陣列基板及其制造方法、顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發明公開了一種陣列基板及其制造方法、顯示裝置。所述陣列基板包括形成在襯底上的柵極層、柵絕緣層、有源層、源漏層、掃描線以及信號線，所述信號線與所述柵極層同層設置，所述掃描線與所述源漏層同層設置，所述柵絕緣層位于所述柵極層、所述信號線和所述有源層之間；所述陣列基板還包括貫穿所述柵絕緣層的第一過孔和第二過孔，所述信號線通過所述第一過孔與所述源漏層相連，所述掃描線通過所述第二過孔與所述柵極層相連。本發明可以在不對其他結構的形成工藝造成過多影響的前提下增大柵極金屬層的厚度，從而抑制IR Drop所造成的影響。
【專利說明】陣列基板及其制造方法、顯示裝置
【技術領域】
[0001] 本發明涉及顯示【技術領域】，具體涉及一種陣列基板及其制造方法、顯示裝置。
【背景技術】
[0002] 目前在大尺寸顯示應用，尤其是大尺寸液晶顯示（Liquid Crystal Display,LCD) 領域和有機發光二極管（Organic Light Emitting Diode, OLED)顯示領域中，由于背板電 源線存在一定電阻，且所有像素的驅動電流都由單元電源線（ARVDD)提供，因此在背板中 距離ARVDD電源供電位置較近區域的電源電壓相比較距離供電位置較遠區域的電源電壓 要高，這種現象被稱為電阻壓降（IR Drop)。由于ARVDD的電壓與電流相關，因而IR Drop 會造成不同區域的電流差異，進而在顯示時產生顯示不均勻的缺陷（mura)。
[0003] 目前業內的主要應對IR Drop的方法為增大柵極金屬層厚度或采用阻抗更小 的柵極金屬材料以減輕其影響。其中一種常用的方法是采用超厚鋁合金柵極金屬層 (6000A?9000A )，面板尺寸越大就使金屬層厚度越大。但該方法對后續的絕緣層和有源 層形成工藝中的膜質、平整度和刻蝕提出了很高要求，且漏電缺陷風險很大。另一種常用的 方法是采用阻抗更低的金屬（如銅合金）來形成柵極金屬層，但這一方法在一定規格內的 面板制程中又帶來了刻蝕均勻性和成本控制的問題。
【發明內容】
[0004] 針對現有技術中的缺陷，本發明提供一種陣列基板及其制造方法、顯示裝置，可以 在不對其他結構的形成工藝造成過多影響的前提下增大柵極金屬層的厚度，從而抑制IR Drop所造成的影響。
[0005] 第一方面，本發明提供了一種陣列基板，所述陣列基板包括形成在襯底上的柵極 層、柵絕緣層、有源層、源漏層、掃描線以及信號線，所述信號線與所述柵極層同層設置，所 述掃描線與所述源漏層同層設置，所述柵絕緣層位于所述柵極層、所述信號線和所述有源 層之間；
[0006] 所述陣列基板還包括貫穿所述柵絕緣層的第一過孔和第二過孔，所述信號線通過 所述第一過孔與所述源漏層相連，所述掃描線通過所述第二過孔與所述柵極層相連。
[0007] 可選地，所述陣列基板還包括刻蝕阻擋層，所述刻蝕阻擋層位于所述有源層和所 述柵絕緣層上。
[0008] 可選地，所述刻蝕阻擋層上形成有第一通孔和第二通孔，所述源漏層的源極和漏 極分別通過所述第一通孔和所述第二通孔與所述有源層的兩側接觸。
[0009] 可選地，所述第一過孔和所述第二過孔還貫穿所述刻蝕阻擋層，所述信號線通過 所述第一過孔與所述源漏層相連，所述掃描線通過所述第二過孔與所述柵極層相連。
[0010] 可選地，所述陣列基板還包括鈍化層、平坦化層、像素電極層，所述鈍化層位于所 述源漏層上，所述平坦化層位于所述鈍化層上，所述像素電極層位于所述平坦化層上；
[0011] 所述陣列基板還包括貫穿所述鈍化層和所述平坦化層的第三過孔，所述像素電極 層通過所述第三過孔與所述源漏層相連。
[0012] 第二方面，本發明還提供了一種陣列基板的制造方法，包括：
[0013] 在襯底上形成包括柵極層與信號線的圖形；
[0014] 在所述包括柵極層與信號線的圖形上形成包括柵絕緣層和有源層的圖形，所述柵 絕緣層位于所述柵極層、所述信號線和所述有源層之間；
[0015] 在所述柵絕緣層中形成第一過孔和第二過孔；
[0016] 形成包括源漏層和掃描線的圖形，所述信號線通過所述第一過孔與所述源漏層相 連；所述掃描線通過所述第二過孔與所述柵極層相連。
[0017] 可選地，所述第一過孔位于所述陣列基板上所述源漏層與所述信號線的重疊區域 內；所述第二過孔位于所述陣列基板上所述柵極層與所述掃描線的重疊區域內。
[0018] 可選地，在形成包括柵絕緣層和有源層的圖形之后，還包括：
[0019] 形成包括刻蝕阻擋層的圖形，所述刻蝕阻擋層位于所述有源層和所述柵絕緣層 上。
[0020] 可選地，在所述形成包括刻蝕阻擋層的圖形之后，還包括：
[0021] 在所述刻蝕阻擋層中形成第一通孔和第二通孔；
[0022] 所述源漏層的源極和漏極分別通過所述第一通孔和所述第二通孔與所述有源層 的兩側接觸。
[0023] 可選地，所述第一過孔和所述第二過孔還貫穿所述刻蝕阻擋層，所述信號線通過 所述第一過孔與所述源漏層相連，所述掃描線通過所述第二過孔與所述柵極層相連。
[0024] 可選地，所述方法還包括：
[0025] 形成鈍化層和平坦化層，形成貫穿所述鈍化層和所述平坦化層的第三過孔；
[0026] 形成像素電極層；
[0027] 其中，所述鈍化層位于所述源漏層上，所述平坦化層位于所述鈍化層上，所述像素 電極層位于所述平坦化層上，所述像素電極層通過所述第三過孔與所述源漏層相連。
[0028] 第三方面，本發明還提供了一種顯示裝置，該顯示裝置包括上述任意一種陣列基 板。
[0029] 由上述技術方案可知，本發明所提供的陣列基板采用像素結構中的掃描線與信號 線對調設計，使得在掃描線和信號線對調后，掃描線位置由底層移動到柵絕緣層上面，解決 了因結構空間限制掃描線不能過度加厚的問題，從而有利于提高面板顯示均勻性。
[0030] 同時，上述設計使得陣列基板中的薄膜晶體管為底柵頂接觸型薄膜晶體管，相比 其它類型薄膜晶體管而言該類薄膜晶體管在掩膜次數、制造時間、制造成本和器件性能表 現方面具有更大優勢，例如可使用半色調掩膜（halftone)技術形成該類薄膜晶體管，從而 大幅削減成本；該類薄膜晶體管性能穩定、有利于驅動控制等等。
[0031] 采用本發明所述方法制造上述陣列基板，可使其掃描線厚度增加，阻抗降低，同時 不影響薄膜晶體管的結構，降低工藝難度；采用此種薄膜晶體管后可改善該陣列基板的工 藝均勻性并提高基板良率。包括上述陣列基板的顯示裝置因此將具有更好的畫面穩定性和 顯示均勻性，且有利于生產廠商的產品良率提升。與同尺寸的其它顯示裝置相比，采用本發 明所述的顯示裝置，可以降低工藝難度，提高面板均勻性和畫面穩定性。
[0032] 當然，實施本發明的任一產品或方法并不一定需要同時達到以上所述的所有優 點。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0033] 為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現 有技術描述中所需要使用的附圖作一簡單的介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本發 明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根 據這些附圖獲得其他的附圖。
[0034] 圖1是本發明一個實施例中一種陣列基板的制造方法的步驟流程示意圖；
[0035] 圖2是本發明本發明一個實施例中形成柵極層的示意圖；
[0036] 圖3是本發明本發明一個實施例中柵極層和信號線的形成位置示意圖；
[0037] 圖4是本發明本發明一個實施例中形成柵絕緣層的示意圖；
[0038] 圖5是本發明本發明一個實施例中形成有源層的示意圖；
[0039] 圖6是本發明本發明一個實施例中有源層形成位置的示意圖；
[0040] 圖7是本發明本發明一個實施例中形成刻蝕阻擋層的示意圖；
[0041] 圖8是本發明本發明一個實施例中第一和第二通孔、第一過孔、第二過孔和第四 過孔的形成位置示意圖；
[0042] 圖9是本發明本發明一個實施例中形成源漏層的示意圖；
[0043] 圖10是本發明本發明一個實施例中形成鈍化層的示意圖；
[0044] 圖11是本發明本發明一個實施例中形成平坦層的示意圖；
[0045] 圖12是本發明本發明一個實施例中形成像素電極層的示意圖；
[0046] 圖13是本發明本發明一個實施例中一種適用于液晶顯示面板的陣列基板的俯視 結構示意圖；
[0047] 圖中：
[0048] 10--襯底；11、12--柵極層；13--信號線；
[0049] 14--柵絕緣層；15--有源層；16--刻蝕阻擋層；
[0050] 17--源漏層；18--鈍化層；19--平坦化層；
[0051] 1A--像素電極層；21--第一過孔；
[0052] 22--第一通孔、第二通孔；23--第二過孔；24--第四過孔。
【具體實施方式】
[0053] 為使本發明實施例的目的、技術方案和優點更加清楚，下面將結合本發明實施例 中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是 本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發明中的實施例，本領域普通技術人員 在沒有作出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發明保護的范圍。
[0054] 圖1示出了本發明一個實施例中一種陣列基板的制造方法的步驟流程示意圖。參 見圖1，該方法包括：
[0055] 步驟S1 :在襯底上形成包括柵極層與信號線的圖形；
[0056] 步驟S2 :在上述包括柵極層與信號線的圖形上形成包括柵絕緣層和有源層的圖 形；
[0057] 步驟S3 :在上述柵絕緣層中形成第一過孔和第二過孔；
[0058] 步驟S4 :形成包括源漏層和掃描線的圖形；
[0059] 其中，上述柵絕緣層位于上述柵極層、上述信號線和上述有源層之間；上述信號線 通過上述第一過孔與上述源漏層相連；上述掃描線通過上述第二過孔與上述柵極層相連。
[0060] 需要說明的是，上述第一過孔是用于連接上述信號線與上述源漏層的，上述第二 過孔是用于連接上述掃描線與上述柵極層的，因而上述第一過孔與上述第二過孔可以不僅 僅形成在上述柵絕緣層中，還可以形成在其他間隔在掃描線與柵極層之間，或者信號線與 源漏層之間的其他層結構中。
[0061] 可見，本發明主要將傳統工藝中常與柵極層同層設置的掃描線以及常與源漏層同 層設置的信號線進行對調，并為了電連接關系不變采用第一過孔連接信號線和源漏層，并 采用第二過孔連接掃描線和柵極層。上述設計使得在掃描線和信號線對調后，掃描線位置 由底層移動到柵絕緣層上面，解決了因結構空間限制掃描線不能過度加厚的問題，從而有 利于提高面板顯示均勻性。同時，采用上述陣列基板的制作方法可使其掃描線厚度增加，阻 抗降低，同時不對陣列基板中其他結構的形成工藝造成很大影響，降低工藝難度。
[0062] 可選地，上述第一過孔位于上述陣列基板上上述源漏層與上述信號線的重疊區域 內；上述第二過孔位于上述陣列基板上上述柵極層與上述掃描線的重疊區域內。在重疊區 域內設置過孔的設計一方面可以保障陣列基板中各結構之間正常的電連接，另一方面又不 會大幅增加信號線和掃描線電阻值。
[0063] 作為上述包括柵絕緣層和有源層的圖形的一種具體實現方式，上述步驟S2 :在上 述包括柵極層與信號線的圖形上形成包括柵絕緣層和有源層的圖形，可以具體包括圖1中 未示出的步驟：
[0064] 步驟S201 :形成包括柵絕緣層的圖形，上述柵絕緣層位于上述包括柵極層與信號 線的圖形上；
[0065] 步驟S202 :形成包括有源層的圖形，上述有源層位于上述柵絕緣層上與上述柵極 層對應的區域內；有源層材料為如IGZO、ITZO、AZO、ZnON類的氧化鋅系透明氧化物半導體 材料，也可以為多晶硅、非晶硅等半導體材料，本發明對此不做限制；
[0066] 進一步地，在形成上述包括柵絕緣層和有源層的圖形之后，上述方法還可以包括 圖1中未示出的步驟：
[0067] 步驟S203 :形成包括刻蝕阻擋層的圖形，上述刻蝕阻擋層位于上述有源層和上述 柵絕緣層上。
[0068] 為了形成源漏層與有源層的電連接，上述方法可在形成包括刻蝕阻擋層圖形之 后，還包括圖1中未示出的步驟：
[0069] 步驟204 :在上述刻蝕阻擋層中形成第一通孔和第二通孔。
[0070] 其中，第一通孔與第二通孔用于形成源漏層與有源層的電連接，具體地，上述源漏 層的源極和漏極分別通過上述第一通孔和上述第二通孔與上述有源層的兩側接觸。
[0071] 另外，上述第一過孔和上述第二過孔還貫穿上述刻蝕阻擋層，上述信號線通過上 述第一過孔與上述源漏層相連，上述掃描線通過上述第二過孔與上述柵極層相連。
[0072] 由此，柵絕緣層、有源層、刻蝕阻擋層以及上述源漏層、柵極層可以組成可薄膜晶 體管的必要結構，可實現薄膜晶體管的必要功能。
[0073] 可選地，該方法還可包括圖1中未示出的步驟：
[0074] 步驟S5 :形成鈍化層和平坦化層，形成貫穿上述鈍化層和上述平坦化層的第三過 孔；
[0075] 步驟S6 :形成像素電極層；
[0076] 其中，上述鈍化層位于上述源漏層上，上述平坦化層位于上述鈍化層上，上述像素 電極層位于上述平坦化層上，上述像素電極層通過上述第三過孔與上述源漏層相連。
[0077] 根據需要，上述像素電極層可以為透明導電層，也可以為不透明導電層。具體的， 像素電極層可以作為液晶面板的像素電極，此時像素電極層為透明導電層；像素電極層也 可以作為0LED面板中的底電極，其可以為透明導電層，也可以為不透明導電層，可實現陣 列基板與其他結構之間的貼合以及電連接。
[0078] 更具體地，圖2至圖12以一種適用于0LED面板的陣列基板的制造方法，具體示出 了上述一種陣列基板的制造方法中各步驟中的中間結構示意圖。
[0079] 參見圖2和圖3,上述步驟S1可以具體包括：在襯底10上沉積一層金屬，并通過 構圖工藝形成位于不同區域的柵極層11、12以及信號線13。具體地，形成柵極層11、12和 /或信號線13的材料可以是包括金屬元素Al、Mo、Cu、Nd中Ti任意一個或多個的單質或合 金。
[0080] 在本發明實施例中，柵極層11、12分別對應于開關晶體管和驅動晶體管，當然在 本發明的其他實施例中，上述柵極層還可以具有其他的形狀和數量，本發明對此不做限制。
[0081] 在本發明實施例中，信號線13具體包括位于圖3中靠左側的數據線和位于圖3中 靠右側的電源線，該結構對應于0LED面板中陣列基板的像素單元結構，當然對于其他類型 的顯示面板，上述信號線還可以只包括一條數據線、同時包括多條并行的數據線、或者同時 包括多條不同類型的走線，本發明對此不做限制。
[0082] 其中，構圖工藝通常包括光刻膠涂敷、曝光、顯影、刻蝕、光刻膠剝離等工藝。當然， 本發明對構圖工藝不做具體限定，只要可以形成所需圖案的工藝都可以稱為構圖工藝，例 如打印、印刷等更多其他的構圖方式。
[0083] 參見圖4,上述步驟S201可以具體包括：在包括柵極層11、12與信號線13的圖形 上沉積一層常規厚度的柵絕緣層14, 一般來說，柵絕緣層14會覆蓋整個平面。另外，在本發 明的另一實施例中，上述第一過孔與上述第二過孔也可以在此時通過構圖工藝在柵絕緣層 14中形成。
[0084] 參見圖5和圖6,上述步驟202可以具體包括：在柵絕緣層14上與柵極層11、12對 應的區域內通過沉積如多晶硅的材料并通過構圖工藝形成有源層15,有源層15的具體形 成材料決定了薄膜晶體管的類型。
[0085] 參見圖7,上述步驟203可以具體包括通過構圖工藝形成刻蝕阻擋層16,刻蝕阻擋 層16位于有源層15和柵絕緣層14上。
[0086] 在此基礎之上，上述步驟204所形成的第一和第二通孔22,以及需要在刻蝕阻擋 層及柵絕緣層上形成的第一過孔21、第二過孔23和第四過孔24如圖8所示：
[0087] 第一過孔21，位于源漏層與信號線13的重疊區域內，具體穿過刻蝕阻擋層16和柵 絕緣層14,用于連接信號線13和源漏層中的源極和/或漏極；
[0088] 第二過孔23,位于柵極層11與掃描線的重疊區域內，具體穿過刻蝕阻擋層16和柵 絕緣層14,用于連接柵極層11和掃描線；
[0089] 第一通孔和第二通孔22,位于源漏層17的源極和漏極的對應區域內，貫穿刻蝕阻 擋層16,用于連接有源層15和源漏層17的源極和漏極；
[0090] 第四過孔24,位于開關晶體管的源極或漏極與驅動晶體管的柵極層12的重疊區 域內，用于連接驅動晶體管的柵極與開關晶體管的源極或漏極；這里，僅以第四過孔24為 例說明存在多個晶體管時一個晶體管的柵極與另一個晶體管的源極或漏極的連接方式，當 然視像素單元內電路結構的不同也并不一定要形成與上述第四過孔類似的過孔。
[0091] 參見圖9,上述步驟S4可以具體包括：通過沉積和構圖工藝形成源漏層17和掃描 線，源漏層17分別通過第一通孔與第二通孔（圖8中的標記22處）與有源層15的兩側接 觸。
[0092] 參見圖10至圖12,上述步驟S5具體包括：通過沉積和構圖工藝形成鈍化層18， 同時形成用于連接像素電極層與源漏層17的第三過孔；通過構圖工藝形成平坦層19,同時 形成用于連接像素電極層與源漏層17的第三過孔。上述步驟S6具體包括：通過沉積和構 圖工藝形成像素電極層1A，該像素電極層通過第三過孔與源漏層17相連。自此，就形成了 上述陣列基板的主體結構。其中，平坦化層19的厚度可以設定為lum以上，材料為有機材 料，避免源漏層的厚度對后續膜層的影響并且可以防止漏電。
[0093] 在本發明的另一個實施例中，提供了一種陣列基板，以上述圖12所示的結構為 例，該陣列基板包括形成在襯底10上的柵極層11、12、柵絕緣層14、有源層15、源漏層17、 掃描線（圖8中23上方位置）以及信號線13,上述信號線13與上述柵極層11、12同層設 置，上述掃描線與源漏層17同層設置，柵絕緣層14位于柵極層11、12、信號線13和有源層 15之間；
[0094] 如圖12所示，該陣列基板還可包括貫穿柵絕緣層14的第一過孔21和第二過孔 23,上述信號線13通過上述第一過孔21與源漏層17相連，上述掃描線通過上述第二過孔 23與上述柵極層11相連。
[0095] 從圖12還可以看到，該陣列基板還包括刻蝕阻擋層16,上述刻蝕阻擋層16位于上 述有源層15和上述柵絕緣層14上。
[0096] 而且，在刻蝕阻擋層14上還形成有第一通孔和第二通孔22,源漏層17分別通過上 述第一通孔與第二通孔22與上述有源層15的兩側接觸。
[0097] 上述第一過孔21和上述第二過孔23還貫穿刻蝕阻擋層16,信號線13通過上述第 一過孔21與源漏層17相連，掃描線通過第二過孔23與柵極層11相連。
[0098] 另外，上述陣列基板還可以包括鈍化層18、平坦化層19、像素電極層1A，上述鈍化 層18位于源漏層17上，上述平坦化層19位于上述鈍化層18上，上述像素電極層1A位于 上述平坦化層19上；平坦化層19的厚度例如設定為1 y m以上，材料為有機材料，避免源漏 層的厚度對后續膜層的影響并且可以防止漏電。
[0099] 上述陣列基板還可以包括貫穿鈍化層18和平坦化層19的第三過孔，上述像素電 極層1A通過上述第三過孔與源漏層17相連。
[0100] 需注意的是，第一過孔21和第二過孔23在圖12中沒有示出，可以參見圖8,第一 過孔21和第二過孔23形成在中間的一層或多層上，例如具體而言，第一過孔21和第二過 孔23可以穿過刻蝕阻擋層16和柵絕緣層14。上述陣列基板可以由上述任意一種陣列基板 的制造方法形成，一種具體的結構可以參見圖12。可見，本發明實施例提供的陣列基板與上 述任意一種陣列基板的制造方法具有相應的技術特征，因而可以解決相同的技術問題，達 到相同的技術效果。
[0101] 另外，類似于上述適用于0LED面板的陣列基板結構，本發明實施例所提供的陣列 基板還可以是如圖13所示的適用于液晶顯示面板的陣列基板結構。參見圖13,按照本發明 實施例的技術方案制作掃描線34、信號線32以及每一像素單元中的薄膜晶體管的柵極層 31和源漏層33時，可以先在襯底上形成包括柵極層31與信號線33的圖形，使得陣列基板 中的柵極層31與信號線33同層設置；再形成覆蓋柵極層31與信號線33的絕緣層，接下來 通過在絕緣層對應位置形成第一過孔和第二過孔后再形成源漏層33和掃描線34,即使得 源漏層33通過第一過孔（圖中未示出，對應于33和22重疊的位置）與信號線32相連、柵 極層31通過第二過孔（圖中未示出，對應于31與32重疊的位置）與掃描線34相連，而且 陣列基板中的柵極層31與信號線33同層設置。類似地，上述絕緣層的組成結構與制造工 藝，以及陣列基板其他結構的結構與制造工藝均可以參照上述各實施例，在此不再贅述。然 而可以在圖13中看出，該陣列基板具有條狀結構的像素電極35,具有液晶顯示面板的典型 結構。當然，本發明的陣列基板也不僅限于應用于0LED面板或液晶顯示面板。
[0102] 在本發明的再一個實施例中，提供了一種顯示裝置，該顯示裝置包括上述的陣列 基板。如本領域技術人員所熟知的，上述陣列基板可以用于液晶顯示，也可用于0LED顯示， 因此其可與不同的器件相結合形成液晶顯示裝置或0LED顯示裝置，當然，為了實現功能， 陣列基板還可包括本發明中未提及的其他結構。
[0103] 上述顯示裝置可以為：電子紙、手機、平板電腦、電視機、筆記本電腦、數碼相框、導 航儀等任何具有顯示功能的產品或部件。本發明實施例所提供的顯示裝置與上述任意一種 陣列基板具有相同的技術特征，因而可以解決相同的技術問題，達到相同的技術效果。
[0104] 綜上上述，本發明提供一種陣列基板及其制造方法、顯示裝置，可以在不對其他結 構的形成工藝造成過多影響的前提下增大柵極金屬層的厚度，從而抑制IR Drop所造成的 影響。本發明具有如下優點：
[0105] 1.目前大尺寸平板顯示中，超厚鋁金屬層和超厚絕緣層被廣泛使用；本發明掃描 線與信號線金屬層的對調可避免上述工藝的使用，降低后續絕緣層和有源層制作過程中對 厚度、膜質、平整度和刻蝕效果的苛刻要求，由此帶來漏電問題的減少，對提高產品良率大 有助益。
[0106] 2.常規厚度的柵極和絕緣層有利于邊緣跨線的平坦化和走線密度的提高。
[0107] 3.本發明掃描線與信號線金屬層的對調可將因線阻問題需要加厚的掃描線位置 由底層移動到柵絕緣層上面，從而解決因結構空間限制不能過度加大的掃描線的厚度的問 題，有利于提高面板顯示均勻性。
[0108] 4.鋁合金金屬電極的厚度可以增大，緩解了電阻壓降問題，不需要其他措施來補 償，有利于產品成本的降低。
[0109] 需要指出的是，在附圖中，為了圖示的清晰可能夸大了層和區域的尺寸。而且可以 理解，當元件或層被稱為在另一元件或層"上"時，它可以直接在其他元件上，或者可以存在 中間的層。另外，可以理解，當元件或層被稱為在另一元件或層"下"時，它可以直接在其他 元件下，或者可以存在一個以上的中間的層或元件。另外，還可以理解，當層或元件被稱為 在兩層或兩個元件"之間"時，它可以為兩層或兩個元件之間惟一的層，或還可以存在一個 以上的中間層或元件。通篇相似的參考標記指示相似的元件。
[0110] 而且，在本文中，諸如第一和第二等之類的關系術語僅僅用來將一個實體或者操 作與另一個實體或操作區分開來，而不一定要求或者暗示這些實體或操作之間存在任何這 種實際的關系或者順序。而且，術語"包括"、"包含"或者其任何其他變體意在涵蓋非排他 性的包含，從而使得包括一系列要素的過程、方法、物品或者設備不僅包括那些要素，而且 還包括沒有明確列出的其他要素，或者是還包括為這種過程、方法、物品或者設備所固有的 要素。在沒有更多限制的情況下，由語句"包括一個……"限定的要素，并不排除在包括所 述要素的過程、方法、物品或者設備中還存在另外的相同要素。
[0111] 還需要說明的是，術語"上"、"下"等指示的方位或位置關系為基于附圖所示的方 位或位置關系，僅是為了便于描述本發明和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元 件必須具有特定的方位、以特定的方位構造和操作，因此不能理解為對本發明的限制。除 非另有明確的規定和限定，術語"安裝"、"相連"、"連接"應做廣義理解，例如，可以是固定連 接，也可以是可拆卸連接，或一體地連接；可以是機械連接，也可以是電連接；可以是直接 相連，也可以通過中間媒介間接相連，可以是兩個元件內部的連通。對于本領域的普通技術 人員而言，可以根據具體情況理解上述術語在本發明中的具體含義。
[0112] 以上實施例僅用以說明本發明的技術方案，而非對其限制；盡管參照前述實施例 對本發明進行了詳細的說明，本領域的普通技術人員應當理解：其依然可以對前述各實施 例所記載的技術方案進行修改，或者對其中部分技術特征進行等同替換；而這些修改或者 替換，并不使相應技術方案的本質脫離本發明各實施例技術方案的精神和范圍。
【權利要求】
1. 一種陣列基板，其特征在于，所述陣列基板包括形成在襯底上的柵極層、柵絕緣層、 有源層、源漏層、掃描線以及信號線，所述信號線與所述柵極層同層設置，所述掃描線與所 述源漏層同層設置，所述柵絕緣層位于所述柵極層、所述信號線和所述有源層之間； 所述陣列基板還包括貫穿所述柵絕緣層的第一過孔和第二過孔，所述信號線通過所述 第一過孔與所述源漏層相連，所述掃描線通過所述第二過孔與所述柵極層相連。
2. 根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括刻蝕阻擋層，所 述刻蝕阻擋層位于所述有源層和所述柵絕緣層上。
3. 根據權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述刻蝕阻擋層上形成有第一通孔 和第二通孔，所述源漏層的源極和漏極分別通過所述第一通孔和所述第二通孔與所述有源 層的兩側接觸。
4. 根據權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述第一過孔和所述第二過孔還貫 穿所述刻蝕阻擋層，所述信號線通過所述第一過孔與所述源漏層相連，所述掃描線通過所 述第二過孔與所述柵極層相連。
5. 根據權利要求1至4中任意一項所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括 鈍化層、平坦化層、像素電極層，所述鈍化層位于所述源漏層上，所述平坦化層位于所述鈍 化層上，所述像素電極層位于所述平坦化層上； 所述陣列基板還包括貫穿所述鈍化層和所述平坦化層的第三過孔，所述像素電極層通 過所述第三過孔與所述源漏層相連。
6. -種陣列基板的制造方法，其特征在于，包括： 在襯底上形成包括柵極層與信號線的圖形； 在所述包括柵極層與信號線的圖形上形成包括柵絕緣層和有源層的圖形，所述柵絕緣 層位于所述柵極層、所述信號線和所述有源層之間； 在所述柵絕緣層中形成第一過孔和第二過孔； 形成包括源漏層和掃描線的圖形，所述信號線通過所述第一過孔與所述源漏層相連； 所述掃描線通過所述第二過孔與所述柵極層相連。
7. 根據權利要求6所述的方法，其特征在于，所述第一過孔位于所述陣列基板上所述 源漏層與所述信號線的重疊區域內；所述第二過孔位于所述陣列基板上所述柵極層與所述 掃描線的重疊區域內。
8. 根據權利要求6所述的方法，其特征在于，在形成包括柵絕緣層和有源層的圖形之 后，還包括： 形成包括刻蝕阻擋層的圖形，所述刻蝕阻擋層位于所述有源層和所述柵絕緣層上。
9. 根據權利要求8所述的方法，其特征在于，在所述形成包括刻蝕阻擋層的圖形之后， 還包括： 在所述刻蝕阻擋層中形成第一通孔和第二通孔； 所述源漏層的源極和漏極分別通過所述第一通孔和所述第二通孔與所述有源層的兩 側接觸。
10. 根據權利要求8所述的方法，其特征在于，所述第一過孔和所述第二過孔還貫穿所 述刻蝕阻擋層，所述信號線通過所述第一過孔與所述源漏層相連，所述掃描線通過所述第 二過孔與所述柵極層相連。
11. 根據權利要求6至10中任意一項所述的方法，其特征在于，所述方法還包括： 形成鈍化層和平坦化層，形成貫穿所述鈍化層和所述平坦化層的第三過孔； 形成像素電極層； 其中，所述鈍化層位于所述源漏層上，所述平坦化層位于所述鈍化層上，所述像素電極 層位于所述平坦化層上，所述像素電極層通過所述第三過孔與所述源漏層相連。
12. -種顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置包括如權利要求1至5中任意一項所述 的陣列基板。
【文檔編號】H01L21/77GK104409462SQ201410796484
【公開日】2015年3月11日 申請日期:2014年12月18日 優先權日:2014年12月18日
【發明者】張立, 閆梁臣, 陳江博 申請人:京東方科技集團股份有限公司