發光裝置以及電子設備的制作方法

發光裝置以及電子設備的制作方法
【專利摘要】本發明的發光裝置具備：第一像素電極；第二像素電極；包含發光層的有機層；像素分離層，其夾設在第一像素電極的外緣部以及第二像素電極的外緣部與有機層之間，并分離第一像素區域以及第二像素區域；以及共用電極，其設置在有機層的與設置有第一像素電極以及第二像素電極的一側相反側，其中，像素分離層與第一像素電極中的俯視時的重疊寬度以及像素分離層與第二像素電極中的俯視時的重疊寬度大于有機層或者電荷輸送層的膜厚。
【專利說明】發光裝置以及電子設備

【技術領域】
[0001 ] 本發明涉及發光裝置以及電子設備。

【背景技術】
[0002]從以往，作為電子設備的顯示裝置，使用將多個有機電致發光(Electroluminescence,以下，縮寫為EL)元件配置成矩陣狀的發光裝置(例如參照專利文獻I)。各個有機EL元件經由驅動用晶體管等與電源線連接，以與從電源線供給的驅動電流對應的亮度發光。提出了一種將多個電源線以與多個信號線一一對應的方式設置在顯示區域內的有源矩陣方式的有機EL裝置(例如參照專利文獻2)。
[0003]專利文獻1:日本特開2012 - 138226號公報
[0004]專利文獻2:日本特開2012 - 084371號公報
[0005]一般地，在有機EL裝置等發光裝置中，在基板上依次層疊像素電極、發光層、以及共用電極，發光層通過在像素電極與共用電極之間流動的電流發光。但是，在有源矩陣方式的發光裝置中，像素電極被配置成矩陣狀，所以若相鄰的像素電極的電位不同，則存在漏電流在相鄰的像素電極間流動的情況。在該情況下，本來應從像素電極流向共用電極而貢獻于發光的電流朝向相鄰的像素電極流動，所以得不到所希望的灰度、色調，產生顯示品質降低的問題。這在像素間隔狹窄的高精細的顯示裝置用的發光裝置中成為特別顯著的問題。


【發明內容】

[0006]本發明的一個方式是為了解決上述的課題而完成的，目的之一在于提供能夠減少相鄰的像素電極間的漏電流的發光裝置。本發明的一個方式的目的之一在于提供具備這種發光裝置，且具備顯示品質優良的顯示部的電子設備。
[0007]為了實現上述的目的，本發明的第一方式的發光裝置具備:第一像素電極；第二像素電極；有機層，其包含發光層；像素分離層，其夾設在上述第一像素電極的外緣部以及上述第二像素電極的外緣部與上述有機層之間；以及共用電極，其設置在上述有機層的與設置有上述第一像素電極以及上述第二像素電極的一側相反側，其中，上述像素分離層與上述第一像素電極中的俯視時的重疊寬度、以及上述像素分離層與上述第二像素電極中的俯視時的重疊寬度大于上述有機層的膜厚。
[0008]在本發明的第一方式的發光裝置中，第一像素電極和第二像素電極在俯視時與有機層重疊，像素分離層中的與第一像素電極以及第二像素電極的重疊寬度大于有機層的膜厚。因此，這些構成要素能夠虛擬地看作為將第一像素電極以及第二像素電極中與像素分離層重疊的部分設為柵極、將其他的部分設為源極或漏極、將位于與第一像素電極以及第二像素電極重疊的像素分離層上的有機層設為溝道區域的有機薄膜晶體管(Thin FilmTransistor,以下,縮寫為TFT)以二極管連接的構造。其結果，通過二極管連接構造而第一像素電極以及第二像素電極間的電阻上升，所以抑制第一像素電極與第二像素電極之間的電流。這樣，能夠實現能夠減少相鄰的像素電極間的漏電流的發光裝置。
[0009]優選在本發明的第一方式的發光裝置中，上述像素分離層的膜厚比上述有機層的膜厚薄。
[0010]根據該結構，強烈表現出二極管連接的影響，更加充分地抑制第一像素電極與第二像素電極之間的電流。
[0011]優選在本發明的第一方式的發光裝置中，上述重疊寬度是上述有機層的膜厚的3倍以上10倍以下。
[0012]在該結構中，充分確保相對于有機層的重疊寬度，所以能夠增強二極管連接的作用。因此，充分抑制電流在第一像素電極與第二像素電極之間流動。
[0013]優選在本發明的第一方式的發光裝置中，上述第一像素區域與上述第二像素區域的間隔是上述有機層的膜厚的20倍以下。
[0014]在該結構中，因像素間隔狹窄而相鄰的像素電極間的漏電流的問題變得更加顯著。因此，本發明的一個方式的發光裝置的效果更加有效。
[0015]本發明的第二方式的發光裝置具備:第一像素電極；第二像素電極；發光層；電荷輸送層，其設置在上述發光層與上述第一像素電極以及上述第二像素電極之間；像素分離層，其夾設在上述第一像素電極的外緣部以及上述第二像素電極的外緣部與上述電荷輸送層之間；以及共用電極，其設置在上述發光層的與設置有上述第一像素電極以及上述第二像素電極的一側相反側，上述像素分離層與上述第一像素電極中的俯視時的重疊寬度、以及上述像素分離層與上述第二像素電極中的俯視時的重疊寬度大于上述電荷輸送層的膜厚。
[0016]在本發明的第二方式的發光裝置中，第一像素電極與第二像素電極在俯視時與電荷輸送層重疊，像素分離層中的與第一像素電極以及第二像素電極的重疊寬度大于電荷輸送層的膜厚。因此，這些構成要素能夠虛擬地看作為將第一像素電極以及第二像素電極中與像素分離層重疊的部分設為柵極，將其他的部分設為源極或漏極，將位于與第一像素電極以及第二像素電極重疊的像素分離層上的電荷輸送層設為溝道區域的有機薄膜晶體管(Thin Film Transistor,以下,縮寫為TFT)以二極管連接的構造。其結果，通過二極管連接構造而第一像素電極以及第二像素電極間的電阻上升，所以抑制第一像素電極與第二像素電極之間的電流。這樣，能夠實現能夠減少相鄰的像素電極間的漏電流的發光裝置。
[0017]優選在本發明的第二方式的發光裝置中，上述像素分離層的膜厚比上述電荷輸送層的膜厚薄。
[0018]根據該結構，強烈地表現出二極管連接的影響，更加充分地抑制第一像素電極與第二像素電極之間的電流。
[0019]優選在本發明的第二方式的發光裝置中，上述重疊寬度是包含上述發光層以及上述電荷輸送層的有機層的膜厚的3倍以上10倍以下。
[0020]在該結構中，充分確保相對于有機層的重疊寬度，所以能夠增強二極管連接的作用。因此，更加充分地抑制電流在第一像素電極與第二像素電極之間流動。
[0021]優選在本發明的第二方式的發光裝置中，上述第一像素區域與上述第二像素區域的間隔是包含上述發光層以及上述電荷輸送層的有機層的膜厚的20倍以下。
[0022]在該結構中，因像素間隔狹窄而相鄰的像素電極間的漏電流的問題更加顯著。因此，本發明的一個方式的發光裝置的效果更加有效。
[0023]在本發明的一個方式的發光裝置中，也可以是從上述發光層發出的光從上述共用電極側射出的結構。
[0024]根據該結構，在頂部發光型的發光裝置中，能夠減少相鄰的像素電極間的漏電流。
[0025]在本發明的一個方式的發光裝置中，也可以是從上述發光層發出的光從上述基板側射出的結構。
[0026]根據該結構，在底部發射型的發光裝置中，能夠減少相鄰的像素電極間的漏電流。
[0027]本發明的一個方式的電子設備具備本發明的第一或者第二方式的發光裝置。
[0028]根據本發明的一個方式的電子設備，通過具備本發明的第一或者第二方式的發光裝置，能夠實現具備顯示品質優良的顯示部的電子設備。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0029]圖1是本發明的第一實施方式的發光裝置的俯視圖。
[0030]圖2是構成發光裝置的像素的等效電路圖。
[0031]圖3是發光裝置的剖視圖。
[0032]圖4是說明與電源電位的供給相關的構成要素的位置關系的圖。
[0033]圖5是連接用導體的俯視圖。
[0034]圖6是第一電源導體的俯視圖。
[0035]圖7是第一電源導體、第二電源導體、以及保護導電層的位置關系的說明圖。
[0036]圖8是抽出比第一電源導體靠上層側的結構來表示的剖視圖。
[0037]圖9是第一像素區域與第二像素區域的等效電路圖。
[0038]圖10是本發明的第二實施方式的發光裝置的剖視圖。
[0039]圖11是本發明的第三實施方式的發光裝置的剖視圖。
[0040]圖12是本發明的第四實施方式的發光裝置的剖視圖。
[0041]圖13是作為電子設備的一個例子的頭部佩戴型顯示裝置的示意圖。

【具體實施方式】
[0042]第一實施方式
[0043]以下，使用圖1?圖9對本發明的第一實施方式進行說明。
[0044]第一實施方式的發光裝置是從密封層(共用電極)側射出光的頂部發光型的有機EL裝置的一個例子。
[0045]在以下的各附圖中為了容易觀察各結構要素，有時根據構成要素使尺寸的比例尺不同來表示。
[0046]圖1是第一實施方式的發光裝置100的俯視圖。
[0047]第一實施方式的發光裝置100是將利用了有機EL材料的發光元件形成在基板10上的有機EL裝置。基板10是由硅等半導體材料形成的板狀部件(半導體基板)，作為形成多個發光元件的基材被利用。
[0048]如圖1所示，在基板10的表面設置有顯示區域12、周邊區域14、以及安裝區域16。顯示區域12是排列有多個像素P的矩形狀的區域。在顯示區域12中形成有沿X方向延伸的多條掃描線22、與各掃描線22對應地沿X方向延伸的多條控制線24、以及沿與X方向交叉的Y方向延伸的多條信號線26。像素P是與多條掃描線22和多條信號線26的各個交叉對應的區域。因此，多個像素P遍及X方向以及Y方向排列成矩陣狀。
[0049]周邊區域14是包圍顯示區域12的矩形框狀的區域。驅動電路30被設置在周邊區域14。驅動電路30是驅動顯示區域12內的各像素P的電路。驅動電路30包含2條掃描線驅動電路32和信號線驅動電路34。發光裝置100是驅動電路30由直接形成在基板10的表面上的晶體管等能動元件構成的電路內置型的顯示裝置。此外，不直接貢獻于圖像顯示的虛擬像素也可以形成在周邊區域14內。
[0050]安裝區域16設置在隔著周邊區域14與顯示區域12相反側(即周邊區域14的外偵D的區域。在安裝區域16排列有多個安裝端子38。控制信號、電源電位從控制電路、電源電路等各種外部電路(省略圖示)被供給至安裝端子38。外部電路例如安裝于與安裝區域16接合的可撓性的配線基板(省略圖示)。
[0051]圖2是顯示區域12內的一個像素(像素電路)P的電路圖。
[0052]如圖2所示，像素P具備發光元件45、驅動晶體管TDR、發光控制晶體管TEL、選擇晶體管TSL、以及電容元件C。此外，在第一實施方式中，由P溝道型的晶體管構成像素P的晶體管(TDR、TEL、TSL)，但也可以利用N溝道型的晶體管來構成。
[0053]發光兀件45是將包含有機EL材料的發光層的有機層46夾設在像素電極(陽極)El與共用電極(陰極)E2之間的電光學元件。像素電極El以像素P為單位獨立地形成，共用電極E2遍及多個像素P連續地形成。
[0054]如圖2所示，發光元件45配置在將第一電源導體41和第二電源導體42連結起來的電流路徑上。第一電源導體41是供給高電位側的電源電位VEL的電源配線。第二電源導體42是供給低電位側的電源電位VCT的電源配線。
[0055]驅動晶體管TDR和發光控制晶體管TEL在將第一電源導體41和第二電源導體42連結起來的電流路徑上與發光元件45串聯連接。具體而言，驅動晶體管TDR的一對電流端中的一方(源極)與第一電源導體41連接。發光控制晶體管TEL作為控制驅動晶體管TDR的一對電流端中的另一方(漏極)和發光元件45的像素電極El的導通狀態(導通/非導通)的開關發揮作用。驅動晶體管TDR生成同與自身的柵極一源極間的電壓對應的電流量相當的驅動電流。
[0056]在發光控制晶體管TEL被控制為導通狀態的狀態下，驅動電流從驅動晶體管TDR經由發光控制晶體管TEL被供給至發光元件45。此時，發光元件45以與驅動電流的電流量對應的亮度發光。在發光控制晶體管TEL被控制為截止狀態的狀態下，針對發光元件45的驅動電流的供給被切斷。此時，發光元件45熄滅。發光控制晶體管TEL的柵極與控制線24連接。
[0057]圖2所示的選擇晶體管TSL作為控制信號線26與驅動晶體管TDR的柵極的導通狀態(導通/非導通)的開關發揮作用。選擇晶體管TSL的柵極與掃描線22連接。電容元件C是在第一電容電極Cl和第二電容電極C2之間夾設電介質的靜電電容。第一電容電極Cl與驅動晶體管TDR的柵極連接。第二電容電極C2與第一電源導體41 (驅動晶體管TDR的源極)連接。因此，電容元件C保持驅動晶體管TDR的柵極一源極間的電壓。
[0058]圖1所示的信號線驅動電路34將從外部電路供給的圖像信號作為與為每個像素P所指定的灰度對應的灰度電位(數據信號)，在每個寫入期間(水平掃描期間)并列地供給至多條信號線26。另一方面，掃描線驅動電路32通過對多條掃描線22的各個供給掃描信號，在每個寫入期間依次選擇多條掃描線22的各個。與掃描線驅動電路32所選擇出的掃描線22對應的像素P的選擇晶體管TSL變遷為導通狀態。此時，經由信號線26和選擇晶體管TSL向各像素P的驅動晶體管TDR的柵極供給灰度電位，與灰度電位對應的電壓被保持在電容元件C。
[0059]另一方面，若寫入期間的掃描線22的選擇結束，則掃描線驅動電路32通過向各控制線24供給控制信號，將與該控制線24對應的像素P的發光控制晶體管TEL控制為導通狀態。因此，與在之前的寫入期間被保持在電容元件C中的電壓對應的驅動電流從驅動晶體管TDR經由發光控制晶體管TEL被供給至發光元件45。如上所述，發光元件45以與灰度電位對應的亮度發光，從而將圖像信號所指定的任意的圖像顯示于顯示區域12。
[0060]圖3是發光裝置100的剖視圖。
[0061]如圖3所示，在由硅等半導體材料形成的基板10的表面中的顯示區域12內形成有像素P的晶體管T(TDR、TEL、TSL)，在周邊區域14內形成有驅動電路30的晶體管T。晶體管T構成為包含形成在基板10的表面上的能動區域1A(源極/漏極區域)、覆蓋基板10的表面的絕緣層LO (柵極絕緣膜)、以及形成在絕緣層LO上的柵極G。能動區域1A由向基板10內注入雜質離子而成的離子注入區域構成。像素P的晶體管T(TDR、TEL、TSL)的溝道區域存在于源極區域與漏極區域之間。向溝道區域注入與能動區域1A不同種類的離子，但省略圖示。各晶體管T的柵極G配置在隔著絕緣層LO與溝道區域對置的位置。
[0062]如圖3所示，在形成有各晶體管T的柵極G的絕緣層LO上形成有交替地層疊多個絕緣層(LA?LF)和多個配線層(WA?WF)而成的多層配線層。各絕緣層例如由硅化合物(典型的為氮化硅、氧化硅)等絕緣性的無機材料形成。各配線層W由含有鋁、銀等低電阻的導電材料形成。在以下的說明中，將通過選擇性地除去導電層(單層或者多層)來利用相同工序一并地形成多個要素的關系記載為“由同層形成”。
[0063]圖3的絕緣層LA形成在形成有各晶體管T的柵極G的絕緣層LO的面上。在絕緣層LA的面上，由同層(配線層WA)形成有包含多個中繼電極QA(QAl?QA4)的導體圖案。中繼電極QAl經由貫通絕緣層LA和絕緣層LO的導通孔(接觸孔)與發光控制晶體管TEL的能動區域1A(漏極)導通。中繼電極QA2經由貫通絕緣層LA的導通孔與驅動晶體管TDR的柵極G導通。中繼電極QA3經由貫通絕緣層LA以及絕緣層LO的導通孔與驅動晶體管TDR的能動區域1A(源極)導通。中繼電極QA4經由貫通絕緣層LA以及絕緣層LO的各導通孔與發光控制晶體管TEL的能動區域1A(源極)、和驅動晶體管TDR的能動區域1A(漏極)導通。即，如圖2所示，驅動晶體管TDR與發光控制晶體管TEL串聯連接。此夕卜，為了方便，省略選擇晶體管TSL的圖示、與驅動電路30內的各晶體管T相關的具體的配線的圖示等。
[0064]圖3的絕緣層LB形成在形成有配線層WA的絕緣層LA的面上。在絕緣層LB的面上，由同層(配線層WB)形成有包含連接用導體52和多個中繼電極QB(QB1、QB2)的導體圖案。連接用導體52經由貫通絕緣層LB的導通孔與配線層WA的中繼電極QA3導通。S卩，連接用導體52與驅動晶體管TDR的能動區域1A(源極)導通。
[0065]圖4是發光裝置100中，與電源電位(VEUVCT)的供給相關的要素的示意圖。
[0066]如圖4所不,連接用導體52是包含導電部521和導電部522的導體圖案。導電部521是在俯視時遍及顯示區域12的整個區域的大致矩形狀的整體圖案。所謂的整體圖案不是線狀或者帶狀的圖案或其組合(例如格子狀)的圖案，而意味著至少除去導通用的開口部等，像涂敷顯示區域12的大致整個面那樣均勻地連續的面狀的導體圖案。
[0067]圖5是導電部521中，與在X方向上相鄰的三個像素P對應的部分的示意圖。
[0068]如圖5所示，在導電部521以像素P為單位形成有開口部54A以及開口部54B。中繼電極QBl形成在開口部54A的內側。中繼電極QB2形成在開口部54B的內側。換言之，導電部521具有開口部54A以及開口部54B，在俯視時以包圍中繼電極QBl以及中繼電極QB2的方式形成在顯示區域12的整個區域。開口部54A以及開口部54B是用于使配線層WB的上層的要素與下層的要素電導通的開口(即將上層的要素和下層的要素連結起來的路徑所通過的開口)。中繼電極QBl以及中繼電極QB2通過形成為與連接用導體52分離的位置以及形狀，而與連接用導體52電絕緣。
[0069]如圖3以及圖5所示，中繼電極QBl經由貫通絕緣層LB的導通孔Hll與配線層WA的中繼電極QAl導通。中繼電極QB2經由貫通絕緣層LB的導通孔H12與配線層WA的中繼電極QA2導通。
[0070]連接用導體52的導電部522 (第一導電部)如圖4所示，是從位于顯示區域12內的導電部521通過周邊區域14延伸到安裝區域16的直線狀的導體圖案。導電部522與配置在安裝區域16的多個安裝端子38中被供給高電位側的電源電位VEL的安裝端子381電連接。
[0071]如圖3所示，絕緣層LC形成在形成有配線層WB的絕緣層LB的面上。在絕緣層LC的面上，由同層(配線層WC)形成有包含電容元件C的第一電容電極Cl和多個中繼電極QC(QC1、QC4)的導體圖案。第一電容電極Cl經由貫通絕緣層LC的導通孔與配線層WB的中繼電極QB2導通。S卩，如圖2所示，電容元件C的第一電容電極Cl經由中繼電極QB2和中繼電極QA2與驅動晶體管TDR的柵極G導通。圖3的中繼電極QCl經由貫通絕緣層LC的導通孔與中繼電極QBl導通。中繼電極QC4形成在安裝區域16，經由貫通絕緣層LC的導通孔與連接用導體52 (導電部522)導通。
[0072]圖3的絕緣層LD形成在形成有配線層WC的絕緣層LC的面上。在絕緣層LD的面上，由同層(配線層WD)形成有包含電容元件C的第二電容電極C2、多個中繼電極QD (QD1、QD4)以及導電部56的導體圖案。第二電容電極C2形成為在俯視時與第一電容電極Cl重疊的形狀以及位置。由此，以像素P為單位形成由第一電容電極Cl和第二電容電極C2夾持絕緣層LD的構造的電容元件C。
[0073]中繼電極QDl經由貫通絕緣層LD的導通孔與配線層WC的中繼電極QCl導通。中繼電極QD4形成在安裝區域16，經由貫通絕緣層LD的導通孔與配線層WC的中繼電極QC4導通。另一方面，導電部56如圖4所示，是從周邊區域14延伸到安裝區域16的導體圖案。導電部56與被供給低電位側的電源電位VCT的安裝端子382電連接。
[0074]圖3的絕緣層LE形成在形成有配線層WD的絕緣層LD的面上。在絕緣層LE的面上，由同層(配線層WE)形成有包含第一電源導體41、第二電源導體42、以及多個中繼電極QE(QE1、QE4)的導體圖案。配線層WE由含有鋁、銀等的光反射性的導電材料形成。
[0075]中繼電極QEl經由貫通絕緣層LE的導通孔與配線層WD的中繼電極QDl導通。中繼電極QE4形成在安裝區域16，經由貫通絕緣層LE的導通孔與配線層WD的中繼電極QD4導通。如圖3所示，中繼電極QE4經由后述的中繼電極QF4與電源電位VEL的供給用的安裝端子381電連接。即，電源電位VEL的安裝端子381經由中繼電極QF4、中繼電極QE4、中繼電極QD4、以及中繼電極QC4與連接用導體52(導電部522)導通。
[0076]如圖4所示，第一電源導體41與連接用導體52的導電部521相同，形成為在俯視時遍及顯示區域12的大致整個區域的矩形狀的整體圖案。如上所述，第一電源導體41由例如含有鋁、銀等光反射性的導電材料形成。具體而言，第一電源導體41也可以是鋁、銀等單體材料，例如也可以由鈦(Ti)/AlCu(鋁-銅合金)的層疊膜等構成。
[0077]圖6是第一電源導體41的部分俯視圖。
[0078]如圖6所示，第一電源導體41是至少除去以像素P為單位形成的開口部41A，以涂敷顯示區域12的大致整個區域的方式均勻地連續的面狀的導體圖案。上述的中繼電極QEl形成在開口部41A的內側。具體而言，中繼電極QEl在開口部41A的內側形成為與第一電源導體41分離的位置以及形狀，并與第一電源導體41電絕緣。
[0079]此外，在圖4中省略開口部41A、中繼電極QEl的圖示。如以上說明那樣，第一電源導體41具有開口部41A，在俯視時以包圍中繼電極QEl的方式形成在顯示區域12的大致整個區域。開口部41A是用于使配線層WE的上層的要素和下層的要素電導通的開口(即將上層的要素和下層的要素連結起來的路徑所通過的開口)。
[0080]第一實施方式的第一電源導體41在俯視時以占據顯示區域12的80%以上的方式形成為面狀。優選，第一電源導體41占據顯示區域12的90%以上。更優選，第一電源導體41占據顯示區域12的95%以上。例如，若將開口部41A形成為縱0.9 μ mX橫0.9 μ m的矩形狀，將像素P的面積假定為縱7.5 μ mX橫2.5 μ m的矩形狀，則遍及顯示區域12的約96%形成第一電源導體41。也與上述的連接用導體52的導電部521相同，形成為在俯視時表示顯示區域12的80%以上的整體狀，優選占據顯示區域12的90%以上(更優選為95%以上)。
[0081]如圖3以及圖6所示，第一電源導體41經由貫通絕緣層LE的多個導通孔H22與配線層WD的第二電容電極C2導通。以像素P為單位形成在Y方向上排列的多個(5個)導通孔H22。第一電源導體41如圖6所示，經由貫通位于第一電源導體41與連接用導體52(導電部521)的層間的絕緣層L(LE、LD、LC)的多個導通孔H23與配線層WB的連接用導體52 (導電部521)導通。多個導通孔H23在俯視時形成在相互相鄰的各像素P之間的區域。具體而言，多個導通孔H23在Y方向相鄰的各像素P的間隙在沿著X方向延伸的帶狀的區域(像素P的各行間)內，沿著X方向排列成直線狀。即，沿著X方向的多個導通孔H23遍及多行相互隔開間隔并列在Y方向上。
[0082]如以上所述，第一電源導體41經由導通孔H23與連接用導體52導通。S卩，第一電源導體41如圖3以及圖6所示，經由連接用導體52的導電部521和中繼電極QA3與驅動晶體管TDR的能動區域1A(源極)導通，并且經由連接用導體52的導電部521以及導電部522和從中繼電極QC4至中繼電極QF4與電源電位VEL的供給用的安裝端子381導通。
[0083]如圖4所示，第二電源導體42是形成在顯示區域12的周圍的周邊區域14內的帶狀的電極。具體而言，第二電源導體42形成為在俯視時包圍第一電源導體41的環狀(矩形框狀的封閉圖形)。因此，基板10的表面中，由周邊區域14內的晶體管T構成的驅動電路30被第二電源導體42覆蓋。第一電源導體41和第二電源導體42以相互分離的方式形成而電絕緣。如圖3以及圖4所示，第二電源導體42經由貫通絕緣層LE的導通孔H24與配線層WD的導電部56導通。S卩，向安裝端子382供給的低位側的電源電位VCT經由導電部56被供給至第二電源導體42。
[0084]如圖3以及圖4所示，連接用導體52的導電部522由與第二電源導體42不同的層形成，從顯示區域12內的導電部521在周邊區域14內通過第二電源導體42的下層(即，與第二電源導體42立體交叉)延伸到安裝區域16。即，連接用導體52的導電部522在俯視時與第二電源導體42重疊。
[0085]圖3的第一光學調整層LF形成在形成有配線層WE的絕緣層LE的面上。在第一光學調整層LF的面上，由同層(配線層WF)形成有包含多個中繼電極QF(QF1、QF4)和保護導電層58的導體圖案。配線層WF例如由遮光性的導電材料(例如氮化鈦)形成。
[0086]中繼電極QFl經由貫通第一光學調整層LF的導通孔與中繼電極QEl導通。如圖3所示，中繼電極QFl形成為在俯視時與第一電源導體41的開口部41A重疊。S卩，中繼電極QFl的外周緣在俯視時位于開口部41A的內周緣的外側。由于中繼電極QFl由遮光性的導電材料形成，所以通過中繼電極QFl阻止針對多層配線層的來自開口部41A的外光的侵入。因此，具有能夠防止由光照射引起的各晶體管T的電流泄漏的優點。另一方面，安裝區域16內的中繼電極QF4經由貫通第一光學調整層LF的導通孔與配線層WE的中繼電極QE4導通。
[0087]圖3的保護導電層58經由貫通第一光學調整層LF的導通孔與第二電源導體42導通。圖7是第一電源導體41、第二電源導體42以及保護導電層58的平面位置關系的說明圖。在圖7中，保護導電層58的一部分以實線圖示，其他的一部分的外形以點劃線圖示。
[0088]如圖7所示，保護導電層58形成為與第二電源導體42類似的環狀(矩形框狀)，形成為在俯視時與第一電源導體41以及第二電源導體42雙方重疊的帶狀。具體而言，保護導電層58的內周緣在俯視時位于第一電源導體41的周緣的內側。即，保護導電層58與第一電源導體41中周緣的附近的區域重疊。保護導電層58的外周緣在俯視時位于第二電源導體42的外周緣的外側。即，保護導電層58在俯視時與第二電源導體42的整個區域重疊。如以上說明的那樣，保護導電層58在俯視時與第一電源導體41和第二電源導體42的間隙的區域(即顯示區域12與周邊區域14的邊界的附近的區域)重疊。
[0089]如圖3所示，在形成有配線層WF的第一光學調整層LF的面上形成有第二光學調整層60。第一光學調整層LF以及第二光學調整層60是規定各像素P的共振構造(詳細內容后述)的共振波長的透光性的膜體。具體而言，第一光學調整層LF以及第二光學調整層60由硅化合物(典型的是氮化硅、氧化硅)等透光性的絕緣材料形成。
[0090]如圖3所示，在第二光學調整層60的面上，由同層形成有顯示區域12內的每個像素P的像素電極E1、周邊區域14內的導通用電極63、以及安裝區域16內的多個安裝端子38。像素電極E1、導通用電極63、以及安裝端子38例如由ITO(Indium Tin Oxide:氧化銦錫)等透光性的導電材料形成。像素電極El如使用圖2說明的那樣，是作為發光元件45的陽極發揮作用的大致矩形狀的電極(像素電極)。經由貫通第二光學調整層60的導通孔與中繼電極QFl導通。即，像素電極El經由多層配線層的各中繼電極(QF1、QE1、QD1、QC1、QBUQA1)與發光控制晶體管TEL的能動區域1A(漏極)導通。如以上說明的那樣，多層配線層的各中繼電極(QFl、QEl、QDl、QCl、QBl、QAl)是用于電連接像素電極El和晶體管(在第一實施方式的例示中是發光控制晶體管TEL)的部件。另一方面，周邊區域14內的導通用電極63經由貫通第二光學調整層60的導通孔與保護導電層58導通。
[0091]安裝區域16內的各安裝端子38適當地與多層配線層內的配線導通。例如被供給高電位側的電源電位VEL的安裝端子381如圖3所示，經由多層配線層的各中繼電極(QF4、QE4、QD4、QC4)與連接用導體52 (導電部522)導通。因此，向安裝端子381供給的高電位的電源電位VEL經由各中繼電極(QF4、QE4、QD4、QC4)和連接用導體52被供給至第一電源導體41。被供給低電位側的電源電位VCT的安裝端子382經由多層配線層的導電部56與第二電源導體42導通。因此，低電位的電源電位VCT被供給至第二電源導體42。
[0092]在形成有像素電極E1、導通用電極63、以及安裝端子38的第二光學調整層60的面上，如圖3所示，遍及基板10的整個區域形成有像素分離層65。像素分離層65例如由硅化合物(典型的是氮化硅、氧化硅)等絕緣性的無機材料形成。如圖3所示，在像素分離層65形成有與顯示區域12內的像素電極El對應的開口部65A、與周邊區域14內的導通用電極63對應的開口部65B、以及與安裝區域16內的各安裝端子38對應的開口部65C。安裝端子38經由開口部65C與外部電路電連接。即，形成在像素分離層65的開口部65A如后述那樣構成發光裝置100中的各像素區域。以下，根據需要有時也將開口部65A稱為像素區域。
[0093]如圖3所示，在形成有像素分離層65的第二光學調整層60的面上形成有有機層46。有機層46形成在顯示區域12內并遍及多個像素P連續地設置。有機層46未形成在周邊區域14、安裝區域16。例如，也可以在周邊區域14中顯示區域12側的區域形成有機層46。有機層46構成為包含由有機EL材料形成的發光層。在圖3中省略了圖示，但有機層46包含空穴注入層、發光層、電子注入層(參照圖8)。有機層46通過電流的供給來放射白色光。白色光是具有橫跨藍色的波長范圍、綠色的波長范圍以及紅色的波長范圍的光譜的光，在可見光的波長范圍內至少具有2個峰值。
[0094]在形成有有機層46的第二光學調整層60的面上，遍及顯示區域12以及周邊區域14雙方形成有共用電極E2。共用電極E2如圖2所示，作為發光元件45的陰極發揮作用。如圖3所示，有機層46中在像素分離層65的開口部65A的內側被像素電極El和共用電極E2夾持的區域作為發光區域發光。S卩，在開口部65A的內側層疊有像素電極E1、有機層46以及共用電極E2的部分作為發光元件45發揮作用。如以上說明的那樣，像素分離層65規定各像素P的發光元件45的平面形狀、尺寸。
[0095]第一實施方式的發光裝置100是高精細地配置有發光元件45的顯示裝置，是所謂的微型顯示器。例如一個發光元件45的面積(一個開口部65A的面積)被設定成40 μ m2以下。例如，在X方向上相互相鄰的各發光元件45的間距被設定成5μπι以下，發光元件45間的間隔被設定成I?2μπι的范圍。另外如后述那樣，構成發光元件的有機層的膜厚是100?130nm左右。因此，發光元件45間的間隔即、相鄰的像素區域間的間隔(相鄰的開口部65A間的間隔)為有機層的膜厚的20倍以下左右。
[0096]共用電極E2中位于周邊區域14內的部分如圖3所示，經由像素分離層65的開口部65B與導通用電極63導通。在周邊區域14中導通用電極63和共用電極E2導通的區域、其外側的區域未形成有機層46。S卩，橫跨顯示區域12以及周邊區域14雙方的共用電極E2經由周邊區域14內的導通用電極63和保護導電層58與第二電源導體42導通。因此，向安裝端子382供給的低電位側的電源電位VCT經由導電部56、第二電源導體42、保護導電層58、以及導通用電極63被供給至共用電極E2。
[0097]圖3的共用電極E2作為使到達表面的光的一部分透過并且使剩余的反射的性質(半透過反射性)的半透過反射層發揮作用。半透過反射性的共用電極E2通過使例如含有銀、鎂的合金等光反射性的導電材料形成為充分薄的膜厚而形成。來自有機層46的放射光在第一電源導體41和共用電極E2之間往復，特定的共振波長的成分被選擇性地放大后透過共用電極E2向觀察側(與基板10相反側)射出。即，在作為反射層發揮作用的第一電源導體41和作為半透過反射層發揮作用的共用電極E2之間形成有使來自有機層46的射出光共振的共振構造。第二光學調整層60是用于以像素P的顯示色為單位分別獨立地設定共振構造的共振波長(顯示色)的要素。具體而言，通過根據第一光學調整層LF以及第二光學調整層60的膜厚來適當地調整構成共振構造的第一電源導體41和共用電極E2之間的光路長(光學的距離)，以顯示色為單位設定各像素P的射出光的共振波長。
[0098]如圖3所示，在共用電極E2的面上形成有遍及顯示區域12以及周邊區域14的密封層70。密封層70是通過對形成在基板10上的各構成要素進行密封，來防止外部空氣、水分的侵入的透光性的膜體。密封層70由無機材料、有機材料的單層或者多層形成。如圖3所示，密封層70未形成在安裝區域16，而在安裝區域16中露出各安裝端子38。
[0099]圖8是表示相鄰的2個像素區域的剖視圖。此外，在圖8中，抽出比第一電源導體41靠上層側的結構來表示。以下，為了便于說明，將圖8中的左側的像素區域設為第一像素區域65AL，將右側的像素區域設為第二像素區域65AR，將左側的第一像素區域65AL的像素電極設為第一像素電極E1L，將右側的第二像素區域65AR的像素電極設為第二像素電極E1R。
[0100]劃分第一像素區域65AL以及第二像素區域65AR的像素分離層65設置在第二光學調整層60的上表面中的被第一像素電極和第二像素電極夾持的區域。在圖3中省略了圖示，但有機層46從下層側朝向上層側具有空穴注入層(電荷輸送層)47、發光層48、以及電子注入層49。并且，有機層46也可以具有空穴輸送層、電子輸送層。
[0101]因此，在本實施方式中，空穴注入層47被設置為覆蓋第一像素電極的上表面、第二像素電極的上表面、以及像素分離層65。
[0102]在圖8中，著眼于以下的3個結構。
[0103](I)第一像素電極ElL以及第二像素電極ElR以與空穴注入層47接觸的方式相互隔著間隔地設置。
[0104](2)像素分離層65形成為覆蓋第一像素電極ElL以及第二像素電極ElR的外緣部的狀態，第一像素電極ElL以及第二像素電極ElR的一部分經由像素分離層65與空穴注入層47對置。
[0105](3)像素分離層65中的第一像素電極以及第二像素電極的重疊寬度大于有機層46的膜厚。
[0106]在著眼于(I)?(3)的結構時，若將第一像素電極ElL以及第二像素電極ElR中，與像素分離層65重疊的部分看作柵極、將其他的部分看作源極和漏極的一方，則能夠虛擬地當作將以與第一像素電極ElL以及第二像素電極ElR重疊的像素分離層65上的有機層46(空穴注入層47)為溝道區域的TFT以二極管連接的構造。這里，柵極和源極以及漏極的一方由相同的第一像素電極ElL (第二像素電極ElR)構成，所以成為電連接的狀態。另夕卜，源極以及漏極的另一方是不與第一像素電極ElL以及第二像素電極ElR重疊的有機層46 (空穴注入層47)。以下，將該二極管連接的一組TFT稱為虛擬二極管連接構造。
[0107]圖9是用于說明本實施方式中的漏電流減少的原理的圖，是表示第一像素區域65AL以及第二像素區域65AR這2個像素區域的等效電路圖。在之前說明的圖2中，示出一個像素區域的等效電路圖，但圖2的結構要素中，省略了沒有直接參與以下的說明的發光控制晶體管TEL、選擇晶體管TSL、電容元件C等的圖示。
[0108]假定使第一像素區域65AL以相對高的亮度發光，使第二像素區域65AR以相對低的亮度發光。此時，對第一像素電極ElL供給例如5V的電位VI，并對第二像素電極ElR供給例如2V的電位V2。如圖9所示，第一驅動晶體管TDRl的源極和漏極的任意一方與第一像素電極ElL電連接，另一方與第一電源導體41電連接。同樣，第二驅動晶體管TDR2的源極和漏極的任意一方與第二像素電極ElR電連接，另一方與第一電源導體41電連接。
[0109]此外，與第一像素電極ElL和第一電源導體41之間的電流路徑連接的元件也可以不只是第一驅動晶體管TDR1，也可以包含其他的晶體管(例如上述的發光控制晶體管TEL、選擇晶體管TSL)、電阻、二極管、電容元件等。因此，所謂的第一驅動晶體管TDRl在第一像素電極ElL和第一電源導體41之間電連接的狀態也包含具備上述的其他的元件的結構。對于第二驅動晶體管TDR2也相同。
[0110]在第一像素電極ElL的電位Vl是5V、第二像素電極ElR的電位V2是2V的情況下，在第一像素區域65AL中的虛擬二極管連接構造中二極管連接的TFT截止，在第二像素區域65AR中的虛擬二極管連接構造中二極管連接的TFT導通。此時，第一像素電極ElL以及第二像素電極ElR間的電阻升高，所以在第一像素電極ElL以及第二像素電極ElR間電流難以流動。由此，與未設置虛擬二極管連接構造的情況相比，能夠減少第一像素電極ElL以及第二像素電極ElR間的漏電流。此外，在第一像素電極ElL的電位Vl與第二像素電極ElR的電位V2相同的情況下，例如，在均為2V或者5V的情況下，在第一像素電極一第二像素電極間不會流過漏電流。
[0111]為了使上述的虛擬二極管連接構造有效地發揮作用，需要充分確保第一像素電極ElL以及第二像素電極ElR與作為柵極絕緣膜發揮作用的像素分離層65的重疊寬度。因此，在本實施方式中，為了使虛擬二極管連接構造有效地發揮作用，像素分離層65與第一像素電極ElL中的俯視時的重疊寬度H、以及像素分離層65與第二像素電極ElR中的俯視時的重疊寬度H大于有機層46的膜厚。并且，在本實施方式中，使上述重疊寬度H比有機層46中的空穴注入層47的膜厚大。另外，在本實施方式中，優選使像素分離層65的膜厚比有機層46的膜厚薄。并且，優選重疊寬度為有機層46的3倍以上10倍以下。
[0112]S卩，若將像素分離層65的膜厚設為t、將有機層46的膜厚設為toled，則優選滿足t < toled、toledX 3 ^ H ^ toledX 10。
[0113]作為具體例，將有機層46的膜厚設為130mn，將空穴注入層47的膜厚設為50nm，將像素分離層65的膜厚設為20nm，將重疊寬度H設為400nm，將第一像素區域65AL以及第二像素區域65AR間的間隔設為lOOOnm，將像素面積設為40μπι2以下。在該情況下，重疊寬度H為400nm、有機層46的膜厚toled為130nm，所以滿足t < toled以及toledX3彡H彡toledXlO。另外，由于重疊寬度H為400nm，所以空穴注入層47的膜厚大于50nm，從而滿足上述條件。
[0114]另外，在將第一像素區域65AL以及第二像素區域65AR間的間隔設為2000nm的情況下，重疊寬度H為800nm。在這種情況下，也滿足上述條件。
[0115]作為發光裝置中的以往的漏電流對策，研究出例如提高空穴注入層的電阻值、在相鄰的像素區域間挖設用于絕緣的槽等對策。然而，在提高空穴注入層的電阻值的情況下，為了發光裝置的驅動需要高電壓，難以進行驅動電壓的低電壓化。另外，在相鄰的像素區域間挖設槽的情況下，難以進行像素的微細化，伴隨于此難以密封。這樣，各個對策都具有問題點。
[0116]與此相對，在本實施方式的發光裝置100中，在相鄰的像素電極El的上層側經由比有機層46的膜厚大的寬度的像素分離層65配置有空穴注入層47。該結構與在相鄰的像素電極間設置了虛擬地被二極管連接的有機晶體管等效。由此，即使相鄰的像素電極間的間隔變短，也能夠充分地減少相鄰的像素電極間的漏電流。根據條件，采用本實施方式的發光裝置100，能夠將漏電流的值減少到不具有上述的結構的以往的發光裝置的1/10以下。
[0117]第二實施方式
[0118]以下，使用圖10對本發明的第二實施方式進行說明。
[0119]第二實施方式的發光裝置的基本結構與第一實施方式的發光裝置相同，是頂部發光型的有機EL裝置。第二實施方式的發光裝置具備以像素為單位具備了最優化的共振器構造這一點與第一實施方式的發光裝置不同。
[0120]圖10是第二實施方式的發光裝置的剖視圖。
[0121]在圖10中，對于在第一實施方式中使用的與圖3共用的構成要素標注相同的符號，省略詳細的說明。
[0122]在圖10的剖視圖中，左側的像素區域表示藍色像素區域PXB，中央的像素區域表示綠色像素區域PXG，右側的像素區域表示紅色像素區域PXR。
[0123]在第二實施方式的發光裝置200中，將多個導體分別圖示為I層金屬層或2?3層金屬層的層疊膜。第一電源導體41由鈦(Ti)/AlCu(鋁-銅合金)的層疊膜構成。與第一實施方式相同，第一電源導體41遍及相鄰的像素區域而形成。因此，第一電源導體41位于像素電極El的下方，并且延伸到像素電極El的外側。
[0124]在藍色像素區域PXB中，第一光學調整層LF以覆蓋第一電源導體41的方式形成在絕緣層LE的上表面。像素電極El形成在第一光學調整層LF的上表面。圖10的以符號BB所示的位置與相鄰的像素電極間的層疊構造對應。若觀察符號BB所示的位置，則像素分離層65與第一實施方式相同，形成為覆蓋像素電極El的外緣部的狀態。
[0125]在綠色像素區域PXG中，第一光學調整層LF以覆蓋第一電源導體41的方式形成在絕緣層LE的上表面。第三光學調整層61形成在第一光學調整層LF的上表面。像素電極El形成在第三光學調整層61的上表面。圖10的以符號GG所示的位置與相鄰的像素電極間的層疊構造對應。若觀察符號GG所示的位置，像素分離層65與第一實施方式相同，形成為覆蓋像素電極El的外緣部的狀態。
[0126]在紅色像素區域PXR中，第一光學調整層LF以覆蓋第一電源導體41的方式形成在絕緣層LE的上表面。第二光學調整層60形成在第一光學調整層LF的上表面。第三光學調整層61形成在第二光學調整層60的上表面。像素電極El形成在第三光學調整層61的上表面。圖10的以符號RR所示的位置與相鄰的像素電極間的層疊構造對應。若觀察以符號RR所示的位置，則像素分離層65與第一實施方式相同，形成為覆蓋像素電極El的外緣部的狀態。
[0127]即使在第二實施方式中，優選使與構成虛擬二極管連接構造的像素分離層65中的像素電極El的重疊寬度H大于有機層46的膜厚。此外，即使在第二實施方式的情況下，像素分離層65也由柵極絕緣膜構成。
[0128]作為具體例，將第一光學調整層LF的膜厚設為50nm、將第二光學調整層60的膜厚設為50nm、將第三光學調整層61的膜厚設為50nm、將像素分離層65的膜厚設為20nm、將有機層的膜厚設為130nm。
[0129]在該情況下，在藍色像素區域PXB中，柵極絕緣膜由像素分離層65構成，所以絕緣膜的膜厚t為20nm，有機層46的膜厚toled為130nm。
[0130]另外，在綠色像素區域PXG中，柵極絕緣膜由像素分離層65構成，所以絕緣膜的膜厚為20nm，有機層46的膜厚toled為130nm。
[0131]另外，在紅色像素區域PXR中，柵極絕緣膜由像素分離層65構成，所以絕緣膜的膜厚t為20nm，有機層46的膜厚為130nm。
[0132]在本實施方式的發光裝置200中，也可以得到利用能夠設在相鄰的像素電極El間的虛擬二極管連接構造，能夠充分地減少相鄰的像素電極間的漏電流這樣的與第一實施方式相同的效果。另外，能夠實現按照各色的每個像素區域具有最佳的共振器長的彩色發光
>J-U ρ?α裝直。
[0133]第三實施方式
[0134]以下，使用圖11對本發明的第三實施方式進行說明。
[0135]第三實施方式的發光裝置與第一實施方式、第二實施方式的發光裝置不同，是使來自發光層的光從基板側射出的底部發射型的有機EL裝置的一個例子。
[0136]圖11是第三實施方式的發光裝置的剖視圖。
[0137]在圖11中，對于在第一實施方式中使用的與圖8共用的構成要素標注相同的符號，并省略詳細的說明。
[0138]在第三實施方式的發光裝置300中，如圖11所不，第一電源導體51經由第一光學調整層LF以及第二光學調整層60設置在第一像素電極ElL以及第二像素電極ElR的下層偵U。第一電源導體51由例如含有鋁、銀等的光反射性的導電材料形成。但是，相對于在第一、第二實施方式中，在第一像素電極ElL以及第二像素電極ElR的正下方配置有第一電源導體41，在本實施方式中，在第一像素電極ElL以及第二像素電極ElR的正下方沒有配置第一電源導體51。換言之,第一電源導體51在與第一像素電極ElL以及第二像素電極ElR的正下方的位置具有開口部51Η。
[0139]在本實施方式中，構成虛擬二極管連接構造的像素分離層65中的與第一像素電極ElL以及第二像素電極ElR的重疊寬度H也大于有機層46的膜厚。
[0140]圖3中所示的各種晶體管、電容元件、配線等構成要素配置在第一電源導體51的開口部51Η以外的區域，S卩，配置在透光區域以外的區域。共用電極EC由例如含有鋁、銀等的光反射性的導電材料形成。因此，從發光層48發出的光被共用電極EC反射，透過第一像素電極ElL或第二像素電極ElR,通過第一電源導體51的開口部51Η從基板側射出。
[0141]在本實施方式的發光裝置300中，也可以得到利用能夠設在相鄰的像素電極E1L、ElR間的虛擬二極管連接構造，能夠充分地減少相鄰的像素電極間的漏電流這樣的與第一、第二實施方式相同的效果。
[0142]第四實施方式
[0143]以下，使用圖12對本發明的第四實施方式進行說明。
[0144]第四實施方式的發光裝置與第三實施方式的發光裝置相同，是底部發射型的有機EL裝置的一個例子。
[0145]圖12是第四實施方式的發光裝置的剖視圖。
[0146]在圖12中，對于在第一實施方式中使用的與圖8共用的構成要素標注相同的符號，省略詳細的說明。
[0147]在第四實施方式的發光裝置400中，如圖12所示，第一電源導體83包含由光反射性材料構成的第一導體81、和由透光性材料構成的第二導體82。第一導體81由例如含有鋁、銀等的光反射性的導電材料形成。第二導體82由ITO等透光性的導電材料形成。第一導體81在俯視時設置在第一像素區域65AL與第二像素區域65AR之間的區域。第二導體82以俯視時遍及第一像素區域65AL和第二像素區域65AR的方式設置。將第二導體82設置在第一像素電極ElL與基板(省略圖示)之間以及第二像素電極ElR與基板之間，經由貫通第一光學調整層的接觸孔84與第一導體81電連接。在向第一電源導體83供給發光兀件驅動用的高電位這一點與第一、第二實施方式相同。
[0148]在本實施方式中，構成虛擬二極管連接構造的像素分離層65中的與第一像素電極ElL以及第二像素電極ElR的重疊寬度H也大于有機層46的膜厚。
[0149]圖3所示的各種晶體管、電容元件、配線等構成要素配置在第一導體81的下方的區域，即，配置在透光區域以外的區域。共用電極EC由例如包含鋁、銀等的光反射性的導電材料形成。因此，從發光層48發出的光被共用電極EC反射，依次透過第一像素電極ElL或第二像素電極E1R、第二導體82從基板側射出。
[0150]在本實施方式的發光裝置400中，也可以得到利用能夠設在相鄰的像素電極E1L、ElR間的虛擬二極管連接構造，能夠充分地減少相鄰的像素電極間的漏電流這樣的與第一?第三實施方式相同的效果。另外，構成第二導體82的ITO等透光性材料一般來說電阻率較高。然而，通過第二導體82與第一導體81電連接，第一導體81起到降低第二導體82的電阻率的作用。
[0151]電子設備
[0152]將上述的各實施方式所例示的發光裝置100作為各種電子設備的顯示裝置適當地利用。在圖13中，作為電子設備例示出利用了在各實施方式中例示的發光裝置100的頭部佩戴型的顯不裝置90 (HMD:Head Mounted Display)。
[0153]顯示裝置90是能夠佩戴在人的頭部的電子設備，具備與使用者的左眼重疊的透過部(透鏡)92L、與使用者的右眼重疊的透過部92R、左眼用的發光裝置100L以及半透半反鏡94L、以及右眼用的發光裝置100R以及半透半反鏡94R。發光裝置100L和發光裝置100R被配置為射出光相互向相反方向行進。左眼用的半透半反鏡94L使透過部92L的透過光向使用者的左眼側透過，并且使來自發光裝置100L的射出光向使用者的左眼側反射。同樣，右眼用的半透半反鏡94R使透過部92R的透過光向使用者的右眼側透過，并且使來自發光裝置10R的射出光向使用者的右眼側反射。
[0154]因此，使用者覺察重疊了經由透過部92L以及透過部92R觀察的像和各發光裝置100的顯示圖像的圖像。另外，使相互給予了視差的立體視圖像(左眼用圖像以及右眼用圖像)顯示于發光裝置100L和發光裝置100R，從而能夠使使用者覺察顯示圖像的立體感。
[0155]此外，應用各實施方式的發光裝置100的電子設備并不限于圖13的顯示裝置90。例如，也能夠將本發明的發光裝置適當地利用在攝像機、靜像照相機等拍攝裝置所利用的電子式取景器(EVF-Electronic View Finder)。另外，能夠在移動電話機、便攜信息終端(智能手機)、電視或個人計算機等的顯示器、車輛導航裝置等各種電子設備中采用本發明的發光裝置。
[0156]此外，本發明的技術范圍并不限于上述實施方式，能夠在不脫離本發明的主旨的范圍中添加各種變更。上述實施方式的發光裝置中的各種電極、配線、晶體管、電容元件、絕緣膜等的構成材料、形狀、配置、尺寸、膜厚等的具體記載只不過是一個例子，能夠適當地變更。
[0157]符號說明
[0158]10…基板；46…有機層；47…空穴注入層(電荷輸送層);48…發光層;65…像素分離層；90…顯不裝置(電子設備)；E1L...第一像素電極；E1R…第二像素電極；E2…共用電極；65AL...第一像素區域；65AR...第二像素區域；H…重疊寬度
【權利要求】
1.一種發光裝置，其特征在于，具備: 第一像素電極； 第二像素電極； 有機層，其包含發光層； 像素分離層，其夾設在所述第一像素電極的外緣部以及所述第二像素電極的外緣部與所述有機層之間；以及 共用電極，其設置在所述有機層的與設置有所述第一像素電極以及所述第二像素電極的一側相反側， 其中，所述像素分離層與所述第一像素電極中的俯視時的重疊寬度、以及所述像素分離層與所述第二像素電極中的俯視時的重疊寬度大于所述有機層的膜厚。
2.根據權利要求1所述的發光裝置，其特征在于， 所述像素分離層的膜厚比所述有機層的膜厚薄。
3.根據權利要求1或者2所述的發光裝置，其特征在于， 所述重疊寬度是所述有機層的膜厚的3倍以上10倍以下。
4.根據權利要求1?3中的任意一項所述的發光裝置，其特征在于， 所述第一像素區域與所述第二像素區域的間隔是所述有機層的膜厚的20倍以下。
5.一種發光裝置，其特征在于，具備: 第一像素電極； 第二像素電極； 發光層; 電荷輸送層，其設置在所述發光層與所述第一像素電極以及所述第二像素電極之間；像素分離層，其夾設在所述第一像素電極的外緣部以及所述第二像素電極的外緣部與所述電荷輸送層之間；以及 共用電極，其設置在所述發光層的與設置有所述第一像素電極以及所述第二像素電極的一側相反側， 其中，所述像素分離層與所述第一像素電極中的俯視時的重疊寬度、以及所述像素分離層與所述第二像素電極中的俯視時的重疊寬度大于所述電荷輸送層的膜厚。
6.根據權利要求5所述的發光裝置，其特征在于， 所述像素分離層的膜厚比所述電荷輸送層的膜厚薄。
7.根據權利要求5或者6所述的發光裝置，其特征在于， 所述重疊寬度是包含所述發光層以及所述電荷輸送層的有機層的膜厚的3倍以上10倍以下。
8.根據權利要求5?7中的任意一項所述的發光裝置，其特征在于， 所述第一像素區域與所述第二像素區域的間隔是包含所述發光層以及所述電荷輸送層的有機層的膜厚的20倍以下。
9.根據權利要求1?8中的任意一項所述的發光裝置，其特征在于， 從所述發光層發出的光從所述共用電極側射出。
10.根據權利要求1?8中的任意一項所述的發光裝置，其特征在于， 從所述發光層發出的光從所述基板側射出。
11.一種電子設備，其特征在于，具備權利要求1?10中的任意一項所述的發光裝置。
【文檔編號】H01L51/52GK104466005SQ201410458201
【公開日】2015年3月25日 申請日期:2014年9月10日 優先權日:2013年9月20日
【發明者】腰原健 申請人:精工愛普生株式會社