基底層4的下表面覆蓋有一用于提高和改善選擇性太陽能熱吸收涂層的附著性和/或抗腐蝕性的薄膜涂層6。
[0023]進一步的，所述薄膜涂層6的成分為至少一種金屬、至少一種金屬氧化物、至少一種金屬氮化物、至少一種金屬氮氧化物或者以上金屬、金屬氧化物、金屬氮化物和金屬氮氧化物的任意組合。
[0024]進一步的，所述薄膜涂層6采用DC磁控濺射工藝或者AC磁控濺射工藝鍍制于所尚反射基底層4的下表面。
[0025]進一步的，該選擇性太陽能熱吸收涂層被鍍制于一金屬帶基材5上。
[0026]進一步的，所述金屬帶基材5為鋁帶、不銹鋼帶或者銅帶。
[0027]進一步的，所述高反射基底層4的厚度為50nm?lOOOnm。
[0028]一種選擇性太陽能熱吸收涂層的制備方法，包括以下步驟:
[0029]步驟1、使用DC磁控濺射工藝或者AC磁控濺射工藝，以鋁帶、不銹鋼帶或銅帶為金屬帶基材5，在該金屬帶基材5上鍍上一層用于提高和改善選擇性太陽能熱吸收涂層的附著性和/或抗腐蝕性的薄膜涂層6，其中該薄膜涂層6的成分為至少一種金屬、至少一種金屬氧化物、至少一種金屬氮化物、至少一種金屬氮氧化物或者以上金屬、金屬氧化物、金屬氮化物和金屬氮氧化物的任意組合。
[0030]步驟2、采用大面積電子束蒸發鍍膜工藝，以鋁、銅或者銀作為蒸發材料，在步驟1制得的薄膜涂層6上鍍上一層高反射基底層4。
[0031]步驟3、使用電子束蒸發或者AC磁控濺射工藝，在步驟2獲得的高反射基底層4上鍍上一到多個涂層來建立選擇性太陽能熱吸收涂層膜系的主吸收性涂層。
[0032]步驟4、通過使用DC磁控濺射工藝，以Zn0:A1203 (AZ0)、Zn0:Ga203 (GZ0)或In203: Sn02 (ITO)作為所述復合TCO靶材，在步驟3獲得的主吸收性涂層上鍍上一 TC0透明導電氧化物涂層2。
[0033]步驟5、通過使用電子束蒸發或者AC磁控濺射工藝，在步驟4a獲得的TC0透明導電氧化物涂層2上鍍上一 Si02 (S1x)氧化物涂層1。
[0034]本實用新型設計巧妙、實用性強，通過使用一種大面積電子束蒸發鍍膜工藝來制備選擇性太陽能熱吸收涂層的紅外高反射基底層4，可以增厚紅外高反射基底層4的厚度，而這些較厚的涂層能夠輕易地使選擇性太陽能熱吸收涂層擁有更低的紅外發射比。在擁有更低紅外發射比的同時，選擇性太陽能熱吸收涂層受基材條件的影響也更小。同時，可以在擁有相對較高的生產能力的情況下，實現對選擇性太陽能熱吸收涂層的紅外高反射基底層4質量的改善，進而能夠幫助改善并提高平板太陽能集熱器的使用性能。
[0035]在本實用新型中，通過在電子束蒸發鍍制的較厚的高反射基底層4之下再鍍上一層較薄的薄膜可以提高和改善選擇性太陽能熱吸收涂層的附著性和/或抗腐蝕性。鍍制這種較薄的能夠提高和改善膜系附著性和/或抗腐蝕性的涂層的方法可以是DC或AC磁控濺射工藝。這種薄膜涂層6的成分可以是一種金屬Me或一種金屬氧化物MeOx或一種金屬氮化物MeNy或一種金屬氮氧化物MeOxNy。在電子束蒸發鍍制的較厚的高反射基底層4之下再鍍上一層較薄的可以提高和改善膜系附著性和/或抗腐蝕性的薄膜，這樣就形成了一種具有紅外高反射特性的選擇性太陽能熱吸收涂層膜系。
[0036]以下提供幾個本實用新型中上述減反層的優選實施例
[0037]實施例一
[0038]一種基于TC0材料的減反層，包括一作為次減反層的TC0透明導電氧化物涂層2以及一作為主減反層的Si02 (S1x)氧化物涂層1，所述Si02 (S1x)氧化物涂層1覆蓋于所述TC0透明導電氧化物涂層2。所述TC0透明導電氧化物涂層2是通過使用復合TC0靶材的DC磁控濺射工藝來制備的。所述Si02 (S1x)涂層是通過使用電子束蒸發或者AC磁控濺射工藝來進行制備的。所述復合TC0靶材為金屬氧化物或金屬氧化物的混合體。所述復合 TC0 靶材為 Zn0:A1203 (AZ0)。
[0039]本實施例采用AZO這種半導體性質的涂層材料具有較高的折射率，可以替代傳統選擇性太陽能熱吸收涂層膜系中間亞層結構中的次減反層材料。對比傳統選擇性太陽能熱吸收涂層膜系中間亞層結構使用的次減反層材料(通常是陶瓷絕緣材料)，一般情況下要使用MF中頻或RF射頻濺射工藝來制備這些涂層。而AZO (氧化鋅鋁)這種半導體性質的涂層材料可以通過DC直流濺射或DC脈沖直流濺射工藝進行涂層的制備，并且在DC直流濺射或DC脈沖直流濺射工藝條件下制備AZO半導體涂層能夠獲得比使用MF中頻或RF射頻濺射工藝制備陶瓷絕緣材料更高的沉積率。
[0040]本實施例使用AZO這種半導體性質的涂層材料作為選擇性太陽能熱吸收涂層膜系中間亞層結構的一部分，能夠通過降低選擇性太陽能熱吸收涂層產品光譜某些波長區域上的光譜反射率，來提高產品光譜在對應波長區域上的光譜吸收率。和傳統的選擇性太陽能熱吸收涂層膜系使用陶瓷絕緣材料作為中間亞層結構的減反層效果相同，能夠獲得相似的光學指標參數。除了上面提到的使用AZO半導體材料的優點外，AZO靶材相對于ITO靶材(氧化銦錫靶材)來說，制造成本和價格相對較便宜。
[0041]實施例二
[0042]一種基于TCO材料的減反層，包括一作為次減反層的TCO透明導電氧化物涂層2以及一作為主減反層的Si02 (S1x)氧化物涂層1，所述Si02 (S1x)氧化物涂層I覆蓋于所述TCO透明導電氧化物涂層2。所述TCO透明導電氧化物涂層2是通過使用復合TCO靶材的DC磁控濺射工藝來制備的。所述Si02 (S1x)涂層是通過使用電子束蒸發或者AC磁控濺射工藝來進行制備的。所述復合TCO靶材為金屬氧化物或金屬氧化物的混合體。所述復合 TCO 靶材為 ZnO: Ga203 (GZO)。
[0043]本實施例使用GZO這種半導體性質的涂層材料具有較高的折射率，可以替代傳統選擇性太陽能熱吸收涂層膜系中間亞層結構中的次減反層材料。對比傳統選擇性太陽能熱吸收涂層膜系中間亞層結構使用的次減反層材料(通常是陶瓷絕緣材料)，一般情況下要使用MF中頻或RF射頻濺射工藝來制備這些涂層。而GZO (氧化鋅鎵)這種半導體性質的涂層材料可以通過DC直流濺射或DC脈沖直流濺射工藝進行涂層的制備，并且在DC直流濺射或DC脈沖直流濺射工藝條件下制備GZO半導體涂層能夠獲得比使用MF中頻或RF射頻濺射工藝制備陶瓷絕緣材料更高的沉積率。GZO半導體涂層材料相對于AZO半導體涂層材料來說，具有更高的化學穩定性。
[0044]本實施例使用GZO這種半導體性質的涂層材料作為選擇性太陽能熱吸收涂層膜系中間亞層結構的一部分，能夠通過降低選擇性太陽能熱吸收涂層產品光譜某些波長區域上的光譜反射率，來提高產品光譜在對應波長區域上的光譜吸收率。和傳統的選擇性太陽能熱吸收涂層膜系使用陶瓷絕緣材料作為中間亞層結構的減反層效果相同，能夠獲得相似的光學指標參數。
[0045]實施例三
[0046]一種基于TCO材料的減反層，包括一作為次減反層的TCO透明導電氧化物涂層2以及一作為主減反層的Si02 (S1x)氧化物涂層1，所述Si02 (S1x)氧化物涂層I覆蓋于所述TCO透明導電氧化物涂層2。所述TCO透明導電氧化物涂層2是通過使用復合TCO靶材的DC磁控濺射工藝來制備的。所述Si02 (S1x)涂層是通過使用電子束蒸發或者AC磁控濺射工藝來進行制備的。所述復合TCO靶材為金屬氧化物或金屬氧化物的混合體。所述復合 TCO 革巴材為 In203: Sn02 (ITO)。
[0047]本實施例使用IT0這種半導體性質的涂層材料具有較高的折射率，可以替代傳統選擇性太陽能熱吸收涂層膜系中間亞層結構中的次減反層材料。對比傳統選擇性太陽能熱吸收涂層膜系中間亞層結構使用的次減反層材料(通常是陶瓷絕緣材料)，一般情況下要使用MF中頻或RF射頻濺射工藝來制備這些涂層。而ΙΤ0 (氧化銦錫)這種半導體性質的涂層材料可以通過DC直流濺射或DC脈沖直流濺射工藝進行涂層的制備，并且在DC直流濺射或DC脈沖直流濺射工藝條件下制備IT0半導體涂層能夠獲得比使用MF中頻或RF射頻濺射工藝制備陶瓷絕緣材料更高的沉積率。在所有的TC0 (透明導電氧化物)涂層材料之中，IT0這種半導體涂層材料是最主要的一種制備選擇性太陽能熱吸收涂層次減反層的材料，因為它具有相對較高的光學(及電學)性能。
[0048]實施例四:本實用新型實施例一的相關實驗數據及圖表
[0049]圖2為中間亞層結構AZ0/Si02減反層和單層Si02減反層選擇性太陽能熱吸收涂層膜系反射率光譜的對比示意圖。
[0050]在示意圖中可以很明顯地看到，具有AZ0/Si02中間亞層結構減反層的選擇性太陽能熱吸收涂層膜系的反射率光譜在某些波長區域上的反射率較低。通過這種現象，能夠使選擇性太陽能熱吸收產品在可見光與近紅外波長區域上的整體熱吸收率變得更高。這種可見光與近紅外波長區域上的整體熱吸收率是根據相關的ISO 9050國際標準進行計算獲得的。在示意圖中的光譜曲線對比中，主要的差異是:單層Si02減反層的相對熱吸收率為94.32%，而中間亞層結構AZ0/Si02減反層的相對熱吸收率高達95.5%。這就意味著使用中間亞層結構AZ0/Si02作為選擇性太陽能熱吸收涂層膜系的減反層能夠為熱吸收產品的整體熱吸收率帶來超過1%的指標提升。
[0051]實施例五本實用新型實施例一的相關實驗數據及圖表
[0052]圖3 (光譜曲線圖在可見光及近紅外波長區域上的細節顯示):中間亞層結構AZ0/Si02減反層和單層Si02減反層選擇性太陽能熱吸收涂層膜系反射率光譜的對比示意圖。
[0053]在該圖中能夠更加詳細地顯示出使用中間亞層結構AZ0/Si02減反層對比單層Si02減反層，在太陽光譜可見光及近紅外波長區域上熱吸收率光學參數指標的提升。這將給選擇性太陽能熱吸收產品的光學指標和性能帶來質的飛躍！
[0054]以下提供幾個本實用新型中上述高反射基底層4的優選實施例
[0055]實施例六
[0056]一種高反射基底層4，該高反射基底層4采用大面積電子束蒸發鍍膜工藝制備而成，這種鍍膜工藝所使用的蒸發材料為鋁。所述高反射基底層4的厚度大于或等于50nm并且小于或等于lOOOnm。
[0057]本實施例采用鋁作為蒸發材料的優點是:鋁較輕且具有良好的導電和導熱性能，作為蒸發材料能夠獲得較高的蒸發率。用鋁作為紅外高反射基底層4，配合其他涂層結構所制備的選擇性太陽能熱吸收涂層產品具有一定的生產能力。作為紅外反射層在紅外光譜區域能夠提供較高的反射率，以獲得更低的太陽能熱吸收涂層發射比，進一步提高太陽能熱吸收涂層的光熱轉換效率。鋁比較便宜，對于制備性能優良的低發射比太陽能熱吸收涂層的紅外反射層來說，成本更低。
[0058]實施例七
[0059]一種高反射基底層4，該高反射基底層4采用大面積電子束蒸發鍍膜工藝制備而成，這種鍍膜工藝所使用的蒸發材料為銀。所述高反射基底層4的厚度大于或等于50nm并且小于或等于lOOOnm。
[0060]本實施例采用銀作為蒸發材料的優點是:銀作為蒸發材料，具有所有金屬中最高的導電和導熱性。相比鋁蒸發材料來說，在相同的蒸發沉積條件下具有較高的蒸發率。用銀作為紅外高反射基底層4，配合其他涂層結構所制備的選擇性太陽能熱吸收涂層產品具有一定的生產能力。作為紅外反射層在紅外光譜區域能夠提供比鋁更高的反射率，以獲得更低的太陽能熱吸收涂層發射比，進一步提高太陽能熱吸收涂層的光熱轉換效率。
[0061]實施例八
[0062]一種高反射基底層4，該高反射基底層4采用大面積電子束蒸發鍍膜工藝制備而成，這種鍍膜工藝所使用的蒸發材料為銅。所述高反射基底層4的厚度大于或等于50nm并且小于或等于lOOOnm。
[0063]本實施例采用銅作為蒸發材料的優點是:銅是不太活潑的重金屬，在常溫下不與干燥空氣中的氧化合，提高了太陽能熱吸收涂層的耐候性和抗腐蝕性。銅對比鋁作為蒸發材料來說，具有更好的導電和導熱性。銅在這三種蒸發材料中，在相同的蒸發沉積條件下具有最高的蒸發率，這就意味著在一定程度上以較快的帶材運行速度也能夠獲得一定厚度的銅涂層，進一步提高了選擇性太陽能熱吸收涂層產品的生產能力。作為紅外反射層在紅外光譜區域能夠提供較高的反射率，以獲得更低的太陽能熱吸收涂層發射比，進一步提高太陽能熱吸收涂層的光熱轉換效率。
[0064]綜上所述，鋁、銀和銅這三種蒸發材料都非常適合在本實用新型中用作選擇性太陽能熱吸收涂層的紅外高反射基底層4的蒸發材料。
[0065]另外，在本實用新型中，電子束蒸發和磁控濺射一樣都是物理氣象沉積技術并且它們可以被使用在各種各樣不同的應用領域中。使用磁控濺射進行大面積鍍膜是一種廣泛分布及使用的真空鍍膜技術。大面積電子束蒸發鍍膜技術的分布和使用具有一定的范圍性限制，因為較大規模的電子束蒸發系統的專利權問題給國內的其它廠家帶來了一定的技術難度。目前國內制造的電子束蒸發系統多半是在一些科研機構及大學實驗室中應用，而且這些電子束蒸發系統的規模較小，只能被用來執行一些小面積的電子束蒸發鍍膜工藝，例如:半導體硅晶片的鍍膜。所以，如果國內的其它廠家想要應用電子束蒸發工藝進行大面積鍍膜必須克服以下技術壁皇:
[0066]1、大規模電子束蒸發系統具有較高的系統復雜性和對電子束進行控制的高要求性；
[0067]2、需要較大的真空腔體以及對所配置的真空抽氣系統有較高的要求。
[0068]以上便是為什么對于大多數的國內廠家來說，他們的首選是使用磁控濺射工藝來制備相關的選擇性太陽能熱吸收涂層。并且由于如果使用磁控濺射工藝制備選擇性太陽能熱吸收涂層中較厚的紅外高反射基底層4需要大大增加磁控濺射設備的數量，才能將相應的涂層堆疊到一定的厚度。這樣將會間接地提高設備及生產的成本，同時應用磁控濺射工藝制備較薄的紅外高反射基底層4而獲得的選擇性太陽能熱吸收膜系對所使用金屬帶基材5材料的質量有更高的要求。因為較薄的紅外高反射基底層4無法彌補金屬帶基材5材料(例如:基材表面粗糙度和基材表面的純度)給選擇性太陽能熱吸收涂層膜系所帶來的影響。例如:如果金屬帶基材5的表面粗糙度不理想的話，意味著在基材表面上存在著一定的凸起、凹坑及表面高低參差不齊的現象，所以有些時候在金屬帶基材5表面鍍上的涂層無法覆蓋這些凸起或凹坑的部位。或者從嚴格的意義上說，即使制備的涂層厚度足以覆蓋這些缺陷，但是這會造成選擇性太陽能熱吸收涂層表面的界面上出現一些類似表面弛豫、表面重構、晶體結構的層錯、位錯及臺階化的界面問題，繼而導致被鍍涂層出現針孔現象。而且較薄的紅外高反射基底層4在經過鍍膜工藝并接觸大氣環境后，更容易與大氣環境中的一些活潑性氣體(例如:N2、02或C02等)產生化學反應形成相應的金屬氧化物或金屬氮化物，進而降低紅外高反射基底層4的反射率。隨著紅外高反射基底層4反射率的降低，對選擇性太陽能熱吸收涂層膜系的整體發射比將會產生嚴重影響。通過將選擇性太陽能熱吸收涂層膜系中的紅外高反射基底層4鍍制地更厚的辦法能夠在一定程度上解決這些問題。
[0069]在大面積PVD鍍膜生產中使用電子束蒸發工藝具有一定的優勢，應用電子束蒸發工藝能夠在一定程度上縮減設備及生產的成本并且利用該工藝可以更容易地制備出較厚的紅外高反射基底層4。而較厚的紅外高反射基底層4對于選擇性太陽能熱吸收涂層膜系來說，在保證膜系吸收比的前提下，可以進一步降低選擇性太陽能熱吸收膜系整體的發射比，從而提高選擇性太陽能熱吸收產品的光熱轉換效率。所以，這里最重要的是從光學指標“發射比”的角度來提高選擇性太陽能熱吸收產品的質量，同時也能夠降低金屬帶基材5材料質量對選擇性太陽能熱吸收產品的影響。本 申請人:聲明該專利中涉及的鍍膜工藝方法具有以下特點:在大面積PVD鍍膜制備選擇性太陽能熱吸收產品的應用中，可以成功地利用一組高功率電子槍制備出一層較厚的紅外高反射基底層4。該較厚的紅外高反射基底層4能夠被應用到選擇性太陽能熱吸收涂層膜系中以降低膜系整體的發射比參數，進一步提高選擇性太陽能熱吸收產品的質量。而同時這種鍍膜工藝方法所制備的較厚的紅外高反射基底層4也能夠在一定程度上降低選擇性太陽能熱吸收產品對金屬帶基材5材料質量的依賴性。
[0070]這種鍍膜工藝方法使得將較厚的紅外高反射基底層4應用于大面積PVD鍍膜制備選擇性太陽能熱吸收產品成為一種可行的生產手段。同時，考慮到節約設備及生產成本的因素，使用電子束蒸發鍍膜工藝制備選擇性太陽能熱吸收涂層膜系的紅外高反射基底層4是一種切實有效的方法。
[0071]上述僅為本實用新型的【具體實施方式】，但本實用新型的設計構思并不局限于此，凡利用此構思對本實用新型進行非實質性的改動，均應屬于侵犯本實用新型保護范圍的行為。
【權利要求】
1.一種低發射比的選擇性太陽能熱吸收涂層，其特征在于:由上往下依次包括減反層、主吸收性涂層、高反射基底層以及覆蓋于該高反射基底層下表面的一用于提高和改善選擇性太陽能熱吸收涂層的附著性和/或抗腐蝕性的薄膜涂層。
2.如權利要求1所述一種低發射比的選擇性太陽能熱吸收涂層，其特征在于:所述薄膜涂層為金屬涂層、金屬氧化物涂層、金屬氮化物涂層或者金屬氮氧化物涂層。
3.如權利要求1所述一種低發射比的選擇性太陽能熱吸收涂層，其特征在于:所述高反射基底層為采用大面積電子束蒸發鍍膜工藝制得的鋁鍍層、銅鍍層或者銀鍍層。
4.如權利要求1所述一種低發射比的選擇性太陽能熱吸收涂層，其特征在于:還包括一金屬帶基材，該金屬帶基材的上表面覆蓋有所述薄膜涂層。
5.如權利要求4所述一種低發射比的選擇性太陽能熱吸收涂層，其特征在于:所述金屬帶基材為鋁帶、不銹鋼帶或者銅帶。
6.如權利要求3所述一種低發射比的選擇性太陽能熱吸收涂層，其特征在于:所述高反射基底層的厚度為50nm?lOOOnm。
7.如權利要求1所述一種低發射比的選擇性太陽能熱吸收涂層，其特征在于:所述減反層包括一作為次減反層的TCO透明導電氧化物涂層以及一作為主減反層的Si02 (S1x)氧化物涂層，所述Si02 (S1x)氧化物涂層覆蓋于所述TCO透明導電氧化物涂層。
【文檔編號】H01L31/0216GK204230256SQ201420803352
【公開日】2015年3月25日 申請日期:2014年12月18日 優先權日:2014年12月18日
【發明者】馬丁, 瑞納, 眭凌杰 申請人:福建新越金屬材料科技有限公司