一種涂覆銠薄膜的電容器銅引腳的制作方法
【專利摘要】一種涂覆銠薄膜的電容器銅引腳，包括銅引腳主體，銅引腳主體上涂覆了一層銠薄膜，銠的化學(xué)穩(wěn)定性很好，在銅引腳主體的表面涂覆一層銠薄膜后，銅引腳的抗氧化性和耐腐蝕性能夠得到有效地提高，從而就能較好地抵抗泄漏的電解液的腐蝕，從而延長電容器的使用壽命，保障電子設(shè)備正常運(yùn)轉(zhuǎn)，不發(fā)生事故。
【專利說明】
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本實(shí)用新型涉及電容器銅引腳【技術(shù)領(lǐng)域】，具體涉及一種涂覆銠薄膜的電容器銅引 腳。 一種涂覆銠薄膜的電容器銅引腳
【背景技術(shù)】
[0002] 電容器是電力、電子等領(lǐng)域中廣泛應(yīng)用的一種電子元件，在電路中起到耦合、濾 波、控制、整流、振蕩等功能。電容器的結(jié)構(gòu)包括陰極、陽極、電解質(zhì)、外殼、套管、引腳等部 分。其中，引腳一般是用銅制造的，為了提高抗氧化能力，外面還要鍍一層鎳或錫。然而，電 容器在使用過程中，內(nèi)部的電解液有時(shí)候會(huì)發(fā)生泄漏，對引腳產(chǎn)生腐蝕，當(dāng)腐蝕到一定程度 后，引腳就會(huì)發(fā)生斷裂，影響電子設(shè)備的正常工作，有時(shí)候甚至?xí)l(fā)生嚴(yán)重的事故，造成嚴(yán) 重后果。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0003] 為了克服上述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，本實(shí)用新型的目的在于提供一種涂覆銠薄膜的電 容器銅引腳，使引腳具有高強(qiáng)度、高抗氧化性和耐腐蝕性，在工作過程中能較好地抵抗泄漏 的電解液的腐蝕，從而延長電容器的使用壽命，保障電子設(shè)備正常運(yùn)轉(zhuǎn)，不發(fā)生事故。
[0004] 為了達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型采取的技術(shù)方案為：
[0005] -種涂覆銠薄膜的電容器銅引腳，包括銅引腳主體1，銅引腳主體1上涂覆了一層 銠薄膜2。
[0006] 所述的銅引腳主體1由紅銅或黃銅制作。
[0007] 所述的銅引腳主體1的直徑在0. lmm-lmm之間。
[0008] 所述的銠薄膜2采用電鍍方法涂覆，或采用真空濺射方法涂覆。
[0009] 所述的銠薄膜2的厚度在20nm-200nm之間。
[0010] 本實(shí)用新型具有如下優(yōu)點(diǎn)：銠的化學(xué)穩(wěn)定性很好，在銅引腳主體1的表面涂覆一 層銠薄膜2后，銅引腳的抗氧化性和耐腐蝕性能夠得到有效地提高，從而就能較好地抵抗 泄漏的電解液的腐蝕，從而延長電容器的使用壽命，保障電子設(shè)備正常運(yùn)轉(zhuǎn)，不發(fā)生事故。
【專利附圖】
【附圖說明】：
[0011] 圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】：
[0012] 下面結(jié)合附圖對本實(shí)用新型做進(jìn)一步的詳細(xì)說明。
[0013] 如圖1所示，一種涂覆銠薄膜的電容器銅引腳，包括銅引腳主體1，銅引腳主體1上 涂覆了一層銠薄膜2,銅引腳主體1用紅銅制作，銅引腳主體1的直徑為0. 5_，銠薄膜2采 用電鍍方法涂覆，銠薄膜的厚度為50nm。
[0014] 本實(shí)用新型的工作原理為：
[0015] 銠的化學(xué)穩(wěn)定性很好，在銅引腳主體1的表面涂覆一層銠薄膜2后，銅引腳的抗氧 化性和耐腐蝕性能夠得到有效地提高，從而就能較好地抵抗泄漏的電解液的腐蝕，從而延 長電容器的使用壽命，保障電子設(shè)備正常運(yùn)轉(zhuǎn)，不發(fā)生事故。
【權(quán)利要求】
1. 一種涂覆銠薄膜的電容器銅引腳，包括銅引腳主體（1)，其特征在于：銅引腳主體 (1)上涂覆了一層銠薄膜2。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種涂覆銠薄膜的電容器銅引腳，其特征在于：所述的銅引 腳主體（1)由紅銅或黃銅制作。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種涂覆銠薄膜的電容器銅引腳，其特征在于：所述的銅引 腳主體（1)的直徑在〇· lmm-lmm之間。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種涂覆銠薄膜的電容器銅引腳，其特征在于：所述的銠薄 膜（2)采用電鍍方法涂覆，或采用真空濺射方法涂覆。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種涂覆銠薄膜的電容器銅引腳，其特征在于：所述的銠薄 膜（2 )的厚度在20nm-200nm之間。
【文檔編號(hào)】H01G9/008GK203850156SQ201420172804
【公開日】2014年9月24日 申請日期:2014年4月10日 優(yōu)先權(quán)日:2014年4月10日
【發(fā)明者】尚苗, 藺國民, 張文廣, 周飛 申請人:西京學(xué)院