一種軟恢復續流的二極管的制作方法
【專利摘要】本實用新型提供了一種軟恢復續流的二極管，所述二極管的陽極和陰極之間的基區采用緩沖層結構，所述的緩沖層結構為：在基區的N區從上至下依次設置有N1區和N2區；在基區的P區中鑲嵌有至少4個P+區；所述P區和4個P+區結構能控制空穴的注入效應。本實用新型的二極管的反向恢復時間快，耐壓性好；在高頻應用方面具有穩定的開關特性。
【專利說明】一種軟恢復續流的二極管
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及二極管制作【技術領域】，特別涉及一種軟恢復續流的二極管。
【背景技術】
[0002]大功率快速軟恢復二極管主要應用在高頻電力電子電路中，它與主回路中的晶閘管或IGBT等新型電力半導體開關器件相并聯，開關器件反向時，流過負載中的無功電流，減小電容的充電時間，同時抑制因負載電流瞬時反向而感應的過電壓尖峰。傳統的二極管的反向恢復時間不夠快，耐壓性不夠；這樣在硬開關過程中存在二極管反向恢復電流(Irm)增加了開關器件開通損耗率和過電壓尖峰，并且在快速di/dt開關時能夠產生電磁干擾。
實用新型內容
[0003]本實用新型要解決的技術問題，在于提供一種軟恢復續流的二極管，縮短二極管的反向恢復時間，提高反向恢復軟度，同時使二極管具有較高的耐壓，從而達到控制自調節發射效率和縮短反向恢復時間的目的。
[0004]本實用新型是這樣實現的:一種軟恢復續流的二極管，所述二極管的陽極和陰極之間的基區采用緩沖層結構，所述的緩沖層結構為:在基區的N區從上至下依次設置有N1區和隊區；在基區的P區中鑲嵌有至少4個P +區；所述P區和4個P +區結構能控制空穴的注入效應。
[0005]進一步地，所述4個P+區均勻分布于P區。
[0006]本實用新型的優點在于:本發明在基區的N區從上至下依次設置有NI區和N2區；在基區的P區中鑲嵌有至少4個P+區；快速軟恢復二極管的基區和陽極之間采用緩沖層結構，使得在空間電荷區擴展后的剩余基區內駐留更多的殘存電荷，并且駐留時間更長，提高了二極管的軟度。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0007]圖1是本實用新型的結構示意圖。
【具體實施方式】
[0008]請參閱圖1所示，一種軟恢復續流的二極管，所述二極管的陽極和陰極之間的基區采用緩沖層結構，所述的緩沖層結構為:在基區的N區從上至下依次設置有&區和化區；在基區的P區中鑲嵌有至少4個P+區；所述P區和4個P +區結構能控制空穴的注入效應；在基區的N區從上至下依次設置有N1區和\區，這樣N1區和N2區增加了二極管的耐性。
[0009]其中，所述4個P+區均勻分布于P區。從而達到控制自調節發射效率和縮短反向恢復時間的目的。
[0010]總之，本發明在基區的N區從上至下依次設置有NI區和N2區；在基區的P區中鑲嵌有至少4個P+區；快速軟恢復二極管的基區和陽極之間采用緩沖層結構，使得在空間電荷區擴展后的剩余基區內駐留更多的殘存電荷，并且駐留時間更長，提高了二極管的軟度。
[0011]以上所述僅為本實用新型的較佳實施例，凡依本實用新型申請專利范圍所做的均等變化與修飾，皆應屬本實用新型的涵蓋范圍。
【權利要求】
1.一種軟恢復續流的二極管，其特征在于:所述二極管的陽極和陰極之間的基區采用緩沖層結構，所述的緩沖層結構為:在基區的N區從上至下依次設置有N1區和1區；在基區的P區中鑲嵌有至少4個P+區；所述P區和4個P +區結構能控制空穴的注入效應。
2.根據權利要求1所述的一種軟恢復續流的二極管，其特征在于:所述4個P+區均勻分布于P區。
【文檔編號】H01L29/861GK204167327SQ201420656294
【公開日】2015年2月18日 申請日期:2014年11月5日 優先權日:2014年11月5日
【發明者】黃福仁, 黃賽琴, 戴 峰 申請人:福建安特微電子有限公司