離子注入角度測量裝置及離子注入系統的制作方法
【專利摘要】本實用新型提供一種離子注入角度測量裝置及離子注入系統，離子注入角度測量裝置至少包括：第一陣列結構、第二陣列結構、地線和安培表；所述第一陣列結構中包括多個沿橫向分布的法拉第杯，且相鄰法拉第杯之間形成有相同角度的夾角；所述第二陣列結構中包括多個沿縱向分布的法拉第杯，且相鄰法拉第杯之間形成有相同角度的夾角；所述離子注入角度測量裝置不需要其他操作即可以同時對離子束不同方向的注入角度進行測量，操作簡單，測量精度高；同時可以根據實際工藝的需要調整法拉第杯的數量及相鄰法拉第之間的夾角，提高測量的精確度；所述離子注入系統可以在所述離子注入角度測量裝置測量離子注入角度后實時地對離子注入角度進行調整補償。
【專利說明】離子注入角度測量裝置及離子注入系統
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及一種半導體工藝設備【技術領域】，特別是涉及一種離子注入角度測量裝置及離子注入系統。
【背景技術】
[0002]早在20世紀60年代，離子注入技術就應用在半導體器件的生產上。離子注入技術就是將某種元素的原子進行電離，并使其在電場中加速，獲得較高的速度后射入固體材料的表面，以該表這種材料表面的物理或者化學性能的一種技術。
[0003]隨著半導體工業的進步，半導體器件的特征尺寸和深度不斷縮小，特別是進入到65納米及以下節點，半導體器件本身所允許的閾值電壓Vt的變化范圍非常小，而離子注入劑量的準確性、均勻性等因素對半導體器件的閾值電壓會產生巨大的影響，例如，對于n-MOS器件而言，當技術節點為65nm時，n_M0S器件要求其閾值電壓的精度要達到土 15mV，當離子注入的角度改變1°時，n-MOS器件的閾值電壓將會出現15mV的變化；當技術節點為45nm時，n_M0S器件要求其閾值電壓的精度要達到± 10mV，當離子注入的角度改變1°時，n-MOS器件的閾值電壓將會出現21mV的變化；當技術節點為32nm時，n-MOS器件要求其閾值電壓的精度要達到±5mV，當離子注入的角度改變1°時，n-MOS器件的閾值電壓將會出現更加明顯的變化；這必將會影響半導體器件的性能。因此，為了保證半導體器件性能的穩定性，在對其進行離子注入的時候要嚴格控制離子注入的角度。
[0004]為了實現對離子注入的劑量和角度進行控制，需要閉環控制系統對離子注入的角度進行實時的測量，由于離子注入時離子束會被掃描為具有一定長和寬度的離子束流，要實現對離子注入的角度進行實時準確的測量，需要同時對離子束長度和寬度兩個方向同時進行測量。在現有技術中，需要借助如圖1至圖2所示的兩套測量系統來完成上述測量過程。其中圖1為X方向檢測系統，適于對所注入離子束進行縱向的測量，由圖1可知，所述X方向檢測系統中包括若干個相互平行設置的梳狀檢測結構12，由于離子束包括具有正電荷的大量導電雜質離子，當離子束進入所述梳狀檢測結構12碰撞時，在梳狀檢測結構12中將引起電子流動，即產生電流。當梳狀檢測結構12的傾斜角度與離子束的傾斜角度一致時，通過所述梳狀檢測結構12內的離子數就越多，即產生的電流最小。所述梳狀檢測結構12構成法拉第單元11，所述法拉第單元11與地線14電連接，所述法拉第單元11和所述地線14之間設有一安培表13。在使用的過程中，先將所述梳狀檢測結構12朝向離子注入的方向，且保持所述梳狀檢測結構12與注入截面相垂直；在進行離子注入時，不斷調整所法拉第單元11的偏轉角度，并記錄下來對應于所述法拉第單元11不同偏轉角度下所述安培表13所測得的電流值。比較安培表13所測得的電流值，最小電流值時所述法拉第單元11偏轉的角度即為離子在縱向上注入的角度，并將所述信息反饋給相應的調節系統根據實際需要進行補償。圖2為Y方向檢測系統，適于對所注入離子束進行橫向的測量，由圖2可知，所述Y方向檢測系統包括一個可以移動的法拉第杯15和位于所述可以移動的法拉第杯15后方的三個固定法拉第杯16，此處的可移動的法拉第杯15和固定法拉第杯16的電流檢測原理均與所述梳狀檢測結構12相同。當離子注入時，所述可以移動的法拉第杯15可以水平移動，當所述可以移動的法拉第杯15移動到某個位置時擋住了離子束，此時相應的固定法拉第杯16檢測不到離子束，其連接的安培表測量到的電流值為零。又由于所述可以移動的法拉第杯15與所述固定法拉第杯16的偏移差d為定值，而所述可以移動的法拉第杯15此時移動的水平距離L也可以測量出來，根據公式a =tan-1(d/L)計算出所述離子束相對于水平方向的傾斜角度值。
[0005]在現有工藝中，對離子注入角度測量的時候需要借助兩個測試系統分別對橫向和縱向的注入角度分別進行測量，且在進行縱向測量時，需要不斷調整梳狀物的傾斜角度才能找到與離子束注入方向一致的角度，在進行橫向測量時，需要移動法拉第杯和輔助法拉第杯結合使用，并通過相應的計算處理才能得出離子束注入的方向，整個操作過程比較復雜O
[0006]鑒于此，有必要設計一種新的離子注入角度測量裝置及離子注入系統用以解決上述技術問題。
實用新型內容
[0007]鑒于以上所述現有技術的缺點，本實用新型的目的在于提供一種離子注入角度測量裝置及離子注入系統，用于解決現有技術中不能同時對離子注入的不同方向同時進行測量，且測量過程復雜繁瑣的問題。
[0008]為實現上述目的及其他相關目的，本實用新型提供一種離子注入角度測量裝置，所述離子注入角度測量裝置包括第一陣列結構，所述第一陣列結構中包括多個沿橫向分布的法拉第杯，所述法拉第杯包括開口端和底部，所述開口端均朝向所述離子束入射方向；所述法拉第杯自所述第一陣列結構中間至兩側依次傾斜，使得兩相鄰法拉第杯之間形成相同角度的夾角；第二陣列結構，所述第二陣列結構中包括多個沿縱向分布的法拉第杯，所述法拉第杯包括開口端和底部，所述開口端均朝向所述離子束入射方向；所述法拉第杯自所述第二陣列結構中間至兩側依次傾斜，使得兩相鄰法拉第杯之間形成相同角度的夾角；地線，與所述第一陣列結構中的法拉第杯的底部和所述第二陣列結構中的法拉第杯的底部電連接；多個安培表，分別位于所述每個法拉第杯與所述地線之間。
[0009]作為本實用新型的離子注入角度測量裝置的一種優選方案，所述第一陣列結構中的法拉第杯開口端自所述第一陣列結構中間至兩側依次向兩側傾斜；所述第二陣列結構中的法拉第杯開口端自所述第二陣列結構中間至兩側依次向兩側傾斜。
[0010]作為本實用新型的離子注入角度測量裝置的一種優選方案，所述第一陣列結構中相鄰兩法拉第杯之間形成的夾角為0.05°?0.15° ;所述第二陣列結構中相鄰兩法拉第杯之間形成的夾角為0.05°?0.15°。
[0011]作為本實用新型的離子注入角度測量裝置的一種優選方案，所述第一陣列結構中相鄰兩法拉第杯之間形成的夾角為0.1° ;所述第二陣列結構中相鄰兩法拉第杯之間形成的夾角為0.1°。
[0012]作為本實用新型的離子注入角度測量裝置的一種優選方案，所述離子注入角度測量裝置還包括一殼體，適于放置和固定所述第一陣列結構中的法拉第杯和所述第二陣列結構中的法拉第杯。
[0013]本實用新型還提供一種離子注入系統，所述離子注入系統至少包含產生離子束的離子源；掃描系統，位于所述離子源的下游，適于控制離子束注入的束寬和離子束注入的角度；離子注入角度測量裝置，所述離子注入角度測量裝置至少包括第一陣列結構、第二陣列結構、地線和多個安培表；其中，所述第一陣列結構中包括多個沿橫向分布的法拉第杯，所述法拉第杯包括開口端和底部，所述開口端均朝向所述離子束入射方向；所述法拉第杯自所述第一陣列結構中間至兩側依次傾斜，使得兩相鄰法拉第杯之間形成相同角度的夾角；所述第二陣列結構中包括多個沿縱向分布的法拉第杯，所述法拉第杯包括開口端和底部，所述開口端均朝向所述離子束入射方向；所述法拉第杯自所述第二陣列結構中間至兩側依次傾斜，使得兩相鄰法拉第杯之間形成相同角度的夾角；所述地線與所述第一陣列結構中的法拉第杯的底部和所述第二陣列結構中的法拉第杯的底部電連接；所述安培表分別位于所述每個法拉第杯與所述地線之間；控制系統，適于獲得所述離子注入角度測量裝置中安培表測得的電流，并根據所獲得的電流控制所述掃描系統進行角度補償。
[0014]作為本實用新型的離子注入系統的一種優選方案，所述第一陣列結構中的法拉第杯開口端自所述第一陣列結構中間至兩側依次向兩側傾斜；所述第二陣列結構中的法拉第杯開口端自所述第二陣列結構中間至兩側依次向兩側傾斜。
[0015]作為本實用新型的離子注入系統的一種優選方案，所述第一陣列結構中相鄰兩法拉第杯之間形成的夾角為0.05°?0.15° ;所述第二陣列結構中相鄰兩法拉第杯之間形成的夾角為0.05°?0.15。ο
[0016]作為本實用新型的離子注入系統的一種優選方案，所述第一陣列結構中相鄰兩法拉第杯之間形成的夾角為0.1° ;所述第二陣列結構中相鄰兩法拉第杯之間形成的夾角為0.1。。
[0017]作為本實用新型的離子注入系統的一種優選方案，所述離子注入角度測量裝置還包括一殼體，適于放置和固定所述第一陣列結構中的法拉第杯和所述第二陣列結構中的法拉第杯。
[0018]作為本實用新型的離子注入系統的一種優選方案，所述離子注入系統還包括一質譜分析儀，位于所述離子源和所述掃描系統之間，適于分開/提取具有限定質量和/或電荷的咼子。
[0019]本實用新型的離子注入角度測量裝置及離子注入系統，具有以下有益效果:所述離子注入角度測量裝置包括多個分別沿橫向和沿縱向分布的法拉第杯，且相鄰法拉第杯之間形成有相同角度的夾角，所述離子注入角度測量裝置不需要其他操作即可以同時對離子束不同方向的注入角度進行測量，操作簡單，測量精度高；同時可以根據實際工藝的需要調整法拉第杯的數量及相鄰法拉第之間的夾角，提高測量的精確度；所述離子注入系統可以在所述離子注入角度測量裝置測量離子注入角度后實時地對離子注入角度進行調整補償。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0020]圖1顯示為現有技術中的X傾斜系統的結構示意圖。
[0021]圖2顯示為現有技術中的Y傾斜系統的結構示意圖。
[0022]圖3顯示為本實用新型的離子注入角度測量裝置的正視圖。
[0023]圖4顯示為本實用新型的離子注入角度測量裝置的俯視圖。
[0024]圖5顯示為本實用新型的離子注入系統的示意圖。
[0025]元件標號說明
[0026]11法拉第單元
[0027]12梳狀檢測結構
[0028]13安培表
[0029]14地線
[0030]15可以移動的法拉第杯
[0031]16固定法拉第杯
[0032]2離子注入角度測量裝置
[0033]20第一陣列結構
[0034]21法拉第杯
[0035]21a開口端
[0036]21b底部
[0037]22安培表
[0038]23地線
[0039]24第二陣列結構
[0040]25殼體
[0041]3離子源
[0042]4質譜分析儀
[0043]5掃描系統
[0044]6控制系統
[0045]7離子束
[0046]L可移動的法拉第杯水平方向移動的距離
[0047]d可移動的法拉第杯與固定法拉第杯的偏移差
[0048]α 兩相鄰法拉第杯之間的夾角
【具體實施方式】
[0049]以下通過特定的具體實例說明本實用新型的實施方式，本領域技術人員可由本說明書所揭露的內容輕易地了解本實用新型的其他優點與功效。本實用新型還可以通過另外不同的【具體實施方式】加以實施或應用，本說明書中的各項細節也可以基于不同觀點與應用，在沒有背離本實用新型的精神下進行各種修飾或改變。
[0050]請參閱圖3至圖5。須知，本說明書所附圖式所繪示的結構、比例、大小等，均僅用以配合說明書所揭示的內容，以供熟悉此技術的人士了解與閱讀，并非用以限定本實用新型可實施的限定條件，故不具技術上的實質意義，任何結構的修飾、比例關系的改變或大小的調整，在不影響本實用新型所能產生的功效及所能達成的目的下，均應仍落在本實用新型所揭示的技術內容得能涵蓋的范圍內。同時，本說明書中所引用的如“上”、“下”、“左”、“右”、“中間”及“一”等的用語，亦僅為便于敘述的明了，而非用以限定本實用新型可實施的范圍，其相對關系的改變或調整，在無實質變更技術內容下，當亦視為本實用新型可實施的范疇。
[0051]請參閱圖3至圖4，本實用新型提供一種離子注入角度測量裝置，所述離子注入角度測量裝置2至少包括第一陣列結構20，所述第一陣列結構20中包括多個沿橫向分布的法拉第杯21，所述法拉第杯21包括開口端21a和底部21b，所述開口端21a均朝向所述離子束入射方向；所述法拉第杯21自所述第一陣列結構20中間至兩側依次傾斜，使得兩相鄰法拉第杯20之間形成相同角度的夾角α ;第二陣列結構24，所述第二陣列結構24中包括多個沿縱向分布的法拉第杯21，所述法拉第杯21包括開口端2Ia和底部21b，所述開口端2Ia均朝向所述離子束入射方向；所述法拉第杯21自所述第二陣列結構24中間至兩側依次傾斜，使得兩相鄰法拉第杯21之間形成相同角度的夾角α ;地線23，與所述第一陣列結構20的法拉第杯21的底部21b和所述第二陣列結構24中的法拉第杯21的底部21b電連接；多個安培表22，分別位于所述每個法拉第杯21與所述地線23之間。
[0052]具體的，請參閱圖3，所述第一陣列結構20中的法拉第杯21開口端21a自所述第一陣列結構20中間至兩側依次向兩側傾斜，使得相鄰兩法拉第杯21之間形成的夾角α為0.05°?0.15°，優選地，本實施例中，所述兩相鄰法拉第杯21之間形成的夾角α為0.1° ;所述第二陣列結構24中的法拉第杯21開口端21a自所述第二陣列結構24中間至兩側依次向兩側傾斜，使得相鄰兩法拉第杯21之間形成的夾角α為0.05°?0.15°，優選地，本實施例中，所述兩相鄰法拉第杯21之間形成的夾角α為0.1°。
[0053]具體的，請參閱圖4，所述離子注入角度測量裝置2還包括一殼體25，所述第一陣列結構20中的法拉第杯21和所述第二陣列結構24中的法拉第杯21均固定于所述殼體25內。
[0054]所述離子注入角度測量裝置2的工作原理為:所述離子注入角度測量裝置2垂直置于目標晶圓(未示出)附近的離子束路徑上，且法拉第杯21的開口端21a朝向離子注入的方向，當離子束入射至所述離子注入角度測量裝置2時，所述離子束中的離子就會進入法拉第杯21的開口 21a，此時，與每個法拉第杯21底部相連接的安培表22會測得每個法拉第杯21產生的電流值。由于所述離子注入角度測量裝置2的第一陣列結構20和第二陣列結構24中的法拉第杯21具有不同的傾斜角度，無論在橫向還是在縱向，當離子束與所述法拉第杯21相平行時，入射至與其入射方向相平行的法拉第杯21內的離子最多，此時對應的安培表22的讀數為最大。因此，根據每個安培表22的讀數，分別找到第一陣列結構20和第二陣列結構24中與讀數最大的安培表22相連接的法拉第杯21，根據法拉第杯21所傾斜的角度，即可以得出離子注入的角度值。
[0055]請參閱圖5，本實用新型還提供一種離子注入系統，結合圖3和圖4可知，所述離子注入系統包括:產生離子束7的離子源3 ;掃描系統5，位于所述離子源3的下游，適于控制離子束7注入的束寬和離子束7注入的角度；質譜分析儀4，位于所述離子源3和所述掃描系統5之間，適于分開/提取具有限定質量和/或電荷的離子；離子注入角度測量裝置2，所述離子注入角度測量裝置2至少包括第一陣列結構20，所述第一陣列結構20中包括多個沿橫向分布的法拉第杯21，所述法拉第杯21包括開口端21a和底部21b，所述開口端21a均朝向所述離子束入射方向；所述法拉第杯21自所述第一陣列結構20中間至兩側依次傾斜，使得兩相鄰法拉第杯20之間形成相同角度的夾角α ;第二陣列結構24，所述第二陣列結構24中包括多個沿縱向分布的法拉第杯21，所述法拉第杯21包括開口端21a和底部21b，所述開口端21a均朝向所述離子束入射方向；所述法拉第杯21自所述第二陣列結構24中間至兩側依次傾斜，使得兩相鄰法拉第杯21之間形成相同角度的夾角α ;地線23，與所述第一陣列結構20的法拉第杯21的底部21b和所述第二陣列結構24中的法拉第杯21的底部21b電連接；多個安培表22，分別位于所述每個法拉第杯21與所述地線23之間；控制系統6，適于獲得所述離子注入角度測量裝置2中安培表22測得的電流，并根據所獲得的電流控制所述掃描系統5進行角度補償。
[0056]具體的，請結合圖3，所述第一陣列結構20中的法拉第杯21開口端21a自所述第一陣列結構20中間至兩側依次向兩側傾斜，使得相鄰兩法拉第杯21之間形成的夾角α等于所述掃描系統5進行角度補償的最小值，優選地，本實施例中，所述兩相鄰法拉第杯21之間形成的夾角α為0.05°?0.15° ;更為優選地，本實施例中，所述兩相鄰法拉第杯21之間形成的夾角α為0.1° ;所述第二陣列結構24中的法拉第杯21開口端21a自所述第二陣列結構24中間至兩側依次向兩側傾斜，使得相鄰兩法拉第杯21之間形成的夾角α等于所述掃描系統5進行角度補償的最小值，優選地，本實施例中，所述兩相鄰法拉第杯21之間形成的夾角α為0.05°?0.15° ;更為優選地，本實施例中，所述兩相鄰法拉第杯21之間形成的夾角α為0.1°。在現有的技術中，所述掃描系統5進行角度補償的最小值為0.1°，將所述兩相鄰法拉第杯21之間形成的夾角α均設為0.1°，所述兩相鄰法拉第杯21之間的夾角與所述掃描系統5進行角度補償的最小值一致，在所述掃描系統5能夠實現自動補償的前提下，使得測量的精度達到最大；若所述兩相鄰法拉第杯21的夾角小于所述掃描系統5角度補償的最小值，則所述掃描系統5根據角度偏差實現角度補償；若所述兩相鄰法拉第杯21的夾角大于所述掃描系統5角度補償的最小值，則測量的精度不夠高，不能實現對離子注入角度最大精度的控制。
[0057]具體的，請結合圖4，所述離子注入角度測量裝置2還包括一殼，25，所述第一陣列結構20中的法拉第杯21和所述第二陣列結構24中的法拉第杯21均固定于所述殼體25內。
[0058]所述離子注入系統的工作原理為:所述離子源3產生離子束7，并使所述離子束7投向所述質譜分析儀4，所述質譜分析儀4分開/提取具有限定質量和/或電荷的離子，并將提取后的離子束7投向所述掃描系統5，所述掃描系統5將入射的離子束7拉伸轉換為具有一定束寬和入射角度的離子束7并投向所述離子注入角度測量裝置2，所述離子注入角度測量裝置2對入射的離子束7進行X/縱向的角度測量，并將所測量的結果反饋至所述控制系統6，所述控制系統6將測得的入射角度值與預先設定的入射角度值進行比對，并根據實際情況控制所述掃描系統5進行角度糾正補償，已達到預定的注入效果。
[0059]綜上所述，本實用新型提供一種離子注入角度測量裝置和離子注入系統，所述離子注入角度測量裝置包括多個分別沿橫向和沿縱向分布的法拉第杯，且相鄰法拉第杯之間形成有相同角度的夾角，所述離子注入角度測量裝置不需要其他操作即可以同時對離子束不同方向的注入角度進行測量，操作簡單，測量精度高；同時可以根據實際工藝的需要調整法拉第杯的數量及相鄰法拉第之間的夾角，提高測量的精確度；所述離子注入系統可以在所述離子注入角度測量裝置測量離子注入角度后實時地對離子注入角度進行調整補償。
[0060]上述實施例僅例示性說明本實用新型的原理及其功效，而非用于限制本實用新型。任何熟悉此技術的人士皆可在不違背本實用新型的精神及范疇下，對上述實施例進行修飾或改變。因此，舉凡所屬【技術領域】中具有通常知識者在未脫離本實用新型所揭示的精神與技術思想下所完成的一切等效修飾或改變，仍應由本實用新型的權利要求所涵蓋。
【權利要求】
1.一種離子注入角度測量裝置，適于測量離子束注入的角度，其特征在于，所述離子注入角度測量裝置至少包括: 第一陣列結構，所述第一陣列結構中包括多個沿橫向分布的法拉第杯，所述法拉第杯包括開口端和底部，所述開口端均朝向所述離子束入射方向；所述法拉第杯自所述第一陣列結構中間至兩側依次傾斜，使得兩相鄰法拉第杯之間形成相同角度的夾角； 第二陣列結構，所述第二陣列結構中包括多個沿縱向分布的法拉第杯，所述法拉第杯包括開口端和底部，所述開口端均朝向所述離子束入射方向；所述法拉第杯自所述第二陣列結構中間至兩側依次傾斜，使得兩相鄰法拉第杯之間形成相同角度的夾角； 地線，與所述第一陣列結構中的法拉第杯的底部和所述第二陣列結構中的法拉第杯的底部電連接； 多個安培表，分別位于所述每個法拉第杯與所述地線之間。
2.根據權利要求1所述的離子注入角度測量裝置，其特征在于:所述第一陣列結構中的法拉第杯開口端自所述第一陣列結構中間至兩側依次向兩側傾斜；所述第二陣列結構中的法拉第杯開口端自所述第二陣列結構中間至兩側依次向兩側傾斜。
3.根據權利要求1所述的離子注入角度測量裝置，其特征在于:所述第一陣列結構中相鄰兩法拉第杯之間形成的夾角為0.05°?0.15° ;所述第二陣列結構中相鄰兩法拉第杯之間形成的夾角為0.05°?0.15°。
4.根據權利要求1所述的離子注入角度測量裝置，其特征在于:所述第一陣列結構中相鄰兩法拉第杯之間形成的夾角為0.1° ;所述第二陣列結構中相鄰兩法拉第杯之間形成的夾角為0.1°。
5.根據權利要求1所述的離子注入角度測量裝置，其特征在于:還包括一殼體，適于放置和固定所述第一陣列結構中的法拉第杯和所述第二陣列結構中的法拉第杯。
6.一種離子注入系統，其特征在于:所述離子注入角度測量裝置至少包括: 產生離子束的離子源； 掃描系統，位于所述離子源的下游，適于控制離子束注入的束寬和離子束注入的角度； 離子注入角度測量裝置，所述離子注入角度測量裝置至少包括第一陣列結構、第二陣列結構、地線和多個安培表；其中，所述第一陣列結構中包括多個沿橫向分布的法拉第杯，所述法拉第杯包括開口端和底部，所述開口端均朝向所述離子束入射方向；所述法拉第杯自所述第一陣列結構中間至兩側依次傾斜，使得兩相鄰法拉第杯之間形成相同角度的夾角；所述第二陣列結構中包括多個沿縱向分布的法拉第杯，所述法拉第杯包括開口端和底部，所述開口端均朝向所述離子束入射方向；所述法拉第杯自所述第二陣列結構中間至兩側依次傾斜，使得兩相鄰法拉第杯之間形成相同角度的夾角；所述地線與所述第一陣列結構中的法拉第杯的底部和所述第二陣列結構中的法拉第杯的底部電連接；所述安培表分別位于所述每個法拉第杯與所述地線之間； 控制系統，適于獲得所述離子注入角度測量裝置中安培表測得的電流，并根據所獲得的電流控制所述掃描系統進行角度補償。
7.根據權利要求6所述的離子注入系統，其特征在于:所述第一陣列結構中的法拉第杯開口端自所述第一陣列結構中間至兩側依次向兩側傾斜；所述第二陣列結構中的法拉第杯開口端自所述第二陣列結構中間至兩側依次向兩側傾斜。
8.根據權利要求6所述的離子注入系統，其特征在于:所述第一陣列結構中相鄰兩法拉第杯之間形成的夾角為0.05°?0.15° ;所述第二陣列結構中相鄰兩法拉第杯之間形成的夾角為0.05°?0.15。。
9.根據權利要求6所述的離子注入系統，其特征在于:所述第一陣列中相鄰兩法拉第杯之間形成的夾角為0.1° ;所述第二陣列中相鄰兩法拉第杯之間形成的夾角為0.1°。
10.根據權利要求6所述的離子注入系統，其特征在于:所述離子注入角度測量裝置還包括一殼體，適于放置和固定所述第一陣列結構中的法拉第杯和所述第二陣列結構中的法拉第杯。
11.根據權利要求6所述的離子注入系統，其特征在于:還包括一質譜分析儀，位于所述離子源和所述掃描系統之間，適于分開/提取具有限定質量和/或電荷的離子。
【文檔編號】H01L21/66GK204230207SQ201420585667
【公開日】2015年3月25日 申請日期:2014年10月10日 優先權日:2014年10月10日
【發明者】王錦喆 申請人:中芯國際集成電路制造(北京)有限公司