一種射頻ldmos器件及其制備方法
【專利摘要】本發明適用于集成電路制造領域，提供了射頻LDMOS器件及其制造方法，所述器件包括：P+硅襯底；在所述P+硅襯底上外延形成的P型外延區域；P+下沉區域；源區；多晶硅柵；溝道區；漂移區；漏區。本發明實施例，通過調整射頻LDMOS器件的漂移區注入計量，使得射頻LDMOS器件的擊穿電壓得到改變，優化了射頻LDMOS器件的性能。
【專利說明】一種射頻LDMOS器件及其制備方法
【技術領域】
[0001]本發明屬于集成電路制造領域，尤其涉及一種射頻LDM0S器件及其制備方法。
【背景技術】
[0002] 橫向雙擴散場效應管（Lateral Double-diffused MOS，LDM0S)是一種市場需求 大、發展前景廣的射頻功率器件。在射頻無線通信領域，基站和長距離發射機幾乎全部使用 硅基LDM0S高功率晶體管；此外，LDM0S還廣泛應用于射頻放大器，如HF、VHF和UHF通信系 統、脈沖雷達、工業、科學和醫療應用、航空電子和WiMAXTM通信系統等領域。由于LDM0S具 有高增益、高線性、高耐壓、高輸出功率和易與CMOS工藝兼容等優點，硅基LDM0S晶體管已 成為射頻半導體功率器件的一個新熱點。與SiGe和GaAs工藝相比，雖然Si LDM0S技術的 高頻性能和噪聲性能并不是最優，但其工藝最為成熟、成本最低、功耗最小、應用也最為廣 泛,尤其是隨著器件特征尺寸的等比例縮小，LDM0S晶體管的頻率和噪聲特性也逐漸得到改 善，因此從長遠來看，硅基LDM0S射頻電路將是未來發展的趨勢。
[0003] 如圖1所示，是現有射頻LDM0S器件的結構示意圖；現有射頻LDM0S器件的基本結 構包括：
[0004] P+硅襯底101即摻高濃度P型雜質的襯底以及形成于所述P+硅襯底上方的P-外 延層102 ;所述P+硅襯底101的電阻率為0.01歐姆·厘米?0.02歐姆?厘米，所述P-外 延層102的厚度和摻雜濃度根據器件耐壓的要求不同進行設置，如器件耐壓為60伏的話， 所述P-外延層102的厚度約為 5微米?8微米。
[0005] 利用注入和擴散形成的P+下沉層（P+smKER) 103,該P+下沉層1〇3穿過所述P-外 延層102并且所述P+下沉層103的底部進入到所述P+硅襯底101中。
[0006] P阱104,該P阱104用于形成器件的溝道區。
[0007] 柵極氧化層以及柵極多晶硅108,覆蓋于所述P阱104的上方，被所述柵極多晶硅 108的所述P阱104形成溝道區。
[0008] 漂移區105,由形成于所述P-外延層102中的N-摻雜區組成，所述漂移區105和 所述柵極多晶硅108的一側相鄰。
[0009] 源區106,由一N+摻雜區組成，和所述柵極多晶娃108的另-側自對準。
[0010] 漏區107,由一 N+摻雜區組成，和所述柵極多晶硅1〇8的相隔一段距離，且是通過 所述漂移區105和所述p阱104相連接。
[0011] 通過金屬圖形109引出源極s、漏極D和柵極G。從漏區107到漏極D包括了多層 金屬層以及用于相鄰金屬層之間的連接的接觸孔和通孔，其中接觸孔用于漏區 107和第一 層金屬的連接，通孔用于金屬層之間的連接。源區106和源極δ之間也包括了多層金屬層 以及用于相鄰金屬層之間的連接的接觸孔和通孔，源極S也可以是硅片背面的金屬 110,柵 極多晶硅108和柵極G之間也包括了多層金屬層以及用于相鄰金屬層之間的連接的接觸孔 和通孔。 Y
[0012]所述p+硅襯底ιο?減薄后在背面形成有背面金屬no,所述同面金屬no通過所 述P+硅襯底101、所述P+下沉層103和所述源極S相連接或作為源極。
[0013] 擊穿電壓是LDM0S最重要的靜態參數之一，良好的耐壓特性是LDM0S器件可靠性 的重要體現。采用平面工藝制作LDMOS器件，由于P-N結表面受到曲率半徑、氧化層中正電 荷以及Si/Si02界面態的影響，使得P-N結表面處的電場增大，P-N結擊穿首先在表面發生， 為了提高擊穿電壓而在P-N結邊緣采取的減小表面電場的技術稱為結終端技術。本發明提 供了一種通過漂移區注入劑量的改變提高射頻LDM0S擊穿電壓的方法，該方法能夠對對器 件的閾值電壓、擊穿電壓及頻率特性等主要參數進行優化，從而設計出具有優異性能指標 要求的RF LDM0S器件。
【發明內容】
[0014] 本發明實施例的目的在于提供一種射頻LDM0S器件及其制備方法，以解決現有技 術的無法優化射頻器件擊穿電壓的問題。
[0015] 本發明實施例是這樣實現的，一種射頻LDM0S器件，所述器件包括：
[0016] 電阻率為0· 05?0. 15 Ω /cm3的P+硅襯底；
[0017] 在所述P+硅襯底上外延形成的厚度為9μπκ摻雜濃度為6*1014cnf 3?8*1014cnT3 的P型外延區域；
[0018] B 雜質注入劑量為 5. 5*1015cnf2 ?7. 5*1015cm_2、能量為 90 ?110Kev、105(TC 高溫 推進時間為180?220min的P+下沉區域；
[0019] 場氧厚度為1.8?2· 2μπι的源區；
[0020] 柵氧厚度為300-40Θ Ju多晶硅厚度為4Q_500Q Α的多晶硅柵；
[0021] B 雜質注入劑量為 2*1013cnT2 ?4*1013cm-2、能量為 40 ?60Kev、1000 ?1100Γ高 溫推進時間為40?60min的溝道區；
[0022] As 雜質注入劑量為 1. l*1012cnf2 ?1. 5*1012cnf2、能量為 140 ?160Kev、1000 ? 1100°C高溫推進時間為40?70min、長度為2 μ m?4 μ m的漂移區；
[0023] AS 雜質注入劑量為 4*1015cm_2 ?6*1015cm-2、能量為 80 ?120Kev、900 ?100(TC 快 速熱處理30min的漏區。
[0024] 本發明實施例的另一目的在于提供一種射頻LDM0S器件的制備方法，所述方法包 括：
[0025] 獲取漂移區劑量參數；
[0026] 根據預設的計算公式和所述漂移區劑量參數，獲取所述射頻LDM0S器件的相關參 數；
[0027] 根據所述漂移區劑量參數和所述相關參數制備射頻LDM0S器件，包括：
[0028] 制備電阻率為0· 05?0· 15 Ω /cm3的P+硅襯底；
[0029] 在所述P+硅襯底的上方形成厚度為9 μ m、摻雜濃度為6*1014cm_3?8*1014cnT3的 P型外延區域；
[0030] 通過注入劑量為 5. 5*1015cm-2 ?7. 5*1015cnf2、能量為 90 ?110Kev、105(TC 高溫推 進時間為180?220min的B雜質，擴散形成P+下沉區域；
[0031] 形成場氧厚度為1. 8?2. 2 μ m的源區；
[0032]形成柵氧厚度為3_ttK4Q:〇 A、多晶娃厚度為4000?5000 A的多晶娃柵；
[0033] 通過注入劑量為2*1013cnT2? 4*1013cnf2、能量為40?60Kev、1000?110(TC高溫 推進時間為40?60min的B雜質形成溝道區；
[0034] 通過注入劑量為 1. l*1012cnT2 ?1. 5*1015cm-2、能量為 140 ?160Kev、1000 ? ll〇〇°C高溫推進時間為40?70min的As雜質，形成長度為2 μ m?4 μ m的漂移區；
[0035] 通過注入劑量為4*1015cm_2?6*1015cm _2、能量為80?120Kev、900?ΙΟΟΟ?快速 熱處理30min的As雜質形成漏區。
[0036] 本發明實施例，通過調整射頻LDM0S器件的漂移區長度，使得射頻LDM0S器件的擊 穿電壓得到改變，優化了射頻LDM0S器件的性能。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0037]為了更清楚地說明本發明實施例中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述 中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些 實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動性的前提下，還可以根據這些 附圖獲得其他的附圖。
[0038] 圖1是現有技術提供的射頻LDM0S器件的結構圖；
[0039]圖2是本發明實施例提供的經ISE TCAD工藝仿真得到的LDM0S器件結構示意圖。
【具體實施方式】
[0040]為了使本發明的目的、技術方案及優點更加清楚明白，以下結合附圖及實施例，對 本發明進行進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發明，并 不用于限定本發明。
[0041] 為了說明本發明所述的技術方案，下面通過具體實施例來進行說明。
[0042] 實施例一
[0043] 如圖2所示為本發明實施例提供的經ISE TCAD工藝仿真得到的LDM0S器件結構 示意圖，為了便于說明，僅示出與本發明實施例相關的部分，包括：
[0044] 電阻率為0· 05?0· 15 Ω /cm3的P+娃襯底。
[0045] 在本發明實施例中，射頻LDMOS (Lateral Double-diffused M0S，簡稱：橫向雙擴 散場效應管）器件是制作在P+硅襯底上的，該射頻LDM0S器件首先包括：電阻率為0. 05? 0. 15 Ω /cm3的P+娃襯底。
[0046] 在所述P+硅襯底上外延形成的厚度為9 μ m、摻雜濃度為6*1014cnf3?8*1014cnf3 的P型外延區域。
[0047] 在本發明實施例中，在該P+硅襯底之上有通過外延形成的厚度為9 μ m、摻雜濃度 為6*1014cm 3?8*1014cm_3的P型外延區域。
[0048] B 雜質注入劑量為 5. 5*1015cnf2 ?7. 5*1015cm-2、能量為 90 ?110Kev、1050°C 高溫 推進時間為180?220min的P+下沉區域。
[0049] 在本發明實施例中，該射頻LDM0S器件還包括通過注入和擴散形成的B雜質注入 劑量為5. 5*1015cm-2?7. 5*1015cm-2、能量為90?110Kev、1050°C高溫推進時間為180? 220min的P+下沉區域。
[0050] 場氧厚度為1.8?2. 2μηι的源區。
[0051] 在本發明實施例中，該射頻LDM0S器件還包括場氧厚度為1. 8?2. 2 μ m的源區。
[0052] 柵氧厚度為3OM0O A、多晶硅厚度為40OCNSO0O Λ的多晶硅柵。
[0053] 在本發明實施例中，該射頻LDM0S器件還包括柵氧厚度為3復)?4讓> ▲、多晶硅厚 度為4000?500i Α的多晶硅柵。
[0054] B 雜質注入劑量為 2*1013cnf2 ?4*1013cnf2、能量為 40 ?60Kev、1000 ?1100°C高 溫推進時間為40?60min的溝道區。
[0055] 在本發明實施例中，該射頻LDM0S器件還包括B雜質注入劑量為2*1013cm 2? 4*1013cm-2、能量為40?60Kev、1000?1100?高溫推進時間為40?60min的溝道區。
[0056] As 雜質注入劑量為 1. l*1012cnT2 ?1. 5*1012cnf2、能量為 140 ?160Kev、1000 ? 1100°C高溫推進時間為40?70min、長度為2 μ m?4 μ m的漂移區。
[0057] 在本發明實施例中，該射頻LDM0S器件還包括As雜質注入劑量為1. l*1012cnT2? 1. 5*1012cnf2、能量為140?160Kev、1000?1100°C高溫推進時間為40?70min、長度為 2 μ m?4 μ m的漂移區。
[0058] AS 雜質注入劑量為 4*1015cnf2 ?6*1015cnf2、能量為 80 ?120Kev、900 ?1000°C快 速熱處理30min的漏區。
[0059] 在本發明實施例中，該射頻LDM0S器件還包括AS雜質注入劑量為4*1015cnf 2? 6*1015cnf2、能量為80?120Kev、900?1000°C快速熱處理30min的漏區。
[0060] 通過仿真處理，本發明提供的射頻LDM0S器件的通過調整漂移區注入計量，使得 射頻LDM0S器件的擊穿電壓得到優化。
[0061] 作為本發明的一個優選實施例，所述射頻LDM0S器件包括：
[0062] 電阻率為0. 08 Ω /cm3的P+硅襯底；
[0063] 厚度為9 μ m、摻雜濃度為7*1014cm_3的P型外延區域；
[0064] B雜質注入劑量為6*1015cnT2、能量為100Kev、1050°C高溫推進時間為200min的P+ 下沉區域；
[0065] 場氧厚度為2 μ m的源區；
[0066] 柵氧厚度為350 A、多晶硅厚度為4500A的多晶硅柵；
[0067] B雜質注入劑量為3*1013cm_2、能量為50Kev、105(TC高溫推進時間為40?60min的 溝道區；
[0068] As雜質注入劑量為1. 2*1012cnf2、能量為150Kev、1050?高溫推進時間為60min ;
[0069] AS雜質注入劑量為5*1015cm_2、能量為100Kev、950°C快速熱處理30min的漏區。
[0070] 通過實施本實施例，射頻LDM0S器件的擊穿電壓可以為72V。
[0071] 作為本發明另一個優選實施例，所述射頻LDM0S器件包括：
[0072] 電阻率為0· 07 Ω /cm3的P+硅襯底；
[0073] 厚度為9 μ m、摻雜濃度為8*1014cm_3的P型外延區域；
[0074] B雜質注入劑量為7*1015cnT2、能量為90KeV、105(TC高溫推進時間為21〇min的P+ 下沉區域；
[0075] 場氧厚度為2. 2 μ m的源區；
[0076] 柵氧厚度為400農、多晶硅厚度為5000A的多晶硅柵；
[0077] B雜質注入劑量為4*1013cnT2、能量為40Kev、1100°C高溫推進時間為40min的溝道 區；
[0078] As雜質注入劑量為1. 3*1012cnT2、能量為160Kev、1100°C高溫推進時間為50min ;
[0079] AS雜質注入劑量為6*1015cnT2、能量為120Kev、1000°C快速熱處理 3〇min的漏區。
[0080] 通過實施例本實施例，射頻LDM0S器件的擊穿電壓可以為68V。
[0081] 作為本發明的再一個優選實施例，所述射頻LDM0S器件包括：
[0082] 電阻率為0. 05 Ω /cm3的P+硅襯底；
[0083] 厚度為9 μ m、摻雜濃度為6*1014cm 3的P型外延區域；
[0084] B雜質注入劑量為7. 5*1015cnf2、能量為110Kev、1050°C高溫推進時間為180min的 P+下沉區域；
[0085] 場氧厚度為1. 8 μ m的源區；
[0086] 柵氧厚度為300人、多晶硅厚度為400|義的多晶硅柵；
[0087] B雜質注入劑量為2*1013cnT2、能量為60Kev、1000°C高溫推進時間為60min的溝道 區；
[0088] As雜質注入劑量為1. 2*1012cnT2、能量為150Kev、1000°C高溫推進時間為50min ;
[0089] AS雜質注入劑量為4*1015cnf2、能量為80KeV、900°C快速熱處理30min的漏區。
[0090] 通過實施本實施例，射頻LDM0S器件的擊穿電壓可以為71V。
[0091] 實施例二
[0092] 本發明實施例提供還提供一種射頻LDM0S器件制備方法的流程圖，所述方法包括 以下步驟：
[0093] 本實施例首先獲取漂移區劑量參數，根據預設的計算公式和獲取的漂移區劑量參 數，獲取射頻LDM0S器件的相關參數，最后根據漂移區劑量參數和所述相關參數制備射頻 LDM0S器件，其制備過程具體包括：
[0094] 在步驟S301中，制備電阻率為0. 05?0. 15 Ω/cm3的P+硅襯底。
[0095] 在本發明實施例中，射頻LDMOS (Lateral Double-diffused M0S，簡稱：橫向雙擴 散場效應管）器件是制作在P+硅襯底上的，該射頻LDM0S器件首先需要：制備電阻率為 0. 05 ?0. 15 Ω/cm3 的 P+硅襯底 201。
[0096] 在步驟S302中，在所述P+硅襯底的上方形成厚度為9μπι、摻雜濃度為 6*10 14cm_3 ?8*1014cnT3 的 Ρ 型外延區域。
[0097] 在本發明實施例中，在制備了 P+硅襯底之后，需要通過外延在所述P+硅襯底的上 方形成厚度為9 μ m、摻雜濃度為6*1014cnT3?8*1014cnT3的P型外延區域。
[0098] 在步驟S303中，通過注入劑量為5. 5*1015cnf2?7. 5*1015cnT2、能量為90? 1101(價、1050°(：高溫推進時間為1 8〇?22〇1^11的8雜質，擴散形成？+下沉區域。
[0099] 在本發明實施例中，在形成P型外延區域的步驟之后，通過注入劑量為 5. 5*1015cm-2 ?7. 5*1015cnT2、能量為 90 ?110Kev、1050°C高溫推進時間為 180 ?220min 的 B雜質，擴散形成P+下沉區域。
[0100] 在步驟S304中，形成場氧厚度為1.8?2·2μηι的源區。
[0101] 在本發明實施例中，在通過擴散形成P+下沉區域的步驟之后，形成場氧厚度為 1. 8?2. 2μπι的源區。
[0102] 在步驟S305中，形成柵氧厚度為鑛0MJQ蓋、多晶硅厚度為4_I?5_QA的 多晶娃柵。
[0103] 在本發明實施例中，在形成源區的步驟之后，該制備方法形成柵氧厚度為 300?400 A、多晶硅厚度為4000?5000 A的多晶娃柵。
[0104] 在步驟S306中，通過注入劑量為2*l〇13cm 2?4*1013cm 2、能量為40?60Kev、 1000?1100?高溫推進時間為40?60rain的B雜質形成溝道區。
[0105] 在本發明實施例中，在形成多晶硅的步驟之后，通過注入劑量為2*1013cm _2? 4*1013cm_2、能量為40?60Kev、1000?ll〇〇°C尚溫推進時間為40?60min的B雜質形成 溝道區。
[0106] 在步驟S307中，通過注入劑量為1. l*l〇12cnf2?1.5*1015cnT2、能量為140? 160Kev、1000?1100°C高溫推進時間為40?70min的As雜質，形成長度為2μηι?4μηι 的漂移區。
[0107] 在本發明實施例中，在形成溝道區的步驟之后，通過注入劑量為1. l*1012cnT2? 1. 5*1015cnf2、能量為140?160Kev、1000?ll〇〇°C高溫推進時間為40?70min的As雜質， 形成長度為2 μ m?4 μ m的漂移區。
[0108] 在步驟S308中，通過注入劑量為4*1015cnf2?6*10 15cnT2、能量為80?120Kev、 900?1000?快速熱處理30min的As雜質形成漏區。
[0109] 在本發明實施例中，在形成漂移區的步驟之后，通過注入劑量為4*1015cnT 2? 6*1015cnf2、能量為80?l2〇Kev、900?1000°C快速熱處理30min的As雜質形成漏區。 [0110] 通過仿真處理，通過本實施例提供的射頻LDM0S器件的制備方法，通過調整漂移 區注入計量，使得射頻LDM0S器件的擊穿電壓得到優化。
[0111] 作為本發明的一個優選實施例，所述制備射頻LDM0S器件的方法，包括以下步驟：
[0112] 1、制備電阻率為0. 08 Ω /cm3的P+硅襯底；
[0113] 2、在所述P+硅襯底的上方形成厚度為9μηι、摻雜濃度為7*1014cnf 3的P型外延區 域；
[0114] 3、通過注入劑量為6*1015cm-2、能量為100Kev、1050°C高溫推進時間為200min的B 雜質，擴散形成P+下沉區域；
[0115] 4、形成場氧厚度為2μιη的源區；
[0116] 5、形成柵氧厚度為3501多晶硅厚度為45Q0: Α的多晶硅柵；
[0117] 6、通過注入劑量為3*1013cnf2、能量為50Kev、105(TC高溫推進時間為40?60min 的B雜質形成溝道區；
[0118] 7、通過注入劑量為1· 2*1012cnT2、能量為150Kev、105(TC高溫推進時間為60min的 As雜質；
[0119] 8、通過注入劑量為5*1015cnT2、能量為i 〇〇Kev、95(TC快速熱處理30min的As雜質 形成漏區。
[0120]通過使用本實施例提供的制備方法，可以制備擊穿電壓為72V的射頻LDM0S器件。
[0121] 作為本發明的另一個優選實施例，所述射頻LDM0S器件的制備方法，包括以下步 驟：
[0122] 1、制備電阻率為0. 07 Ω/cm3的P+硅襯底；
[0123] 2、在所述P+硅襯底的上方形成厚度為9 μ m、摻雜濃度為8*1014cnf3的P型外延區 域；
[0124] 3、通過注入劑量為7*1015cnf2、能量為90Ke V、1050°C高溫推進時間為210min的B 雜質，擴散形成P+下沉區域；
[0125] 4、形成場氧厚度為2. 2μπι的源區；
[0126] 5、形成柵氧厚度為400Α、多晶硅厚度為5000Α的多晶硅柵；
[0127] 6、通過注入劑量為4*1013cnT2、能量為40K ev、1100°C高溫推進時間為40min的Β雜 質形成溝道區；
[0128] 7、通過注入劑量為1. 3*1012cm-2、能量為160Kev、110(TC高溫推進時間為50min的 As雜質；
[0129] 8、通過注入劑量為6*1015cm-2、能量為120Kev、1000°C快速熱處理30min的As雜質 形成漏區。
[0130] 通過使用本實施例提供的制備方法，可以制備擊穿電壓為68V的射頻LDM0S器件。
[0131] 作為本發明的再一個優選實施例，所述射頻LDM0S器件的制備方法，包括以下步 驟：
[0132] 1、制備電阻率為0.05 Ω/cm3的P+硅襯底；
[0133] 2、在所述P+娃襯底的上方形成厚度為9 μ m、摻雜濃度為6*1014cnT3的P型外延區 域；
[0134] 3、通過注入劑量為7. 5*1015cm_2、能量為110Kev、1050°C高溫推進時間為180min的 B雜質，擴散形成P+下沉區域；
[0135] 4、形成場氧厚度為1. 8μπι的源區；
[0136] 5、形成柵氧厚度為300Α、多晶硅厚度為4000人的多晶硅柵；
[0137] 6、通過注入劑量為2*1013cnT2、能量為60Kev、1000°C高溫推進時間為60min的Β雜 質形成溝道區；
[0138] 7、通過注入劑量為1. 2*1012cnT2、能量為150Kev、1000°C高溫推進時間為50min的 As雜質；
[0139] 8、通過注入劑量為4*1015cnT2、能量為80Kev、90(TC快速熱處理30min的As雜質形 成漏區。
[0140] 通過使用本實施例提供的制備方法，可以制備擊穿電壓為71V的射頻LDM0S器件。
[0141] 本領域普通技術人員還可以理解，實現上述實施例方法中的全部或部分步驟是可 以通過程序來指令相關的硬件來完成，所述的程序可以在存儲于一計算機可讀取存儲介質 中，所述的存儲介質，包括R0M/RAM、磁盤、光盤等。
[0142] 以上所述僅為本發明的較佳實施例而已，并不用以限制本發明，凡在本發明的精 神和原則之內所作的任何修改、等同替換和改進等，均應包含在本發明的保護范圍之內。
【權利要求】
1. 一種射頻LDMOS器件，其特征在于，所述器件包括： 電阻率為0. 05?0. 15Q/cm3的P+娃襯底； 在所述P+硅襯底上外延形成的厚度為9iim、摻雜濃度為6*1014cm_3?8*1014cm_3的P型外延區域； B雜質注入劑量為5. 5*1015cnT2?7. 5*1015cnT2、能量為90?110Kev、1050°C高溫推進 時間為180?220min的P+下沉區域； 場氧厚度為1. 8?2. 2iim的源區； 柵氧厚度為300?400A、多晶硅厚度為4000?5000A的多晶硅柵； B雜質注入劑量為2*1013cnT2?4*1013cnT2、能量為40?60Kev、1000?IKKTC高溫推 進時間為40?60min的溝道區； As雜質注入劑量為I.l*1012cnT2 ?I. 5*1012cnT2、能量為 140 ?160Kev、1000 ?1100°C高溫推進時間為40?70min、長度為2ym?4ym的漂移區； AS雜質注入劑量為4*1015cnT2?6*1015cnT2、能量為80?120Kev、900?1000°C快速熱 處理30min的漏區。
2. 如權利要求1所述的器件，其特征在于，所述器件包括： 電阻率為0. 08Q/cm3的P+硅襯底； 厚度為9iim、摻雜濃度為7*1014cm_3的P型外延區域； B雜質注入劑量為6*1015cnT2、能量為100KeV、1050°C高溫推進時間為200min的P+下 沉區域； 場氧厚度為2iim的源區； 柵氧厚度為350A、多晶硅厚度為4500A的多晶硅柵； B雜質注入劑量為3*1013cnT2、能量為50KeV、1050°C高溫推進時間為40?60min的溝 道區； As雜質注入劑量為I. 2*1012cm_2、能量為150Kev、1050°C高溫推進時間為60min; AS雜質注入劑量為5*1015cnT2、能量為100Kev、950°C快速熱處理30min的漏區。
3. 如權利要求1所述的器件，其特征在于，所述器件包括： 電阻率為0. 07Q/cm3的P+硅襯底； 厚度為9iim、摻雜濃度為8*1014cm_3的P型外延區域； B雜質注入劑量為7*1015cm_2、能量為90KeV、1050°C高溫推進時間為210min的P+下沉 區域； 場氧厚度為2. 2iim的源區； 柵氧厚度為400A、多晶硅厚度為5000A的多晶硅柵； B雜質注入劑量為4*1013cm_2、能量為40KeV、1100°C高溫推進時間為40min的溝道區；As雜質注入劑量為I. 3*1012cnT2、能量為160Kev、1100°C高溫推進時間為50min; AS雜質注入劑量為6*1015cnT2、能量為120KeV、1000°C快速熱處理30min的漏區。
4. 如權利要求1所述的器件，其特征在于，所述器件包括： 電阻率為0. 05Q/cm3的P+硅襯底； 厚度為9iim、摻雜濃度為6*1014cm_3的P型外延區域； B雜質注入劑量為7. 5*1015cnT2、能量為110KeV、1050°C高溫推進時間為180min的P+ 下沉區域； 場氧厚度為I. 8iim的源區； 柵氧厚度為300A、多晶硅厚度為4000A的多晶硅柵； B雜質注入劑量為2*1013cm_2、能量為60KeV、1000°C高溫推進時間為60min的溝道區；As雜質注入劑量為I. 2*1012cm_2、能量為150Kev、1000°C高溫推進時間為50min; AS雜質注入劑量為4*1015cnT2、能量為80Kev、900°C快速熱處理30min的漏區。
5. -種射頻LDMOS器件的制備方法，其特征在于，所述方法包括： 獲取漂移區劑量參數； 根據預設的計算公式和所述漂移區劑量參數，獲取所述射頻LDMOS器件的相關參數； 根據所述漂移區劑量參數和所述相關參數制備射頻LDMOS器件，包括： 制備電阻率為〇. 05?0. 15Q/cm3的P+硅襯底； 在所述P+娃襯底的上方形成厚度為9iim、摻雜濃度為6*1014cnT3?8*1014cnT3的P型 外延區域； 通過注入劑量為5. 5*1015cnT2?7. 5*1015cnT2、能量為90?110Kev、1050°C高溫推進時 間為180?220min的B雜質，擴散形成P+下沉區域； 形成場氧厚度為1. 8?2. 2iim的源區； 形成柵氧厚度為300?400A、多晶硅厚度為4000?5000A的多晶硅柵； 通過注入劑量為2*1013cnT2?4*1013cnT2、能量為40?60Kev、1000?1100°C高溫推進 時間為40?60min的B雜質形成溝道區； 通過注入劑量為I.l*l〇12cnT2 ?I. 5*1015cnT2、能量為 140 ?160Kev、1000 ?IKKTC高 溫推進時間為40?70min的As雜質，形成長度為2iim?4iim的漂移區； 通過注入劑量為4*1015cnT2?6*1015cnT2、能量為80?120Kev、900?1000°C快速熱處 理30min的As雜質形成漏區。
6. 如權利要求5所述的方法，其特征在于，所述方法包括： 獲取漂移區劑量參數； 根據預設的計算公式和所述漂移區劑量參數，獲取所述射頻LDMOS器件的相關參數； 根據所述漂移區劑量參數和所述相關參數制備射頻LDMOS器件，包括： 制備電阻率為〇. 08Q/cm3的P+硅襯底； 在所述P+硅襯底的上方形成厚度為9iim、摻雜濃度為7*1014cnT3的P型外延區域； 通過注入劑量為6*1015cnT2、能量為100KeV、1050°C高溫推進時間為200min的B雜質， 擴散形成P+下沉區域； 形成場氧厚度為2pm的源區； 形成柵氧厚度為350A、多晶硅厚度為4500A的多晶硅柵； 通過注入劑量為3*1013cnT2、能量為50KeV、1050°C高溫推進時間為40?60min的B雜 質形成溝道區； 通過注入劑量為I. 2*1012cm_2、能量為150KeV、1050°C高溫推進時間為60min的As雜 質； 通過注入劑量為5*1015cnT2、能量為100KeV、950°C快速熱處理30min的As雜質形成漏 區。
7. 如權利要求5所述的方法，其特征在于，所述方法包括： 獲取漂移區劑量參數； 根據預設的計算公式和所述漂移區劑量參數，獲取所述射頻LDMOS器件的相關參數； 根據所述漂移區劑量參數和所述相關參數制備射頻LDMOS器件，包括： 制備電阻率為〇. 07Q/cm3的P+硅襯底； 在所述P+硅襯底的上方形成厚度為9iim、摻雜濃度為8*1014cnT3的P型外延區域； 通過注入劑量為7*1015cm_2、能量為90KeV、1050°C高溫推進時間為210min的B雜質，擴 散形成P+下沉區域； 形成場氧厚度為2. 2iim的源區； 形成柵氧厚度為400人、多晶硅厚度為5000A的多晶硅柵； 通過注入劑量為4*1013cm_2、能量為40Kev、1100°C高溫推進時間為40min的B雜質形成 溝道區； 通過注入劑量為I. 3*1012cm_2、能量為160KeV、1100°C高溫推進時間為50min的As雜 質； 通過注入劑量為6*1015cm_2、能量為120Kev、1000°C快速熱處理30min的As雜質形成漏 區。
8. 如權利要求5所述的方法，其特征在于，所述方法包括： 獲取漂移區劑量參數； 根據預設的計算公式和所述漂移區劑量參數，獲取所述射頻LDMOS器件的相關參數； 根據所述漂移區劑量參數和所述相關參數制備射頻LDMOS器件，包括： 制備電阻率為〇. 05Q/cm3的P+硅襯底； 在所述P+硅襯底的上方形成厚度為9iim、摻雜濃度為6*1014cnT3的P型外延區域； 通過注入劑量為7. 5*1015cnT2、能量為110KeV、1050°C高溫推進時間為180min的B雜 質，擴散形成P+下沉區域； 形成場氧厚度為I. 8iim的源區； 形成柵氧厚度為300A、多晶硅厚度為4000A的多晶硅柵； 通過注入劑量為2*1013cm_2、能量為60Kev、1000°C高溫推進時間為60min的B雜質形成 溝道區； 通過注入劑量為I. 2*1012cm_2、能量為150KeV、1000°C高溫推進時間為50min的As雜 質； 通過注入劑量為4*1015cm_2、能量為80Kev、900°C快速熱處理30min的As雜質形成漏 區。
【文檔編號】H01L29/78GK104241380SQ201410459461
【公開日】2014年12月24日 申請日期:2014年9月10日 優先權日:2014年9月10日
【發明者】杜寰 申請人:上海聯星電子有限公司