真空滅弧室用屏蔽罩封接結構的制作方法
【專利摘要】本實用新型公開了真空滅弧室用屏蔽罩封接結構，屬于電真空器件制造【技術領域】，主要解決現有屏蔽罩與瓷殼封接后形成的應力較大的問題。本實用新型包括具有臺階（1）的瓷殼（2），與瓷殼（2）封接的屏蔽筒（3），其特征在于：所述屏蔽筒（3）通過封接環（4）與瓷殼（2）封接；所述封接環（4）為環形薄壁結構，且彎折形成一個以上的凸出件（5），該封接環（4）內徑與屏蔽筒（3）外徑相匹配、封接環（4）外徑則與瓷殼（2）內徑相匹配。本實用新型具有制造工藝簡單，成本較低，真空滅弧室開斷性能可靠，電場分布均勻，耐雷電沖擊能力強，使用壽命長等優點。
【專利說明】真空滅弧室用屏蔽罩封接結構
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及一種真空滅弧室的部件，屬于電真空器件制造【技術領域】。
【背景技術】
[0002]12kV真空滅弧室常采用整體式瓷殼，這比兩節式瓷殼降低了成本。整體式瓷殼的屏蔽罩封接是一項關鍵技術，直接影響著真空滅弧室的絕緣性能。目前屏蔽罩與瓷殼內壁直接封接是常見的一種屏蔽罩固定方式，但是由于熱膨脹系數的差異，屏蔽罩與瓷殼封接后形成的應力較大；且由于瓷殼燒結過程形成的瓷殼橢圓度，使屏蔽罩不易放置到位而形成屏蔽罩偏斜的現象，進而影響到真空滅弧室的絕緣能力。
實用新型內容
[0003]為了解決現有屏蔽罩與瓷殼封接后形成的應力較大、影響真空滅弧室絕緣能力的問題，本實用新型提供了一種真空滅弧室用屏蔽罩封接結構。
[0004]本實用新型解決其技術問題所采用的技術方案是:
[0005]真空滅弧室用屏蔽罩封接結構，包括具有臺階的瓷殼，與瓷殼封接的屏蔽筒，所述屏蔽筒通過封接環與瓷殼封接；所述封接環為環形薄壁結構，且彎折形成一個以上的凸出件，該封接環內徑與屏蔽筒外徑相匹配、封接環外徑則與瓷殼內徑相匹配。
[0006]為了實現更好地封接效果，所述瓷殼上與封接環封接處設置為金屬化結構。
[0007]作為一種優選，所述凸出件為六個，均勻分布于封接環上。
[0008]作為另一種優選，所述封接環由無氧銅材料構成，其厚度為0.5mm。
[0009]進一步，所述屏蔽筒為一體成型結構且由直筒、連接于直筒下方的收縮筒組成；所述該封接環內徑與收縮筒外徑相匹配。
[0010]更進一步地，所述直筒與收縮筒連接處以及直筒與收縮筒端口處結構均為圓弧形。
[0011]作為最好地封接方式，所述封接環底面與臺階頂部平面封接、封接環外壁與瓷殼內壁封接，封接環內壁與收縮筒釬焊。
[0012]本實用新型與現有技術相比，具有以下優點及有益效果:
[0013]1、在本實用新型中屏蔽罩通過封接環能夠可罪固定在瓷殼內壁上，封接應力小，屏蔽罩與瓷殼同軸度好，工頻耐壓和雷電沖擊耐壓能力高。
[0014]2、采用本實用新型結構的真空滅弧室開斷性能可靠，電場分布均勻，使用壽命長。
[0015]3、本實用新型制造工藝簡單，成本較低，且裝配方便，適合推廣應用。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0016]圖1為本實用新型的整體結構示意圖。
[0017]圖2為圖1中A處的放大結構示意圖。
[0018]圖3為本實用新型中封接環的結構示意圖。[0019]其中，圖中附圖標記對應的零部件名稱為:
[0020]I —臺階,2 —瓷殼,3 —屏蔽筒,4 —封接環,5 —凸出件；
[0021]31 —直筒，32 —收縮筒。
【具體實施方式】
[0022]下面結合實施例及其附圖，對本實用新型作進一步地詳細說明，但本實用新型的實施方式不限于此。
實施例
[0023]下面結合附圖和實施例對本實用新型進一步說明。
[0024]真空滅弧室用屏蔽罩封接結構，包括有若干凸出件5的封接環4、具有臺階I的瓷殼2、與封接環配合的屏蔽筒3，該結構清楚顯示于圖1中。同時，圖2所示，該封接環4位于臺階I的上方，通過封接環實現瓷殼2與屏蔽筒3之間的封接，有效減少屏蔽筒與瓷殼直接封接后形成的封接應力，進而使真空滅弧室的開斷性能更加可靠，使真空滅弧室內電場分布更加均勻，增強耐雷電沖擊能力，增加使用壽命。本實用新型中封接環的具體結構如下:
[0025]如圖3所示，該封接環為薄壁結構，其彎折形成若干個凸出件5，在本實施例中優選為六個，均勻分布于封接環上。該封接環上彎折形成的凸出件5側面與瓷殼內壁封接，該封接環底面與臺階I頂部平面封接，封接環內壁與屏蔽筒封接。
[0026]為了能達到最好地封接效果，本實用新型中瓷殼上與封接環封接處設置為金屬化結構。即，如圖2所示，該瓷殼內壁上與封接環封接處設置問金屬化結構，瓷殼的臺階I與封接環相連的部位也設置為金屬化結構。
[0027]為了能更好地減少瓷殼與屏蔽筒之間的封接應力，該封接環優選為由無氧銅材料構成。所述封接環的厚度則優選為0.5_。
[0028]為了能增加屏蔽罩與瓷殼同軸度，進一步提高工頻耐壓和雷電沖擊耐壓能力，如圖2所示，所述屏蔽筒3由直筒31、連接于直筒31下方的收縮筒32組成，且該屏蔽筒3為一體成型結構，該收縮筒32外徑與封接環4內徑相匹配。所述直筒31與收縮筒32連接處以及直筒31與收縮筒32端口處結構均為圓弧形。
[0029]本實施例中封接環4、瓷殼2、屏蔽筒3之間的具體設置如下:
[0030]該封接環底面與臺階頂部平面封接、封接環外壁與瓷殼內壁封接，封接環內壁與收縮筒釬焊；封接環的壁厚為0.5mm,外徑82mm,內徑77mm ;瓷殼內徑82mm,瓷殼臺階內徑78mm,臺階寬度2mm ;屏蔽筒中收縮筒外徑為77mm。其中,封接環采用無氧銅(TUl)材料,屏蔽罩采用不銹鋼、無氧銅或電工純鐵，瓷殼為95瓷。
[0031]本實用新型的結構工藝先進，屏蔽罩通過封接環能夠可靠固定在瓷殼內壁上，封接應力小，屏蔽罩與瓷殼同軸度好，工頻耐壓和雷電沖擊耐壓能力高，且裝配方便。可用于各種電壓等級整體瓷殼系列真空滅弧室。
[0032]采用本屏蔽罩封接結構的真空滅弧室絕緣能力強且穩定，經測驗可知:12kV正負極性雷電沖擊耐受電壓可達120kV以上。
[0033]上述實施例僅為本實用新型的優選實施例，并非對本實用新型保護范圍的限制，但凡采用本實用新型的設計原理，以及在此基礎上進行非創造性勞動而作出的變化，均應屬于本實用新型的保護范圍之內。
【權利要求】
1.真空滅弧室用屏蔽罩封接結構，包括具有臺階(I)的瓷殼(2)，與瓷殼(2)封接的屏蔽筒(3)，其特征在于:所述屏蔽筒(3)通過封接環(4)與瓷殼(2)封接；所述封接環(4)為環形薄壁結構，且彎折形成一個以上的凸出件(5)，該封接環(4)內徑與屏蔽筒(3)外徑相匹配、封接環(4)外徑則與瓷殼(2)內徑相匹配。
2.根據權利要求1所述的真空滅弧室用屏蔽罩封接結構，其特征在于:所述瓷殼(2)上與封接環(4)封接處設置為金屬化結構。
3.根據權利要求1所述的真空滅弧室用屏蔽罩封接結構，其特征在于:所述凸出件(5)為六個，均勻分布于封接環(4)上。
4.根據權利要求3所述的真空滅弧室用屏蔽罩封接結構，其特征在于:所述封接環(4)由無氧銅材料構成。
5.根據權利要求4所述的真空滅弧室用屏蔽罩封接結構，其特征在于:所述封接環(4)的厚度為0.5mm。
6.根據權利要求1?5任一項所述的真空滅弧室用屏蔽罩封接結構，其特征在于:所述屏蔽筒(3)為一體成型結構且由直筒(31)、連接于直筒(31)下方的收縮筒(32)組成；所述封接環(4)內徑與收縮筒(32)外徑相匹配。
7.根據權利要求6所述的真空滅弧室用屏蔽罩封接結構，其特征在于:所述直筒(31)與收縮筒(32)連接處以及直筒(31)與收縮筒(32)端口處結構均為圓弧形。
8.根據權利要求7所述的真空滅弧室用屏蔽罩封接結構，其特征在于:所述封接環(4)底面與臺階(I)頂部平面封接、封接環(4)外壁與瓷殼(2)內壁封接，封接環(4)內壁與收縮筒(32)釬焊。
【文檔編號】H01H33/664GK203690205SQ201420004656
【公開日】2014年7月2日 申請日期:2014年1月6日 優先權日:2014年1月6日
【發明者】王強, 肖紅 申請人:成都凱賽爾電子有限公司