厚膜高功率低阻值貼片電阻器的制造方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種厚膜高功率低阻值貼片電阻器，采用高含銀量及一定含鈀量的電極漿料在絕緣基板上制作一層背面電極，再連續制作第一及第二兩層正面電極，然后在第二正面電極上制作電阻層，該正面電極由三個相對獨立的區塊所組成，該正面電極將電阻切分為兩個串聯且分布盡量靠近折條線兩端的電阻，且靠近折條線兩端的電阻層可以完全影射到電阻的背電極上，使電阻能得到最短的散熱路徑。另采用平均分配切線長度的多刀重復對刀切割方式進行切割，使電阻能達到最小的切割損傷，這樣的設計及工藝制作出來的產品具有高穩定性、高功率、低TCR指標及低成本特性，具有很強的市場應用及產品推廣價值。
【專利說明】
厚膜高功率低阻值貼片電阻器
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及一種厚膜高功率電阻器，尤其是涉及一種厚膜高功率低阻值貼片電阻器。
【背景技術】
[0002]隨著科技的進步，時代的發展及人們對電子產品小型化要求的不斷提升，性能可靠及工藝穩定的厚膜貼片電阻也應電子產品的特性需求呈現著多樣化的發展趨勢，眾所周知，各種電子產品為了確保使其穩定工作，都會制作一個供電電源，來確保其正常及穩定的工作，而每種電源的穩定工作都離不開一種連接在反饋電路上起電流檢測作用的低阻值電阻，這種電阻就是人們常講的電流檢測電阻，隨著電子產品小型化的加劇，高功率低阻值的電流檢測電阻越來越受到市場的追捧。目前，現有普通低阻值貼片電阻通常包括絕緣基板、背電極、二次或三次正面電極、電阻層、第一保護層、第二保護層、字碼、側面電極、鍍鎳層和鍍錫層，如圖18所示，這種產品之所以功率不高，主要是因為產品設計及制造工藝上還存在著如下的缺點:
[0003]第一，電阻層靠近絕緣基板的中心部分，距離側面電極較遠，電阻的熱量往往聚集在電阻層的中間，電阻的熱量在從中間向兩端電極及側面電極進行散發的過程中，存在散熱路徑過長而使散熱不良的問題。
[0004]第二，普通的低阻值電阻在進行鐳射阻值修正時，不管是采用單刀切割還是采用對刀切割，其鐳射調阻對電阻層的損傷都較大，而使電阻的耐功率能力降低。
[0005]第三，普通的低阻值電阻均采用減小電阻層的長度，加長兩端電極長度的方式來制作，這樣，因兩端電極長度加大而造成兩端電極(銀)的內阻加大，而使電阻的溫度系數過大。
[0006]高功率低阻值電流檢測電阻目前行業上另一種較為通用的解決方案是采用合金箔通過膠質將合金箔貼到瓷基板上，并通過印刷線路板的制作工藝加工生產，這種制作工藝的電阻主要存在材料成本高,制作工藝復雜,生產成本高及交貨周期過長的問題,因此這也給性能穩定，工藝可靠的厚膜高功率低阻值貼片電阻帶來很大的市場潛力。
【發明內容】
[0007]為了解決上述技術問題，本實用新型提出一種厚膜高功率低阻值貼片電阻器，通過對普通厚膜電流檢測電阻的結構和生產工藝進行優化改進，并對材料進行合理選擇，能夠使產品的功率得到提升，同時還能提高電流檢測電阻的TCR(溫度系數)指標。較低的制作成本和優良的電阻特性指標會給這一厚膜高功率電流檢測貼片電阻器帶來更多的及更廣泛的應用。
[0008]本實用新型的技術方案是這樣實現的:
[0009]一種厚膜高功率低阻值貼片電阻器，包括一方形絕緣基板，沿所述絕緣基板的長度方向，所述絕緣基板下表面的兩端處分別覆蓋有一層背面電極，兩個所述背面電極之間相距設定距離，形成第一間隙；所述絕緣基板上表面的兩端處和中心處分別覆蓋有一層第一正面電極，兩端處的兩個所述第一正面電極分別與中心處的所述第一正面電極相距設定距離，形成兩個第二間隙；三個所述第一正面電極上表面分別覆蓋有一層第二正面電極，兩個所述第二間隙內的絕緣基板上分別覆蓋有一層電阻層，兩個所述電阻層相向延伸覆蓋住中心處的所述第二正面電極，兩個所述電阻層背向延伸覆蓋住兩端處的所述第二正面電極的一部分；所述電阻層上表面依次覆蓋有一層第一保護層和一層第二保護層；所述第一保護層完全覆蓋住所述電阻層，所述第二保護層完全覆蓋住所述第一保護層，且所述第二保護層延伸并覆蓋住兩端處的所述第二正面電極的一部分；
[0010]另設有側面電極、鍍鎳層和鍍錫層，所述側面電極完全覆蓋住所述絕緣基板兩端的端面、兩端處的所述第一正面電極的端面、兩端處的所述第二正面電極的端面和兩端處的所述背面電極的端面；所述鍍鎳層完全覆蓋住所述第二正面電極、所述側面電極和所述背面電極，且所述鍍鎳層搭接在所述第二保護層的端面上；所述鍍錫層覆蓋住所述鍍鎳層，且所述鍍錫層搭接在所述第二保護層的端面上。
[0011]作為本實用新型的進一步改進，沿所述絕緣基板的長度方向，兩端處的兩個所述第一正面電極的長度小于中心處的所述第一正面電極的長度。
[0012]作為本實用新型的進一步改進，所述第二正面電極與其對應的所述第一正面電極完全重疊。
[0013]作為本實用新型的進一步改進，沿所述絕緣基板的厚度方向，兩個所述第二間隙分別向下對穿影射到所述絕緣基板下表面對應的所述背面電極上。
[0014]作為本實用新型的進一步改進，兩端處的兩個所述第二正面電極與所述鍍鎳層之間、中心處的所述電阻層與中心處的所述第一保護層之間分別設有一層第三正面電極，兩端處的兩個所述第三正面電極與中心處的所述第三正面電極之間相距設定距離，形成兩個第三間隙，且所述第二保護層延伸并覆蓋住兩端處的所述第三正面電極的一部分；所述第二保護層外覆蓋有一層第三保護層，所述第三保護層完全覆蓋住所述第二保護層，且所述第三保護層延伸并覆蓋住兩端處的所述第三正面電極的一部分；所述鍍鎳層和所述鍍錫層分別搭接在所述第三保護層的端面上。
[0015]作為本實用新型的進一步改進，沿所述絕緣基板的長度方向，兩端處的兩個所述第三正面電極的長度小于中心處的所述第三正面電極的長度，且兩個所述第二間隙分別向上對稱影射到對應的兩個所述第三間隙上。
[0016]作為本實用新型的進一步改進，兩端處的兩個所述電阻層為通過激光鐳射調整至設定阻值的電阻層，所述第三保護層外部分覆蓋有一層字碼標識層。
[0017]本實用新型的有益效果是:本實用新型提供了一種厚膜高功率低阻值貼片電阻器，與現有技術中厚膜普通功率低阻值貼片電阻器相比，本實用新型厚膜高功率低阻值貼片電阻能達到如下的有益效果:
[0018]1、通過在絕緣基板上表面形成兩層正面電極，即第一正面電極和第二正面電極，每層正面電極均由位于絕緣基板兩端處和中心處的三個獨立的區塊所組成，兩端處的第一、第二正面電極與中心處的第一、第二正面電極之間形成第二間隙，兩個第二間隙內形成電阻層，較佳的，兩端處的正面電極的長度小于中心處的正面電極的長度，這樣做的好處是使兩端處的正面電極盡量的短，中間處的正面電極盡量的長，從而使位于第二間隙內的電阻層盡量的靠近絕緣基板的兩端，因此，能夠將貼片電阻器的電阻層的發熱點從絕緣基板的中間移到絕緣基板的兩端，解決由于散熱路徑過長而使貼片電阻器散熱不良的問題，以達到提升貼片電阻器功率的目的。
[0019]2、通過在相對拉開設定距離的兩個第二間隙內形成電阻層，電阻層完全覆蓋到中心處的第二正面電極上并跨接到兩端處的第二正面電極上，與普通低阻值貼片電阻器相t匕，電阻層被極大地加長了，正面電極被極大地縮短了，因此，能夠降低正面電極內阻對貼片電阻器溫度系數(TCR)指標的影響，極大地改善和提升了電阻的溫度系數指標。
[0020]3、貼片電阻器的正面電極包括兩端處的第一、第二、第三正面電極，它們由三層印刷電極材料層疊形成，這種分層設置的正面電極可以極大的降低正面電極的阻抗，從而達到提升貼片電阻器的散熱能力，改善和提升了貼片電阻器的溫度系數指標目的。
[0021]4、中心處的第一、第二正面電極形成于電阻層的下方，中心處的第三正面電極形成于電阻層的上方，三個獨立區塊組成的三層正面電極(第一正面電極、第二正面電極和第三正面電極)將電阻層切分為兩個串聯的且分布盡量靠近兩端的電阻，在對貼片電阻器進行鐳射調阻時，可以分別用多刀重復的方式對這兩顆串聯的電阻進行對向切割，這樣，能夠相對降低對電阻層的損傷，提升電阻層的耐功率特性。
[0022]5、通過將第二間隙內的電阻層映射到絕緣基板下表面上對應的背面電極上，能夠達到極大地改善散熱路徑及散熱條件，確保貼片電阻器功率的進一步提升的目的，其原理是，電阻層如果要映射到背面電極上，就要相應加長背面電極在長度方向上的長度，這樣，通過加長的背面電極能夠迅速將電阻層的熱量散發到PCB板上。
[0023]6、三層正面電極(第一正面電極、第二正面電極和第三正面電極)材料和背面電極材料均選用具有一定的含鈀量及高含銀量的銀鈀漿料，這樣，可以確保貼片電阻器在高溫、高濕環境下工作的可靠性及穩定性。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0024]圖1為本實用新型所述步驟a后的絕緣基板不意圖；
[0025]圖2為本實用新型所述步驟b后的絕緣基板下表面示意圖；
[0026]圖3為本實用新型所述步驟c后的絕緣基板上表面不意圖；
[0027]圖4為本實用新型所述步驟d后的絕緣基板上表面不意圖；
[0028]圖5為本實用新型所述步驟e后的絕緣基板不意圖；
[0029]圖6為本實用新型所述步驟f后的絕緣基板不意圖；
[0030]圖7為本實用新型所述步驟g后的絕緣基板不意圖；
[0031]圖8為本實用新型所述步驟h后的絕緣基板不意圖；
[0032]圖9為本實用新型所述步驟i后的絕緣基板不意圖；
[0033]圖10為本實用新型所述步驟j后的絕緣基板不意圖；
[0034]圖11為本實用新型所述步驟k后的絕緣基板不意圖；
[0035]圖12為本實用新型所述步驟I后的絕緣基板不意圖；
[0036]圖13為本實用新型所述步驟m后的粒狀半成品示意圖；
[0037]圖14為本實用新型所述步驟m后的粒狀半成品示意圖；
[0038]圖15為本實用新型所述步驟O后的粒狀半成品示意圖；
[0039]圖16為本實用新型實施例1剖面結構示意圖；
[0040]圖17為本實用新型實施例2剖面結構示意圖；
[0041]圖18為現有技術普通低阻值貼片電阻器剖面結構示意。
[0042]結合附圖，作以下說明:
[0043]10—絕緣基板11一折粒線
[0044]12 一折條線21—上表面
[0045]22—第一正面電極23—第二正面電極
[0046]24一電阻層25—第三正面電極
[0047]26—第一保護層 27—錯射切線
[0048]28—第二保護層 29—第三保護層
[0049]30 一標識層31—下表面
[0050]32—背面電極 33—側面電極
[0051]40—鎳鍍層50—鍍錫層
【具體實施方式】
[0052]實施例1
[0053]如圖16所示，一種厚膜高功率低阻值貼片電阻器，包括一方形絕緣基板10，沿所述絕緣基板的長度方向，所述絕緣基板下表面31的兩端處分別覆蓋有一層背面電極32，兩個所述背面電極之間相距設定距離，形成第一間隙；所述絕緣基板上表面21的兩端處和中心處分別覆蓋有一層第一正面電極22，兩端處的兩個所述第一正面電極分別與中心處的所述第一正面電極相距設定距離，形成兩個第二間隙；三個所述第一正面電極外分別覆蓋有一層第二正面電極23，兩個所述第二間隙內的絕緣基板上分別覆蓋有一層電阻層24，兩個所述電阻層相向延伸覆蓋住中心處的所述第二正面電極，兩個所述電阻層背向延伸覆蓋住兩端處的所述第二正面電極的一部分；所述電阻層外依次覆蓋有一層第一保護層26和一層第二保護層28 ;所述第一保護層完全覆蓋住所述電阻層，所述第二保護層完全覆蓋住所述第一保護層，且所述第二保護層延伸并覆蓋住兩端處的所述第二正面電極的一部分；
[0054]另設有側面電極33、鍍鎳層40和鍍錫層50，所述側面電極完全覆蓋住所述絕緣基板兩端的端面、兩端處的所述第一正面電極的端面、兩端處的所述第二正面電極的端面和兩端處的所述背面電極的端面；所述鍍鎳層完全覆蓋住所述第二正面電極、所述側面電極和所述背面電極，且所述鍍鎳層搭接在所述第二保護層的端面上；所述鍍錫層覆蓋住所述鍍鎳層，且所述鍍錫層搭接在所述第二保護層的端面上。與現有技術中厚膜普通功率低阻值貼片電阻器相比，本實用新型上述結構中通過在絕緣基板上表面形成兩層正面電極，即第一正面電極和第二正面電極，每層正面電極均由位于絕緣基板兩端處和中心處的三個獨立的區塊所組成，兩端處的第一、第二正面電極與中心處的第一、第二正面電極之間形成第二間隙，兩個第二間隙內形成電阻層，這樣，能夠將貼片電阻器的電阻層的發熱點從絕緣基板的中間移到絕緣基板的兩端，解決由于散熱路徑過長而使貼片電阻器散熱不良的問題，以達到提升貼片電阻器功率的目的。此外，通過在相對拉開設定距離的兩個第二間隙內形成電阻層，電阻層完全覆蓋到中心處的第二正面電極上并跨接到兩端處的第二正面電極上，與普通低阻值貼片電阻器相比，電阻層被極大地加長了，正面電極被極大地縮短了，因此，能夠降低正面電極內阻對貼片電阻器溫度系數(TCR)指標的影響，極大地改善和提升了電阻的溫度系數指標。
[0055]優選的，沿所述絕緣基板的長度方向，兩端處的兩個所述第一正面電極的長度小于中心處的所述第一正面電極的長度.這樣做的好處是使兩端處的正面電極盡量的短，中間處的正面電極盡量的長，從而使位于第二間隙內的電阻層盡量的靠近絕緣基板的兩端，進一步縮短散熱路徑，提聞貼片電阻器的散熱能力。
[0056]優選的，所述第二正面電極與其對應的所述第一正面電極完全重疊。這種分層設置的正面電極可以極大的降低正面電極的阻抗，從而達到提升貼片電阻器的散熱能力，改善和提升了貼片電阻器的溫度系數指標目的。
[0057]優選的，沿所述絕緣基板的厚度方向，兩個所述第二間隙分別向下對穿影射到所述絕緣基板下表面對應的所述背面電極上。這樣，能夠達到極大地改善散熱路徑及散熱條件，確保貼片電阻器功率的進一步提升的目的，其原理是，電阻層如果要映射到背面電極上，就要相應加長背面電極在長度方向上的長度，這樣，通過加長的背面電極能夠迅速將電阻層的熱量散發到PCB板上。
[0058]實施例2
[0059]如圖17所示，本實施例2包括實施例1中的全部技術特征，其區別在于:兩端處的兩個所述第二正面電極與所述鍍鎳層之間、中心處的所述電阻層與中心處的所述第一保護層之間分別設有一層第三正面電極25，兩端處的兩個所述第三正面電極與中心處的所述第三正面電極之間相距設定距離，形成兩個第三間隙，且所述第二保護層延伸并覆蓋住兩端處的所述第三正面電極的一部分；所述第二保護層外覆蓋有一層第三保護層29，所述第三保護層完全覆蓋住所述第二保護層，且所述第三保護層延伸并覆蓋住兩端處的所述第三正面電極的一部分；所述鍍鎳層和所述鍍錫層分別搭接在所述第三保護層的端面上。上述結構中，貼片電阻器的正面電極包括兩端處的第一、第二、第三正面電極，它們由三層印刷電極材料層疊形成，這種分層設置的正面電極可以極大的降低正面電極的阻抗，從而達到提升貼片電阻器的散熱能力，改善和提升了貼片電阻器的溫度系數指標目的。上述結構中，中心處的第一、第二正面電極形成于電阻層的下方，中心處的第三正面電極形成于電阻層的上方，三個獨立區塊組成的三層正面電極(第一正面電極、第二正面電極和第三正面電極)將電阻層切分為兩個串聯的且分布盡量靠近兩端的電阻，在對貼片電阻器進行鐳射調阻時，可以分別用多刀重復的方式對這兩顆串聯的電阻進行對向切割，這樣，能夠相對降低對電阻層的損傷，提升電阻層的耐功率特性。
[0060]優選的，沿所述絕緣基板的長度方向，兩端處的兩個所述第三正面電極的長度小于中心處的所述第三正面電極的長度，且兩個所述第二間隙分別向上對稱影射到對應的兩個所述第三間隙上。這樣，兩端處和中心處的第三正面電極分別要比第一、第二正面電極的長度要短些，可以減少印刷位置偏差帶來品質不良的影響。
[0061]優選的，兩端處的兩個所述電阻層為通過激光鐳射調整至設定阻值的電阻層，所述第二保護層外部分覆蓋有一層字碼標識層30。上述結構中，中心處的第一、第二正面電極形成于電阻層的下方，中心處的第三正面電極形成于電阻層的上方，三個獨立區塊組成的三層正面電極(第一正面電極、第二正面電極和第三正面電極)將電阻層切分為兩個串聯的且分布盡量靠近兩端的電阻，在對貼片電阻器進行鐳射調阻時，可以分別用多刀重復的方式對這兩顆串聯的電阻進行對向切割，這樣，能夠相對降低對電阻層的損傷，提升電阻層的耐功率特性。
[0062]本實用新型一種厚膜高功率低阻值貼片電阻器的制造方法，包括如下步驟:
[0063]a、如圖1所示,制備一大片絕緣基板10，在所述絕緣基板的上表面21和下表面31均勻形成若干條沿寬度方向的折條線12和若干條沿長度方向的折粒線11，所述折條線和所述折粒線交叉形成格子狀，每個格子對應最終制造的一個厚膜高功率低阻值貼片電阻器。
[0064]b、如圖2所示，以每條折條線為對稱軸，在所述絕緣基板下表面的折條線處，通過絲網印刷的方式對稱印刷一層銀鈀漿料，然后進行干燥，形成背面電極32 ;其中，以每個格子為單元，兩端處的兩個所述背面電極之間相距設定距離，形成第一間隙；這樣，印刷的背面電極位于寬度方向的折條線處，且呈對稱狀。
[0065]C、如圖3所示，以每條折條線為對稱軸，在所述絕緣基板上表面的折條線處，通過絲網印刷的方式對稱印刷第一層銀鈀漿料，并在每個格子的中心處印刷第一層銀鈀漿料，然后進行干燥，形成第一正面電極22;其中，以每個格子為單元，兩端處的兩個所述第一正面電極分別與中心處的所述第一正面電極之間相距設定距離，形成兩個第二間隙，且該兩個所述第二間隙在垂直方向上向下對穿影射到絕緣基板下表面對應的背面電極上；兩端處的兩個所述第一正面電極沿長度方向的長度分別小于中心處的第一正面電極沿長度方向的長度；上述結構中，以每個格子為單元，第一正面電極是由三個獨立的區塊所組成，兩端處的兩個第一正面電極和中心處的一個第一正面電極，且兩端處的第一正面電極與中心處的第一正面電極間的第二間隙盡量靠近折條線。
[0066]d、如圖4所示，在所述第一正面電極表面通過絲網印刷的方式對稱印刷第二層銀鈀漿料，然后進行干燥和燒結，形成第二正面電極23;其中，所述第二正面電極與所述第一正面電極完全重疊；這樣，第二正面電極也由三個獨立的區塊所組成，且三個區塊間的間隙也盡量靠近折條線，該間隙在垂直方向上向下也對穿影射到絕緣基板下表面的背面電極上。
[0067]e、如圖5所示，以每個格子為單元，在兩個所述第二間隙內的絕緣基板上通過絲網印刷的方式印刷電阻漿料，兩個所述第二間隙內印刷的電阻漿料相向延伸并完全覆蓋住中心處的所述第二正面電極，且兩個所述第二間隙內印刷的電阻漿料背向延伸覆蓋住兩端處的所述第二正面電極的一部分；然后進行干燥和燒結，形成電阻層24 ;這樣，電阻層位于第二間隙內部分形成兩個串聯的電阻，并對稱分布于兩相鄰的折條線之間。
[0068]f、如圖6所示，以每個格子為單元，在兩端處的所述第二正面電極的表面和位于其間的電阻層的中心處的表面上通過絲網印刷的方式印刷一銀鈀漿料，然后進行干燥和燒結，形成第三正面電極25 ;其中，兩端處的兩個所述第三正面電極與中心處的所述第三正面電極之間相距設定距離，形成兩個第三間隙，兩個所述第二間隙在垂直方向上向上對稱影射到對應的第三間隙上。這樣，第三正面電極的外形與第一、二正面電極相似，也是由三個獨立區塊所組成，只是三個獨立區塊之間所形成的間距要略大于第一、二正面電極之間的間距，并能對稱影射到第一、二正面電極之間的間隙上。
[0069]g、如圖7所示，以每個格子為單元，在所述電阻層表面和中心處的所述第三正面電極表面通過絲網印刷的方式印刷玻璃漿料，且印刷的第一層玻璃漿料向兩端延伸覆蓋住兩端處的所述第三正面電極的一部分，然后進行干燥和燒結，形成第一保護層26 ;這樣，第一保護層完全覆蓋住電阻層，起到保護電阻層的作用。
[0070]h、如圖8所示，以每個格子為單元，采用鐳射激光對刀切割方式，穿過所述第一保護層，在兩個所述第二間隙內的兩個所述電阻層上分別進行多刀重復鐳射激光切割，形成鐳射切線27，調整所述電阻層的電阻值達到所需要的阻值；這樣，可以實現電阻層電阻值的精確調整，滿足電阻器的實際需要。
[0071]1、如圖9所示，以每個格子為單元，在所述第一保護層表面通過絲網印刷的方式印刷第一層樹脂漿料，然后進行干燥，形成第二保護層28，其中，所述第二保護層完全覆蓋住所述第一保護層，且所述第二保護層沿長度方向延伸并覆蓋住兩端處的所述第二正面電極的一部分，所述第二保護層沿寬度方向延伸至折粒線處；這樣，第二保護層完全覆蓋住第一保護層，起到進一步保護電阻層的作用。
[0072]j、如圖10所示，以每個格子為單元，在所述第二保護層表面通過絲網印刷的方式印刷第二層樹脂漿料，進行干燥后，再在第二層樹脂漿料的表面印刷一層標識材料，進行干燥后，再進行燒結；第二層樹脂漿料形成第三保護層29，標識材料形成字碼標識層30，所述第三保護層與第二保護層完全重疊；這樣，第三保護層完全覆蓋住第二保護層，起到進一步保護電阻層的作用。標識層起到標識產品的作用。
[0073]k、如圖11所示，沿所述絕緣基板的每條折條線將經過步驟a?j后的絕緣基板依序折成條狀半成品；
[0074]1、如圖12所示，采用真空濺射機對所述條狀半成品折條形成的側面進行濺射，形成側面電極33，所述側面電極延伸覆蓋住所述第一正面電極的端面、所述第二正面電極的端面、所述第三正面電極的端面和所述背面電極的端面；側面電極起到連通第一正面電極、第二正面電極、第三正面電極和背面電極的作用。
[0075]m、如圖13所示，沿所述條狀半成品上的每條折粒線將經過步驟a?I后的條狀半成品依序折成粒狀半成品；
[0076]η、如圖14所示，在所述粒狀半成品的第三正面電極、側面電極和背面電極上采用滾鍍方式電鍍一層金屬鎳，形成鍍鎳層40，所述鍍鎳層完全覆蓋住所述第三層正面電極、所述側面電極和所述背面電極，且所述鎳鍍層搭接在第三保護層的兩個端面上；
[0077]O、如圖15所示，在所述鍍鎳層的表面采用滾鍍方式電鍍一層金屬錫，形成一層鍍錫層50，所述鍍錫層完全覆蓋住所述鍍鎳層，且所述鍍錫層搭接在所述第三保護層的兩個端面上，即形成本實用新型厚膜高功率低阻值貼片電阻器。
[0078]綜上，本實用新型所制作的厚膜高功率低阻值貼片電阻器，是采用高含銀量及一定含鈀量的電極漿料在一絕緣基板上制作一層背面電極，再連續制作兩層正面電極(第一、第二正面電極)，然后在第二正面電極上制作電阻層，該正面電極(第一、第二正面電極)由三個相對獨立的區塊所組成，該正面電極(第一、第二正面電極)將電阻切分為兩個串聯且分布盡量靠近折條線兩端的電阻，且靠近折條線兩端的電阻層可以完全影射到電阻的背面電極上，以得到最短的散熱路徑，同時電阻層完全覆蓋中心處的正面電極并跨接到兩端處的正面電極上，再制作一第三正面電極，而獲得高功率的貼片電阻器。
[0079]由于本實用新型是從貼片電阻器的材料、結構和生產工藝進行優化改進提升功率及提升溫度系數(TCR)指標，而非使用金屬材料來替換或包覆正面電極。因此，本實用新型能夠大大降低厚膜高功率低阻值貼片電阻器的生產成本，使其能夠廣泛應用到各類電子產品中。
[0080]本實用新型厚膜高功率低阻值貼片電阻器可作為電流檢測電阻廣泛應用于供電電源的制作中。
[0081]以上實施例是參照附圖，對本實用新型的優選實施例進行詳細說明。本領域的技術人員通過對上述實施例進行各種形式上的修改或變更，但不背離本實用新型的實質的情況下，都落在本實用新型的保護范圍之內。
【權利要求】
1.一種厚膜高功率低阻值貼片電阻器，其特征在于:包括一方形絕緣基板(10)，沿所述絕緣基板的長度方向，所述絕緣基板下表面(31)的兩端處分別覆蓋有一層背面電極(32)，兩個所述背面電極之間相距設定距離，形成第一間隙；所述絕緣基板上表面(21)的兩端處和中心處分別覆蓋有一層第一正面電極(22)，兩端處的兩個所述第一正面電極分別與中心處的所述第一正面電極相距設定距離，形成兩個第二間隙；三個所述第一正面電極上表面分別覆蓋有一層第二正面電極(23)，兩個所述第二間隙內的絕緣基板上分別覆蓋有一層電阻層(24)，兩個所述電阻層相向延伸覆蓋住中心處的所述第二正面電極，兩個所述電阻層背向延伸覆蓋住兩端處的所述第二正面電極的一部分；所述電阻層上表面依次覆蓋有一層第一保護層(26)和一層第二保護層(28);所述第一保護層完全覆蓋住所述電阻層，所述第二保護層完全覆蓋住所述第一保護層，且所述第二保護層延伸并覆蓋住兩端處的所述第二正面電極的一部分； 另設有側面電極(33)、鍍鎳層(40)和鍍錫層(50)，所述側面電極完全覆蓋住所述絕緣基板兩端的端面、兩端處的所述第一正面電極的端面、兩端處的所述第二正面電極的端面和兩端處的所述背面電極的端面；所述鍍鎳層完全覆蓋住所述第二正面電極、所述側面電極和所述背面電極，且所述鍍鎳層搭接在所述第二保護層的端面上；所述鍍錫層覆蓋住所述鍍鎳層，且所述鍍錫層搭接在所述第二保護層的端面上。
2.根據權利要求1所述的厚膜高功率低阻值貼片電阻器，其特征在于:沿所述絕緣基板的長度方向，兩端處的兩個所述第一正面電極的長度小于中心處的所述第一正面電極的長度。
3.根據權利要求2所述的厚膜高功率低阻值貼片電阻器，其特征在于:所述第二正面電極與其對應的所述第一正面電極完全重疊。
4.根據權利要求3所述的厚膜高功率低阻值貼片電阻器，其特征在于:沿所述絕緣基板的厚度方向，兩個所述第二間隙分別向下對穿影射到所述絕緣基板下表面對應的所述背面電極上。
5.根據權利要求4所述的厚膜高功率低阻值貼片電阻器，其特征在于:兩端處的兩個所述第二正面電極與所述鍍鎳層之間、中心處的所述電阻層與中心處的所述第一保護層之間分別設有一層第三正面電極(25)，兩端處的兩個所述第三正面電極與中心處的所述第三正面電極之間相距設定距離，形成兩個第三間隙，且所述第二保護層延伸并覆蓋住兩端處的所述第三正面電極的一部分；所述第二保護層外覆蓋有一層第三保護層(29)，所述第三保護層完全覆蓋住所述第二保護層，且所述第三保護層延伸并覆蓋住兩端處的所述第三正面電極的一部分；所述鍍鎳層和所述鍍錫層分別搭接在所述第三保護層的端面上。
6.根據權利要求5所述的厚膜高功率低阻值貼片電阻器，其特征在于:沿所述絕緣基板的長度方向，兩端處的兩個所述第三正面電極的長度小于中心處的所述第三正面電極的長度，且兩個所述第二間隙分別向上對稱影射到對應的兩個所述第三間隙上。
7.根據權利要求6所述的厚膜高功率低阻值貼片電阻器，其特征在于:兩端處的兩個所述電阻層為通過激光鐳射調整至設定阻值的電阻層，所述第三保護層外部分覆蓋有一層字碼標識層(30)。
【文檔編號】H01C1/14GK203941772SQ201420334779
【公開日】2014年11月12日 申請日期:2014年6月20日 優先權日:2014年6月20日
【發明者】彭榮根, 郝濤, 徐玉花, 杜杰霞, 董錦 申請人:昆山厚聲電子工業有限公司