用于管理錯誤區域的存儲器裝置及方法
【專利摘要】本申請涉及用于管理錯誤區域的存儲器裝置及方法。本發明描述包含存儲器裸片堆疊及邏輯裸片的存儲器裝置及方法。所描述的方法及裝置包含實現重新分割所述存儲器裸片堆疊及將新的分區存儲于存儲器映射中的那些方法及裝置。以選定配置進行重新分割允許移除存儲器的若干部分使其不再使用而不影響所述存儲器裝置的其余部分。還揭示額外裝置、系統及方法。
【專利說明】用于管理錯誤區域的存儲器裝置及方法
[0001]本案是一件分案申請。本案的母案是國際申請號為PCT/US2010/021807、申請日為2010年I月22日、PCT申請進入中國國家階段后申請號為201080005316.X、發明名稱為“用于管理錯誤區域的存儲器裝置及方法”的發明專利申請案。
_2] 相關申請案交叉參考
[0003]本專利申請案主張2009年I月23日提出申請的第12/359，014號美國申請案的優先權權益，所述美國申請案以引用的方式并入本文中。
【技術領域】
[0004]本文中所描述的各種實施例涉及與半導體存儲器相關聯的設備、系統及方法。
【背景技術】
[0005]微處理器技術已以比半導體存儲器技術的速率快的速率演變。因此，現代主機處理器與半導體存儲器子系統之間通常存在性能的不匹配，所述處理器配接到所述半導體存儲器子系統以接收指令及數據。舉例來說，據估計，一些高端服務器閑置四分之三時鐘來等待對存儲器請求的響應。
[0006]另外，隨著處理器核心及線程的數目繼續增加，軟件應用程序及操作系統技術的演變已增加了對較高密度存儲器子系統的需求。然而，當前技術的存儲器子系統通常表示性能與密度之間的折衷。較高帶寬可限制在不超過聯合電子裝置工程委員會(JEDEC)電氣規范的情況下可連接于系統中的存儲器卡或存儲器模塊的數目。
[0007]已提出對JEDEC接口標準(例如，雙倍數據速率(DDR)同步動態隨機存取存儲器(SDRAM))的擴展，但關于未來所預期存儲器帶寬及密度通常可發現其不足。缺點包含缺少存儲器功率優化及主機處理器與存儲器子系統之間的接口的唯一性。隨著處理器及/或存儲器技術的改變，后一缺點可導致對重新設計所述接口的需要。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0008]圖1展示根據本發明的實施例的存儲器系統的框圖。
[0009]圖2展示根據本發明的實施例的具有邏輯裸片的堆疊式裸片3D存儲器的剖切概念圖。
[0010]圖3展示根據本發明的實施例的存儲器庫控制器及相關聯模塊的框圖。
[0011]圖4展示根據本發明的實施例的操作存儲器裝置的方法的流程圖。
[0012]圖5展示根據本發明的實施例的制作存儲器裝置的方法的流程圖。
[0013]圖6展示根據本發明的實施例的信息處置系統的框圖。
【具體實施方式】
[0014]在本發明的以下詳細說明中，參考形成本發明的一部分且其中以圖解說明方式展示其中可實踐本發明的特定實施例的附圖。充分詳細地描述這些實施例旨在使所屬領域的技術人員能夠實踐本發明。可利用其它實施例且可做出結構、邏輯及電改變。
[0015]圖1包含根據本發明的各種實例性實施例的存儲器裝置100的框圖。存儲器裝置100操作以在一個或一個以上始發裝置及/或目的地裝置(例如，一個或一個以上處理器)與堆疊式陣列存儲器“庫” 110集合之間大致同時傳送多個傳出及/或傳入命令流、地址流及/或數據流。可產生增加的存儲器系統密度、帶寬、平行性及可縮放性。
[0016]多裸片存儲器陣列實施例聚合在先前設計中通常位于每一個別存儲器陣列裸片上的控制邏輯。在本發明中稱為存儲器庫的堆疊式裸片群組的子區段展示為圖1中的實例性庫I1且展示為圖2中的實例性庫230。在所圖解說明的實例中所展示的存儲器庫共享共用控制邏輯。存儲器庫架構戰略性地分割存儲器控制邏輯以增加能量效率同時提供已通電存儲器組的較細粒度。所展示的實施例還實現標準化的主機處理器到存儲器系統接口。隨著存儲器技術演變，所述標準化接口可減少重新設計循環次數。
[0017]圖2是根據各種實例性實施例與邏輯裸片202堆疊在一起以形成存儲器裝置100的堆疊式裸片3D存儲器陣列200的剖切概念圖。存儲器裝置100并入有產生堆疊式裸片3D存儲器陣列200的一個或一個以上存儲器陣列203堆疊。將多個存儲器陣列(例如，存儲器陣列203)制作到多個裸片中的每一者(例如，裸片204)上。接著堆疊所述存儲器陣列裸片以形成堆疊式裸片3D存儲器陣列200。
[0018]將所述堆疊中的每一裸片劃分成多個“瓦片”(例如，與堆疊式裸片204相關聯的瓦片205A、205B及205C)。每一瓦片(例如，瓦片205C)可包含一個或一個以上存儲器陣列203。存儲器陣列203并不限于任一特定存儲器技術且可包含動態隨機存取存儲器(DRAM)、靜態隨機存取存儲器(SRAM)、快閃存儲器等。
[0019]堆疊式存儲器陣列瓦片集合208可包含來自所述堆疊式裸片中的每一者的單個瓦片(例如，瓦片212B、212C及212D，其中基底瓦片在圖1中被隱藏而看不到)。電力、地址及/或數據以及類似共用信號可沿“Z”維度220在傳導路徑(例如，傳導路徑224)(例如，“穿晶片互連件”(TWI))上橫越堆疊式瓦片集合208。注意，TWI未必需要完全穿過特定晶片或裸片。
[0020]將一種配置中的堆疊式裸片3D存儲器陣列200分割成存儲器“庫”(例如，存儲器庫230)集合。每一存儲器庫包含一堆疊式瓦片集合(例如，瓦片集合208)、來自多個堆疊式裸片中的每一者的一個瓦片連同用以電互連瓦片集合208的TWI集合。所述庫中的每一瓦片包含一個或一個以上存儲器陣列(例如，存儲器陣列240)。雖然描述分割成個別庫230，但也可以若干種其它方式分割3D存儲器陣列200。其它實例性分割包含按裸片、瓦片等分割。
[0021]在圖1中于存儲器裝置100內的背景下圖解說明存儲器庫集合102(所述存儲器庫類似于來自圖2的存儲器庫230)。存儲器裝置100還包含多個存儲器庫控制器(MVC) 104 (例如，MVC 106)。每一 MVC以一對一關系通信地耦合到對應存儲器庫(例如，集合102的存儲器庫110)。因此，每一 MVC能夠獨立于其它MVC與其相應存儲器庫之間的通信而與對應存儲器庫通信。
[0022]存儲器裝置100還包含多個可配置串行化通信鏈路接口(SCLI) 112。SCLI 112被劃分成SCLI傳出群組113及SCLI傳入群組115，其中“傳出”及“傳入”方向是從處理器114的角度界定的。多個SCLI 112中的每一 SCLI能夠與其它SCLI同時操作。SCLI 112共同將多個MVC 104通信地耦合到一個或一個以上主機處理器114。存儲器裝置100呈現到主機處理器114的多鏈路高吞吐量接口。
[0023]存儲器裝置100還可包含開關116。在一些實施例中，開關116可包括矩陣開關，其還可稱為交叉連接開關。開關116通信地耦合到多個SCLI 112且耦合到多個MVC 104。開關116能夠將每一 SCLI交叉連接到選定MVC。因此，主機處理器114可跨越多個SCLI112以大致同時的方式存取多個存儲器庫102。此架構可為現代處理器技術(包含多核技術)提供高處理器到存儲器帶寬。
[0024]存儲器裝置100還可包含耦合到開關116的存儲器組構控制寄存器117。存儲器組構控制寄存器117接受來自配置源的存儲器組構配置參數且配置存儲器裝置100的一個或一個以上組件以根據可選擇模式操作。舉例來說，開關116及多個存儲器庫102以及多個MVC 104中的每一者通常可經配置以響應于單獨存儲器請求而獨立于彼此地操作。此配置可由于SCLI 112與存儲器庫102之間的平行性而增強存儲器系統帶寬。
[0025]或者，存儲器裝置100可經由存儲器組構控制寄存器117重新配置以致使多個存儲器庫102中的兩者或兩者以上的子集及對應MVC子集響應于單個請求而同步操作。后一配置可用于存取比與單個庫相關聯的數據字的寬度寬的數據字。此字在本文中稱為寬數據字。此技術可降低等待時間。可通過將選定位型式加載到存儲器組構控制寄存器117中來實現其它配置。
[0026]在一個實例中，傳出SCLI 113可包含多個傳出差分對串行路徑(DPSP) 128。DPSP128通信地耦合到主機處理器114且可共同地輸送傳出包。傳出SCLI 113還可包含耦合到多個傳出DPSP 128的解串行化器130。傳出SCLI還可包含通信地耦合到解串行化器130的多路分用器138。在一個實施例中，DSPS、解串行化器及多路分用器的配置促進數據包或子包的有效傳送。類似于傳出SLCI，在一個實施例中，傳入SCLI以及DSPS、串行化器及多路復用器的類似配置促進數據包或子包的有效傳送。
[0027]圖3是根據各種實例性實施例的MVC(例如，MVC 106)及相關聯模塊的框圖。MVC106可包含可編程庫控制邏輯(PVCL)組件310。PVCL 310將MVC 106介接到對應存儲器庫(例如，存儲器庫110)。PVCL 310產生與對應存儲器庫110相關聯的一個或一個以上控制信號及/或定時信號。
[0028]PVCL 310可經配置以將MVC 106調適到選定配置或選定技術的存儲器庫110。因此，舉例來說，最初可使用當前可用的DDR2 DRAM配置存儲器裝置100。隨后可調適存儲器裝置100以通過將PVCL 310重新配置為包含DDR3組控制與定時邏輯來適應基于DDR3的存儲器庫技術。
[0029]MVC 106還可包含通信地耦合到PVCL 310的存儲器定序器314。存儲器定序器314基于用于實施相關聯存儲器庫110的技術來執行存儲器技術相依操作集合。舉例來說，存儲器定序器314可執行與對應存儲器庫110相關聯的命令解碼操作、存儲器地址多路復用操作、存儲器地址多路分用操作、存儲器刷新操作、存儲器庫訓練操作及/或存儲器庫預取操作。在一些實施例中，存儲器定序器314可包括DRAM定序器。在一些實施例中，存儲器刷新操作可始發于單獨刷新控制器(未展示)中。
[0030]存儲器定序器314可經配置以將存儲器裝置100調適到選定配置或技術的存儲器庫110。舉例來說，存儲器定序器314可經配置以與同存儲器裝置100相關聯的其它存儲器定序器同步地操作。此配置可用于響應于單個高速緩存線請求而將寬數據字從多個存儲器庫遞送到與主機處理器114相關聯的高速緩存線(未展示)。
[0031]MVC 106還可包含寫入緩沖器316。寫入緩沖器316可耦合到PVCL 310以緩沖從主機處理器114抵達MVC 106的數據。MVC 106可進一步包含讀取緩沖器317。讀取緩沖器317可耦合到PVCL 310以緩沖從對應存儲器庫110抵達MVC 106的數據。
[0032]MVC 106還可包含無序請求隊列318。無序請求隊列318建立對包含于存儲器庫110中的多個存儲器組的有序讀取及/或寫入操作序列。選擇所述有序序列以避免對任一單個存儲器組的順序操作以減少組沖突且降低讀取到寫入周轉時間。
[0033]MVC 106還可包含存儲器映射邏輯(MML)組件324。MML 324管理若干個操作，例如使用TWI修復邏輯328的TWI修復操作或其它修復操作。在一個實例中，MML 324針對3D存儲器陣列200的多個部分追蹤多個錯誤數據。下文更詳細地論述錯誤數據的使用。可使用MML 324來追蹤若干個不同部分的錯誤率。在一個實例中，針對每一裸片204追蹤錯誤數據。其它實例包含針對每一瓦片205、每一陣列203等追蹤錯誤數據。
[0034]在一個實例中，所追蹤的部分是動態的。舉例來說，在裸片204具有超過閾值的錯誤率的情況下，可選擇裸片204的一部分進行追蹤。在另一實例中，在錯誤率低于一部分(例如，瓦片)的閾值錯誤率的情況下，MVEL可僅針對包含所述瓦片的庫追蹤錯誤率。在一個實例中，針對3D存儲器陣列200的一部分的所追蹤錯誤率信息用于調整(例如，改變)選定部分的刷新速率。
[0035]圖3展示包含存儲器映射315的實施例。存儲器映射315與MML 324交互、保持追蹤3D存儲器陣列200的各個部分且存儲與所追蹤部分相關聯的特性(例如錯誤數據)。實例包含針對個別裸片204、庫230、瓦片205或3D存儲器陣列200內的若干個存儲器單元的其它分組追蹤錯誤數據。在一個實例中，存儲器映射315同時針對一個以上部分保持追蹤此信息。在一個實例中，每一 MVC 106包含單獨存儲器映射315，但本發明并不受如此限制。其它實施例包含位于邏輯芯片202上的單個存儲器映射315或其它數目個存儲器映射315以服務于3D存儲器陣列200。
[0036]雖然將錯誤數據論述為由存儲器裝置100追蹤并使用的特性，但本發明并不受如此限制。在各種實施例中還追蹤每一部分所特有的其它特性。其它特性可包含(但不限于)溫度、斷電狀態及刷新速率。
[0037]如上文所論述，在一個實施例中，所追蹤的錯誤數據包含對應于3D存儲器陣列200的個別部分的錯誤率。其它錯誤數據(例如錯誤類型或積累錯誤)也是可能的錯誤數據。錯誤類型包含可使用錯誤校正碼(ECC)校正的錯誤及例如有故障穿晶片互連件的硬錯誤。在一個實施例中，將錯誤率與閾值錯誤率進行比較。在一個實施例中，在超過閾值錯誤率的情況下，將存儲器部分視為需要校正動作。校正動作可包含若干個方法，包含實施錯誤校正算法或移除壞的區域使其不再操作。下文更詳細地論述使用3D存儲器陣列200的重新分割的校正動作。
[0038]在一個實例中，收集錯誤數據一次，且將校正動作實施為靜態校正。舉例來說，可在通電操作期間評估存儲器裝置100 —次，且收集3D存儲器陣列200的各個部分的錯誤數據一次。產生(例如，創建)存儲器映射315，且移除具有超過閾值水平的錯誤的存儲器部分使其不再操作。接著，MML 324使用存儲器映射315來將3D存儲器陣列200從在通電之前已存在的第一分割狀態重新分割為移除壞的存儲器部分使其不再操作的第二分割狀態。
[0039]在另一實例中，僅在制造之后收集錯誤數據一次，且產生存儲器映射315以移除因制造錯誤所致的任何有缺陷存儲器部分。制造合格率錯誤的實例包含有故障通孔、TW1、其它光刻缺陷等。其它錯誤可因硅的變化或產生具有比正常高的錯誤率的起作用部分的處理所致。在一些實施例中，在首先使用ECC校正錯誤接著將數據移動到3D存儲器陣列200的以至少正常性能起作用的一部分之后，移除以比正常低的性能起作用的此些部分使其不再操作。在移動數據之后，接著移除3D存儲器陣列200的具有不可接受錯誤率的部分使其不在存儲器映射315中使用，且重新分割3D存儲器陣列200。
[0040]在一個實例中，在存儲器裝置100的操作期間動態地收集錯誤數據，且響應于改變錯誤數據而動態地實施校正動作。動態地改變3D存儲器陣列200的條件可出于若干個原因，包含導體的電迀移、隨時間的熱損壞等。在動態實施例中，當個別存儲器部分的條件改變時，更新存儲器映射315，且視需要由MML 324實施校正動作。類似于上文所描述的實施例，校正動作包含移動數據、移除有故障存儲器部分及重新分割3D存儲器陣列200。
[0041]圖4圖解說明包含3D存儲器陣列200的動態重新分割的操作存儲器的方法。在操作410中，從存儲器裸片堆疊的若干個不同第一分區收集錯誤數據。第一分區可對應于所列舉的存儲器部分(例如庫110、瓦片205等)中的一些部分，然而本發明并不受如此限制。錯誤數據可包含僅指示第一分區不起作用，或錯誤數據可包含第一分區的錯誤率。如上文所論述，還可能有其它類型的錯誤數據。
[0042]在操作420中，使用在操作410中所收集的錯誤數據在本地附接的邏輯裸片(例如邏輯裸片202)內產生(例如，創建)存儲器映射315。在操作430中，在錯誤數據超過閾值的情況下，在存儲器裝置100的操作期間改變存儲器映射315以重新分割存儲器裸片堆疊從而形成若干個第二分區。
[0043]上文所描述的實施例論述移除不起作用的分區使其不再操作。其它實施例挽救分區中仍起作用的部分。在一個實施例中，組合第一分區中仍起作用的部分以形成第二分區。舉例來說，在TWI于存儲器庫110中發生故障的情況下，庫110的下部部分可保持起作用。可組合并重新分割此些庫110的兩個或兩個以上下部部分以在第二分區中用作整個庫。在此實例中，可使兩個或兩個以上存儲器定序器314同步以作為單個庫操作。
[0044]在一個實施例中，3D存儲器陣列200制作有備用存儲器部分。備用存儲器部分的實例包含備用存儲器裸片204、備用存儲器庫110、備用存儲器瓦片205等。在一個實例中，備用存儲器區域在第一分割中被分割為若干備用區，且如此記錄于存儲器映射315中。在靜態重新分割存儲器實例中，在通電時或在制造之后，在3D存儲器陣列200的“主要”部分(與備用部分相對)是壞的且移除所述部分使其不再使用的情況下，將一個或一個以上備用存儲器部分映射到在重新分割過程中使用。同樣地，在動態重新分割存儲器實例中，在存儲器操作期間，一旦一存儲器部分滿足移除準則(例如錯誤率超過閾值)，便將彌補差所必需的一定量備用存儲器部分映射到使用中，且將3D存儲器陣列200重新分割為包含所述備用區。
[0045]在一個實例中，在重新分割之后，可能不存在足夠的備用存儲器部分來使3D存儲器陣列200恢復高達特定存儲器容量。舉例來說，3D存儲器陣列200可最終短缺一個或一個以上庫110。在不具有備用存儲器部分的其它實施例中，任何重新分割均將導致比制造中所設計的存儲器容量小的存儲器容量。
[0046]圖5圖解說明根據可用帶寬在制造之后將存儲器分類的制造過程。在操作510中，形成若干個存儲器裸片堆疊，且在操作520中，將邏輯裸片與所述存儲器裸片堆疊堆疊在一起。以第一分割結構制造每一存儲器裸片堆疊。接著在操作530中通過從所述存儲器裸片堆疊的不同存儲器部分收集(例如，采集、產生等)錯誤數據來評估每一存儲器裸片堆疊。在操作540中，重新分割每一存儲器裸片堆疊以移除具有未滿足標準的錯誤數據的存儲器部分使其不再操作。如上文的實例中所論述，在存儲器裸片堆疊的一部分完全不起作用的情況下，錯誤數據可能未滿足標準。在其它實例中，在錯誤率超過存儲器裸片堆疊的一部分的閾值錯誤率的情況下，錯誤數據可能未滿足標準。
[0047]在操作550中，根據通過所述存儲器裸片堆疊中的每一者的剩余存儲器容量所確定的可用帶寬將所述存儲器裸片堆疊分類。如上文所論述，在不具有備用存儲器部分的實施例中，移除堆疊的一部分可導致相同的讀取帶寬，但寫入帶寬稍微縮減。即使在具有備用存儲器部分的實施例中，也可超過備用部分，且所得堆疊可具有縮減的帶寬。
[0048]根據可用帶寬將存儲器裸片堆疊分類類似于在制造之后通過所示范的速度將處理器分類。可接著將存儲器裸片堆疊與僅需要特定經分類存儲器帶寬的計算系統相匹配。舉例來說，可以選定處理器速度及選定存儲器帶寬售賣個人計算機。與取決于處理器速度及存儲器帶寬兩者相比，所得組合將基于用戶提供計算速度。
[0049]此方法使得制造合格率對于存儲器制造商來說根本不成問題。如上文實施例中所描述的存儲器裝置100無需完美，且由于例如所附接邏輯芯片及存儲器映射的特征，大百分比的操作存儲器帶寬仍可用且可如此售賣給最終用戶。使存儲器映射315本地存儲于存儲器裝置100上本地安裝的邏輯芯片202內允許存儲器裝置100優化與處理器114無關的存儲器操作。
[0050]各種實施例的設備及系統可用于除高密度多鏈路、高吞吐量半導體存儲器子系統以外的應用中。因此，本發明的各種實施例將不受如此限制。對存儲器裝置100的圖解說明打算提供對各種實施例的結構的一般理解。所述圖解說明并非打算用作對可利用本文中所描述結構的設備及系統的所有元件及特征的完全說明。
[0051]各種實施例的新穎設備及系統可包括用于計算機、通信及信號處理電路、單處理器或多處理器模塊、單個或多個嵌入式處理器、多核處理器、數據交換機及其它信息處置系統中的電子電路或并入到其中。
[0052]此些系統的實例包含(但不限于)電視、蜂窩式電話、個人數據助理(PDA)、個人計算機(例如，膝上型計算機、桌上型計算機、手持式計算機、平板計算機等)、工作站、無線電、視頻播放器、音頻播放器(例如，MP3(動畫專家組音頻層3)播放器)、車輛、醫用裝置(例如，心臟監測器、血壓監測器等)、機頂盒及其它電子系統。
[0053]在圖6中包含個人計算機的高級實例以展示本發明的較高級裝置應用。圖6是根據本發明的實施例的并入有至少一個存儲器裝置606的信息處置系統600的框圖。
[0054]在此實例中，信息處置系統600包括數據處理系統，所述數據處理系統包含用以耦合所述系統的各種組件的系統總線602。系統總線602在信息處置系統600的各種組件當中提供通信鏈路且可實施為單個總線、實施為總線組合或以任一其它適合方式實施。
[0055]芯片組合件604耦合到系統總線602。芯片組合件504可包含任一電路或若干電路的操作兼容組合。在一個實施例中，芯片組合件604包含可為任一類型的處理器608或多個處理器。如本文中所使用，“處理器”意指任一類型的計算電路，例如(但不限于)微處理器、微控制器、圖形處理器、數字信號處理器(DSP)或任一其它類型的處理器或處理電路。如本文中所使用，“處理器”包含多個處理器或多個處理器核心。
[0056]在一個實施例中，存儲器裝置606包含于芯片組合件604中。所屬領域的技術人員將認識到，各種存儲器裝置配置可用于芯片組合件604中。在上文實施例中描述在操作期間不斷刷新的存儲器裝置(例如，DRAM)。DRAM裝置的一個實例包含具有如上文實施例中所描述的集成式邏輯芯片的堆疊式存儲器芯片3D存儲器裝置。存儲器606還可包含非易失性存儲器(例如，快閃存儲器)。
[0057]信息處置系統600還可包含外部存儲器611，所述外部存儲器又可包含適于特定應用的一個或一個以上存儲器元件，例如，一個或一個以上硬驅動器612及/或處置可裝卸媒體613 (例如，快閃存儲器驅動器、光盤(CD)、數字視頻盤(DVD)及類似物)的一個或一個以上驅動器。
[0058]信息處置系統600還可包含顯示裝置609 (例如，監視器)、額外外圍組件610 (例如，揚聲器等)及鍵盤及/或控制器614，其可包含鼠標、軌跡球、游戲控制器、話音辨識裝置或準許系統用戶將信息輸入到信息處置系統600中及從信息處置系統600接收信息的任一其它裝置。
[0059]盡管描述了本發明的若干個實施例，但以上列表并非打算為窮盡性。雖然本文中已圖解說明及描述了特定實施例，但所屬領域的技術人員將了解，旨在實現相同目的的任何布置均可替代所展示的特定實施例。本申請案打算涵蓋對本發明的任何修改或變型。應理解，以上說明打算為說明性而非限制性。在審閱以上說明之后，所屬領域的技術人員將即刻明了以上實施例的組合及其它實施例。
【權利要求】
1.一種存儲器裝置，其包括: 經分割的存儲器裸片堆疊；及 至少一個邏輯裸片，其耦合到所述存儲器裸片堆疊，所述邏輯裸片包含存儲器映射邏輯，所述存儲器映射邏輯經配置以重新分割所述存儲器裸片堆疊，其中所述存儲器映射邏輯經配置以追蹤對應于所述經分割的存儲器裸片堆疊的不同部分的錯誤數據，且要被追蹤的所述不同部分是依據對應于所述不同部分的所述錯誤數據而可調節的。
2.根據權利要求1所述的存儲器裝置，其中所述至少一個邏輯裸片與所述經分割的存儲器裸片堆疊堆疊在一起。
3.根據權利要求1所述的存儲器裝置，其中所述存儲器裸片堆疊被分割成若干垂直存儲器庫。
4.根據權利要求3所述的存儲器裝置，其中所述存儲器庫進一步包括若干備用存儲器
5.根據權利要求1所述的存儲器裝置，其中所述存儲器映射邏輯經配置以使用在所述存儲器裝置通電時隨即產生的存儲器映射。
6.根據權利要求1所述的存儲器裝置，其中所述存儲器映射邏輯使用在所述存儲器裝置的制造之后隨即產生的存儲器映射。
7.根據權利要求3所述的存儲器裝置，其中所述存儲器映射邏輯經配置以將部分有缺陷的庫的若干部分一起組合成單個分區。
8.一種存儲器裝置，其包括: 存儲器裸片堆疊；及 邏輯裸片，其耦合到所述存儲器裸片堆疊，所述邏輯裸片包含存儲器映射邏輯以依據所述存儲器裸片堆疊的不同部分中的所追蹤錯誤數據而相對于所述存儲器裸片堆疊采取校正動作； 其中所述存儲器映射邏輯經配置以追蹤所述不同部分中的錯誤數據，且其中要被追蹤的所述不同部分是依據對應于所述不同部分的所追蹤錯誤數據而可調節的。
9.根據權利要求8所述的存儲器裝置，其中所述邏輯裸片經配置以動態地重新分割所述存儲器裸片堆疊以移除所述存儲器裸片堆疊的具有超過錯誤閾值的所追蹤錯誤數據的部分使其不再操作。
10.根據權利要求8所述的存儲器裝置，其中所述存儲器映射經配置以同時追蹤對應于所述存儲器裸片堆疊的多個部分的錯誤數據。
11.根據權利要求8所述的存儲器裝置，其中所述所追蹤錯誤數據包含可使用錯誤校正碼出⑶)校正的錯誤。
12.根據權利要求11所述的存儲器裝置，其中所述邏輯裸片經配置以在所述錯誤可使用錯誤校正碼出⑶)校正的情況下將數據移動到所述存儲器裸片堆疊的另一部分。
13.一種存儲器裝置，其包括: 存儲器裸片堆疊，其包含: 若干個主要部分；及 至少一個備用部分；及 邏輯裸片，其耦合到所述存儲器裸片堆疊，所述邏輯裸片包含存儲器映射邏輯以在所述若干個主要部分中的一者中的錯誤率超過閾值的情況下相對于所述存儲器裸片堆疊采取校正動作； 其中所述存儲器映射邏輯經配置以追蹤所述存儲器裸片堆疊的不同部分中的錯誤率，且其中要被追蹤的所述不同部分是依據對應于所述不同部分的所追蹤錯誤率而可調節的。
14.根據權利要求13所述的存儲器裝置，其中所述校正動作包含重新分割所述存儲器裸片堆萱。
15.根據權利要求13所述的存儲器裝置，其中所述若干個主要部分包含若干個存儲器庫。
16.根據權利要求15所述的存儲器裝置，其中所述備用部分包含存儲器庫。
17.根據權利要求13所述的存儲器裝置，其中所述若干個主要部分包含若干個存儲器瓦片。
18.—種方法，其包括: 形成存儲器裸片堆疊； 將相應邏輯裸片與所述存儲器裸片堆疊堆疊在一起；及 形成存儲器映射以從每一存儲器裸片堆疊內的若干不同存儲器部分收集數據，其中所述存儲器映射經配置以相應于所述數據而重新分割所述存儲器裸片堆疊的經動態定大小的部分。
19.根據權利要求18所述的方法，其中形成所述存儲器映射以收集數據包含形成存儲器映射以收集錯誤數據。
20.根據權利要求18所述的方法，其中形成所述存儲器映射以收集數據包含形成存儲器映射以追蹤可使用錯誤校正碼出⑶)校正的錯誤。
21.根據權利要求18所述的方法，其中形成所述存儲器映射以收集數據包含形成存儲器映射以收集錯誤率數據并且當所述錯誤率數據超過錯誤率閾值時重新分割所述經動態定大小的部分。
22.根據權利要求18所述的方法，其中形成所述存儲器映射包含形成經配置以在所述錯誤可使用錯誤校正碼出⑶)校正的情況下將數據移動到所述存儲器裸片堆疊的另一部分的存儲器映射。
23.一種方法，其包括: 形成存儲器裸片堆疊； 將相應邏輯裸片與所述存儲器裸片堆疊堆疊在一起；及 從所述存儲器裸片堆疊內的若干不同存儲器部分收集數據；及 依據不滿足標準的數據而分割所述存儲器裸片堆疊內的動態定大小的部分。
24.根據權利要求23所述的方法，其中分割所述存儲器堆疊包含將有缺陷穿晶片互連件0111)下面的所述存儲器裸片堆疊中的第一存儲器庫的若干部分一起重新分割成至少一個第二分區。
25.根據權利要求23所述的方法，其中分割所述存儲器裸片堆疊包含將若干個部分有缺陷的第一分區的若干部分一起重新分割成至少一個第二分區。
26.根據權利要求23所述的方法，其中分割所述存儲器裸片堆疊包含分割所述存儲器裸片堆疊以移除所述存儲器堆疊中的有缺陷的存儲器瓦片使其不再操作。
27.根據權利要求23所述的方法，其中從所述若干個不同存儲器部分收集數據包括從所述存儲器裸片堆疊中的若干個存儲器庫收集數據。
28.根據權利要求23所述的方法，其進一步包括在所述存儲器裸片堆疊內形成備用部分。
29.根據權利要求28所述的方法，其中形成所述備用部分包含形成備用存儲器庫。
30.根據權利要求28所述的方法，其中形成所述備用部分包含形成備用存儲器裸片。
【文檔編號】H01L25/18GK104464823SQ201410815500
【公開日】2015年3月25日 申請日期:2010年1月22日 優先權日:2009年1月23日
【發明者】喬·M·杰德羅 申請人:美光科技公司