低介電損耗10瓦30dB衰減片的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種低介電損耗10瓦30dB衰減片，其包括一尺寸為長(zhǎng)5mm、寬2.5mm、厚0.635mm的低介電常數(shù)氮化鋁陶瓷基板，氮化鋁陶瓷基板的背面印刷有銀漿，氮化鋁陶瓷基板的正面印刷有5個(gè)電阻及氮化鋁銀漿導(dǎo)線，銀漿導(dǎo)線兩端分別連接兩個(gè)焊盤，銀漿導(dǎo)線之間連接5個(gè)電阻形成衰減電路，電阻上層通過厚膜印刷有綠色保護(hù)膜。通過改變衰減電路中阻值的尺寸大小和電阻值來獲得需要的衰減值,通過導(dǎo)線設(shè)計(jì)的介質(zhì)感應(yīng)提高衰減精度以及獲得較好的駐波特性。該低介電損耗10瓦30dB衰減片，介電損耗小、衰減精度高，使產(chǎn)品性能指標(biāo)達(dá)到3G頻段，可以應(yīng)用于目前的4G網(wǎng)絡(luò)。
【專利說明】低介電損耗10瓦30dB衰減片
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種衰減片，特別涉及一種低介電損耗10瓦30dB衰減片。
【背景技術(shù)】
[0002]目前集成了多個(gè)膜狀電阻為一體，通過電阻及線路不同設(shè)計(jì)的衰減片廣泛應(yīng)用于雷達(dá)，衛(wèi)星通訊，電子對(duì)抗等軍事工業(yè)和移動(dòng)電話、PCS和商用基站市場(chǎng)領(lǐng)域。使用負(fù)載片只能單純地消耗吸收多余的功率，而使用衰減片在吸收反向輸入的功率同時(shí)還能抽取需要的信號(hào)進(jìn)行分析，并在高頻電路上調(diào)整功率電平，去耦，對(duì)相關(guān)設(shè)備起到了保護(hù)作用。
[0003]在國(guó)外，特別是歐美國(guó)家，對(duì)衰減片和負(fù)載片研發(fā)生產(chǎn)都要比國(guó)內(nèi)起步早很多，無論在產(chǎn)品的豐富性還是產(chǎn)品微波特性上都處于比較優(yōu)勢(shì)地位。同時(shí)國(guó)內(nèi)市場(chǎng)上現(xiàn)有的衰減片系列少，衰減精度低，且能使用的頻段相對(duì)較窄。我們希望的衰減器是一個(gè)功率消耗元件，不能對(duì)兩端電路有影響，也就是說，與兩端電路都是匹配的。當(dāng)衰減精度或VSWR達(dá)不到要求時(shí)，輸出端得到的信號(hào)不符合實(shí)際要求。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0004]針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種阻值滿足50 Ω ±3%，在3G頻段以內(nèi)衰減精度為30±ldB，駐波要求輸入、輸出端在1.15以內(nèi)，能夠滿足目前4G網(wǎng)絡(luò)的應(yīng)用要求的低介電損耗10瓦30dB衰減片，取代國(guó)外同類產(chǎn)品，并在特性上填補(bǔ)國(guó)內(nèi)產(chǎn)品的空白。
[0005]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案:
一種低介電損耗10瓦30dB衰減片,包括一尺寸為長(zhǎng)5mm、寬2.5mm、厚0.635mm的低介電常數(shù)氮化鋁陶瓷基板，氮化鋁陶瓷基板子的背面印刷有銀漿，氮化鋁陶瓷基板的正面印刷有5個(gè)電阻及氮化鋁銀漿導(dǎo)線，銀漿導(dǎo)線兩端分別連接兩個(gè)焊盤，銀漿導(dǎo)線之間連接5個(gè)電阻形成衰減電路，電阻上層通過厚膜印刷有綠色保護(hù)膜。通過改變衰減電路中阻值的尺寸大小和電阻值來獲得需要的衰減值，通過導(dǎo)線設(shè)計(jì)的介質(zhì)感應(yīng)提高衰減精度以及獲得較好的駐波特性。該低介電損耗10瓦30dB衰減片，介電損耗小、衰減精度高，使產(chǎn)品性能指標(biāo)達(dá)到3G頻段，可以應(yīng)用于目前的4G網(wǎng)絡(luò)。
[0006]優(yōu)選的，所述衰減片基板采用低介電常數(shù)薄型氮化鋁陶瓷基板。
[0007]優(yōu)選的，所述銀漿采用低銀離子遷移銀漿。
[0008]優(yōu)選的，所述電阻上層通過厚膜印刷有綠色保護(hù)膜，該綠色保護(hù)膜需要進(jìn)行高溫紅彡口 ?
[0009]上述技術(shù)方案具有如下有益效果:低介電損耗10瓦30dB衰減片，采用了低介電常數(shù)的氮化鋁陶瓷，這樣減少了衰減精度的介質(zhì)干擾，同時(shí)低銀離子遷移銀漿的使用以及導(dǎo)線走位的優(yōu)化設(shè)計(jì)，提高了產(chǎn)品的各項(xiàng)微波性能，使產(chǎn)品性能指標(biāo)得到提高，在微波性能提高的同時(shí)滿足了產(chǎn)品的功率容量要求，改產(chǎn)品的衰減精度達(dá)到了 3G以內(nèi)30±ldB，駐波滿足市場(chǎng)要求，從而使得產(chǎn)品可以應(yīng)用于4G網(wǎng)絡(luò)。
[0010]上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段，并可依照說明書的內(nèi)容予以實(shí)施，以下以本發(fā)明的較佳實(shí)施例并配合附圖詳細(xì)說明如后。本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】由以下實(shí)施例及其附圖詳細(xì)給出。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0011]圖1為本發(fā)明實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0012]下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)介紹。
[0013]如圖1所示，該低介電損耗10瓦30dB衰減片，包括一長(zhǎng)5.0mm、寬2.5mm、厚度
0.635mm的低介電常數(shù)氮化鋁陶瓷基板1，低介電常數(shù)氮化鋁陶瓷基板I的背面印刷有銀漿，氮化鋁陶瓷基板I的正面印刷有銀漿導(dǎo)線2及膜狀電阻Rl、R2、R3，R4、R5，膜狀電阻Rl、R2、R3、R4、R5通過銀漿導(dǎo)線連接形成衰減電路，衰減電路通過端涂銀漿與背部銀漿層連接，從而使衰減電路形成通路。該衰減電路沿陶瓷基板的中心線對(duì)稱，膜狀電阻R1、R2、R3、R4、R5上印刷有綠色保護(hù)膜3，銀漿導(dǎo)線2及綠色保護(hù)膜3的上表面還印刷有一層樹脂保護(hù)膜4，這樣可對(duì)銀漿導(dǎo)線2及膜狀電阻町、1?2、1?3、1?4、1?5形成保護(hù)。
[0014]該低介電損耗10瓦30dB衰減片要求輸入端和接地的阻值為50Ω ±3%，輸出端和接地端的阻值為50 Ω ±3%。信號(hào)從輸入端進(jìn)入衰減片，經(jīng)過5個(gè)黑色膜狀電阻Rl、R2、R5、R3、R4對(duì)功率的逐步吸收，從輸出端輸出實(shí)際所需要的信號(hào)。
[0015]該低介電損耗10瓦30dB衰減片，采用了低介電常數(shù)的氮化鋁陶瓷，這樣減少了衰減精度的介質(zhì)干擾，同時(shí)低銀離子遷移銀漿的使用以及導(dǎo)線走位的優(yōu)化設(shè)計(jì)，提高了產(chǎn)品的各項(xiàng)微波性能，使產(chǎn)品性能指標(biāo)得到提高，在微波性能提高的同時(shí)滿足了產(chǎn)品的功率容量要求，該產(chǎn)品的衰減精度達(dá)到了 3G以內(nèi)30±ldB，駐波滿足市場(chǎng)要求，從而使得產(chǎn)品可以應(yīng)用于4G網(wǎng)絡(luò)。
[0016]以上對(duì)本發(fā)明實(shí)施例所提供的一種低介電損耗10瓦30dB衰減片進(jìn)行了詳細(xì)介紹，對(duì)于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的思想，在【具體實(shí)施方式】及應(yīng)用范圍上均會(huì)有改變之處，綜上所述，本說明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對(duì)本發(fā)明的限制，凡依本發(fā)明設(shè)計(jì)思想所做的任何改變都在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種低介電損耗10瓦30dB衰減片，其特征在于:包括一尺寸為長(zhǎng)5mm、寬2.5mm、厚0.635mm的低介電常數(shù)氮化鋁陶瓷基板，氮化鋁陶瓷基板子的背面印刷有銀漿，氮化鋁陶瓷基板的正面印刷有5個(gè)電阻及氮化鋁銀漿導(dǎo)線，銀漿導(dǎo)線兩端分別連接兩個(gè)焊盤，銀漿導(dǎo)線之間連接5個(gè)電阻形成衰減電路，電阻上層通過厚膜印刷有綠色保護(hù)膜；通過改變衰減電路中阻值的尺寸大小和電阻值來獲得需要的衰減值，通過導(dǎo)線設(shè)計(jì)的介質(zhì)感應(yīng)提高衰減精度以及獲得較好的駐波特性；該低介電損耗10瓦30dB衰減片，介電損耗小、衰減精度高，使產(chǎn)品性能指標(biāo)達(dá)到3G頻段，可以應(yīng)用于目前的4G網(wǎng)絡(luò)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低介電損耗10瓦30dB衰減片，其特征在于:所述衰減片基板采用低介電常數(shù)薄型氮化鋁陶瓷基板。
3.據(jù)權(quán)利要求1所述的低介電損耗10瓦30dB衰減片，其特征在于:所述銀漿采用低銀離子遷移銀漿。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低介電損耗10瓦30dB衰減片，其特征在于:所述電阻上層通過厚膜印刷有綠色保護(hù)膜，該綠色保護(hù)膜需要進(jìn)行高溫?zé)Y(jié)。
【文檔編號(hào)】H01P1/22GK104241775SQ201410235275
【公開日】2014年12月24日 申請(qǐng)日期:2014年5月29日 優(yōu)先權(quán)日:2014年5月29日
【發(fā)明者】不公告發(fā)明人 申請(qǐng)人:蘇州市新誠(chéng)氏電子有限公司