一種二氧化硅薄膜片回收方法
【專利摘要】本發明提供了一種二氧化硅薄膜片的回收方法，其包括以下步驟：1)選取做過監控工藝的二氧化硅薄膜片；2)將選取的二氧化硅薄膜片放入酸溶液中浸泡15-20分鐘；3)將二氧化硅薄膜片取出后用去離子水沖洗并甩干；4)將二氧化硅薄膜片放入加溫到70℃的氨水：雙氧水＝4：1的溶液中，持續20-25分鐘后取出；5)將二氧化硅薄膜片取出用去離子水沖洗甩干后，待用。上述回收方法采用加溫后的氨水和雙氧水混合溶液可以將互溶的部分腐蝕，并使殘留物脫落，后經去離子水沖洗而完全去除。確保回收后的二氧化硅薄膜片無殘留，提高了二氧化硅薄膜片的利用率。從而降低了在線成本，增加了在線工藝監控的效率。
【專利說明】一種二氧化硅薄膜片回收方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及半導體生產技術，具體地，本發明涉及一種半導體生產技術中用于監控的二氧化硅薄膜片的回收方法。
【背景技術】
[0002]在半導體生產中為了監控在線工藝的穩定性，工藝工程師總會定期對某個工藝菜單進行監控。用來監控的硅片習慣上被稱為QC片。QC片數量比較多，如果能重復利用可以大大降低在線成本。所以QC片的回收工藝方法變得十分重要。
[0003]傳統的二氧化硅薄膜QC片回收工藝為:先用高濃度的氫氟酸進行全剝，然后用去離子水沖洗。該種方法由于高溫退火后的二氧化硅薄膜QC片上的薄膜與硅片本身有一定的互溶，這種現象導致薄膜本身很難去除。回收后表面容易出現殘留，強光下可以看到很多白色顆粒(殘留的二氧化硅顆粒)。此種QC片如果再次用做生產監控，會出現QC片表面發白的現象。這樣一來就無法起到監控的效果。
【發明內容】
[0004]針對現有技術的不足，本發明的目的在于提供一種二氧化硅薄膜片的回收方法。其能夠將用來監控的硅片實現無殘留回收，以解決現有技術中二氧化硅薄膜片的回收工藝存在的問題。
[0005]一種二氧化硅薄膜片的回收方法，其包括以下步驟:
[0006]I)選取做過監控工藝的二氧化硅薄膜片；
[0007]2)將選取的二氧化硅薄膜片放入酸溶液中浸泡15-20分鐘；
[0008]3)將二氧化硅薄膜片取出后用去離子水沖洗并甩干；
[0009]4)將二氧化硅薄膜片放入加溫到50?70°C的氨水:雙氧水=3:1?6:1溶液中，持續20-25分鐘后取出；
[0010]5)將二氧化硅薄膜片取出用去離子水沖洗甩干后，待用。
[0011]特別地，所述步驟2)中的酸溶液采用49%濃度的氫氟酸。
[0012]特別地,所述步驟4)中優選氨水:雙氧水=4:1的溶液。
[0013]與現有技術相比，本發明一種二氧化硅薄膜片的回收方法采用加溫后的氨水和雙氧水混合溶液可以將互溶的部分腐蝕，并使殘留物脫落，后經去離子水沖洗而完全去除。確保回收后的二氧化硅薄膜片無殘留，提高了二氧化硅薄膜片的利用率。降低了原有方法下的不良二氧化硅薄膜片的機率。從而降低了在線成本，增加了在線工藝監控的效率。
【具體實施方式】
[0014]為便于理解本發明，本發明列舉實施例如下。本領域技術人員應該明了，所述實施例僅僅是幫助理解本發明，不應視為對本發明的具體限制。
[0015]實施例1[0016]一種二氧化硅薄膜片的回收方法，其包括以下步驟:
[0017]1、選取做過監控工藝的二氧化硅薄膜QC片一摻鍺(GE)的二氧化硅QC片；
[0018]2、用49%濃度的氫氟酸浸泡15分鐘；
[0019]3、將二氧化硅薄膜QC片取出后用去離子水沖洗并甩干；
[0020]4、再將二氧化硅薄膜QC片放入加溫到70°C的氨水:雙氧水=3:1的溶液中，持續25分鐘后取出；
[0021]5、再將二氧化娃薄膜QC片取出用去尚子水沖洗甩干后,待用。表面干凈。
[0022]實施例2
[0023]一種二氧化硅薄膜片的回收方法，其包括以下步驟:
[0024]1、選取做過監控工藝的二氧化硅薄膜QC片一摻硼⑶磷⑵的二氧化硅QC片；
[0025]2、用49%濃度的氫氟酸浸泡20分鐘；
[0026]3、將二氧化硅薄膜QC片取出后用去離子水沖洗并甩干；
[0027]4、再將二氧化硅薄膜QC片放入加溫到70°C的氨水:雙氧水( = 5:1的溶液中，持續20分鐘后取出
[0028]5、再將二氧化娃薄膜QC片取出用去尚子水沖洗甩干后,待用。表面干凈。
[0029]實施例3:
[0030]一種二氧化硅薄膜片的回收方法，其包括以下步驟:
[0031]1、選取做過監控工藝的二氧化硅薄膜QC片一摻鍺(GE)的二氧化硅QC片；
[0032]2、用49%濃度的氫氟酸浸泡20分鐘；
[0033]3、將二氧化硅薄膜QC片取出后用去離子水沖洗并甩干；
[0034]4、再將二氧化硅薄膜QC片放入加溫到60°C的氨水:雙氧水=6:1的溶液中，持續20分鐘后取出；
[0035]5、再將二氧化娃薄膜QC片取出用去尚子水沖洗甩干后,待用。表面干凈。
[0036]上面實例中不同的參數，是由于不同的薄膜性質來決定的。
[0037] 申請人:聲明，本發明通過上述實施例來說明本發明的詳細工藝設備和工藝流程，但本發明并不局限于上述詳細工藝設備和工藝流程，即不意味著本發明必須依賴上述詳細工藝設備和工藝流程才能實施。所屬【技術領域】的技術人員應該明了，對本發明的任何改進，對本發明產品各原料的等效替換及輔助成分的添加、具體方式的選擇等，均落在本發明的保護范圍和公開范圍之內。
【權利要求】
1.一種二氧化硅薄膜片的回收方法，其特征在于:其包括以下步驟: 1)選取做過監控工藝的二氧化硅薄膜片； 2)將選取的二氧化娃薄膜片放入酸溶液中浸泡15-20分鐘； 3)將二氧化硅薄膜片取出后用去離子水沖洗并甩干； 4)將二氧化硅薄膜片放入加溫到50~70°C的氨水:雙氧水=3:1~6:1溶液中，持續20-25分鐘后取出； 5)將二氧化硅薄膜片取出用去離子水沖洗甩干后，待用。
2.如權利要求1所述的二氧化硅薄膜片的回收方法，其特征在于，所述步驟2)中的酸溶液采用49%濃度的氫氟 酸。
3.如權利要求1所述的二氧化硅薄膜片的回收方法，其特征在于，所述步驟4)中優選氨水:雙氧水=4:1的溶液。
【文檔編號】H01L21/02GK104022019SQ201410276440
【公開日】2014年9月3日 申請日期:2014年6月19日 優先權日:2014年6月19日
【發明者】呂耀安, 翟繼鑫 申請人:無錫宏納科技有限公司