發光裝置以及電子設備的制作方法
【專利摘要】本發明提供一種發光裝置，該發光裝置在基體上形成有：第1發光元件以及第2發光元件，其具有使來自發光功能層的射出光在夾著上述發光功能層的反射層與半透光反射層之間共振的共振結構；以及像素定義層，其在上述反射層與上述半透光反射層之間用絕緣材料形成，且形成有與上述第1發光元件以及上述第2發光元件的各個對應的開口部。上述第1發光元件中的上述反射層以及上述半透光反射層的第1間隔與上述第2發光元件中的上述反射層以及上述半透光反射層的第2間隔不同。上述像素定義層的膜厚小于上述第1間隔與上述第2間隔的差量。
【專利說明】發光裝置以及電子設備
【技術領域】
[0001]本發明涉及例如利用了有機EL材料等發光材料的發光裝置。
【背景技術】
[0002]以往提出了在基板上平面狀地排列了例如利用了有機EL材料的發光元件的發光裝置作為各種電子設備的顯示裝置。專利文獻I公開了在周圍形成了圍堰(bank)的區域形成發光元件的發光裝置。具體而言，在基板的面上按照每個像素獨立地形成的第I電極(陽極)的周圍形成有圍堰，在圍堰所包圍的區域形成有發光層，并遍及基板的整個區域形成有覆蓋發光層和圍堰的第2電極(陰極)。在各發光元件形成有使來自發光層的射出光在反射層與半透光反射層(第2電極)之間共振的共振結構。共振結構的共振波長根據在反射層與半透光反射層之間形成的光路長調整層的膜厚按照各像素的顯示顏色獨立地設定。
[0003]專利文獻:日本特開2010 — 56017號公報
[0004]在專利文獻I的技術中，按照與不同的顯示顏色對應的每個像素而反射層與半透光反射層之間的光路長調整層的膜厚不同，所以在與光路長調整層相比形成于上層的各層產生起因于光路長調整層的膜厚的不同的階梯差。另外，在專利文獻I的技術中，在基板上形成有圍堰的區域和與各發光元件對應地除去了圍堰的區域(例如發光區域)之間，產生與圍堰的膜厚對應的階梯差。各層的階梯差能夠成為例如導電層的斷開、短路等成膜不良的原因。
【發明內容】
[0005]考慮以上的情況，本發明的目的在于降低發光裝置中各層的階梯差。
[0006]為了解決以上的課題，本發明的發光裝置在基體上形成有:第I發光元件以及第2發光元件，其具有使來自發光功能層的射出光在夾著發光功能層的反射層與半透光反射層之間共振的共振結構；以及像素定義層，其在反射層與半透光反射層之間用絕緣材料形成，且形成有與第I發光元件以及第2發光元件的各個對應的開口部，第I發光元件中的反射層以及半透光反射層的第I間隔與第2發光元件中的反射層以及半透光反射層的第2間隔不同，且像素定義層的膜厚小于第I間隔與第2間隔的差量。根據以上的構成，像素定義層的膜厚小于第I間隔與第2間隔的差量，所以能夠降低起因于像素定義層的膜厚的各層的階梯差。
[0007]此外,在各發光兀件形成有使來自發光功能層的射出光在反射層與半透光反射層之間共振的共振結構，并且，在反射層與半透光反射層之間形成有具有與各發光元件對應的開口部的像素定義層的構成中，像素定義層的開口部的內周面的附近的區域的反射層與半透光反射層的間隔因像素定義層的膜厚的影響而與目標的間隔(與顯示顏色對應的共振長度)不同，結果有感知到與所期望的顯示顏色不同的顯示顏色的可能性。在上述的優選的方式中，像素定義層的膜厚小于第I間隔與第2間隔的差量。因此，與像素定義層的膜厚大于第I間隔與第2間隔的差量的構成相比較，有像素定義層給予像素定義層的開口部的內周面的附近的區域的反射層與半透光反射層的間隔的影響降低這樣的優點。
[0008]在本發明的優選的方式中，發光裝置具備覆蓋第I發光元件以及第2發光元件的密封層，且密封層的膜厚大于第I間隔與第2間隔的差量。在以上的方式中，以大于第I間隔與第2間隔的差量的膜厚形成密封層，所以有能夠在密封層的表面有效地降低起因于各發光元件的共振長度的不同的階梯差這樣的優點。第I發光元件以及第2發光元件的各個包括第I電極、從第I電極觀察位于與基體相反的一側并且作為半透光反射層發揮作用的第2電極、以及位于第I電極與第2電極之間的發光功能層的構成中，密封層是直接與第2電極的表面接觸的絕緣層(例如第I密封層71)。
[0009]以上的各方式的發光裝置例如作為顯示裝置利用于各種電子設備。具體而言，頭戴式顯示裝置、攝像裝置的電子取景器等能夠作為本發明的電子設備的優選例來進行例示，但本發明的應用范圍并不限定于以上的例示。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0010]圖1是本發明的第I實施方式的發光裝置的俯視圖。
[0011]圖2是像素的電路圖。
[0012]圖3是發光裝置的剖視圖。
[0013]圖4是發光裝置的剖視圖。
[0014]圖5是在基板上形成的各要素的說明圖。
[0015]圖6是在基板上形成的各要素的說明圖。
[0016]圖7是在基板上形成的各要素的說明圖。
[0017]圖8是在基板上形成的各要素的說明圖。
[0018]圖9是在基板上形成的各要素的說明圖。
[0019]圖10是第I電源導電體以及第2電源導電體的示意圖。
[0020]圖11是在基板上形成的各要素的說明圖。
[0021]圖12是在基板上形成的各要素的說明圖。
[0022]圖13是在基板上形成的各要素的說明圖。
[0023]圖14是在基板上形成的各要素的說明圖。
[0024]圖15是著眼于光路調整層的各顯示像素的剖視圖。
[0025]圖16是著眼于像素定義層的開口部的內周面的各顯示像素的剖視圖。
[0026]圖17是密封體的第2密封層的說明圖。
[0027]圖18是著眼于第2實施方式的光路調整層的各顯示像素的剖視圖。
[0028]圖19是第3實施方式的發光裝置的俯視圖。
[0029]圖20是作為電子設備的一個例子的頭戴式顯示裝置的示意圖。
【具體實施方式】
[0030]第I實施方式
[0031]圖1是本發明的第I實施方式所涉及的發光裝置100的俯視圖。第I實施方式的發光裝置100是在基板10的面上形成利用了有機EL材料的發光元件的有機EL裝置。基板10是由硅(Si)等半導體材料形成的板狀部件(半導體基板)，作為形成多個發光元件的基體(基底)利用。如圖1所例示，基板10的表面區分為第I區域12和第2區域14。第I區域12是矩形形狀的區域，第2區域14是包圍第I區域12的矩形框狀的區域。
[0032]在第I區域12形成有向X方向延伸的多個掃描線22、與各掃描線22對應地向X方向延伸的多個控制線24、以及向與X方向交叉的Y方向延伸的多個信號線26。與多個掃描線22和多個信號線26的各交叉對應地形成有像素P (PD、Pe)。因此，多個像素P遍及X方向以及Y方向排列成矩陣狀。
[0033]在第2區域14設置有驅動電路30、多個安裝端子36以及護圈38。驅動電路30是驅動各像素P的電路，構成為包括設置于在X方向夾著第I區域12的各位置的兩個掃描線驅動電路32、和設置于第2區域14中向X方向延伸的區域的信號線驅動電路34。多個安裝端子36夾著信號線驅動電路34形成在與第I區域12相反的一側的區域內，經由與基板10接合的可撓性的布線基板(省略圖示)與控制電路、電源電路等外部電路(例如安裝在布線基板上的電子電路)電連接。
[0034]第I實施方式的發光裝置100通過與多個基板10相當的尺寸的原基板的切割(劃線)一并形成多個。圖1的護圈38防止原基板的切割時的沖擊、靜電的影響波及驅動電路30或者各像素P、水分從各基板10的端面(原基板的切割面)侵入。如圖1所例示，護圈38形成為包圍驅動電路30、多個安裝端子36以及第I區域12的環狀(矩形框狀)。
[0035]圖1的第I區域12區分為顯示區域16和周邊區域18。顯示區域16是通過各像素P的驅動而實際顯示圖像的區域。周邊區域18是包圍顯示區域16的矩形框狀的區域，配置有結構與顯示區域16內的各像素P類似但實際上對圖像的顯示無貢獻的像素P (以下稱為“虛擬像素PD”)。從使與周邊區域18內的虛擬像素Pd的標記上的區別明確化的觀點來看，在以下的說明中，有時為了方便將顯示區域16內的像素P標記為“顯示像素P/。顯示像素Pe是成為發光的最小單位的要素。
[0036]圖2是位于顯示區域16內的各顯示像素Pe的電路圖。如圖2所例示，顯示像素Pe構成為包括發光元件45、驅動晶體管Tdk、發光控制晶體管Ta、選擇晶體管Tsij以及電容元件C。此外，在第I實施方式中，顯示像素Pe的各晶體管T(TDK、Ta、TsJ是P溝道型，但也能夠利用N溝道型的晶體管。
[0037]發光兀件45是使包含有機EL材料的發光層的發光功能層46夾設在第I電極(陽極)E1與第2電極(陰極)E2之間的電光學元件。第I電極E1按照每個顯示像素Pe獨立地形成，第2電極E2遍及多個像素P連續。如根據圖2所理解的，發光元件45配置在連結第I電源導電體41與第2電源導電體42的路徑上。第I電源導電體41是供給高位側的電源電位Va的電源布線，第2電源導電體42是供給低位側的電源電位(例如接地電位)Vct的電源布線。
[0038]驅動晶體管Tdk與發光控制晶體管Ta在連結第I電源導電體41和第2電源導電體42的路徑上相對于發光元件45以串聯的方式配置。具體而言，驅動晶體管Tdk的一對電流端中的一個(源極)與第I電源導電體41連接。發光控制晶體管Ta作為控制驅動晶體管Tdk的一對電流端中的另一個(漏極)與發光元件45的第I電極E1的導通狀態(導通/非導通)的開關發揮作用。驅動晶體管Tdk生成與自身的柵極-源極間的電壓對應的電流量的驅動電流。在發光控制晶體管Ta被控制為導通狀態的狀態下，驅動電流從驅動晶體管Tde經由發光控制晶體管Ta供給至發光元件45從而發光元件45以與驅動電流的電流量對應的亮度發光，在發光控制晶體管Ta被控制為截止狀態的狀態下，遮斷了對發光元件45的驅動電流的供給從而發光元件45熄滅。發光控制晶體管Ta的柵極與控制線24連接。
[0039]圖2的選擇晶體管Ta作為控制信號線26和驅動晶體管Tdk的柵極的導通狀態(導通/非導通)的開關發揮作用。選擇晶體管Ta的柵極與掃描線22連接。另外，電容元件C是在第I電極C1和第2電極C2之間夾有電介質的靜電電容。第I電極C1與驅動晶體管Tde的柵極連接，第2電極C2與第I電源導電體41 (驅動晶體管Tdk的源極)連接。因此，電容元件C保持驅動晶體管Tdk的柵極-源極間的電壓。
[0040]信號線驅動電路34在每個寫入期間(水平掃描期間)對多個信號線26并列地供給與從外部電路供給的圖像信號指定給每個顯示像素Pe的灰度對應的灰度電位(數據信號)。另一方面，各掃描線驅動電路32通過向各掃描線22供給掃描信號在每個寫入期間依次選擇多個掃描線22的各個。與掃描線驅動電路32選擇的掃描線22對應的各顯示像素Pe的選擇晶體管Ta移至導通狀態。因此，在各顯示像素Pe的驅動晶體管Tdk的柵極經由信號線26和選擇晶體管Ta被供給灰度電位,在電容兀件C保持有與灰度電位對應的電壓。另一方面，若寫入期間的掃描線22的選擇結束，則各掃描線驅動電路32通過向各控制線24供給控制信號來控制與該控制線24對應的各顯示像素Pe的發光控制晶體管Ta為導通狀態。因此，與在之前的寫入期間電容元件C所保持的電壓對應的驅動電流從驅動晶體管Tdk經由發光控制晶體管Ta供給至發光兀件45。如以上那樣各發光兀件45以與灰度電位對應的亮度發光，從而圖像信號指定的任意的圖像顯示于顯示區域16。
[0041]以下詳述第I實施方式的發光裝置100的具體的結構。此外，在以下的說明參照的各附圖中，為了方便說明，使各要素的尺寸、比例與實際的發光裝置100不同。圖3以及圖4是發光裝置100的剖視圖，圖5?圖9是著眼于一個顯示像素Pe來圖示形成發光裝置100的各要素的各階段的基板10的表面的樣子的俯視圖。與圖5?圖9的包含II1-1II線的剖面對應的剖視圖相當于圖3，與圖5?圖9的包含IV -1V線的剖面對應的剖視圖相當于圖4。此外，圖5?圖9是俯視圖，但從使各要素的視覺性的掌握容易化的觀點來看，為了方便，對與圖3或者圖4相同的各要素附加與圖3或者圖4相同形狀的影線。
[0042]如根據圖3、圖4以及圖5所理解的，在由硅等半導體材料形成的基板10的表面形成有顯示像素Pe的各晶體管T(TDK、Ta、Ta)的能動區域1A(源極/漏極區域)。在能動區域1A注入有離子。顯示像素匕的各晶體管T(TDK、Ta、TsJ的有源層存在于源極區域與漏極區域之間，且注入與能動區域1A不同種類的離子，但為了方便省略圖示。如圖3以及圖4所例示，形成有能動區域1A的基板10的表面被絕緣膜Ltl (柵極絕緣膜)覆蓋，各晶體管T的柵極G(GDK、Ga、Ga)形成在絕緣膜Ltl的面上。各晶體管T的柵極G隔著絕緣膜Ltl與有源層對置。圖4圖示了選擇晶體管Ta的柵極Ga、驅動晶體管Tdk的柵極Gdk、以及發光控制晶體管Ta的柵極Ga。
[0043]如根據圖3以及圖4理解的，在形成有各晶體管T的柵極G的絕緣膜Ltl的面上形成有交替地層疊了多個絕緣層L(La?Ld)和多個導電層(布線層)的多層布線層。各絕緣層L例如由硅化合物(典型來說為氮化硅、氧化硅)等絕緣性的無機材料形成。此外，在以下的說明中，將通過選擇性地除去導電層(單層或者多層)從而利用同一工序一并形成多個要素的關系標記為“由同層形成”。
[0044]絕緣層La形成在形成有各晶體管T的柵極G的絕緣膜Ltl的面上。如根據圖3、圖4以及圖6理解的，在絕緣層La的面上，由同層形成有掃描線22、控制線24以及多個中繼電極Qa(Qa1、Qa2、Qa3、Qa4)。掃描線22以及控制線24相互隔開間隔遍及多個像素P向X方向直線狀地延伸。具體而言，如圖6所例示，掃描線22以通過選擇晶體管Ta的柵極Ga的上方以及驅動晶體管Tdk的柵極Gdk的上方的方式形成，且經由貫通絕緣層La的導通孔(接觸孔)Hai與選擇晶體管Ta的柵極Ga導通。導通孔Hai以俯視時與選擇晶體管Ta的柵極Ga以及有源層重疊的方式形成。另一方面，控制線24以通過發光控制晶體管Ta的柵極Ga的上方的方式形成，且經由貫通絕緣層La的導通孔Ha2與發光控制晶體管Ta的柵極Ga導通。導通孔Ha2以俯視時與發光控制晶體管Ta的柵極Ga以及有源層重疊的方式形成。
[0045]中繼電極Qai是連接選擇晶體管Ta的能動區域1A和驅動晶體管Tdk的柵極Gdk的布線，如圖6所例示，俯視時位于掃描線22與控制線24之間。具體而言，如根據圖4以及圖6理解的，中繼電極Qai經由貫通絕緣層La和絕緣膜Ltl的導通孔Ha3與選擇晶體管Ta的能動區域1A導通，并且經由絕緣層La的導通孔Ha4與驅動晶體管Tdk的柵極Gdk導通。另夕卜，如根據圖6理解的，中繼電極Qa2經由貫通絕緣層La和絕緣膜Ltl的導通孔Ha5與選擇晶體管Ta的能動區域1A導通。中繼電極Qa3經由貫通絕緣層La和絕緣膜Ltl的導通孔Ha6與驅動晶體管Tdk的能動區域1A(源極)導通。中繼電極Qa4經由貫通絕緣層La和絕緣膜Ltl的導通孔Ha7與發光控制晶體管Ta的能動區域1A(漏極)導通。如根據圖6理解的，選擇晶體管Ta、驅動晶體管Tdk以及發光控制晶體管Ta的各個以溝道長沿Y方向的方式形成。另外，驅動晶體管Tdk和發光控制晶體管Ta沿Y方向排列，選擇晶體管Ta配置于相對于驅動晶體管Tdk以及發光控制晶體管Ta向X方向(在圖6中為X方向的負側)偏移的位置。
[0046]絕緣層Lb形成在形成有掃描線22、控制線24以及多個中繼電極Qa的絕緣層La的面上。如根據圖3、圖4以及圖7理解的，在絕緣層Lb的面上由同層形成有信號線26、第I電極C1以及多個中繼電極Qb(QB1、Qb2)。信號線26遍及多個像素P在Y方向上直線狀地延伸，且因絕緣層La而與掃描線22以及控制線24電絕緣。具體而言，信號線26以通過選擇晶體管Ta的能動區域1A(源極、漏極)以及有源層的上方和與驅動晶體管Tdk的柵極Gdk導通的中繼電極Qai的上方的方式形成，且沿選擇晶體管Ta的溝道長的方向(Y方向)延伸并且俯視時與選擇晶體管Ta重疊。另外，信號線26與各晶體管T(TDK、Ta、Ta)的能動區域1A (源極、漏極)、各晶體管T的柵極G相比形成于上層。如根據圖7理解的，信號線26經由貫通絕緣層Lb的導通孔Hbi與中繼電極Qa2導通。即，信號線26與選擇晶體管Ta的能動區域1A(源極)經由中繼電極Qa2連接。圖7的第I電極C1經由貫通絕緣層Lb的導通孔Hb2與中繼電極Qai導通。即，電容元件C的第I電極C1與驅動晶體管Tdk的柵極Gdk經由中繼電極Qai連接。圖7的中繼電極Qbi經由絕緣層Lb的導通孔Hb3與中繼電極Qa3導通，且中繼電極Qb2經由絕緣層Lb的導通孔Hb4與中繼電極Qa4導通。
[0047]絕緣層L。形成在形成有信號線26、第I電極C1以及多個中繼電極QB(QB1、Qb2)的絕緣層Lb的面上。如根據圖3、圖4以及圖8理解的，在絕緣層Lc的面上由同層形成有第2電極C2和多個中繼電極Qc(Qa、Qc2)。第2電極C2形成為俯視(即從與基板10的表面垂直的方向觀察的狀態)時與第I電極C1重復的形狀以及位置。如根據圖3理解的，由第I電極C1以及第2電極C2和兩者間的絕緣層L。構成電容元件C。如圖8所例示，電容元件C(第I電極C1、第2電極C2)以俯視時與驅動晶體管Tdk以及發光控制晶體管Ta重疊的方式設置。圖8的中繼電極Qa經由絕緣層Lc的導通孔Ha與中繼電極Qbi導通，且中繼電極Qc2經由絕緣層Lc的導通孔Hc2與中繼電極Qb2導通。
[0048]如圖3以及圖4所例示，絕緣層Ld形成在形成有第2電極C2和多個中繼電極Qc(Qci>Qc2)的絕緣層1^的面上。在以上的說明中著眼于顯示像素Pe，但從基板10的表面到絕緣層Ld的各要素的結構也共用于周邊區域18內的虛擬像素PD。
[0049]在絕緣層Ld的表面執行平坦處理。平坦處理任意地采用化學機械研磨(CMP:Chemical Mechanical Polishing)等公知的表面處理技術。如圖3所例示,在利用平坦處理高度平坦化的絕緣層Ld的表面由同層形成有第I電源導電體41和第2電源導電體42。圖10是第I電源導電體41以及第2電源導電體42的俯視圖，圖11?圖14是圖10中的區域α的放大圖。如根據圖10以及圖11理解的，第I電源導電體41形成在第I區域12的顯示區域16內，第2電源導電體42形成在第I區域12的周邊區域18內。第I電源導電體41與第2電源導電體42相互分離地形成且電絕緣。第I電源導電體41經由多層布線層內的布線(省略圖示)，與被供給高位側的電源電位Va的安裝端子36導通。同樣地，第2電源導電體42經由多層布線層內的布線(省略圖示)，與供給低位側的電源電位Vct的安裝端子36導通。第I實施方式的第I電源導電體41以及第2電源導電體42例如以含有銀、鋁的光反射性的導電材料例如形成為10nm左右的膜厚。
[0050]如上述第I電源導電體41是被供給高位側的電源電位Va的電源布線，如根據圖10以及圖11理解的，是遍及顯示區域16的大致整個區域形成為面狀的大致矩形形狀的實心圖案。所謂實心圖案不是線狀或者帶狀的圖案或者其組合(例如格子狀)的圖案，而是指涂滿顯示區域16的大概整個面而實際上無縫隙地均勻地連續的面狀(即實心狀)的圖案。
[0051]如根據圖4、圖9以及圖11理解的，形成在顯示區域16內的第I電源導電體41經由按照每個顯示像素Pe在絕緣層Ld形成的導通孔Hdi與中繼電極Qa導通。S卩，如根據圖4理解的，作為驅動晶體管Tdk的源極發揮作用的能動區域1A經由中繼電極Qa3、中繼電極Qbi以及中繼電極Qa與第I電源導電體41連接。此外，也能夠經由貫通絕緣層Lc和絕緣層Ld的導通孔使第I電源導電體41與中繼電極Qb2導通(因此中繼電極Qa被省略)。另外，如圖9以及圖11所例示，第I電源導電體41經由絕緣層Ld的導通孔Hd2與電容元件C的第2電極C2連接。S卩，在驅動晶體管Tdk的柵極Gdk與源極(第I電源導電體41)之間夾有電容元件C。
[0052]如圖9所例示，在第I電源導電體41按照每個顯示像素Pe形成有開口部41Α。在各開口部41Α的內偵彳，由同層形成有中繼電極Qdi與第I電源導電體41以及第2電源導電體42。中繼電極Qdi與第I電源導電體41相互分離地形成且電絕緣。如根據圖4以及圖9理解的，中繼電極Qdi經由形成在絕緣層Ld的導通孔Hd3與中繼電極Qc2導通。此外，也能夠經由貫通絕緣層Lc和絕緣層Ld的導通孔使中繼電極Qdi與中繼電極Qb2導通(因此中繼電極Qc2被省略)。
[0053]另一方面，形成在第I區域12中排列有虛擬像素Pd的周邊區域18內的第2電源導電體42如上述是被供給低位側的電源電位Vct的電源布線，如圖10所例示，形成為俯視時包圍第I電源導電體41 (顯示區域16)的矩形框狀(封閉圖形)。如圖11所例示，在絕緣層Ld按照每個虛擬像素Pd形成有導通孔Hd4和導通孔HD5。第2電源導電體42經由導通孔Hd4與虛擬像素Pd的中繼電極Qci導通，并且經由導通孔Hd5與虛擬像素Pd的中繼電極Qc2導通。另一方面，對于第I電源導電體41上述的開口部41A、中繼電極Qdi未形成于第2電源導電體42。
[0054]如圖3以及圖4所例示，在形成有第I電源導電體41、第2電源導電體42以及中繼電極Qdi的絕緣層Ld的面上形成有光路調整層60。光路調整層60是規定各顯示像素Pe的共振結構的共振波長(即顯示顏色)的透光性的膜體。后述各顯示像素Pe的共振結構、光路調整層60的詳細內容。
[0055]如圖12所例示，在光路調整層60的面上由同層形成有顯示區域16內的每個顯示像素Pe的中繼電極Qei和周邊區域18的每個虛擬像素Pd的中繼電極QE2。中繼電極Qei以及中繼電極Qe2例如由遮光性的導電材料(例如氮化鈦)形成。
[0056]顯示區域16內的中繼電極Qei經由貫通光路調整層60的導通孔Hei與中繼電極Qdi導通。如根據圖4以及圖12理解的，中繼電極Qei以俯視時與第I電源導電體41的開口部41A重復的方式形成。即，中繼電極Qei的外周緣在俯視時位于開口部41A的內周緣的外側。中繼電極Qei由遮光性的導電材料形成，所以通過中繼電極Qei防止針對多層布線層的來自開口部41A的外光的侵入。因此，有能夠防止起因于光照射的各晶體管T的電流泄漏這樣的優點。另一方面，如根據圖12理解的，周邊區域18內的中繼電極Qe2經由貫通光路調整層60的導通孔He2與第2電源導電體42導通。
[0057]如圖3、圖4以及圖13所例示，在形成有中繼電極Qei以及中繼電極Qe2的光路調整層60的面上由同層形成有顯示區域16內的每個顯示像素Pe的第I電極E1和周邊區域18的每個虛擬像素Pd的導通用電極Qf。第I電極E1與導通用電極Qf例如由ITO (IndiumTin Oxide:銦錫氧化物)等透光性的導電材料形成。如參照圖2所述的，第I電極E1是作為發光元件45的陽極發揮作用的大致矩形形狀的電極(像素電極)，如圖4所例示，與光路調整層60的面上的中繼電極Qei接觸。S卩，第I電極E1經由中繼電極Qe1、中繼電極QD1、中繼電極Qe2、中繼電極Qb2以及中繼電極Qa4與發光控制晶體管Ta的能動區域1A(漏極)導通。
[0058]另一方面，周邊區域18內的導通用電極Qf是形成為與第I電極E1相同的平面形狀以及尺寸的大致矩形形狀的電極。顯示區域16內的各第I電極E1與周邊區域18內的各導通用電極Qf遍及X方向以及Y方向的各個以相同的間距(周期)排列。即，各第I電極E1與各導通用電極Qf在X方向以相同的間距Dx排列并且在Y方向以相同的間距Dy排列。隔著顯示區域16和周邊區域18的邊界相鄰的第I電極E1與導通用電極Qf的間距也設定為X方向的間距Dx和Y方向的間距DY。X方向的間距Dx例如設定為1.3μπι以上3.5μπι以下。如根據圖13理解的，導通用電極Qf與光路調整層60的面上的中繼電極Qe2接觸。即，導通用電極Qf經由中繼電極Qe2與第2電源導電體42導通。此外，在圖13中，例示了在周邊區域18內遍及X方向的I行和Y方向的2列排列了導通用電極Qf的構成，但導通用電極Qf的排列數任意。例如，根據第2電極E2與第2電源導電體42之間要求的連接電阻、發光功能層46或者第2電極E2的形成范圍等，適當地選定導通用電極Qf的排列數。如根據圖3以及圖4理解的，第I電源導電體41形成在形成有信號線26的布線層和形成有第I電極E1以及導通用電極Qf的布線層之間。
[0059]如圖3所例示，圖1的護圈38通過由與以上例示的各要素同層形成的多個導電層Qg(Qgi ~ Qce)的層疊來構成。導電層Qc1與各晶體管T的柵極G由同層形成,導電層Qe2與信號線26由同層形成，導電層Qe3與電容元件C的第2電極C2由同層形成。另外，導電層Qe4與第I電源導電體41以及第2電源導電體42由同層形成，導電層Qe5與中繼電極Qe2由同層形成，導電層Qe6與第I電極E1以及導通用電極Qf由同層形成。此外，構成護圈38的各導電層Qe能夠適當地省略。例如，也能夠省略導電層Qe3而使導電層Qe2和導電層Qg4直接導通。
[0060]如圖3、圖4以及圖14所例示，在形成有中繼電極Qe1、中繼電極Qe2、第I電極E1以及導通用電極Qf的光路調整層60的面上遍及基板10的整個區域形成有像素定義層65。像素定義層65例如由硅化合物(典型來說為氮化硅、氧化硅)等絕緣性的無機材料形成。如根據圖14理解的，在像素定義層65形成有與顯示區域16內的各第I電極E1對應的開口部(第I開口部)65A和與周邊區域18內的各導通用電極Qf對應的開口部(第2開口部)65B。像素定義層65中開口部65A的內周緣的附近的區域與第I電極E1的周緣重合。SP，開口部65A的內周緣在俯視時位于第I電極EJA周緣的內側。同樣地，像素定義層65中開口部65B的內周緣的附近的區域與導通用電極Qf的周緣重合。如根據圖12以及圖14理解的，中繼電極Qei以及中繼電極Qe2被像素定義層65覆蓋。各開口部65A與各開口部65B的平面形狀(矩形形狀)、尺寸相同，并且，遍及X方向以及Y方向的各個以相同的間距排列成矩陣狀。如根據以上的說明理解的，像素定義層65在俯視時形成為格子狀。
[0061]如圖3以及圖4所例示，在形成有第I電極E1、導通用電極Qf以及像素定義層65的光路調整層60的面上形成有發光功能層46。發光功能層46形成在第I區域12的顯示區域16內且遍及多個顯示像素Pe連續。另一方面，如根據圖3理解的，在周邊區域18、第2區域14不形成發光功能層46。此外，也能夠在例如周邊區域14中顯示區域12側的區域形成發光功能層46。發光功能層46構成為包括由有機EL材料形成的發光層，且通過電流的供給放射白色光。白色光是具有遍及藍色的波長域、綠色的波長域以及紅色的波長范圍的光譜的光，在可見光的波長范圍內至少觀測到兩個峰值。此外，也能夠使向發光層供給的電子、空穴的輸送層或者注入層包含于發光功能層46。
[0062]在形成有發光功能層46的光路調整層60的面上遍及第I區域12 (顯示區域16以及周邊區域18)的整個區域形成有第2電極E2。如參照圖2所述的，第2電極E2作為發光元件45的陰極發揮作用。如圖4所例示，發光功能層46中在像素定義層65的各開口部65A的內側夾在第I電極E1與第2電極E2之間的區域(發光區域)發光。S卩，在開口部65A的內側層疊了第I電極E1、發光功能層46以及第2電極E2的部分作為發光兀件45發揮作用。如根據以上的說明理解的，像素定義層65規定各顯示像素Pe的發光元件45的平面形狀、尺寸(實際發光的區域)。第I實施方式的發光裝置100是非常高精細地配置了發光兀件45的微型顯不器。例如一個發光兀件45的面積(一個開口部65A的面積)設定在40 μ m2以下，在X方向相鄰的各發光元件45的間隔設定在1.5 μ m以下。
[0063]遍及第I區域12的整個區域的第2電極E2中位于周邊區域18內的部分在圖14的像素定義層65的開口部65B的內側與導通用電極Qf接觸。在周邊區域14中導通用電極Qf與第2電極E2導通的區域、其外側的區域不形成發光功能層46。如根據以上的說明理解的，遍及顯示區域16以及周邊區域18雙方的第2電極E2經由周邊區域18內的各導通用電極Qf和各中繼電極Qe2與第2電源導電體42導通。S卩，從第2電源導電體42經由中繼電極Qe2和導通用電極Qf向第2電極E2供給低位側的電源電位VCT。
[0064]第2電極&作為透過到達表面的光的一部分并且使剩余的反射的性質(半透光反射性)的半透光反射層發揮作用。例如，通過將含有銀、鎂的合金等光反射性的導電材料形成為充分薄的膜厚來形成半透光反射性的第2電極E2。來自發光功能層46的放射光在第I電源導電體41與第2電極E2之間往復，特定的共振波長的成分被選擇性地放大后透過第2電極E2并向觀察側(與基板10相反的一側)射出。即，形成在作為反射層發揮作用的第I電源導電體41與作為半透光反射層發揮作用的第2電極E2之間使來自發光功能層46的射出光共振的共振結構。光路調整層60是用于按照顯示像素Pe的每個顯示顏色獨立地設定共振結構的共振波長(顯示顏色)的要素。具體而言，通過根據光路調整層60的膜厚來適當地調整構成共振結構的第I電源導電體41與第2電極E2之間的光路長(光學距離)來按照每個顯示顏色設定各顯示像素Pe的射出光的共振波長。
[0065]圖15是著眼于光路調整層60的具體的構成對顯示顏色不同的三個顯示像素Pe(紅色、綠色、藍色)的構成進行圖示的剖視圖。在圖15中，方便地例示了與紅色(R)對應的顯示像素Pe、與綠色(G)對應的顯示像素Pe以及與藍色(B)對應的顯示像素PE。如根據圖15理解的，光路調整層60由利用硅化合物(典型來說為氮化硅、氧化硅)等透光性的絕緣材料形成的多層(第I調整層61、第2調整層62、第3調整層63)的層疊構成。第I調整層61例如由氮化硅形成為40nm以上10nm以下的膜厚，第2調整層62例如由氧化硅形成為40nm以上50nm以下的膜厚,第3調整層63例如由氧化娃形成為40nm以上70nm以下的膜厚。
[0066]第2調整層62以及第3調整層63根據各顯示像素Pe的顯示顏色選擇性地被除去。具體而言，在藍色的顯示像素Pe中，除去第2調整層62以及第3調整層63從而光路調整層60僅由第I調整層61構成，在綠色的顯示像素Pe中，除去第3調整層63從而光路調整層60由第I調整層61以及第2調整層62構成。另一方面，在紅色的顯示像素Pe中，由第I調整層61、第2調整層62以及第3調整層63的層疊構成光路調整層60。例如在將第I調整層61形成為50nm的膜厚，將第2調整層62形成為65nm的膜厚，并將第3調整層63形成為55nm的膜厚的情況下,在紅色的顯示像素Pe中構成170nm的光路調整層60 (第I調整層61+第2調整層62+第3調整層63)，在綠色的顯示像素Pe中構成115nm的光路調整層60 (第I調整層61+第2調整層62)，在藍色的顯示像素Pe中構成50nm的光路調整層60(第I調整層61)。在以上的例示中，在紅色的顯示像素Pe與藍色的顯示像素Pe之間光路調整層60的膜厚差為120nm。此外，在以上的說明中著眼于顯示區域16，但對于周邊區域18內的各虛擬像素Pd也形成與顯示區域16內相同的構成的光路調整層60。
[0067]如以上的例示的那樣按照顯示像素Pe的每個顯示顏色調整光路調整層60的膜厚，從而作為共振結構的反射層發揮作用第I電源導電體41與作為半透光反射層發揮作用的第2電極E2的間隔(以下稱為“共振長度”)Z按照每個顯示顏色獨立地被設定。具體而言，藍色的顯示像素Pe的共振長度Zb小于綠色的顯示像素Pe的共振長度Ze，綠色的顯示像素Pe的共振長度Ze小于紅色的顯示像素Pe的共振長度Zk (ZB < Zg < Ze)。因此，從藍色的顯示像素Pe的發光元件45射出藍色光，從綠色的顯示像素Pe的發光元件45射出綠色光，從紅色的顯示像素Pe的發光元件45射出紅色光。
[0068]在發光功能層46的表面、第2電極E2的表面出現反映了形成在各自的下層的各要素的形狀的階梯差(凹凸)。若假定絕緣層Ld的表面、第I電源導電體41的表面為無階梯差的平坦面，則發光功能層46、第2電極E2的表面所出現的最大的階梯差相當于圖15的距離Fb與距離Fk的差量(階梯差)。距離Fb是第I調整層61與第I電極E1的膜厚的和。另一方面，距離Fk是光路調整層60 (第I調整層61+第2調整層62+第3調整層63)、像素定義層65以及第I電極E1的膜厚的和。因此，像素定義層65的膜厚越大，發光功能層46、第2電極E2的表面所出現的階梯差越大。各層中的階梯差能夠成為例如導電層的斷開、短路等成膜不良的原因。考慮以上的情況，本實施方式的像素定義層65形成為抑制起因于發光功能層46、第2電極E2的表面的階梯差的成膜不良等不良情況的膜厚。
[0069]如上述，共振結構的共振長度按照顯示像素Pe的每個顯示顏色而不同。在第I實施方式中，以小于不同的各顯示顏色間的共振長度的差異的方式選定像素定義層65的膜厚。具體而言，本實施方式的像素定義層65形成為小于藍色的共振長度Zb以及綠色的共振長度Ze的差量ΔΒ(；( ΔΒ(； = Ze — Zb)、綠色的共振長度Ze以及紅色的共振長度Zk的差量Δ GE ( Δ GE = Zr — Zg) >以及紅色的共振長度Zr以及藍色的共振長度Zb的差量Δκβ(Δκβ =Ze - Zb)中的最小值(差量Λ)的膜厚。如上述，在第I實施方式中，根據光路調整層60的膜厚使共振結構的共振長度按照每個顯示顏色不同。因此，也可以換句話說，像素定義層65的膜厚小于不同的各顯示顏色間的光路調整層60的膜厚差。如上述的例示，在將第I調整層61形成為50nm的膜厚，將第2調整層62形成為65nm的膜厚，并將第3調整層63形成為55nm的膜厚的情況下，差量ΛΒ(；為第2調整層62的膜厚65nm，差量為第3調整層63的膜厚55nm，差量Akb為第2調整層62以及第3調整層63的膜厚120nm。在以上的構成中，作為綠色的共振長度Ze與紅色的共振長度Zk的差量(第3調整層63的膜厚)的55nm相當于顯示顏色間的共振長度的最小的差量Λ。因此，像素定義層65形成為小于55nm的膜厚。例如，像素定義層65形成為50nm的膜厚，更優選形成為20nm?30nm左右的膜厚。
[0070]圖16是放大了圖15所例示的任意的一個顯示像素Pe的剖視圖。如根據圖16理解的，存在在像素定義層65的開口部65A的內周面67的附近，因像素定義層65的膜厚的影響，而第I電源導電體41與第2電極E2的間隔與顯示像素Pe的共振結構的目標的共振長度Z(ZK、Ze、ZB)不同的情況。例如如圖16所例示的，在發光功能層46以及第2電極E2的表面形成有反映了像素定義層65的膜厚的階梯差，所以像素定義層65的開口部65A的內周面67的附近的第I電源導電體41與第2電極E2的間隔Z’與對應于顯示像素Pe的顯示顏色的目標的共振長度Z(ZK、Ze、ZB)不同。而且，在第I電源導電體41與第2電極E2的間隔Z’與目標的共振長度Z不同的區域中，來自發光功能層46的射出光中與目標的共振長度Z所對應的波長(即本來的顯示顏色的波長)不同的波長的單色光在共振結構被強調后從第2電極E2向觀察側射出。因此，俯視時發光元件45的周緣的附近(開口部65A的內周面67的附近)的顯示顏色與該發光元件45的本來的顯示顏色不同。例如，設想藍色的顯示像素Pe的周緣顯示綠色的可能性、綠色的顯示像素Pe的周緣顯示黃色、紅色的可能性。
[0071]如上述，像素定義層65的膜厚越大第2電極E2 (半透光反射層)的階梯差越大。因此，像素定義層65的膜厚越厚，目標的共振長度Z與內周面67的附近的間隔Z’的差異越大，發光元件45的本來的顯示顏色與該發光元件45的周緣的附近(間隔Z’的區域)的顯示顏色的差異越明顯化。在本實施方式中，像素定義層65的膜厚小于差量Λ，所以與像素定義層65的膜厚大于差量△的構成(以下稱為“對比例”)比較，目標的共振長度Z與內周面67的附近的間隔Z’的差異變小。因此，根據本實施方式，與對比例比較，有發光元件45的本來的顯示顏色與發光元件45的周緣的附近的顯示顏色的差異難以被顯示圖像的觀察者感知這樣的優點。具體而言，像素定義層65的膜厚小于差量Λ (差量、差量Abc以及差量Akb中的最小值)，所以例如，防止藍色的顯示像素Pe的間隔Z’達到綠色的顯示像素Pe的共振長度Ze (即，在藍色的顯示像素Pe的周緣顯示顏色變化到綠色)、綠色的顯示像素Pe的間隔Z’達到紅色的顯示像素Pe的共振長度Ζκ(即，在綠色的顯示像素Pe的周緣顯示顏色達到紅色)。因此，根據第I實施方式，有能夠顯示降低了各顯示像素Pe的顯示顏色的誤差的高品質的圖像這樣的優點。
[0072]如圖3所例示，在第2電極E2的面上遍及基板10的整個區域形成有密封體70。此外，在圖4中為了方便省略了密封體70的圖示。密封體70是通過密封形成在基板10上的各要素來防止外部空氣、水分的侵入的透光性的膜體，由第I密封層71、第2密封層72以及第3密封層73的層疊構成。第I密封層71的面上形成有第2密封層72，第I密封層71以及第2密封層72的面上形成有第3密封層73。如根據圖3理解的，第I密封層71以及第3密封層73遍及包括第I區域12和第2區域14的基板10的整個區域形成。另一方面，第2密封層72在基板10的第I區域12內形成而不在第2區域14形成。具體而言，如圖17所例示，第2密封層72遍及顯示區域16和周邊區域18中內周緣側的一部分的區域形成。如根據以上的說明理解的，圖3的密封體70在顯示區域16內由第I密封層71、第2密封層72以及第3密封層73共計三層的層疊構成，在第2區域14內由第I密封層71以及第2密封層72共計兩層的層疊構成。圖1的各安裝端子36經由在密封體70中與可撓性的布線基板連接的區域形成的開口部向外部露出。各安裝端子36例如由與第I電源導電體41以及第2電源導電體42同層形成的導電層、與中繼電極Qe2同層形成的導電層、以及與第I電極E1以及導通用電極Qf同層形成的導電層的層疊構成。
[0073]密封體70的第I密封層71形成在第2電極E2的面上并與第2電極E2的表面直接接觸。第I密封層71例如由硅化合物(典型來說為氮化硅、氧化硅)等絕緣性的無機材料形成為例如200nm?400nm左右的膜厚。第I密封層71優選形成為光路調整層60的膜厚差(例如120nm)以上的膜厚。第I密封層71的形成優選利用等離子體CVD(ChemicalVapor Deposit1n:化學氣相沉積)法或者 ECR(Electron Cyclotron Resonance:電子回旋共振)等離子體濺射法、離子鍍法等高密度等離子體成膜技術。也能夠通過在氮氣環境中蒸鍍氧化硅來形成氮氧化硅的第I密封層71。另外，以氧化鈦等金屬氧化物為代表的無機氧化物也能夠作為第I密封層71的材料采用。
[0074]密封體70的第2密封層72作為填補第2電極E2、第I密封層71的表面的凹凸的平坦化膜發揮作用。即，在第2電極E2、第I密封層71的表面形成有反映下方(基板10偵?的各要素的形狀的凹凸，但第2密封層72的表面為充分地減少了凹凸的大致平面。也可以說，第2密封層72的上表面與下表面(即與第I密封層71的接觸面)比較平坦。為了實現以上所說明的平坦化的功能，第2密封層72與第I密封層71以及第3密封層73相比較形成為充分厚的膜厚(例如I μ m?5 μ m，特別優選為3 μ m)。例如通過利用公知的涂敷技術(例如印刷法、旋涂法)在第I密封層71的表面涂敷環氧樹脂等透光性的有機材料的溶液并使其干燥的工序來形成第2密封層72。此外，第2密封層72的材料并不限定于有機材料。例如也能夠利用印刷法等涂敷技術涂敷氧化硅等無機材料并使其干燥從而形成充分進行平坦化的膜厚的第2密封層72。第2密封層72以遍及與形成有發光功能層46的區域相比較較寬廣的區域連續，且至少覆蓋發光功能層46的方式形成。另外，第2密封層72也能夠采用覆蓋第2電極E2的構成。
[0075]第3密封層73例如利用耐水性、耐熱性優異的無機材料形成為例如300nm?700nm左右(特別優選為400nm左右)的膜厚。例如優選氮化合物(氮化硅、氧化硅、氮氧化硅)作為第3密封層73的材料。第3密封層73的形成任意地采用針對第I密封層71例示的公知的成膜技術。
[0076]在形成了以上的各要素的基板10的表面例如以粘合劑接合有密封基板(省略圖示)。密封基板是用于保護基板10上的各要素的透光性的板狀部件(例如玻璃基板)。此夕卜，也能夠在密封基板的表面或者密封體70 (第3密封層73)的表面按照每個顯示像素Pe形成彩色濾光片。
[0077]另外，密封體70中與第2電極E2直接接觸的第I密封層71的膜厚大于共振長度Z的差量△(光路調整層60的各構成層間的階梯差)。根據如以上那樣相對于光路調整層60的表面的階梯差以充分的膜厚形成第I密封層71的構成，第I密封層71的表面成為充分的平坦面(即不反映光路調整層60的階梯差的平坦面)。即，能夠有效地利用第I密封層71作為填補光路調整層60的階梯差的平坦化膜。更優選以共振長度Z的差量Λ的兩倍以上的膜厚形成第I密封層71。
[0078]在第I實施方式中，由與顯示區域16內的第I電極E1同層形成的導通用電極Qf、和由與顯示區域16內的第I電源導電體41同層形成的第2電源導電體42形成在周邊區域18，遍及顯示區域16以及周邊區域18雙方的第2電極E2在周邊區域18內經由導通用電極Qf與第2電源導電體42導通。即，與在顯示區域16內第I電源導電體41與第I電極E1重疊的層結構相同地在周邊區域18內第2電源導電體42與導通用電極Qf也重疊。因此，與鄰接區域內的虛擬像素不形成發光元件的陽極的專利文獻I的構成相比較，能夠抑制顯示區域16與周邊區域18的階梯差。而且，通過抑制顯示區域16與周邊區域18的階梯差，與顯示區域16與周邊區域18的階梯差較大的構成相比較，有能夠容易地形成密封體70這樣的優點。在第I實施方式中，特別是在顯示區域16內的第I電極E1與周邊區域18內的導通用電極Qf中平面形狀以及尺寸、和X方向的間距Dx以及Y方向的間距Dy相同。因此，抑制顯示區域16與周邊區域18的階梯差這樣的效果格外顯著。
[0079]另外，在遍及顯示區域16以及周邊區域18雙方的像素定義層65除了與顯示區域16內的第I電極E1對應的開口部65A，還形成有與周邊區域18內的導通用電極Qf對應的開口部65B。即，對于像素定義層65也在周邊區域18存在與顯示區域16相同的結構。因此，與在周邊區域18不形成像素定義層65的構成、在周邊區域18中在像素定義層65不形成開口部65B的構成相比較，能夠抑制顯示區域16與周邊區域18的階梯差。在第I實施方式中，特別是在開口部65A和開口部65B中，平面形狀以及尺寸、和X方向以及Y方向的排列的間距相同，所以抑制顯示區域16與周邊區域18的階梯差這樣的效果格外顯著。
[0080]在第I實施方式中，第I電源導電體41由與掃描線22、控制線24、信號線26不同層形成，所以與將第I電源導電體41由與各布線同層形成的構成相比較能夠充分地確保第I電源導電體41的面積(降低第I電源導電體41的電阻)。具體而言，如參照圖10所說明的，能夠形成第I電源導電體41作為遍及顯示區域16的整個區域的實心圖案。因此，抑制第I電源導電體41的面內的電源電位Va的電壓下降，結果能夠減少顯示圖像的顯示不均(顯示區域16的面內的顯示灰度的不同)。此外，在以上的說明中著眼于第I電源導電體41，但對于由與各布線(掃描線22、控制線24、信號線26)不同層形成的第2電源導電體42也實現相同的效果。
[0081]此外，在由同層形成第I電源導電體41和第2電源導電體42的構成中，例如有因絕緣層Ld的表面的凹凸而第I電源導電體41與第2電源導電體42相互短路的可能性。在第I實施方式中，在針對絕緣層Ld的表面執行平坦處理后形成第I電源導電體41以及第2電源導電體42，所以也有能夠有效地防止起因于絕緣層Ld的表面的凹凸的第I電源導電體41與第2電源導電體42的短路這樣的優點。
[0082]第2實施方式
[0083]對本發明的第2實施方式進行說明。此外，在以下所例示的各方式中對于作用、功能與第I實施方式相同的要素，沿用在第I實施方式的說明參照的符號并適當地省略各自的詳細的說明。
[0084]圖18是著眼于光路調整層60的具體的構成的第2實施方式的各顯示像素Pe的剖視圖，與在第I實施方式的說明中參照的上述的圖15對應。在圖15所例示的第I實施方式中，例示了在相鄰的各顯示像素Pe的間隔內，層疊了第I調整層61、第2調整層62以及第3調整層63共計三層的構成。在第2實施方式中，如根據圖18理解的，在相鄰的各顯示像素Pe的間隔內層疊第I調整層61和第2調整層62共計兩層。
[0085]具體而言，第I調整層61遍及基板10的整個區域形成，第2調整層62在第I調整層61的面上遍及基板10的整個區域形成并且被除去與藍色的顯示像素Pe對應的區域。而且，第3調整層63在第2調整層62的表面中與紅色的顯示像素Pe對應的區域形成為島狀。因此，與第I實施方式相同，在藍色的顯示像素Pe中光路調整層60僅由第I調整層61構成，在綠色的顯示像素Pe中光路調整層60由第I調整層61和第2調整層62的層疊構成，在紅色的顯示像素Pe中光路調整層60由第I調整層61、第2調整層62以及第3調整層63的層疊構成。
[0086]光路調整層60以外的各要素的構成與第I實施方式相同。因此，在第2實施方式中也實現與第I實施方式相同的效果。另外，在第2實施方式中，在相鄰的各顯示像素PdA間隔內層疊第I調整層61與第2調整層62共計兩層，所以與在各顯示像素Pe的間隔內層疊第I調整層61、第2調整層62以及第3調整層63共計三層的第I實施方式相比較，降低光路調整層60的表面的階梯差。因此，有能夠降低發光功能層46、第2電極E2等各要素的表面的階梯差這樣的優點。
[0087]第3實施方式
[0088]圖19是第3實施方式的發光裝置100中著眼于密封體70的俯視圖。如圖19所例示，在第3實施方式的發光裝置100中，在基板10的第2區域14中排列了多個安裝端子36的區域(以下稱為“端子區域” )15不形成密封體70。具體而言，遍及包含顯示區域16以及周邊區域18的第I區域12、和第2區域14中端子區域15以外的區域形成密封體70的第I密封層71以及第3密封層73。密封體70的第2密封層72形成在顯示區域16內的構成與第I實施方式相同。根據以上的構成，除了與第I實施方式相同的效果，還有不需要在密封體70形成用于使各安裝端子36與多層布線層內的布線導通的導通孔這樣的優點。此外，也能夠沿基板10的兩邊或者三邊排列多個安裝端子36。
[0089]變形例
[0090]以上的方式能夠多樣地變形。以下例示具體的變形的方式。從以下的例示任意地選擇的兩個以上的方式能夠在不相互矛盾的范圍內適當地合并。
[0091](I)在上述的各方式中，例示了層疊了第I密封層71、第2密封層72以及第3密封層73的結構的密封體70，但密封體70的層數(單層/多層)任意。例如，也能夠以無機材料或者有機材料的單層構成密封體70。另外，在上述的各方式中，例示了俯視時護圈38與密封體70的全部(第I實施方式)或者一部分(第3實施方式)重疊的構成，但密封體70與護圈38的重復的有無不限。
[0092](2)在上述的各方式中，經由以與顯示區域16內的開口部65A相同的方式形成在像素定義層65的開口部65B使第2電極E2與第2電源導電體42導通，但能夠適當地變更使第2電極E2與第2電源導電體42導通的結構。例如，如日本特開2005 — 352498號所公開的，也能夠經由在像素定義層65形成為俯視時為直線狀(即與顯示區域16內的開口部65A不同的方式)的開口部使第2電極E2與第2電源導電體42導通。
[0093](3)在上述的各方式中，例示了利用了半導體基板作為基板10的發光裝置100，但基板10的材料任意。例如也能夠利用玻璃、石英等板狀部件作為基板10。另外，在上述的各方式中，在基板10中第I區域12的外側的第2區域14配置了驅動電路30，但也能夠例如在周邊區域18內配置驅動電路30。例如，在第2電源導電體42與基板10之間配置驅動電路30。
[0094](4)像素P (像素電路)的構成并不限定于上述的圖2所例示的構成。例如，也能夠采用省略了上述的各方式的發光控制晶體管Ta的構成、在灰度電位的供給前通過將驅動晶體管Tdk與二極管連接來補償驅動晶體管Tdk的閾值電壓的誤差的構成。
[0095](5)發光元件45的構成并不限定于以上的例示。例如，在上述的各方式中，例示了遍及多個顯示像素Pe連續地形成產生白色光的發光功能層46的構成，但也能夠按照每個顯示像素Pe獨立地形成放射與各顯示像素Pe的顯示顏色對應的波長的單色光的發光功能層46。另外，在上述的各方式中，在第I電源導電體41 (反射層)與第2電極E2 (半透光反射層)之間形成共振結構，但例如也能夠用反射性的導電材料形成第I電極E1，并在第I電極E1(反射層)與第2電極E2(半透光反射層)之間形成共振結構。在利用第I電極E1作為反射層的構成中，在第I電極E1與第2電極E2之間形成光路調整層60。也能夠與第I電源導電體41、第I電極E1分開地形成共振結構的反射層(每個顯示像素Pe的反射層或者遍及多個顯示像素Pe連續的反射層)。
[0096]在上述的各方式中，根據光路調整層60來調整各顯示像素Pe的共振波長，但也能夠根據第I電極E1、發光功能層46的膜厚來調整各顯示像素Pe的共振波長。不管用于調整共振波長的具體的構成，優選將第I密封層71形成為大于起因于共振波長的不同的階梯差的膜厚的構成。
[0097]在上述的各方式中例示了利用了有機EL材料的發光元件45，但本發明同樣能夠應用于利用了用無機EL材料形成了發光層的發光元件、LED等發光元件的構成。另外，在上述的各方式中，例示了在與基板10相反的一側射出光的頂部發光型的發光裝置100，但本發明同樣能夠應用于在基板10側射出光的底部發光型的發光裝置。
[0098](6)在上述的各方式中，以小于不同的各顯示顏色間的共振長度的差量的最小值(差量Λ)的膜厚形成了像素定義層65，但像素定義層65的膜厚的條件并不限定于以上的例示。例如，也能夠以小于與不同的顯示顏色的組合對應的多個差量中最小值以外的差量Λ的方式選定像素定義層65的膜厚。例如，如第I實施方式中的例示，藍色的共振長度Zb以及綠色的共振長度Ze的差量Abg為65nm，綠色的共振長度Ze以及紅色的共振長度Zk的差量Δ 為55nm,紅色的共振長度Zk以及藍色的共振長度Zb的差量Δ EB為120nm的情況下，也能夠以小于差量ΛΒ(；的膜厚(例如60nm)形成像素定義層65。然而，根據以小于不同的各顯示顏色間的共振長度的差量的最小值的膜厚形成像素定義層65的上述的方式，有能夠對顯示像素Pe的全部的顯示顏色實現觀察者難以感知發光元件45的本來的顯示顏色與發光元件45的周緣的顯示顏色的差異這樣的上述的效果這樣的優點。
[0099](7)在上述的各方式中，例示了在周邊區域18內配置了結構(布線、晶體管、電容元件等的結構)與顯示像素Pe類似的虛擬像素Pd的構成，但周邊區域18內的構成并不限定于以上的例示。例如，也能夠在周邊區域18內的第2電源導電體42的下層配置驅動電路30(掃描線驅動電路32或者信號線驅動電路34)、驅動電路30以外的電路以及布線。
[0100](8)在上述的各方式中，為了共振波長的說明的簡單化而著眼于光路調整層60的膜厚，但實際上，能夠根據位于共振結構的反射層(例如第I電源導電體41)與半透光反射層(例如第2電極E2)之間的各層的折射率、反射層以及半透光反射層的表面的相位偏移設定共振結構的共振波長。
[0101]電子設備
[0102]上述的各方式所例示的發光裝置100適合利用于各種電子設備的顯示裝置。圖20作為電子設備例示了利用了上述的各方式所例示的發光裝置100的頭戴式顯示裝置90 (HMD:Head Mounted Display)。
[0103]顯示裝置90是能夠佩戴于利用者的頭部的電子設備，具備與利用者的左眼重疊的透過部(透鏡)92L、與利用者的右眼重疊的透過部92R、左眼用的發光裝置100L以及半透半反鏡94L、以及右眼用的發光裝置100R以及半透半反鏡94R。發光裝置100L與發光裝置100R以射出光相互向相反的方向行進的方式配置。左眼用的半透半反鏡94L使透過部92L的透過光向利用者的左眼側透過，并且使來自發光裝置100L的射出光向利用者的左眼側反射。同樣地，右眼用的半透半反鏡94R使透過部92R的透過光向利用者的右眼側透過，并且使來自發光裝置100R的射出光向利用者的右眼側反射。因此，利用者感知重疊了經由透過部92L以及透過部92R觀察的像和各發光裝置100的顯示圖像的圖像。另外，通過使發光裝置100L和發光裝置100R顯示彼此有視差的立體視圖像(左眼用圖像以及右眼用圖像)，能夠使利用者感知顯示圖像的立體感。
[0104]此外，應用上述的各方式的發光裝置100的電子設備并不限定于圖20的顯示裝置90。例如，本發明的發光裝置100也能夠適合利用于攝相機、照相機等拍攝裝置所利用的電子取景器(EVF Electronic View Finder)。另外，能夠在移動電話機、移動信息終端(智能手機)、電視、個人計算機等監視器、車輛導航裝置等各種電子設備采用本發明的發光裝置。
[0105]符號說明
[0106]100…發光裝置,10…基板，1A…能動區域,12…第I區域，14...第2區域，16…顯不區域，18...周邊區域,22…掃描線,24...控制線,26…信號線,30…驅動電路,32…掃描線驅動電路，34...信號線驅動電路,36...安裝端子,41...第I電源導電體,42...第2電源導電體,45…發光兀件,E1…第I電極,E2…第2電極，46...發光功能層，TDK...驅動晶體管,Tel...發光控制晶體管，TSI/..選擇晶體管，0..電容兀件,60...光路調整層,65...像素定義層,65A、65B…開口部，67...內周面，70...密封體，71...第I密封層，72…第2密封層，73…第3密封層，Q(QA1、Qa2> Qa3> QA4、Qbi>Qb2> Qci> Qc2> QD1、QE1、Qe2)…中繼電極，Qf 導通用電極。
【權利要求】
1.一種發光裝置，其特征在于， 在基體上形成有:第1發光元件以及第2發光元件，其具有使來自發光功能層的射出光在夾著所述發光功能層的反射層與半透光反射層之間共振的共振結構；以及 像素定義層，其在所述反射層與所述半透光反射層之間用絕緣材料形成，且形成有與所述第1發光元件以及所述第2發光元件的各個對應的開口部， 所述第1發光元件中的所述反射層以及所述半透光反射層的第1間隔與所述第2發光元件中的所述反射層以及所述半透光反射層的第2間隔不同， 所述像素定義層的膜厚小于所述第1間隔與所述第2間隔的差量。
2.根據權利要求1所述的發光裝置，其特征在于， 具備覆蓋所述第1發光元件以及所述第2發光元件的密封層， 所述密封層的膜厚大于所述第1間隔與所述第2間隔的差量。
3.根據權利要求2所述的發光裝置，其特征在于， 所述第1發光元件以及所述第2發光元件的各個包括第1電極、從所述第1電極觀察位于與所述基體相反的一側并且作為所述半透光反射層發揮作用的第2電極、以及位于所述第1電極與所述第2電極之間的所述發光功能層， 所述密封層直接與所述第2電極的表面接觸。
4.一種電子設備,其特征在于， 具備權利要求1?3中的任意一項所述的發光裝置。
【文檔編號】H01L51/52GK104282716SQ201410290988
【公開日】2015年1月14日 申請日期:2014年6月25日 優先權日:2013年7月1日
【發明者】野澤陵一, 天野溫, 腰原健, 深瀨章夫, 巖田信一 申請人:精工愛普生株式會社