一種屏蔽絕緣鋁排及輸配電系統的制作方法
【專利摘要】本申請公開了一種屏蔽絕緣鋁排及輸配電系統，屏蔽絕緣鋁排包括導體、包裹在所述導體外壁的屏蔽層和套設在所述屏蔽層外側的絕緣層，所述屏蔽層為半導電硅橡膠材料的屏蔽層，所述絕緣層為絕緣硅橡膠材料的絕緣層，所述屏蔽層和所述絕緣層通過雙層共擠擠出機共擠成型到所述導體的外壁。從上述技術方案可以看出，本實用新型提供的屏蔽絕緣鋁排利用半導電硅橡膠制作的屏蔽層和絕緣硅橡膠制作的絕緣層包裹導體，屏蔽層和絕緣層均為硅橡膠，屏蔽層可以保證導體外壁與屏蔽層之間的電場均勻分布，絕緣硅橡膠能夠起到良好的絕緣作用，有效避免了鋁排在使用過程中相間短路情況的發生，提高了鋁排使用的安全性能。
【專利說明】一種屏蔽絕緣鋁排及輸配電系統
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及輸配電導電裝置絕緣防護【技術領域】，特別涉及一種屏蔽絕緣鋁排及輸配電系統。
【背景技術】
[0002]鋁排的絕緣性能是配電系統技術的一個重要環節。國內很多廠家目前采用的是用熱縮套管套設在導電材料表面進行熱縮絕緣，或者人工包扎絕緣材料或者澆注絕緣樹脂絕緣等方法進行絕緣處理，但是經過上述絕緣處理的鋁排的絕緣強度不能滿足要求，尤其在高壓輸配電系統中容易發生相間短路等問題，影響設備的正常運行且存在較大的安全隱串
■/Q1、O
[0003]因此，如何提高鋁排的絕緣性能，成為本領域技術人員亟待解決的技術問題。實用新型內容
[0004]有鑒于此，本實用新型提供了一種屏蔽絕緣鋁排及輸配電系統，以提高鋁排的絕緣性能。
[0005]為實現上述目的，本實用新型提供如下技術方案:
[0006]一種屏蔽絕緣鋁排，包括導體(I)、包裹在所述導體(I)外壁的屏蔽層(2)和套設在所述屏蔽層(2)外側的絕緣層(3)，所述屏蔽層(2)為半導電硅橡膠屏蔽層，所述絕緣層
(3)為絕緣硅橡膠絕緣層，所述屏蔽層(2)和所述絕緣層(3)通過雙層共擠擠出機共擠成型到所述導體⑴的外壁。
[0007]優選的，所述屏蔽層(2)為經過硫化處理的屏蔽層，所述絕緣層(3)為經過硫化處理的絕緣層。
[0008]優選的，所述導體⑴為鋁排。
[0009]優選的，所述導體(I)為經過去毛刺處理的導體。
[0010]優選的,所述屏蔽層(2)的厚度為0.5mm。
[0011]優選的，所述絕緣層(3)的厚度為8-10mm中的任意一個值。
[0012]優選的，所述絕緣層(3)的厚度為15-28_中任意一個值。
[0013]優選的，所述屏蔽層(2)為經過防紫外線整理劑浸軋處理的屏蔽層，所述絕緣層
(3)為經過防紫外線整理劑浸軋處理的絕緣層。
[0014]一種輸配電系統，包括:上述任意一項所述屏蔽絕緣鋁排。
[0015]從上述技術方案可以看出，本實用新型提供的屏蔽絕緣鋁排利用半導電硅橡膠制作的屏蔽層和絕緣硅橡膠制作的絕緣層包裹導體代替現有技術中通過用熱縮套管套設在導電材料表面進行熱縮絕緣，或者人工包扎絕緣材料或者澆注絕緣樹脂絕緣等方法進行絕緣處理方法，屏蔽層和絕緣層均為硅橡膠，屏蔽層可以保證導體外壁與屏蔽層之間的電場均勻分布，絕緣硅橡膠能夠起到良好的絕緣作用，有效避免了鋁排在使用過程中相間短路情況的發生，提高了鋁排使用的安全性能。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0016]為了更清楚地說明本實用新型實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據提供的附圖獲得其他的附圖。
[0017]圖1為本實用新型實施例提供的屏蔽絕緣鋁排橫剖截面的結構示意圖；
[0018]圖2為本實用新型實施例提供的屏蔽絕緣鋁排縱剖截面的結構示意圖；
[0019]圖3為本實用新型實施例提供的屏蔽絕緣鋁排的一種生產流程圖；
[0020]圖4為本實用新型實施例提供的屏蔽絕緣鋁排的另一種生產流程圖。
【具體實施方式】
[0021]本實用新型公開了一種屏蔽絕緣鋁排，以提高鋁排的絕緣性能。
[0022]下面將結合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本實用新型中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。
[0023]請參閱圖1-圖4，圖1為本實用新型實施例提供的屏蔽絕緣鋁排橫剖截面的結構示意圖；圖2為本實用新型實施例提供的屏蔽絕緣鋁排縱剖截面的結構示意圖；圖3為本實用新型實施例提供的屏蔽絕緣鋁排的一種生產流程圖；圖4為本實用新型實施例提供的屏蔽絕緣鋁排的另一種生產流程圖。
[0024]一種屏蔽絕緣鋁排，包括導體1、包裹在導體I外壁的屏蔽層2和套設在屏蔽層2外側的絕緣層3，屏蔽層2為半導電硅橡膠屏蔽層，絕緣層3為絕緣硅橡膠絕緣層，屏蔽層2和絕緣層3通過雙層共擠擠出機共擠成型到導體I的外壁。
[0025]在本方案中，導體I為鋁排。
[0026]屏蔽層2為半導電硅橡膠屏蔽層即屏蔽層2為半導電硅橡膠材料的屏蔽層，絕緣層3為絕緣硅橡膠絕緣層即絕緣層3為絕緣硅橡膠材料的絕緣層。
[0027]本方案提供的屏蔽絕緣鋁排，用半導電硅橡膠材料的屏蔽層2和絕緣硅橡膠材料的絕緣層3代替現有技術中在導電材料表面套設熱縮絕緣，或者人工包扎絕緣材料或者澆注絕緣樹脂絕緣等絕緣處理方式，屏蔽層可以保證導體外壁與屏蔽層之間的電場均勻分布，絕緣硅橡膠能夠起到良好的絕緣作用，能夠有效避免高壓輸配電系統中相間短路等情況的發生。
[0028]屏蔽層2和絕緣層3通過雙層共擠擠出機共擠成型到導體I的外壁，屏蔽層2和絕緣層3在高溫和擠出壓力的作用下，使半導電硅橡膠層和絕緣硅橡膠層緊密結合，層間無縫隙，屏蔽層2還可以有效屏蔽外來電磁干擾，減少設備運行過程中產生的附加損耗。絕緣層3和屏蔽層2通過雙層共擠擠出機與導體I連接，相對與現有技術中的在導電材料表面套設熱縮絕緣，或者人工包扎絕緣材料或者燒注絕緣樹脂絕緣等絕緣處理方式，提高了生產效率和產品合格率，且能夠實現自動化生產，降低了人工勞動強度。
[0029]本方案提供的屏蔽層2、絕緣層3和導體I的連接通過共擠成型技術實現，共擠成型技術為將兩種不同的材料或不同顏色的相同材料通過雙層共擠擠出機共擠擠出加工成型的技術，共擠成型技術是現有技術中的常用技術。
[0030]本方案提供的屏蔽絕緣鋁排的生產效率為人工手動制作屏蔽絕緣鋁排的20倍，且成本為現有技術的1/3。通過雙層共擠擠出機成型的屏蔽層2和絕緣層3的各處厚度相同，減少了設備運行過程中的渦流損耗。
[0031]屏蔽層2為半導電硅橡膠材料，絕緣層3為絕緣硅橡膠材料，硅橡膠無味無毒；耐高溫和低溫，在300°C和-90°C的條件下仍然具有良好的強度和彈性；具有良好的電絕緣性；耐氧化抗老性；耐光抗老化性；化學性質穩定。
[0032]將半導電硅橡膠經過鉬金催化劑處理后放入開放式煉膠機進行處理，絕緣硅橡膠經過鉬金催化劑處理后放入開放式煉膠機進行處理，然后將上述經過處理的半導電硅橡膠和絕緣硅橡膠通過雙層共擠擠出機擠包到鋁排的外壁。
[0033]屏蔽層2的厚度為0.5mm。根據屏蔽絕緣鋁排的使用條件不同，絕緣層3的厚度不同:對于1kv的使用情況,絕緣層3的厚度為8-10mm中的任意一個值,對于35kv的使用情況，絕緣層3的厚度為15-28mm中的任意一個值。
[0034]為了進一步優化上述技術方案，在本實用新型的一具體實施例中，屏蔽層2為經過硫化處理的屏蔽層，絕緣層3為經過硫化處理的絕緣層，將通過雙層共擠擠出機生產的屏蔽層2和絕緣層3送入硫化裝置進行硫化處理，經過硫化處理的硅橡膠內的分子結構由線性分子結構變成網狀分子結構，可以進一步提高硅橡膠的耐熱性、抗老化性和耐應力開裂性，進一步延長了屏蔽絕緣管狀母線的使用壽命，安全系數更高。本方案使用的防紫外線整理劑的濃度為15-50g/L中任意一個值。
[0035]為了進一步保證鋁排的安裝質量，導體I的外壁進行去氧化膜和毛刺處理，然后對導體I的外壁進行酒精或者丙酮處理，上述處理的目的是使導體I的外壁光滑，不會對屏蔽層2造成損傷，影響屏蔽絕緣鋁排的使用效果。
[0036]本方案提供的屏蔽絕緣鋁排的生產過程如圖3所示，具體為:
[0037]步驟11:用砂紙去除導體I表面的氧化膜和毛刺，然后用酒精或者丙酮將上述處理的鋁排的表面進行潔凈處理(即去毛刺處理過程)；
[0038]步驟12:對經過步驟11處理的導體I進行預熱處理；
[0039]步驟13:將分別經過鉬金催化劑處理的半導電硅橡膠和絕緣硅橡膠放入開放式煉膠機；
[0040]步驟14:根據導體I的尺寸選擇適當的雙層共擠擠出機，將半導電硅橡膠和絕緣硅橡膠放入上述選好的雙層共擠擠出機，調整好相應參數將屏蔽層2和絕緣層3擠包到導體I的外壁；
[0041]步驟15:將步驟14中擠包成功的導體I放入硫化裝置中進行硫化處理。
[0042]當然，在上述屏蔽絕緣鋁排的基礎上，為了使屏蔽絕緣鋁排具有更好的防紫外線效果，屏蔽層2可以為經過防紫外線整理劑浸軋處理的屏蔽層，絕緣層3可以為經過防紫外線整理劑浸軋處理的絕緣層。經過雙層共擠擠出機擠包成型的屏蔽層2和絕緣層3需要經過防紫外線整理劑的浸軋，防紫外線整理劑具有優異耐久的吸收紫外線性能及紫外線遮斷屏蔽效果，尤其是對180-400nm波段的紫外線具有良好的吸收效果，且能對紫外線進行有效的反射和散射。本方案中使用的防紫外線整理劑的濃度為15-50g/L。
[0043]在屏蔽層2可以為經過防紫外線整理劑浸軋處理的屏蔽層，絕緣層3可以為經過防紫外線整理劑浸軋處理的絕緣層時對應的屏蔽絕緣鋁排的生產過程如圖4所示，具體為:
[0044]步驟21:用砂紙去除導體I表面的氧化膜和毛刺，然后用酒精或者丙酮將上述處理的鋁排的表面進行潔凈處理(即去毛刺處理過程)；
[0045]步驟22:對經過步驟21處理的導體I進行預熱處理；
[0046]步驟23:將分別經過鉬金催化劑處理的半導電硅橡膠和絕緣硅橡膠放入開放式煉膠機；
[0047]步驟24:根據導體I的尺寸選擇適當的雙層共擠擠出機，將半導電硅橡膠和絕緣硅橡膠放入上述選好的雙層共擠擠出機，調整好相應參數將屏蔽層2和絕緣層3擠包到導體I的外壁；
[0048]步驟25:將擠包成功的導體I放在配置好的防紫外線整理劑中進行浸軋處理，浸軋時間為30秒，處理完成后，進行烘干處理，烘干溫度為:90°C -1lO0C ；
[0049]步驟26:將步驟25中經過處理的導體I放入硫化裝置中進行硫化處理。
[0050]本實用新型還提供了一種輸配電系統，包括上述所述的屏蔽絕緣鋁排。輸配電系統應用上述所述的屏蔽絕緣鋁排，可以提高輸配電系統安全運行的可靠性。
[0051]對所公開的實施例的上述說明，使本領域專業技術人員能夠實現或使用本實用新型。對這些實施例的多種修改對本領域的專業技術人員來說將是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本實用新型的精神或范圍的情況下，在其它實施例中實現。因此，本實用新型將不會被限制于本文所示的這些實施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點相一致的最寬的范圍。
【權利要求】
1.一種屏蔽絕緣鋁排，其特征在于，包括導體(I)、包裹在所述導體(I)外壁的屏蔽層(2)和套設在所述屏蔽層(2)外側的絕緣層(3)，所述屏蔽層(2)為半導電硅橡膠屏蔽層，所述絕緣層(3)為絕緣硅橡膠絕緣層，所述屏蔽層(2)和所述絕緣層(3)通過雙層共擠擠出機共擠成型到所述導體(I)的外壁。
2.根據權利要求1所述的屏蔽絕緣鋁排，其特征在于，所述屏蔽層(2)為經過硫化處理的屏蔽層，所述絕緣層(3)為經過硫化處理的絕緣層。
3.根據權利要求1所述的屏蔽絕緣鋁排，其特征在于，所述導體(I)為鋁排。
4.根據權利要求1所述的屏蔽絕緣鋁排，其特征在于，所述導體(I)為經過去毛刺處理的導體。
5.根據權利要求1所述的屏蔽絕緣鋁排，其特征在于，所述屏蔽層(2)的厚度為0.5mmο
6.根據權利要求5所述的屏蔽絕緣鋁排，其特征在于，所述絕緣層(3)的厚度為8-10mm中的任意一個值。
7.根據權利要求5所述的屏蔽絕緣鋁排，其特征在于，所述絕緣層(3)的厚度為15-28mm中任意一個值。
8.根據權利要求1所述的屏蔽絕緣鋁排，其特征在于，所述屏蔽層(2)為經過防紫外線整理劑浸軋處理的屏蔽層，所述絕緣層(3)為經過防紫外線整理劑浸軋處理的絕緣層。
9.一種輸配電系統，其特征在于，包括:如權利要求1-8任意一項所述屏蔽絕緣鋁排。
【文檔編號】H01B7/08GK204117670SQ201420447635
【公開日】2015年1月21日 申請日期:2014年8月8日 優先權日:2014年8月8日
【發明者】孫愛勤, 邵成才 申請人:上海振大電器成套有限公司