具觸摸功能的有機發光顯示器件及其制作方法、顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發明提供了一種具觸摸功能的有機發光顯示器件及其制作方法、顯示裝置，涉及顯示【技術領域】，解決了現有的液晶顯示觸摸屏上第一電極和第二電極的電阻值偏大的問題。一種具觸摸功能的有機發光顯示器件，包括對盒的陣列基板和封裝基板，陣列基板上形成有薄膜晶體管以及有機發光器件，陣列基板和/或封裝基板上形成有互不接觸的第一電極和第二電極，第一電極和第二電極分別為驅動電極和感應電極；形成第一電極和/或第二電極的材料包括拓撲絕緣體，第一電極和/或第二電極具有二維納米結構，且由拓撲絕緣體形成的二維納米結構的第一電極和/或第二電極通過黏著層粘附在陣列基板和/或封裝基板上。
【專利說明】具觸摸功能的有機發光顯示器件及其制作方法、顯示裝置
【技術領域】
[0001] 本發明涉及顯示【技術領域】，尤其涉及一種具觸摸功能有機發光顯示器件及其制作 方法、顯示裝置。
【背景技術】
[0002] 觸摸屏（touch screen)又稱為"觸控屏"，是目前最簡單、方便、自然的一種人機交 互方式。它賦予了多媒體以嶄新的面貌，是極富吸引力的全新多媒體交互設備。
[0003] 早期的具有觸摸功能顯示屏包括觸摸面板和顯示面板，且觸摸面板和顯示面板是 分開的。現有的具有觸摸功能的顯示屏一般是將觸摸面板和液晶顯示面板一體化。
[0004] 以具有觸摸功能的OLED (Organic Light) Emitting Diode (有機發光二極管）顯 示屏為例，顯示屏包括陣列基板和封裝基板，其中，陣列基板上一般形成有薄膜晶體管、有 機發光器件以及可實現觸摸功能的觸控電極。其中，有機發光器件包括：陽極、陰極以及有 機功能層構成有機發光器件，其主要的工作原理是有機功能層在陽極和陰極所形成電場的 驅動下，通過載流子注入和復合而導致發光，以實現顯示。
[0005] 如圖1所不，觸控電極包括第一電極27和第二電極28,其中，第一電極27沿第一 方向101形成多排，第二電極28沿第二方向102形成多排。如圖2所示，第二絕緣層29位 于第一電極27和第二電極28之間，以使得第一電極27和第二電極28互不接觸。如圖3 所示，以電容式觸摸面板為例，當手指30觸摸屏幕時，觸摸位置處的第一電極27和第二電 極28的電容會發生變化，從而可以檢出觸控位置，實現觸摸功能。
[0006] 現有觸控電極一般是通過透明導電氧化物（transparent conductive oxide, T0C)形成，例如用ITOIIndium tin oxide,氧化銦錫）形成第一電極和第二電極。ΙΤ0薄膜 電阻值偏大，因此觸控響應速率慢且容易發熱，功耗較大。
【發明內容】
[0007] 本發明的實施例提供一種具觸摸功能的有機發光顯示器件及其制作方法、顯示裝 置，解決了現有的有機發光顯示器件上觸控電極的電阻值偏大的問題。
[0008] 為達到上述目的，本發明的實施例采用如下技術方案：
[0009] 本發明實施例提供了一種具觸摸功能的有機發光顯示器件，包括對盒的陣列基板 和封裝基板，所述陣列基板上形成有薄膜晶體管以及有機發光器件，所述陣列基板和/或 所述封裝基板上形成有互不接觸的第一電極和第二電極，所述第一電極和所述第二電極分 別為驅動電極和感應電極；
[0010] 形成所述第一電極和/或所述第二電極的材料包括拓撲絕緣體，所述第一電極和 /或所述第二電極具有二維納米結構，且由拓撲絕緣體形成的二維納米結構的第一電極和 /或第二電極通過黏著層粘附在所述陣列基板和/或所述封裝基板上。
[0011] 本發明實施例提供了一種具觸摸功能的有機發光顯示器件的制作方法，所述方法 包括：
[0012] 利用拓撲絕緣體形成二維納米結構的第一電極圖案和/或第二電極圖案；
[0013] 形成陣列基板和封裝基板，包括：將所述第一電極圖案和/或所述第二電極圖案 通過黏著層粘附在陣列基板的第一襯底上和/或封裝基板的第二襯底上，以在所述陣列基 板和/或所述封裝基板上形成互不接觸的第一電極和第二電極；其中，所述第一電極和所 述第二電極分別為驅動電極和感應電極；
[0014] 將所述陣列基板和所述封裝基板對盒。
[0015] 本發明實施例提供了一種顯示裝置，包括本發明實施例提供的任一所述的具有觸 摸功能的有機發光顯不器。
[0016] 本發明的實施例提供一種具觸摸功能的有機發光顯示器及其制作方法、顯示裝 置，所述具有觸摸功能的有機發光顯示器，包括有互不接觸的第一電極和第二電極，所述第 一電極和/或所述第二電極為二維納米結構的拓撲絕緣體，相對于現有的由ΙΤ0或金屬形 成的電極，大大減小了電極的電阻，進而可以提高觸控響應速率，且二維納米結構的拓撲絕 緣體形成的電極使用時間再長也不會發熱，不僅可以減小功耗，還可以避免溫度高影響其 他器件的性能的問題。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0017] 為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現 有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本 發明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以 根據這些附圖獲得其他的附圖。
[0018] 圖1為現有的觸控電極示意圖；
[0019] 圖2為圖1所示的觸控電極截面示意圖；
[0020] 圖3為電容式觸摸面板的觸摸原理示意圖；
[0021] 圖4為本發明實施例提供的一種陣列基板示意圖；
[0022] 圖5為本發明實施例提供的一種封裝基板示意圖；
[0023] 圖6為本發明實施例提供的一種具有觸控功能的有機發光顯示器件示意圖；
[0024] 圖7為本發明實施例提供的一種形成具有觸控功能的有機發光顯示器件的制作 方法示意圖；
[0025] 圖8為本發明實施例提供的一種形成二維納米結構的拓撲絕緣體的第一電極制 作方法示意圖；
[0026] 圖9為本發明實施例提供的一種形成陣列基板的制作方法示意圖；
[0027] 圖10為本發明實施例提供的一種形成封裝基板的制作方法示意圖；
[0028] 圖11為本發明實施例提供的一種形成封裝基板和封裝基板的制作方法示意圖；
[0029] 圖12為圖9所示的陣列基板封裝后的有機發光顯示器件示意圖。
[0030] 附圖標記：
[0031] 10-第二襯底；100-封裝基板；20-第一襯底；21-薄膜晶體管；23-陽極；24-發 光功能層；25-陰極；26-鈍化層；27-第一電極；28-第二電極；29-絕緣層；30-阻隔層； 40-黏著層；200-陣列基板。
【具體實施方式】
[0032] 下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完 整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于 本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他 實施例，都屬于本發明保護的范圍。
[0033] 拓撲絕緣體（topological insulator)是近年來新認識到的一種物質形態。拓撲 絕緣體的體能帶結構和普通絕緣體一樣，都在費米能級處有一有限大小的能隙，但是在它 的邊界或表面卻是無能隙的、狄拉克（Dirac)型、自旋非簡并的導電的邊緣態，這是它有別 于普通絕緣體的最獨特的性質。這樣的導電邊緣態是穩定存在的，信息的傳遞可以通過電 子的自旋，而不像傳統材料通過電荷，因此，拓撲絕緣體的導電性能更好且不涉及耗散即不 發熱。
[0034] 本發明實施例提供了一種具觸摸功能的有機發光顯示器件，包括對盒的陣列基板 和封裝基板，其中，陣列基板上形成有薄膜晶體管以及有機發光器件，陣列基板和/或封裝 基板上形成有互不接觸的第一電極和第二電極，第一電極和第二電極分別為驅動電極和感 應電極；
[0035] 形成第一電極和/或第二電極的材料包括拓撲絕緣體，第一電極和/或第二電極 具有二維納米結構，且由拓撲絕緣體形成的二維納米結構的第一電極和/或第二電極通過 黏著層粘附在陣列基板和/或封裝基板上。
[0036] 其中，形成第一電極和/或第二電極的材料包括拓撲絕緣體，即形成第一電極和/ 或第二電極的材料可以僅包括拓撲絕緣體，還可以是拓撲絕緣體和聚合物等形成的混合材 料，本發明實施例均以形成第一電極和/或第二電極的材料為拓撲絕緣體為例進行詳細說 明。
[0037] 形成第一電極和/或第二電極的材料包括拓撲絕緣體，第一電極和/或第二電極 具有二維納米結構，即第一電極和/或第二電極為二維納米結構的拓撲絕緣體。可以是僅 第一電極為二維納米結構的拓撲絕緣體；或者，僅第二電極為二維納米結構的拓撲絕緣體； 還可以是第一電極和第二電極均為二維納米結構的拓撲絕緣體。本發明實施例以所述第一 電極和第二電極均為二維納米結構的拓撲絕緣體為例進行詳細說明。
[0038] 二維納米結構的拓撲絕緣體，即由拓撲絕緣體形成的納米尺寸厚度的膜，可以是 由拓撲絕緣體形成的二維納米薄膜、二維納米薄片、二維納米帶等。二維納米結構的拓撲絕 緣體具有超高比表面積和能帶結構的可調控性，能顯著降低體態載流子的比例和凸顯拓撲 表面態，進而導電性能更好。
[0039] 可選的，二維納米結構還可以為二維條帶狀納米結構或為二維菱形納米結構。當 然，二維納米結構還可以是二維網狀納米結構，二維網狀納米結構具有多個陣列排布的網 孔。且具體的，網孔為菱形、正四邊形或正六邊形等。
[0040] 需要說明的是，二維納米結構的拓撲絕緣體因其與石墨烯結構類似具有較高的柔 韌性，以及基本肉眼不可見的高透過率，使其更適用于顯示器件。
[0041] 其中，陣列基板和/或封裝基板上形成有互不接觸的第一電極和第二電極，可以 是陣列基板上形成有互不接觸的第一電極和第二電極；或者，可以是封裝基板上形成有互 不接觸的第一電極和第二電極；還可以是，陣列基板和封裝基板上分別形成有互不接觸的 第一電極和第二電極。具體可以是陣列基板上形成有第一電極，則封裝基板上形成有第二 電極；或者，可以是陣列基板上形成有第二電極，則封裝基板上形成有第一電極。
[0042] 需要說明的是，陣列基板和封裝基板上均還形成有其他的薄膜或層結構等，例如 陣列基板上一般還形成有薄膜晶體管以及有機發光器件等，封裝基板一般還形成有彩色膜 層、黑矩陣等。本發明實施例僅以與本發明的發明點相關的薄膜或層結構為例進行說明。
[0043] 需要說明的是，所述第一電極和第二電極可以分別為驅動（Touch Driving)電極 和感應（Touch Sensing)電極。則當對驅動電極添加驅動信號（Tx)，感應電極接收到感應 信號（Rx)，電容式觸摸屏通過計算手指觸摸前后感應電極與驅動電極構成電容的變化量來 判斷是否有手指觸摸，以實現觸摸功能。
[0044] 本發明實施例提供的一種具有觸摸功能的發光顯不器件，第一電極和/或第二電 極為二維納米結構的拓撲絕緣體，相對于現有的由ΙΤ0或金屬形成的電極，大大減小了電 極的電阻，進而可以提高觸控響應速率，且二維納米結構的拓撲絕緣體形成的電極使用時 間再長也不會發熱，不僅可以減小功耗，還可以避免溫度高影響其他器件的性能的問題。
[0045] 可選的，拓撲絕緣體包括 HgTe、BixSbh、Sb2Te3、Bi2Te 3、Bi2Se3、I\BiTe2、I\BiSe2、 GeiBi4Te7、Ge2Bi2Te 5、GeiBi2Te4、AmN、PuTe、單層錫以及單層錫變體材料中的至少一種。
[0046] 其中，GeiBi4Te7、Ge 2Bi2Te5以及GeiBi2Te 4屬于硫屬化物。AmN以及PuTe屬于具有 強相互作用的拓撲絕緣體。當然，拓撲絕緣體還可以是三元赫斯勒化合物等其他材料。
[0047] 具體的，拓撲絕緣體包括 HgTe、BixSbh、Sb2Te3、Bi2Te 3、Bi2Se3、I\BiTe2、I\BiSe2、 GeiBi4Te7、Ge2Bi2Te 5、GeiBi2Te4、AmN、PuTe、單層錫以及單層錫變體材料中的至少一種，即 拓撲絕緣體可以為HgTe或Bijbh或Sb 2Te3或Bi2Te3或Bi2Se 3或I\BiTe2或I\BiSe2或 GeiBi4Te7或Ge2Bi2Te 5或GeiBi2Te4或AmN或PuTe或單層錫或單層錫變體材料。還可以是 上述材料中的多種形成的混合材料，例如可以是上述材料中的兩種形成的混合材料。當然， 也可以是上述材料中的三種形成的混合材料等。且當拓撲絕緣體為至少兩種材料形成的混 合材料，則還可以通過選擇具有互補特性的材料混合，以提高混合后材料的特性。
[0048] 優選的，拓撲絕緣體為單層錫或單層錫的變體材料。單層錫為只有一個錫原子厚 度的二維材料，原子層厚度的級別使其具有較好的光透過率；與石墨烯類似，具有較好的韌 性，且透過率高。
[0049] 單層錫原子在常溫下導電率可以達到100%，可能成為一種超級導體材料。具體 的，單層錫的變體材料是通過對單層錫進行表面修飾或磁性摻雜形成。其中，對單層錫進行 表面修飾可以是對單層錫添加-F，-Cl，-Br，-I和-0H等功能基實現其改性。
[0050] 進一步優選的，單層錫的變體材料為對單層錫進行氟原子的表面修飾，形成的錫 氟化合物。當添加 F原子到單層錫原子結構中時，單層錫在溫度高達KKTC時導電率也能達 至IJ 100%，且性質依然穩定。
[0051] 下面將具體說明第一電極位于所述陣列基板，第二電極位于封裝基板；或，第一電 極和第二電極均位于陣列基板；或，第一電極和第二電極均位于封裝基板的幾種常見情況。 其中，第一電極和第二電極均為二維納米結構的拓撲絕緣體。
[0052] 第一電極和第二電極均形成于陣列基板，如圖4所示，陣列基板200的第一襯底20 上形成有第一電極27和第二電極28,第一電極27形成于薄膜晶體管21以及有機發光器 件（包括陰極23、發光功能層24以及陽極25)的上面，且通過鈍化層26相互絕緣；第二電 極28形成于第一電極27的上面，且第一電極27與第二電極28之間形成有絕緣層29。第 一電極27通過黏著層40粘附在鈍化層26上，第二電極28通過黏著層40粘附在絕緣層29 上。
[0053] 優選的，如圖4所示，陣列基板200上還形成有阻隔層30,阻隔層30形成于第二電 極28的上面。其中，阻隔層30可用作平坦層，還可以用于隔離水汽。
[0054] 進一步優選的，絕緣層可以是具有黏著特性，則第二電極可以直接黏著在所述絕 緣層上。
[0055] 本發明實施例中的"上"、"下"以制造薄膜或層結構時的先后順序為準，例如，在上 的圖案是指相對在后形成的圖案，在下的圖案是指相對在先形成的圖案。
[0056] 第一電極和第二電極均形成于封裝基板，如圖5所示，封裝基板100的第二襯底10 上形成有第一電極27和第二電極28 ;其中，第一電極27和第二電極28通過絕緣層29互 不接觸。第一電極27通過黏著層40粘附在第二襯底10上，第二電極28通過黏著層40粘 附在絕緣層29上。
[0057] 優選的，如圖5所示，還可以在封裝基板100上形成阻隔層30,阻隔層30形成于第 二電極28的上面。阻隔層可用作平坦層，還可以用于隔離水汽。
[0058] 進一步優選的，絕緣層可以是具有黏著特性，則第二電極可以直接黏著在所述絕 緣層上。
[0059] 其中，封裝基板可以是在第二襯底（可以是玻璃基板）上形成有彩色膜層和黑矩 陣的彩膜基板。
[0060] 第一電極形成與陣列基板，第二電極均形成于封裝基板，如圖6所不，第一電極27 形成于陣列基板200的薄膜晶體管21以及有機發光器件（包括陰極23、發光功能層24以 及陽極25)的上面，且通過鈍化層26相互絕緣；第二電極28形成于封裝基板100的第二襯 底10上，且第二電極28上面形成有絕緣層29。絕緣層29可用于阻隔水汽，還可以用于使 得封裝基板平坦化。第一電極27通過黏著層40粘附在第一襯底20的鈍化層26上，第二 電極28通過黏著層40粘附在第二襯底10上。
[0061] 需要說明的是，第一電極和第二電極分別位于陣列基板和封裝基板，其可以根據 陣列基板和封裝基板上的薄膜，有多種不同形成方式，本發明實施例及附圖僅以上述幾種 為例進行說明。
[0062] 本發明實施例提供了一種顯示裝置，包括本發明實施例提供的任一所述的具有觸 摸功能的發光顯示器件。所述顯示裝置可以為0LED顯示器等顯示器件以及包括這些顯示 器件的電視、數碼相機、手機、平板電腦等任何具有顯示功能的產品或者部件。
[0063] 本發明實施例提供了一種具觸摸功能的有機發光顯示器件的制作方法如圖7所 示，所述方法包括：
[0064] 步驟101、利用拓撲絕緣體形成二維納米結構的第一電極圖案和/或第二電極圖 案。
[0065] 當有機發光顯示器件只有第一電極為二維納米結構的拓撲絕緣體，則只需要利用 拓撲絕緣體形成二維納米結構的第一電極圖案；當有機發光顯示器件只有第二電極為二維 納米結構的拓撲絕緣體，則只需要利用拓撲絕緣體形成二維納米結構的第二電極圖案；當 有機發光顯示器件的第一電極和第二電極均為二維納米結構的拓撲絕緣體，則利用拓撲絕 緣體形成二維納米結構的第一電極圖案和第二電極圖案。
[0066] 具體的，以利用拓撲絕緣體形成二維納米結構的第一電極圖案為例，具體說明上 述步驟101的制作方法，如圖8所示，包括：
[0067] 步驟1011、對基底進行圖案化刻蝕，形成對應第一電極的圖案。
[0068] 具體的，基底可以是云母，還可以是SrTi03(lll)，以及通過分子束外延法可在其 表面生長拓撲絕緣體薄膜的其他基底。本發明實施例中以所述基底為云母為例進行詳細說 明。
[0069] 具體對基底進行圖案化刻蝕形成對應第一電極的圖案，可以是采用與第一電極圖 案相同的掩膜板，在掩膜板的掩膜下對云母基底進行等離子體刻蝕，得到與第一電極圖案 相同的圖案化的云母基底。
[0070] 步驟1012、在圖案化的基底表面形成二維納米結構的拓撲絕緣體的薄膜。
[0071] 具體的，在圖案化的云母基底表面，通過分子束外延生長Bi2Se3薄膜。當然，還可 以生長其他拓撲絕緣體薄膜，本發明實施例以拓撲絕緣體為Bi 2Se3為例進行詳細說明。
[0072] 步驟1013、將基底去除，得到第一電極圖案。
[0073] 將云母基底溶解掉，得到二維納米結構的拓撲絕緣體的第一電極圖案。
[0074] 上述僅以形成二維納米結構的拓撲絕緣體的第一電極的圖案為例，形成二維納米 結構的拓撲絕緣體的第二電極的圖案可參考形成第一電極的圖案的具體說明，本發明實施 例不作贅述。
[0075] 步驟102、形成陣列基板和封裝基板。
[0076] 具體包括：將第一電極圖案和/或第二電極圖案通過黏著層粘附在陣列基板的第 一襯底上和/或封裝基板的第二襯底上，以在陣列基板和/或封裝基板上形成互不接觸的 第一電極和第二電極；其中，所述第一電極和所述第二電極分別為驅動電極和感應電極。
[0077] 在陣列基板和/或封裝基板上形成有第一電極和第二電極，即可以是在陣列基板 上形成有第一電極和第二電極；或者，在封裝基板上形成有第一電極和第二電極；或者，在 陣列基板和封裝基板上分別形成有第一電極和第二電極。即可以是在陣列基板上形成有第 一電極，則在封裝基板上形成有第二電極；或者，在陣列基板上形成有第二電極，則在封裝 基板上形成有第一電極。
[0078] 將第一電極圖案和/或第二電極圖案通過黏著層粘附在陣列基板的第一襯底和 /或封裝基板的第二襯底上具體包括：在第一電極圖案和/或第二電極圖案表面形成黏著 層，將第一電極圖案和/或第二電極圖案貼附在陣列基板的第一襯底和/或封裝基板的第 二襯底對應的第一電極區和/或第二電極區。
[0079] 以在陣列基板上形成有第一電極為例，即可以是在第一電極圖案表面形成黏著 層，將第一電極圖案形成有黏著層的一側貼附在陣列基板的第一襯底的第一電極區以形成 第一電極。需要說明的是，第一襯底可以是玻璃基板也可以是形成在玻璃基板上的其他薄 膜或層結構。
[0080] 步驟103、將陣列基板和封裝基板對盒。
[0081] 具體的，可以是將陣列基板和封裝基板形成有薄膜或器件結構的一側相對對盒。
[0082] 下面列舉幾個具體的實施例以說明上述步驟102的具體制作方法。
[0083] 如圖9所示，形成陣列基板具體包括：
[0084] 步驟201、在陣列基板的第一襯底上形成薄膜晶體管、有機發光器件以及鈍化層。 [0085] 具體的，在第一襯底上形成薄膜晶體管、有機發光器件以及鈍化層可以參照現有 的制作方法。
[0086] 步驟202、將第一電極黏著在第一襯底上。
[0087] 具體可以是在第一電極圖案表面形成黏著層，將第一電極圖案貼附在第一襯底上 的鈍化層對應的第一電極區。
[0088] 步驟203、在第一電極上形成絕緣層。
[0089] 具體的，絕緣層可以是通過沉積等方式形成。
[0090] 步驟204、在絕緣層上形成第二電極。
[0091] 具體的，可以是在第二電極圖案表面形成黏著層，將第二電極圖案貼附在第一襯 底上絕緣層對應的第二電極區。或者，若絕緣層具有黏著特性，則可以將第二電極貼附在絕 緣層上。
[0092] 步驟205、在第二電極上形成阻隔層。
[0093] 即通過上述步驟201-205可以形成如圖4所示的陣列基板200,則可以通過玻璃基 板（即封裝基板100)對陣列基板200進行封裝，以形成如圖12所示的有機發光顯示器件。
[0094] 如圖10所示，形成封裝基板具體包括：
[0095] 步驟301、將第一電極黏著在封裝基板的第二襯底上。
[0096] 具體可以是在第一電極圖案表面形成黏著層，將第一電極圖案貼附在第二襯底的 第一電極區。
[0097] 步驟302、在第一電極上形成絕緣層。
[0098] 具體的，絕緣層可以是通過沉積等方式形成。
[0099] 步驟303、在絕緣層上形成第二電極。
[0100] 具體的，可以是在在第二電極圖案表面形成黏著層，將第二電極圖案貼附在第二 襯底上的絕緣層對應的第二電極區。或者，若絕緣層具有黏著特性，則可以將第二電極貼附 在絕緣層上。
[0101] 步驟304、在第二電極上形成阻隔層。
[0102] 即通過上述步驟301-305可以形成如圖5所示的封裝基板100,則將圖5所示的封 裝基板用于封裝現有的陣列基板，以形成有機發光顯示器件。
[0103] 如圖11所示，形成陣列基板和形成封裝基板具體包括：
[0104] 步驟401、在陣列基板的第一襯底上形成薄膜晶體管、有機發光器件以及鈍化層。
[0105] 具體的，在第一襯底上形成薄膜晶體管有機發光器件以及鈍化層可以參照現有的 制作方法。
[0106] 步驟402、將第一電極黏著在第一襯底上。
[0107] 具體可以是在第一電極圖案表面形成黏著層，將第一電極圖案貼附在第一襯底上 的鈍化層對應的第一電極區。
[0108] 步驟403、將第二電極黏著在封裝基板的第二襯底上。
[0109] 具體的，可以是在第二電極圖案表面形成黏著層，將第二電極圖案貼附在第二襯 底的第二電極區。
[0110] 步驟404、在第二電極上形成絕緣層。
[0111] 具體的，絕緣層可以是通過沉積等方式形成。
[0112] 即通過上述步驟401-404可以形成如圖6所示的陣列基板200和封裝基板100,則 將陣列基板和封裝基板封裝，以形成有機發光顯示器件。
[0113] 需要說明的是，本發明實施例提供的具有觸控功能的有機發光顯示器件的制作方 法也不局限于上述具體的步驟，本發明實施例僅以上述為例進行詳細說明。
[0114] 以上所述，僅為本發明的【具體實施方式】，但本發明的保護范圍并不局限于此，任何 熟悉本【技術領域】的技術人員在本發明揭露的技術范圍內，可輕易想到變化或替換，都應涵 蓋在本發明的保護范圍之內。因此，本發明的保護范圍應以所述權利要求的保護范圍為準。
【權利要求】
1. 一種具觸摸功能的有機發光顯示器件，包括對盒的陣列基板和封裝基板，所述陣列 基板上形成有薄膜晶體管以及有機發光器件，其特征在于，所述陣列基板和/或所述封裝 基板上形成有互不接觸的第一電極和第二電極，所述第一電極和所述第二電極分別為驅動 電極和感應電極； 形成所述第一電極和/或所述第二電極的材料包括拓撲絕緣體，所述第一電極和/或 所述第二電極具有二維納米結構，且由拓撲絕緣體形成的二維納米結構的第一電極和/或 第二電極通過黏著層粘附在所述陣列基板和/或所述封裝基板上。
2. 根據權利要求1所述的有機發光顯示器件，其特征在于，形成所述第一電極和所述 第二電極的材料包括拓撲絕緣體，所述第一電極和所述第二電極具有二維納米結構，所述 第一電極和所述第二電極均形成于所述陣列基板具體為： 所述第一電極形成于薄膜晶體管以及有機發光器件的上面； 所述第二電極形成于所述第一電極的上面，且所述第一電極與所述第二電極之間形成 有絕緣層。
3. 根據權利要求2所述的有機發光顯示器件，其特征在于，所述有機發光顯示器件還 形成有阻隔層，所述阻隔層形成于所述第二電極的上面。
4. 根據權利要求1所述的有機發光顯示器件，其特征在于，形成所述第一電極和所述 第二電極的材料包括拓撲絕緣體，所述第一電極和所述第二電極具有二維納米結構，所述 第一電極和所述第二電極均形成在所述封裝基板具體為： 所述第一電極形成于封裝基板上； 所述第二電極形成于所述第一電極的上面，且所述第一電極與所述第二電極之間形成 有絕緣層。
5. 根據權利要求1所述的有機發光顯示器件，其特征在于，形成所述第一電極和所述 第二電極的材料包括拓撲絕緣體，所述第一電極和所述第二電極具有二維納米結構，所述 第一電極和所述第二電極分別形成在所述陣列基板和所述封裝基板具體為： 所述第一電極形成于陣列基板的薄膜晶體管以及有機發光器件的上面； 所述第二電極形成于封裝基板，且所述第二電極上面形成有絕緣層。
6. 根據權利要求2-4任一項所述的有機發光顯示器件，其特征在于，所述絕緣層具有 黏著特性。
7. 根據權利要求1所述的有機發光顯示器件，其特征在于，所述拓撲絕緣體包括HgTe、 BixSt^-x、Sb 2Te3、Bi2Te3、Bi2Se 3、I^BiTep I\BiSe2、GepiJ^、Ge2Bi2Te5、GepisTep AmN、PuTe、 單層錫以及單層錫變體材料中的至少一種。
8. 根據權利要求7所述的有機發光顯示器件，其特征在于，單層錫的變體材料通過對 單層錫進行表面修飾或磁性摻雜形成。
9. 根據權利要求8所述的有機發光顯示器件，其特征在于，單層錫的變體材料為對單 層錫進行氟原子的表面修飾，形成的錫氟化合物。
10. -種具觸摸功能的有機發光顯示器件的制作方法，其特征在于，所述方法包括： 利用拓撲絕緣體形成二維納米結構的第一電極圖案和/或第二電極圖案； 形成陣列基板和封裝基板，包括：將所述第一電極圖案和/或所述第二電極圖案通過 黏著層粘附在陣列基板的第一襯底上和/或封裝基板的第二襯底上，以在所述陣列基板和 /或所述封裝基板上形成互不接觸的第一電極和第二電極；其中，所述第一電極和所述第 二電極分別為驅動電極和感應電極； 將所述陣列基板和所述封裝基板對盒。
11. 根據權利要求10所述的制作方法，其特征在于，形成陣列基板具體包括： 在陣列基板的第一襯底上形成薄膜晶體管以及有機發光器件； 將第一電極黏著在所述第一襯底上； 在所述第一電極上形成絕緣層； 在所述絕緣層上形成第二電極； 其中，形成所述第一電極和所述第二電極的材料包括拓撲絕緣體，所述第一電極和所 述第二電極具有二維納米結構。
12. 根據權利要求11所述的制作方法，其特征在于，所述方法還包括：在第二電極上形 成阻隔層。
13. 根據權利要求10所述的制作方法，其特征在于，形成封裝基板具體包括： 將第一電極黏著在封裝基板的第二襯底上； 在所述第一電極上形成絕緣層； 在所述絕緣層上形成第二電極； 其中，形成所述第一電極和所述第二電極的材料包括拓撲絕緣體，所述第一電極和所 述第二電極具有二維納米結構。
14. 根據權利要求10所述的制作方法，其特征在于，形成陣列基板具體包括： 在陣列基板的第一襯底上形成薄膜晶體管以及有機發光器件； 將第一電極黏著在所述第一襯底上； 形成封裝基板具體包括： 將第二電極黏著在封裝基板的第二襯底上； 在所述第二電極上形成絕緣層； 其中，形成所述第一電極和所述第二電極的材料包括拓撲絕緣體，所述第一電極和所 述第二電極具有二維納米結構。
15. 根據權利要求11-13任一項所述的制作方法，其特征在于，所述絕緣層具有黏著特 性。
16. 根據權利要求10-14任一項所述的制作方法，其特征在于，所述利用拓撲絕緣體形 成二維納米結構的第一電極圖案和/或第二電極圖案具體包括： 對基底進行圖案化刻蝕，形成對應第一電極的圖案和/或第二電極的圖案； 在圖案化的基底表面形成具有二維納米結構的拓撲絕緣體的薄膜； 將所述基底去除，得到第一電極圖案和/或第二電極圖案。
17. 根據權利要求10-14任一項所述的制作方法，其特征在于，將所述第一電極圖案和 /或第二電極圖案通過黏著層粘附在陣列基板的第一襯底和/或封裝基板的第二襯底上具 體包括： 在所述第一電極圖案和/或所述第二電極圖案表面形成黏著層，將所述第一電極圖案 和/或所述第二電極圖案貼附在所述陣列基板的第一襯底和/或所述封裝基板的第二襯底 對應的第一電極區和/或第二電極區。
【文檔編號】H01L51/56GK104157674SQ201410381376
【公開日】2014年11月19日 申請日期:2014年8月5日 優先權日:2014年8月5日
【發明者】盧永春, 喬勇, 程鴻飛, 先建波 申請人:京東方科技集團股份有限公司