一種雙面發光的led芯片封裝結構的制作方法
【專利摘要】本發明涉及LED封裝【技術領域】，具體地說是一種雙面發光的LED芯片封裝結構，包括芯片，芯片包括P電極、P極電流擴散層、P氮化鎵P-Gan、N電極、N極電流擴散層、N氮化鎵N-Gan和藍寶石襯底。本發明同現有技術相比，設計了雙面發光的LED芯片封裝結構，將本發明的芯片倒置，并與基板表面的印刷電路通過錫球連接，一方面，由于取消了原有的DBR反射層，在P氮化鎵P-Gan和N氮化鎵N-Gan雙面發光時，提高了芯片的發光效率；另一方面，由于采用的依然是正裝芯片，相比倒裝芯片，LED燈絲的制造成本得以降低。
【專利說明】一種雙面發光的LED芯片封裝結構
【技術領域】
[0001] 本發明涉及LED封裝【技術領域】，具體地說是一種雙面發光的LED芯片封裝結構。
【背景技術】
[0002] 目前，常見的LED燈絲內部的芯片有兩種，一種是正裝芯片，另一種是倒裝芯片。 正裝芯片電極在上方，從上至下材料為：P電極，發光層，N電極，襯底。正裝芯片大多是單面 發光的，發光效率較低。正裝芯片一般采用膠水固定，正裝芯片之間采用連接線相互連接， 正裝芯片是最早出現的芯片結構，正裝芯片的電極擠占發光面積，從而進一步影響了發光 效率。
[0003] 為了提高芯片的發光效率，技術人員研發了倒裝芯片。倒裝芯片的襯底被剝去， 芯片材料是透明的，使發光層激發出的光直接從電極的另一面發出。倒裝芯片雖然在發光 效率上存在優勢，但倒裝芯片的價格較高，制備LED燈絲的工藝也更復雜，造成生產成本的 大幅上升。
[0004] 因此，需要設計一種能夠提高發光效率且成本較低的種雙面發光的LED芯片封裝 結構。
【發明內容】
[0005] 本發明的目的是克服現有技術的不足，提供了一種能夠提高發光效率且成本較低 的種雙面發光的LED芯片封裝結構。
[0006] 為了達到上述目的，本發明設計了一種雙面發光的LED芯片封裝結構，包括芯片， 其特征在于：芯片包括P電極、P極電流擴散層、P氮化鎵P_Gan、N電極、N極電流擴散層、N 氮化鎵N-Gan和藍寶石襯底，藍寶石襯底的上表面貼附有N氮化鎵N-Gan，N氮化鎵N-Gan 的上表面一端和中部貼附有P氮化鎵P-Gan，P氮化鎵P-Gan的上表面貼附有P極電流擴散 層，P極電流擴散層的上表面貼附有P電極，N氮化鎵N-Gan的上表面另一端貼附有N極電 流擴散層，N極電流擴散層的上表面貼附有N電極。
[0007] 所述的芯片的P電極和N電極表面設有錫球，芯片倒置并與基板表面的印刷電路 固定，芯片與印刷電路之間采用助焊劑焊接錫球固定，基板和芯片的表面、基板的底面分別 涂覆有熒光膠。
[0008] 所述的基板為非透明基板。
[0009] 所述的P電極為金錫合金或錫凸點。
[0010] 所述的N電極為金錫合金或錫凸點。
[0011] 本發明同現有技術相比，設計了雙面發光的LED芯片封裝結構，將本發明的芯片 倒置，并與基板表面的印刷電路通過錫球連接，一方面，由于取消了原有的DBR反射層，在P 氮化鎵P-Gan和N氮化鎵N-Gan雙面發光時，提高了芯片的發光效率；另一方面，由于采用 的依然是正裝芯片，相比倒裝芯片，LED燈絲的制造成本得以降低。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0012] 圖1為本發明的結構示意圖。
[0013] 圖2為本發明的俯視圖。
[0014] 圖3為本發明的使用示意圖。
[0015] 參見圖1-圖3,1為P電極；2為P極電流擴散層；3為P氮化鎵P-Gan ;4為N電 極；5為N極電流擴散層；6為N氮化鎵N-Gan ;7為藍寶石襯底；9為芯片；10為錫球；11 為印刷電路；12為基板；13為熒光膠。
【具體實施方式】
[0016] 現結合附圖對本發明做進一步描述。
[0017] 參見圖1-圖2,本發明是一種雙面發光的LED芯片封裝結構，包括芯片。芯片9 包括P電極1、P極電流擴散層2、P氮化鎵P-Gan3、N電極4、N極電流擴散層5、N氮化鎵 N-Gan6和藍寶石襯底7,藍寶石襯底7的上表面貼附有N氮化鎵N-Gan6, N氮化鎵N-Gan6 的上表面一端和中部貼附有P氮化鎵P-Gan3，P氮化鎵P-Gan3的上表面貼附有P極電流擴 散層2, P極電流擴散層2的上表面貼附有P電極1，N氮化鎵N-Gan6的上表面另一端貼附 有N極電流擴散層5, N極電流擴散層5的上表面貼附有N電極4。
[0018] 本發明中，P電極1為金錫合金或錫凸點，N電極4為金錫合金或錫凸點。
[0019] 參見圖3,芯片9的P電極1和N電極4表面設有錫球10,基板12的表面設有印 刷電路11，芯片9倒置并與基板12表面的印刷電路11固定，芯片9與印刷電路11之間采 用助焊劑焊接錫球10固定，兩個錫球10分別固定在相鄰的兩段印刷電路11上，基板12和 芯片9的表面、基板12的底面分別涂覆有熒光膠13。
[0020] 基板12為非透明基板，厚度小于0. 5毫米，非透明基板具備透光性。
[0021] 由于采用的是非透明基板，非透明基板表面和非透明基板底面的光的亮度是不一 樣的，為了使兩邊的亮度相同，非透明基板表面熒光膠13的厚度大于底部的厚度。由于非 透明基板底部的熒光膠13比常規的LED芯片封裝體的熒光膠薄，可以在非透明基板底部的 熒光膠13表面進行印刷。
[0022] 本發明由P氮化鎵P-Gan和N氮化鎵N-Gan雙面發光，使芯片9的發光效率得到 提1?。
[0023] 本發明設計了雙面發光的LED芯片封裝結構，將本發明的芯片倒置，并與基板表 面的印刷電路通過錫球連接，一方面，由于取消了原有的DBR反射層，在P氮化鎵P-Gan和 N氮化鎵N-Gan雙面發光時，提高了芯片的發光效率；另一方面，由于采用的依然是正裝芯 片，相比倒裝芯片，LED燈絲的制造成本得以降低。
【權利要求】
1. 一種雙面發光的LED芯片封裝結構，包括芯片，其特征在于：芯片（9)包括P電極 (1)、P極電流擴散層（2)、P氮化鎵P-Gan (3)、N電極（4)、N極電流擴散層（5)、N氮化鎵 N-Gan (6)和藍寶石襯底（7)，藍寶石襯底（7)的上表面貼附有N氮化鎵N-Gan (6)，N氮化 鎵N-Gan (6)的上表面一端和中部貼附有P氮化鎵P-Gan (3)，P氮化鎵P-Gan (3)的上 表面貼附有P極電流擴散層（2)，P極電流擴散層（2)的上表面貼附有P電極（1)，N氮化鎵 N-Gan (6)的上表面另一端貼附有N極電流擴散層（5)，N極電流擴散層（5)的上表面貼附 有N電極（4)。
2. 根據權利要求1所述的一種雙面發光的LED芯片封裝結構，其特征在于：所述的芯 片（9)的P電極（1)和N電極（4)表面設有錫球（10)，芯片（9)倒置并與基板（12)表面的印 刷電路（11)固定，芯片（9)與印刷電路（11)之間采用助焊劑焊接錫球（10)固定，基板（12) 和芯片（9)的表面、基板（12)的底面分別涂覆有熒光膠（13)。
3. 根據權利要求2所述的一種雙面發光的LED芯片封裝結構，其特征在于：所述的基 板（12)為非透明基板。
4. 根據權利要求1所述的一種雙面發光的LED芯片封裝結構，其特征在于：所述的P電 極（1)為金錫合金或錫凸點。
5. 根據權利要求1所述的一種雙面發光的LED芯片封裝結構，其特征在于：所述的N電 極（4 )為金錫合金或錫凸點。
【文檔編號】H01L33/62GK104091879SQ201410360317
【公開日】2014年10月8日 申請日期:2014年7月25日 優先權日:2014年7月25日
【發明者】胡溢文 申請人:胡溢文