一種半導(dǎo)體裝置及其制造方法

一種半導(dǎo)體裝置及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體裝置及其制造方法。所述方法包括在半導(dǎo)體襯底上依次形成絕緣層和多晶硅層；在所述多晶硅層上形成圖案化的第一阻擋物，并且以所述第一阻擋物為掩模進行刻蝕，形成柵極結(jié)構(gòu)；在所述半導(dǎo)體襯底和所述第一阻擋物上形成第二阻擋物；對所述第二阻擋物進行刻蝕形成開口，使得所述開口露出所述半導(dǎo)體襯底的至少一部分以及所述第一阻擋物的至少一部分；利用所述第一和第二阻擋物作為掩模，從所述開口向所述半導(dǎo)體襯底進行離子注入形成阱區(qū)。該半導(dǎo)體裝置和制造方法利用離子注入對柵極的自對準(zhǔn)功能，實現(xiàn)了柵極阻擋物在離子注入工藝中對柵極的保護作用，并且精確控制了離子注入的注入?yún)^(qū)域，減小了暗電流的產(chǎn)生。
【專利說明】一種半導(dǎo)體裝置及其制造方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本公開涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，特別涉及一種半導(dǎo)體裝置及其制造方法。

【背景技術(shù)】
[0002] 隨著CMOS圖像傳感器的發(fā)展，較高的靈敏度和圖像質(zhì)量以及較低的功率供應(yīng)變 得非常重要。減小像素?zé)嵩肼暫桶惦娏魇翘岣哽`敏度和降低功率供應(yīng)的關(guān)鍵因素。
[0003] 圖1A至圖1C示意性地示出了現(xiàn)有技術(shù)中形成光電二極管的各個步驟的示意圖。
[0004] 首先，如圖1A所示，在具有淺溝槽隔離區(qū)域102的半導(dǎo)體襯底101上形成具有開 口的光刻膠103。在該開口處，向半導(dǎo)體襯底進行高能量的離子注入從而在半導(dǎo)體襯底中形 成光電二極管講區(qū)（Photodiodewell，PDW) 104。
[0005] 然后，去除光刻膠，在半導(dǎo)體襯底上形成柵極氧化物105,并且在柵極氧化物105 上面沉積多晶硅層106,如圖1B所示。在該過程中，柵極氧化物的形成和多晶硅材料的沉積 都需要高溫工藝，而高溫會影響PDW的摻雜特性，并且將最終影響像素的靈敏性。
[0006] 最后利用光刻的方法形成多晶硅柵極106和絕緣層105,并去除光刻膠，如圖1C 所示。在光刻時的位置精確控制是重要的。優(yōu)選地使得形成的柵極的邊緣與PDW的邊緣對 準(zhǔn)。然而，由于工藝并不能保證100%的精確度，因此有可能形成例如柵極和PDW的重疊部 分（如圖1C所示）。而這種重疊將會導(dǎo)致產(chǎn)生像素暗電流和漏電流，影響光電二極管的效 率和靈敏度。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0007] 本公開的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)上述現(xiàn)有技術(shù)中存在問題，并因此針對所述問題中的至少一 個問題提出了一種新的技術(shù)方案。
[0008] 本公開的第一個目的是提供一種半導(dǎo)體裝置，包括：
[0009] 半導(dǎo)體襯底上的柵極結(jié)構(gòu)；
[0010] 形成在所述柵極結(jié)構(gòu)上的圖案化的第一阻擋物；
[0011] 形成在所述半導(dǎo)體襯底和所述第一阻擋物上的第二阻擋物，其中所述第二阻擋物 具有開口，所述開口暴露出所述半導(dǎo)體襯底的至少一部分以及所述第一阻擋物的至少一部 分；以及
[0012] 所述開口暴露形成在所述半導(dǎo)體襯底中的阱區(qū)。
[0013] 進一步地，所述第一阻擋物和所述第二阻擋物分別為第一光刻膠和第二光刻膠， 其中所述第一光刻膠和所述第二光刻膠分別對不同波長的光具有敏感性。
[0014] 進一步地，所述柵極的一個邊緣與所形成的阱區(qū)的一個邊緣自對準(zhǔn)。
[0015] 進一步地，所述裝置還包括：在所述半導(dǎo)體襯底中的淺溝槽隔離區(qū)域。
[0016] 進一步地，所述第一阻擋物的厚度為至少500A。
[0017] 本公開的第二個目的是提供一種半導(dǎo)體裝置，包括：
[0018] 半導(dǎo)體襯底上的柵極結(jié)構(gòu)；
[0019] 形成在所述柵極結(jié)構(gòu)上的圖案化的第一犧牲物；
[0020] 形成在所述半導(dǎo)體襯底和所述第一犧牲物上的第二犧牲物，其中所述第一犧牲物 和所述第二犧牲物能夠分別在不同的條件下被去除至少一部分，所述第二犧牲物具有開 口，所述開口暴露出所述半導(dǎo)體襯底的至少一部分以及所述第一犧牲物的至少一部分；以 及
[0021 ] 所述開口暴露形成在所述半導(dǎo)體襯底中的阱區(qū)。
[0022] 進一步地，所述第一犧牲物和所述第二犧牲物能夠分別在不同的刻蝕液中被去除 至少一部分。
[0023] 進一步地，所述第一犧牲物和所述第二犧牲物分別為第一光刻膠和第二光刻膠， 其中所述第一光刻膠和所述第二光刻膠分別對不同波長的光具有敏感性。
[0024] 進一步地，所述柵極的一個邊緣與所形成的阱區(qū)的一個邊緣自對準(zhǔn)。
[0025] 本公開的第三個目的是提供一種半導(dǎo)體裝置制造方法，包括：
[0026] 在半導(dǎo)體襯底上依次形成絕緣層和多晶硅層；
[0027] 在所述多晶硅層上形成圖案化的第一阻擋物，并且以所述第一阻擋物為掩模進行 刻蝕，形成柵極結(jié)構(gòu)；
[0028] 在所述半導(dǎo)體襯底和所述第一阻擋物上形成第二阻擋物；
[0029] 對所述第二阻擋物進行刻蝕形成開口，使得所述開口露出所述半導(dǎo)體襯底的至少 一部分以及所述第一阻擋物的至少一部分；
[0030] 利用所述第一和第二阻擋物作為掩模，從所述開口向所述半導(dǎo)體襯底進行離子注 入形成阱區(qū)。
[0031] 進一步地，所述第一阻擋物與所述第二阻擋物能夠分別在不同的條件下被去除至 少一部分。
[0032] 進一步地，所述第一阻擋物和所述第二阻擋物分別為第一光刻膠和第二光刻膠， 其中所述第一光刻膠和所述第二光刻膠分別對不同波長的光具有敏感性。
[0033] 進一步地，在利用所述第一和第二阻擋物作為掩模，從所述開口向所述半導(dǎo)體襯 底進行離子注入形成阱區(qū)之后，還包括：去除所述第一阻擋物和所述第二阻擋物。
[0034] 進一步地，在半導(dǎo)體襯底上依次形成絕緣層和多晶硅層之前，還包括：對所述半導(dǎo) 體襯底進行淺溝槽隔離。
[0035] 進一步地，所述第一阻擋物的厚度為至少500A。
[0036] 進一步地，所述柵極的一個邊緣與所形成的阱區(qū)的一個邊緣自對準(zhǔn)。
[0037] 本公開的一個優(yōu)點在于，利用離子注入對柵極的自對準(zhǔn)功能，實現(xiàn)了柵極阻擋物 在離子注入工藝中對柵極的保護作用，進而精確控制了離子注入的注入?yún)^(qū)域，減小了暗電 流的產(chǎn)生。
[0038] 通過以下參照附圖對本公開的示例性實施例的詳細描述，本公開的其它特征及其 優(yōu)點將會變得清楚。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0039] 構(gòu)成說明書的一部分的附圖描述了本公開的實施例，并且連同說明書一起用于解 釋本公開的原理。
[0040] 參照附圖，根據(jù)下面的詳細描述，可以更加清楚地理解本公開，其中：
[0041] 圖1A至圖1C示意性地示出了現(xiàn)有技術(shù)中形成光電二極管的各個步驟的示意圖。
[0042] 圖2是根據(jù)本公開實施例的半導(dǎo)體裝置的制造方法的流程圖。
[0043]圖3A至圖3G是根據(jù)本公開實施例的半導(dǎo)體裝置的制造方法的各個步驟的示意 圖。
[0044] 圖4是示出根據(jù)本公開實施例的半導(dǎo)體裝置的橫截面示意圖。

【具體實施方式】
[0045] 現(xiàn)在將參照附圖來詳細描述本公開的各種示例性實施例。應(yīng)注意到：除非另外具 體說明，否則在這些實施例中闡述的部件和步驟的相對布置、數(shù)字表達式和數(shù)值不限制本 公開的范圍。
[0046] 同時，應(yīng)當(dāng)明白，為了便于描述，附圖中所示出的各個部分的尺寸并不是按照實際 的比例關(guān)系繪制的。
[0047] 以下對至少一個示例性實施例的描述實際上僅僅是說明性的，決不作為對本公開 及其應(yīng)用或使用的任何限制。
[0048] 對于相關(guān)領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的技術(shù)、方法和設(shè)備可能不作詳細討論，但在適 當(dāng)情況下，所述技術(shù)、方法和設(shè)備應(yīng)當(dāng)被視為授權(quán)說明書的一部分。
[0049] 在這里示出和討論的所有示例中，任何具體值應(yīng)被解釋為僅僅是示例性的，而不 是作為限制。因此，示例性實施例的其它示例可以具有不同的值。
[0050] 應(yīng)注意到：相似的標(biāo)號和字母在下面的附圖中表示類似項，因此，一旦某一項在一 個附圖中被定義，則在隨后的附圖中不需要對其進行進一步討論。
[0051] 圖2是根據(jù)本公開實施例的半導(dǎo)體裝置的制造方法的流程圖。圖3A至圖3G是根 據(jù)本公開實施例的半導(dǎo)體裝置的制造方法的各個步驟的示意圖。下面結(jié)合圖2和圖3A至 圖3G說明根據(jù)本公開實施例的半導(dǎo)體裝置的制造方法。
[0052] 在步驟201，在半導(dǎo)體襯底上依次形成絕緣層和多晶硅層。其中，如圖3A所示，在 具有淺溝槽隔離區(qū)域302的半導(dǎo)體襯底301上依次形成絕緣層305和多晶硅層306,例如可 以通過沉積絕緣材料和沉積多晶硅材料的方法形成絕緣層和多晶硅層。可替換地，也可以 通過對半導(dǎo)體襯底進行氧化或者氮化的方法形成絕緣層。其中，半導(dǎo)體襯底301可以為硅， 當(dāng)然也可以為其他的半導(dǎo)體。在本公開的一個實施例中，絕緣層305可以為氧化物層，例如 氧化硅，當(dāng)然，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解，該絕緣層還可以是其他類型的絕緣體，例如氮化 物層（如氮化硅），因此本公開的范圍并不僅限于此。
[0053] 在本公開的另一個實施例中，在步驟201之前還包括在半導(dǎo)體襯底301上進行淺 溝槽隔離從而形成淺溝槽隔離區(qū)域302。
[0054] 在步驟202,在多晶硅層上形成圖案化的第一阻擋物，并且以所述第一阻擋物為掩 模進行刻蝕，形成柵極結(jié)構(gòu)。如圖3B所示，在多晶硅層306上形成第一阻擋物材料層（也 可以稱為第一犧牲物材料層），例如光刻膠，再對該第一阻擋物材料進行圖案化從而形成第 一阻擋物（也可以稱為第一犧牲物）307。然后以該第一阻擋物307為掩模進行刻蝕，形成 柵極結(jié)構(gòu)320,如圖3C所示。其中，所述柵極結(jié)構(gòu)320包括絕緣層305和柵極306,其中所 述柵極由原來的多晶硅層306刻蝕形成。在本公開的一個實施例中，可以通過以第一阻擋 物307為掩模進行光刻工藝而形成柵極結(jié)構(gòu)。
[0055] 在本公開的實施例中，第一阻擋物307的厚度至少為500A,優(yōu)選地，第一阻擋物 的厚度為2000?3000人。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解，第一阻擋物的厚度可以根據(jù)需要來 確定，其中后續(xù)步驟中離子注入的能量越大，所需的第一阻擋物的厚度越厚。第一阻擋物的 厚度可以保護第一阻擋物下面的柵極結(jié)構(gòu)不被離子注入所損傷。
[0056] 在步驟203,在半導(dǎo)體襯底和第一阻擋物上形成第二阻擋物。如圖3D所示，在半 導(dǎo)體襯底301和第一阻擋物307上形成第二阻擋物（也可以稱為第二犧牲物）308。在本 公開的一個實施例中，第一阻擋物307與第二阻擋物308能夠分別在不同的條件下被去除 至少一部分，例如第一阻擋物與第二阻擋物能夠在不同的刻蝕液中被去除至少一部分。進 一步地，第一阻擋物和第二阻擋物分別為第一光刻膠和第二光刻膠，其中所述第一光刻膠 和所述第二光刻膠分別對不同波長的光具有敏感性，例如第一阻擋物為I-line光刻膠，第 二阻擋物為DUV光刻膠。本領(lǐng)域技術(shù)人員理解，I-line和DUV光刻膠分別針對曝光光源波 長365nm和243nm，然而，上述兩種光刻膠僅僅是出于說明性目的而給出的，本公開并不僅 限于上述兩種光刻膠。例如，本公開涉及使用第一光刻膠阻擋物對于一種波長的光具有敏 感性，而第二光刻膠阻擋物對于另一種不同波長的光具有敏感性，由此使得這兩種光刻膠 能夠在不同波長的光的照射下顯影，并且最終被分別光刻掉至少一部分。當(dāng)然，本領(lǐng)域技術(shù) 人員應(yīng)該理解，所述不同的條件還包括其他不同的條件，例如在不同的溫度或者不同的氣 體環(huán)境中或者不同的壓強等條件下，第一阻擋物與第二阻擋物可以響應(yīng)于這些不同的條件 被分別去除至少一部分，因此本申請的范圍并不僅限于特定的去除方式。
[0057] 在步驟204,對第二阻擋物進行刻蝕形成開口，使得所述開口露出半導(dǎo)體襯底的至 少一部分以及第一阻擋物的至少一部分。如圖3E所示，對第二阻擋物308進行刻蝕形成開 口，例如第二阻擋物為第二光刻膠，可以通過光刻形成開口，由于第一阻擋物和第二阻擋物 的去除特性不同，在去除第二阻擋物的至少一部分而形成開口的過程中不會影響到第一阻 擋物，使得該開口露出半導(dǎo)體襯底301的至少一部分以及第一阻擋物307的至少一部分。相 比于現(xiàn)有技術(shù)，這里在對第二阻擋物308進行刻蝕形成開口時，開口可以稍大一些，使得該 開口暴露出至少一部分半導(dǎo)體襯底和至少一部分第一阻擋物。換言之，第二阻擋物的開口 的位置控制的精確性不需要非常高。
[0058] 在后續(xù)的離子注入工藝中，被暴露出的部分第一阻擋物能夠阻擋到達其上的離子 束，而在開口中沒有被第一阻擋物遮蔽的半導(dǎo)體襯底部分則由于離子注入而形成阱區(qū)，這 樣在半導(dǎo)體襯底301中通過離子注入形成阱區(qū)時能夠?qū)崿F(xiàn)柵極的一個邊緣與所形成的阱 區(qū)的一個邊緣自對準(zhǔn)。
[0059] 在步驟205,同時利用所述第一和第二阻擋物作為掩模，從開口向半導(dǎo)體襯底進行 離子注入形成阱區(qū)。如圖3F所示，利用第一阻擋物307和第二阻擋物308作為掩模，從第 二阻擋物308的開口向半導(dǎo)體襯底301進行離子注入形成阱區(qū)304。如前所述，由于在開口 中被暴露出的部分第一阻擋物能夠阻擋到達其上面的離子束，使得該部分第一阻擋物下面 的柵極結(jié)構(gòu)不會損傷，并且使得該部分第一阻擋物下面的半導(dǎo)體襯底不會被離子注入，從 而不會形成阱區(qū)。另一方面，在開口中沒有被第一阻擋物遮蔽的半導(dǎo)體襯底部分則由于離 子注入而形成阱區(qū)。
[0060] 因此，由于第一阻擋物是形成柵極時的掩摸（請參見圖3C)，因此利用了上述第一 阻擋物和第二阻擋物的層疊作為掩摸的離子注入可以實現(xiàn)柵極306的一個邊緣與所形成 的阱區(qū)304的一個邊緣自對準(zhǔn)（如圖3F所示），而不會出現(xiàn)柵極與阱區(qū)重疊的部分（如圖 1C所示），從而減小器件的暗電流。
[0061] 在本公開的進一步實施例中，在步驟205形成阱區(qū)之后，還包括：去除第一阻擋物 和第二阻擋物，例如如圖3G所示。在該實施例中，可以分別去除第一阻擋物307和第二阻 擋物308,例如若第一阻擋物和第二阻擋物為不同的光刻膠，可以分別通過曝光和刻蝕的方 法去掉，進一步地，也可以通過灰化工藝將兩種光刻膠同時去掉。當(dāng)然，本公開的范圍并不 僅限于此。
[0062]本公開的實施例通過先形成柵極絕緣層和柵極，再形成阱區(qū)，從而避免了形成柵 極絕緣層和沉積柵極多晶硅等過程中的高溫工藝對阱區(qū)的離子注入摻雜特性的影響，進而 減小了這些高溫工藝對器件靈敏度的影響；將阱區(qū)的離子注入工藝整合在形成第二阻擋物 之后和去除第一阻擋物和第二阻擋物之前，巧妙地利用了第一阻擋物和第二阻擋物的特性 的不同，實現(xiàn)了離子注入對柵極的自對準(zhǔn)，并且實現(xiàn)了柵極的阻擋物在離子注入工藝中對 柵極的保護作用，進而精確控制了離子注入的注入?yún)^(qū)域，減小了暗電流的產(chǎn)生。
[0063] 圖4是示出根據(jù)本公開實施例的半導(dǎo)體裝置的橫截面示意圖。如圖4所示，所述 半導(dǎo)體裝置包括：半導(dǎo)體襯底301上的柵極結(jié)構(gòu)320 ;形成在所述柵極結(jié)構(gòu)320上的圖案化 的第一阻擋物（也可以稱為第一犧牲物）307,其中所述第一阻擋物307具有特定的圖案，例 如如圖4所示，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解，第一阻擋物的特定圖案可以根據(jù)需要而確定；形 成在半導(dǎo)體襯底301和第一阻擋物307上的第二阻擋物（也可以稱為第二犧牲物）308,其 中第二阻擋物308具有開口，該開口暴露出半導(dǎo)體襯底301的至少一部分以及第一阻擋物 307的至少一部分；以及該開口暴露形成在半導(dǎo)體襯底301中的阱區(qū)304。其中，所述柵極 結(jié)構(gòu)320包括柵極306和絕緣層305,其中柵極306的一個邊緣與所形成的阱區(qū)304的一個 邊緣自對準(zhǔn)。
[0064] 在本公開的實施例中，第一阻擋物307和第二阻擋物308可以分別在不同的條件 下被去除至少一部分。例如，第一阻擋物與第二阻擋物能夠在不同的刻蝕液中被去除至少 一部分。在一個實施例中，第一阻擋物和第二阻擋物分別為第一光刻膠和第二光刻膠，其 中所述第一光刻膠和所述第二光刻膠分別對不同波長的光具有敏感性，例如第一阻擋物為 I-line光刻膠，第二阻擋物為DUV光刻膠，兩種光刻膠分別對不同波長的光具有敏感性，使 得這兩種光刻膠能夠在不同波長的光的照射下顯影，并且最終被分別光刻掉至少一部分。 當(dāng)然，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解，所述不同的條件還包括其他不同的條件，例如在不同的溫 度或者不同的氣體環(huán)境中或者不同的壓強等條件下，第一阻擋物與第二阻擋物可以在不同 步驟中被分別去除至少一部分，因此本領(lǐng)域的范圍并不僅限于特定的去除方式。
[0065] 在本公開的實施例中，第一阻擋物307的厚度最少為500A，優(yōu)選地，第一阻擋物 的厚度為2000?3000人。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解，第一阻擋物的厚度可以根據(jù)需要來 確定，例如，如果在形成阱區(qū)時可以通過離子注入的方式，并且離子注入的能量越大，所需 的第一阻擋物的厚度越厚。第一阻擋物的厚度可以用于保護第一阻擋物下面的柵極結(jié)構(gòu)。 [0066]在本公開的進一步實施例中，所述半導(dǎo)體裝置還包括淺溝槽隔離區(qū)域302,如圖4 所示。當(dāng)然，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解，本公開實施例中的半導(dǎo)體裝置也可以不包括淺溝槽 隔離區(qū)域302,因此，本公開的范圍并不僅限于此。
[0067] 至此，已經(jīng)詳細描述了根據(jù)本公開的制造半導(dǎo)體器件的方法和所形成的半導(dǎo)體器 件。為了避免遮蔽本公開的構(gòu)思，沒有描述本領(lǐng)域所公知的一些細節(jié)。本領(lǐng)域技術(shù)人員根 據(jù)上面的描述，完全可以明白如何實施這里公開的技術(shù)方案。
[0068] 雖然已經(jīng)通過示例對本公開的一些特定實施例進行了詳細說明，但是本領(lǐng)域的技 術(shù)人員應(yīng)該理解，以上示例僅是為了進行說明，而不是為了限制本公開的范圍。本領(lǐng)域的技 術(shù)人員應(yīng)該理解，可在不脫離本公開的范圍和精神的情況下，對以上實施例進行修改。本公 開的范圍由所附權(quán)利要求來限定。
【權(quán)利要求】
1. 一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包括： 半導(dǎo)體襯底上的柵極結(jié)構(gòu)； 形成在所述柵極結(jié)構(gòu)上的圖案化的第一阻擋物； 形成在所述半導(dǎo)體襯底和所述第一阻擋物上的第二阻擋物，其中所述第二阻擋物具有 開口，所述開口暴露出所述半導(dǎo)體襯底的至少一部分以及所述第一阻擋物的至少一部分； 以及 所述開口暴露形成在所述半導(dǎo)體襯底中的阱區(qū)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述第一阻擋物和所述第二阻擋 物分別為第一光刻膠和第二光刻膠，其中所述第一光刻膠和所述第二光刻膠分別對不同波 長的光具有敏感性。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述柵極的一個邊緣與所形成的 阱區(qū)的一個邊緣自對準(zhǔn)。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述裝置進一步包括：在所述半導(dǎo) 體襯底中的淺溝槽隔離區(qū)域。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述第一阻擋物的厚度為至少 500Ao
6. -種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包括： 半導(dǎo)體襯底上的柵極結(jié)構(gòu)； 形成在所述柵極結(jié)構(gòu)上的圖案化的第一犧牲物； 形成在所述半導(dǎo)體襯底和所述第一犧牲物上的第二犧牲物，其中所述第一犧牲物和所 述第二犧牲物能夠分別在不同的條件下被去除至少一部分，所述第二犧牲物具有開口，所 述開口暴露出所述半導(dǎo)體襯底的至少一部分以及所述第一犧牲物的至少一部分；以及 所述開口暴露形成在所述半導(dǎo)體襯底中的阱區(qū)。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述第一犧牲物和所述第二犧牲 物能夠分別在不同的刻蝕液中被去除至少一部分。
8. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述第一犧牲物和所述第二犧牲 物分別為第一光刻膠和第二光刻膠，其中所述第一光刻膠和所述第二光刻膠分別對不同波 長的光具有敏感性。
9. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述柵極的一個邊緣與所形成的 阱區(qū)的一個邊緣自對準(zhǔn)。
10. -種半導(dǎo)體裝置制造方法，其特征在于，包括： 在半導(dǎo)體襯底上依次形成絕緣層和多晶硅層； 在所述多晶硅層上形成圖案化的第一阻擋物，并且以所述第一阻擋物為掩模進行刻 蝕，形成柵極結(jié)構(gòu)； 在所述半導(dǎo)體襯底和所述第一阻擋物上形成第二阻擋物； 對所述第二阻擋物進行刻蝕形成開口，使得所述開口露出所述半導(dǎo)體襯底的至少一部 分以及所述第一阻擋物的至少一部分； 利用所述第一和第二阻擋物作為掩模，從所述開口向所述半導(dǎo)體襯底進行離子注入形 成阱區(qū)。
11. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置制造方法，其特征在于，所述第一阻擋物與所 述第二阻擋物能夠分別在不同的條件下被去除至少一部分。
12. 根據(jù)權(quán)利要求10或11所述的半導(dǎo)體裝置制造方法，所述第一阻擋物和所述第二阻 擋物分別為第一光刻膠和第二光刻膠，其中所述第一光刻膠和所述第二光刻膠分別對不同 波長的光具有敏感性。
13. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置制造方法，其特征在于，在利用所述第一和第 二阻擋物作為掩模，從所述開口向所述半導(dǎo)體襯底進行離子注入形成阱區(qū)之后，還包括：去 除所述第一阻擋物和所述第二阻擋物。
14. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置制造方法，其特征在于，在半導(dǎo)體襯底上依次 形成絕緣層和多晶硅層之前，還包括：對所述半導(dǎo)體襯底進行淺溝槽隔離。
15. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置制作方法，其特征在于，所述第一阻擋物的厚 度為至少500A。
16. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置制作方法，其特征在于，所述柵極的一個邊緣 與所形成的阱區(qū)的一個邊緣自對準(zhǔn)。
【文檔編號】H01L27/146GK104362160SQ201410495194
【公開日】2015年2月18日 申請日期:2014年9月25日 優(yōu)先權(quán)日:2014年9月25日
【發(fā)明者】王雪梅, 陳福剛, 林率兵, 黃峰 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司