一種腐蝕晶片用承載裝置制造方法
【專利摘要】本實用新型提供了一種全新的晶片承載裝置，所述的晶片承載裝置包括采用鎳金屬絲編織的網桶，桶內設置有傾斜向下的多層網格，所述的網格也采用鎳金屬編織而成；采用這種結構的晶片承載裝置，每層網格上均可放置一枚晶片，實現了對多片晶片的同時腐蝕，提高能量和腐蝕劑利用率，實現了對腐蝕時間和腐蝕溫度的更精確控制，同時在晶片浸入或取出腐蝕劑熔體時實現熔體的快速浸沒或脫離，避免浸沒不及時導致腐蝕不均和脫離不及時造成的過腐蝕。
【專利說明】—種腐蝕晶片用承載裝置
【技術領域】
[0001]本實用新型屬于新材料晶體加工領域，具體涉及一種腐蝕晶片時用承載裝置。
【背景技術】
[0002]目前，碳化硅、氮化鎵等新興晶體材料由于其在獨特而優越的性能在各領域得到了越來越廣泛的應用。隨著晶體生長和加工技術的進步，該類晶體材料的質量有了很大的提高。但目前其進一步發展和應用受到了晶體中缺陷密度的限制。晶體缺陷主要是由于在晶體生長過程中應力釋放、雜質粒子引入等因素造成。缺陷密度不僅決定晶體材料的質量，而且對所制備的器件性能和壽命有著直接的影響，直接限制晶體材料的更廣泛應用和發展。因此對晶體中缺陷密度的檢測具有重要的實際意義。
[0003]目前檢測晶體中缺陷密度主要是通過腐蝕法進行，而采用熔融態的強堿或鹽作為腐蝕劑是最普遍的做法。在進行濕法腐蝕時，被腐蝕晶片被置于承載裝置中并被浸沒于坩堝中熔融的腐蝕劑中。當前所用的晶片承載裝置通常采用耐強堿腐蝕的鉬或鎳絲編織制成，能夠避免腐蝕過程中腐蝕劑對承載裝置的腐蝕。但仍然存在缺陷。常規腐蝕裝置最主要的不足在于每次只能承載一枚晶片進行腐蝕，晶片腐蝕效率低下，對能源和腐蝕劑的利用率低，造成嚴重的浪費。其次，傳統承載裝置中晶片水平放置，在浸入腐蝕劑熔體時由于表面張力作用導致腐蝕劑熔體難以及時完全浸沒晶片，導致晶片不同區域腐蝕不均；在腐蝕完畢取出晶片時，腐蝕劑附著在晶片表面不能及時脫離，造成不同程度的過腐蝕。
[0004]因此，為了應對現有技術的缺陷，有必要提供一種全新的晶片承載裝置。
【發明內容】
[0005]根據現有技術存在的不足和空白，本實用新型的發明人提供了一種全新的晶片承載裝置，所述的晶片承載裝置包括采用鎳金屬絲編織的網桶，桶內設置有傾斜向下的多層網格，所述的網格也采用鎳金屬編織而成；采用這種結構的晶片承載裝置，每層網格上均可放置一枚晶片，實現了對多片晶片的同時腐蝕，提高能源和腐蝕劑利用率，實現了對腐蝕時間和腐蝕溫度的更精確控制，同時在晶片浸入或取出腐蝕劑熔體時實現熔體的快速浸沒或脫離，避免浸沒不及時導致腐蝕不均和脫離不及時造成的過腐蝕。
[0006]本實用新型的具體技術方案如下:
[0007]—種全新的晶片承載裝置，所述的晶片承載裝置包括采用鎳金屬絲編織的網桶，桶內設置有傾斜向下的多層網格，所述的網格也采用鎳金屬編織而成；
[0008]所述晶片承載裝置的網格層數為2?12層，網格的直徑為170_200mm，網格之間間隔1cm，之所以限定上述的參數，這樣是由于該承載裝置需要放置在腐蝕用的坩堝中，尺寸要與坩堝的規格相適應，同時也不能太小，不然難以滿足一次性腐蝕多片晶片的目的，同時為了適應不同尺寸的晶片樣品，如6inch樣品直徑達到150mm，同時還需要為晶片放置和取出留出操作空間，故選擇網格的直徑為170-200_;網格間的間隔距離不能太小也不能太大，不然也無法穩定放置一片晶片，故而優選采用1cm。[0009]所述的網桶頂部通過鎳制的鎖鏈連接有掛鉤，這樣可以方便承載裝置從坩堝中送入和取出，所述的掛鉤高于腐蝕液的液面；
[0010]除此之外，發明人進一步限定每層網格呈O?45度傾斜，這樣當晶片放入腐蝕劑中時可以避免表面張力引起的浸沒不及時導致不均勻腐蝕和取出時腐蝕劑熔體脫離不及時造成的過腐蝕問題，所述的網格可以根據網桶的規格選取臥式或立式的放置方式。
[0011]綜上所述，采用這種結構的晶片承載裝置，每層網格上均可放置一枚晶片，實現了對多片晶片的同時腐蝕，提高能量和腐蝕劑利用率，實現了對腐蝕時間和腐蝕溫度的更精確控制，同時在晶片浸入或取出腐蝕劑熔體時實現熔體的快速浸沒或脫離，避免浸沒不及時導致腐蝕不均和脫離不及時造成的過腐蝕。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0012]圖1為本實用新型所述晶片承載裝置的結構示意圖；
[0013]圖2為圖1的俯視圖；
[0014]圖3為實施例1中網格結構示意圖；
[0015]圖4為實施例2中網格結構示意圖；
[0016]圖中I為掛鉤,2為鎖鏈,3為網桶,4為網格。
【具體實施方式】
[0017]下面通過具體的實施例進一步說明本申請，但是應當理解為，這些實施例僅僅是用于更詳細具體地說明之用，而不應理解為用于以任何形式限制本發明。
[0018]實施例1
[0019]一種腐蝕晶片用承載裝置，所述的晶片承載裝置包括采用鎳金屬絲編織的網桶3，桶內設置有傾斜向下的多層網格4，所述的網格4也采用鎳金屬編織而成；
[0020]所述的網格層數為5層，網格的直徑為180mm，網格之間間隔1cm，
[0021]所述的網桶3頂部通過鎳制的鎖鏈2連接有掛鉤I，所述的掛鉤I高于腐蝕液的液面；
[0022]每層網格均呈7-8度自左至右向下傾斜，網格中網格線的夾角為90度。
[0023]實施例2
[0024]一種腐蝕晶片用承載裝置，所述的晶片承載裝置包括采用鎳金屬絲編織的網桶，桶內設置有傾斜向下的多層網格，所述的網格也采用鎳金屬編織而成；
[0025]所述的網格層數為12層，網格的直徑為170mm，網格之間間隔1cm，
[0026]所述的網桶頂部通過鎳制的鎖鏈連接有掛鉤，所述的掛鉤高于腐蝕液的液面；
[0027]每層網格均呈30度自左至右向下傾斜，網格中網格線的夾角為60度。
[0028]實施例3
[0029]一種腐蝕晶片用承載裝置，所述的晶片承載裝置包括采用鎳金屬絲編織的網桶，桶內設置有傾斜向下的多層網格，所述的網格也采用鎳金屬編織而成；
[0030]所述的網格層數為2?12層，網格的直徑為170-200mm，網格之間間隔1cm，
[0031]所述的網桶頂部通過鎳制的鎖鏈連接有掛鉤，所述的掛鉤高于腐蝕液的液面；每層網格呈O?45度傾斜。
【權利要求】
1.一種腐蝕晶片用承載裝置，其特征在于:所述的晶片承載裝置包括采用鎳金屬絲編織的網桶(3)，網桶(3)內設置有傾斜向下的多層網格(4)，所述的網格(3)也采用鎳金屬編織而成。
2.根據權利要求1所述的腐蝕晶片用承載裝置，其特征在于:所述的網格(4)層數為2?12層，網格(4)的直徑為170-200mm，相鄰網格之間間隔1cm，每層網格呈O?45度傾斜。
3.根據權利要求1所述的腐蝕晶片用承載裝置，其特征在于:所述的網桶(3)頂部通過鎳制的鎖鏈(2 )連接有掛鉤(I)，所述的掛鉤(I)高于腐蝕液的液面。
【文檔編號】H01L21/673GK203741459SQ201420141030
【公開日】2014年7月30日 申請日期:2014年3月26日 優先權日:2014年3月26日
【發明者】寧敏, 劉云青, 高玉強 申請人:山東天岳晶體材料有限公司