半導體裝置以及半導體裝置的制造方法

半導體裝置以及半導體裝置的制造方法
【專利摘要】本發明涉及半導體裝置以及半導體裝置的制造方法，其提高半導體裝置的可靠性。半導體裝置（1)具有搭載了半導體芯片（3)的管芯焊盤(10)。管芯焊盤（10)以使位于搭載了半導體芯片(3)的上表面（10a)的相反側的下表面（10b)露出的方式被樹脂密封。另外，管芯焊盤（10)在俯視時，具有包括搭載了半導體芯片（3)的區域的中央部（11)、和設置在中央部（11)的旁邊的邊緣部（12)。另外，在中央部（11)和邊緣部（12)的邊界，設置了以使邊緣部（12)的高度高于中央部(11)的高度的方式來形成的階梯面（13a)。
【專利說明】半導體裝置以及半導體裝置的制造方法

【技術領域】
[0001] 本發明涉及半導體裝置及其制造技術，涉及適用于將例如半導體芯片搭載于管芯 焊盤（die pad)上的半導體裝置的有效技術。

【背景技術】
[0002] 在日本特開2001-85591號公報（專利文獻1)中，記載了在搭載半導體芯片的管 芯焊盤（芯片焊盤）的上表面形成槽。
[0003] 另外，在日本特開2008-211231號公報（專利文獻2)中，記載了以使搭載半導體 芯片的管芯焊盤的圓形的中央部相比周圍而配置于上方的方式實施沖壓加工。
[0004] 另外，在日本特開2002-134677號公報（專利文獻3)中，記載了在搭載半導體芯 片的管芯焊盤（島部）的邊緣附近，設置下表面的一部分通過蝕刻被去除了的薄壁部，并在 薄壁部中形成有狹縫的構造。
[0005] 【專利文獻1】日本特開2001-85591號公報 [0006]【專利文獻2】日本特開2008-211231號公報 [0007]【專利文獻3】日本特開2002-134677號公報


【發明內容】

[0008] 作為半導體裝置的封裝方式，有使搭載半導體芯片的管芯焊盤（片（tab))從密封 體露出的、所謂片露出型的半導體裝置。片露出型的半導體裝置能夠增大半導體裝置的向 外部的散熱路徑的面積，所以能夠提高散熱性。另外，通過對管芯焊盤和半導體芯片進行電 連接，能夠將管芯焊盤用作端子。
[0009] 在這樣的半導體裝置中，管芯焊盤的平面面積大于半導體芯片的平面面積。但是， 如果管芯焊盤的平面面積變大，則密封半導體芯片的密封體和管芯焊盤易于發生剝離，半 導體裝置的可靠性降低成為問題。
[0010] 其他課題和新的特征根據本說明書的記述以及附圖將更加明確。
[0011] 一個實施方式的半導體裝置具有搭載了半導體芯片的管芯焊盤。上述管芯焊盤以 使位于搭載了上述半導體芯片的第一面的相反側的第二面露出的方式被樹脂密封。另外， 上述管芯焊盤在俯視時，具有包括搭載了上述半導體芯片的區域的第一部分、和設置于上 述第一部分的旁邊的第二部分。另外，在上述第一部分與上述第二部分的邊界處，設置了以 使上述第二部分的高度高于上述第一部分的高度的方式形成了的階梯面。
[0012] 根據上述一個實施方式，能夠提高半導體裝置的可靠性。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0013] 圖1是作為一個實施方式的半導體裝置的頂面圖。
[0014] 圖2是圖1所示的半導體裝置的底面圖。
[0015] 圖3是在去掉了圖1所示的密封體的狀態下示出半導體裝置的內部構造的透視俯 視圖。
[0016] 圖4是沿著圖1的A-A線的剖面圖。
[0017] 圖5是沿著圖1的B-B線的剖面圖。
[0018] 圖6是將圖3所示的管芯焊盤放大而示出的放大俯視圖。
[0019] 圖7是沿著圖6的A-A線的放大剖面圖。
[0020] 圖8是圖3的C部的放大俯視圖。
[0021] 圖9是沿著圖8的A-A線的放大剖面圖。
[0022] 圖10是作為針對圖9的研究例的管芯焊盤的放大剖面圖。
[0023] 圖11是示出圖1?圖10所示的半導體裝置的組裝流程的說明圖。
[0024] 圖12是示出在圖11的引線框準備工序中準備的引線框的整體構造的俯視圖。
[0025] 圖13是圖12所示的多個產品形成部中的一部分的放大俯視圖。
[0026] 圖14是示出在圖11所示的階梯面形成工序中剛要形成階梯面之前的狀態的放大 剖面圖。
[0027] 圖15是示出對圖14所示的管芯焊盤實施沖壓加工而形成了階梯面的狀態的放大 剖面圖。
[0028] 圖16是沿著圖13所示的引線框的引線的延伸方向的放大剖面圖。
[0029] 圖17是沿著圖13所示的引線框的懸掛引線的延伸方向的放大剖面圖。
[0030] 圖18是示出在圖13所示的管芯焊盤上隔著結合（bonding)材料搭載了半導體芯 片的狀態的放大俯視圖。
[0031] 圖19是示出在圖16所示的管芯焊盤上隔著結合材料搭載了半導體芯片的狀態的 放大剖面圖。
[0032] 圖20是示出將圖18所示的半導體芯片、和多個引線以及管芯焊盤經由導線電連 接了的狀態的放大俯視圖。
[0033] 圖21是示出將圖19所示的半導體芯片和多個引線經由導線電連接了的狀態的放 大剖面圖。
[0034] 圖22是將圖21的管芯焊盤的導線連接區域周邊放大而示出的放大剖面圖。
[0035] 圖23是示出在圖20所示的引線框的產品形成部中形成了密封體的狀態的放大俯 視圖。
[0036] 圖24是示出在圖21所示的引線框的產品形成部中形成了密封體的狀態的放大剖 面圖。
[0037] 圖25是在將圖24的一部分放大了的剖面示意地示出密封用的樹脂的流動的說明 圖。
[0038] 圖26是示出在從圖24所示的密封體露出的多個引線以及管芯焊盤的露出面形成 了金屬膜（外裝鍍覆膜、焊錫膜）的狀態的放大剖面圖。
[0039] 圖27是示出將在圖11所示的外裝鍍覆工序中形成了金屬膜的多個引線從引線框 的框部切斷并成形了的狀態的放大俯視圖。
[0040] 【符號說明】
[0041] 1 :半導體裝置；3 :半導體芯片；3a :表面（主面、上表面）；3b :背面（主面、下表 面）；4 :引線（端子、外部端子）；4a :內部引線部；4b :外部引線部；5、5a、5b :導線（導電性 部件）；7 :密封體（樹脂體）；7a :上表面；7b :下表面（背面、安裝面）；7c :側面；7f :填料粒 子；7p :樹脂；8 :芯片結合材料（粘結材料）；9 :懸掛引線；9a :傾斜部；10U0H1 :管芯焊盤 (芯片搭載部、片）；l〇a :上表面（芯片搭載面）；10b :下表面（安裝面）；10c :側面；10d : 芯片搭載區域；l〇wb:導線連接區域（導線接合區域）；11:中央部（部分）；lla:上表面； lib :下表面；12 :邊緣部（部分）；12 :芯片連接部；12a :上表面；12b :下表面；12j :連結 部；13 :階梯部；13a、13b :階梯面；13H1 :折彎部；13Hla :傾斜面；13j :連結部；14 :金屬膜； 15 :狹縫；20 :引線框；20a :產品形成部；20b :外框；20c :框部（壩體部）；21 :聯結桿（tie bar)(壩體部）；31、32 :夾具（剪切夾具）；31、32 :夾具；31a :上夾具；31b :下夾具；32a :上 夾具；32b :下夾具；35 :成形模具；36 :上模（第一模具）；36a :模具面（第一模具面）；36b : 空腔（凹部）；37 :下模（第二模具）；37a :模具面（第二模具面）；37b :空腔（凹部）；CP : 毛細管；Cu :銅；HS :加熱平臺（加熱臺）；HSa :管芯焊盤保持面；HSb :引線保持面；HSc :邊 緣部保持面；HT :加熱器（熱源）；PD :焊盤（電極、結合焊盤）；SD :金屬膜（外裝鍍覆膜、焊 錫膜）。

【具體實施方式】
[0042](本申請中的記載形式?基本的用語?用法的說明）
[0043] 在本申請中，在實施方式的記載中，根據需要，為便于說明分成多個部分等來記 載，但除了特別明示了并非如此的意思的情況以外，它們并非相互獨立的單獨部分，不論記 載的前后，關于單一的例子的各部分，一方是另一方的部分詳細或者一部分或者全部的變 形例等。另外，原則上，關于同樣的部分省略重復的說明。另外，關于實施方式中的各構成 要素，除了特別明示了并非如此的意思的情況、邏輯上限定于該數量的情況以及根據文章 前后關系并非明確地如此的情況以外，并非必須。
[0044] 同樣地，在實施方式等的記載中，關于材料、組成等，即使是"由A構成的X"等，除 了特別明示了并非如此的意思的情況以及根據文章前后關系并非明確地如此的情況以外， 并不排除包括A以外的要素的部分。例如，在說明成分時，是"作為主要的成分包含A的X" 等意思。例如，即便是"硅部件"等，也不限于純粹的硅，當然還包括SiGe(硅-鍺）合金、 其他以硅為主要的成分的多元合金、包含其他添加物等的部件。另外，即便是鍍金、Cu層、 鍍鎳等，除了并非如此的意思、特別明示了的情況以外，不僅是純粹的例子，而且還分別包 括以金、Cu、鎳等為主要的成分的部件。
[0045] 進而，即使論及特定的數值、數量，除了特別明示了并非如此的意思的情況、理論 上限定于該數量的情況以及根據文章前后關系并非明確地如此的情況以外，也可以是超過 該特定的數值的數值，也可以是小于該特定的數值的數值。
[0046] 另外，在實施方式的各圖中，用同一或者類似的記號或者參照編號表示同一或者 同樣的部分，說明原則上不反復。
[0047] 另外，在附圖中，在反而變得繁雜的情況或者與空隙的區分明確的情況下，即使是 剖面，也有時省略陰影線等。與其關聯地，在根據說明等明確等的情況下，即便是平面上封 閉的孔，也有時省略背景的輪廓線。進而，即使是剖面，為了明示并非空隙，或者為了明示區 域的邊界，有時附加陰影線、點圖案。
[0048] 在以下的實施方式中說明的技術能夠應用于使用引線框來制造的各種封裝類型 的半導體裝置，但在本實施方式中，作為一個例子，說明應用于作為外部端子的多個引線在 密封體的側面露出的、QFP (Quad Flat Package，方型扁平封裝）型的半導體裝置的實施方 式。圖1是本實施方式的半導體裝置的頂面圖、圖2是圖1所示的半導體裝置的底面圖。另 夕卜，圖3是在將圖1所示的密封體去掉了的狀態下示出半導體裝置的內部構造的透視俯視 圖。另外，圖4是沿著圖1的A-A線的剖面圖、圖5沿著圖1的B-B線的剖面圖。
[0049] 〈半導體裝置〉
[0050] 首先，使用圖1?圖5,說明本實施方式的半導體裝置1的結構的概要。本實施方 式的半導體裝置1具備管芯焊盤（芯片搭載部、片）10 (參照圖3?圖5)、和在管芯焊盤10 上隔著芯片結合材料（粘結材料）8 (參照圖3?圖5)搭載了的半導體芯片3 (參照圖3? 圖5)。另外，半導體裝置1具有在半導體芯片3(管芯焊盤10)的旁邊（周圍）配置了的多 個引線（端子、外部端子）4、以及將半導體芯片3的多個焊盤（電極、結合焊盤）PD (參照圖 3、圖4)和多個引線4分別電連接的多個導線（導電性部件）5(參照圖3、圖4)。另外，半 導體裝置1具備對半導體芯片3以及多個導線5進行密封的密封體（樹脂體）7。另外，對 管芯焊盤10,連接了多個懸掛引線9。
[0051] 〈外觀構造〉
[0052] 首先，說明半導體裝置1的外觀構造。圖1所示的密封體（樹脂體）7的平面形狀 是四邊形。詳細而言，各角部被預先倒角加工，由此抑制了密封體7的缺口。密封體7具有 上表面7a、與該上表面7a相反一側的下表面（背面、安裝面）7b (參照圖2)、以及位于該上 表面7a與下表面7b之間的側面7c。側面7c如圖4所示為傾斜面。密封體7的角部包括 作為密封體7的四邊（四個主邊）中的、交叉的任意的二邊（二個主邊）的交點的角的周 邊區域。另外，嚴謹而言，如圖1所示，密封體7的角部的一部分被倒角加工，所以主邊的交 點比密封體7的角部配置于外側。但是，倒角加工部與主邊的長度相比充分小，所以在本申 請中，將倒角加工部的中心視作密封體7的角而進行說明。即，在本申請中，作為在密封體 7的四邊（四個主邊）中的、任意的二邊（二個主邊）交叉的區域，在該區域被倒角加工了 的情況下，該倒角加工部相當于角部，在該區域未被倒角加工了的情況下，任意的二邊（二 個主邊）的交點相當于角部。以下，在本申請中，在說明為密封體7的角部時，除了明確記 載了特別不同的意思、在內容中使用的意思的情況以外，用作與上述同樣的意思、內容。
[0053] 另外，如圖1以及圖2所示，在半導體裝置1中，沿著密封體7的各邊（各主邊），分 別配置了多個引線4。多個引線4分別由金屬材料構成，在本實施方式中，由以例如銅（Cu) 為主體的金屬構成。另外，在圖1以及圖2所示的例子中，多個引線4各自從密封體7的側 面7c向外側突出一部分（外部引線部4b)，在密封體7的外側，鷗形翼（Gull Wing)狀地形 成。換言之，多個引線4的外部引線部4b分別具備多個彎曲部，外部引線部4b的端部配置 于比密封體7的下表面7b低的位置。另外，在引線4的從密封體7起的露出部（外部引線 部4b)形成了金屬膜SD，覆蓋了上述基體材料的下表面。金屬膜SD由通過例如鍍覆法形成 了的焊錫膜（外裝鍍覆膜）構成，在將引線4與未圖示的安裝基板側的端子接合時作為接 合材料發揮功能。
[0054] 本實施方式的金屬膜SD由實質上不包含鉛（Pb)的所謂無鉛焊錫構成，例如僅為 錫（Sn)、或者是錫-鉍（Sn-Bi)、或者錫-銅-銀（Sn-Cu-Ag)等。此處，無鉛焊錫是指： 鉛（Pb)的含量是0· lwt %以下的焊錫，其含量被確定為RoHS (Restriction of Hazardous Substances,有害物質限用）指令的基準。
[0055] 另外，如圖2所示，管芯焊盤（芯片搭載部、片）10的下表面10b在密封體7的下表 面7b從密封體7露出。即，半導體裝置1是管芯焊盤露出型（片露出型）的半導體裝置。
[0056] 管芯焊盤10由熱傳導率比密封體7高的金屬材料構成，在本實施方式中，例如由 銅（Cu)、或者在由銅（Cu)構成的基體材料的表面形成了例如由鎳（Ni)構成的金屬膜（省 略圖示）的層疊金屬膜構成。這樣，關于管芯焊盤露出型的半導體裝置，通過使熱傳導率比 密封體7高的、例如銅（Cu)等的金屬部件（管芯焊盤10)露出，相比于管芯焊盤10未露出 的半導體裝置，能夠提高封裝的散熱性。另外，在將半導體裝置1安裝到未圖示的安裝基板 時，如果將管芯焊盤10的下表面l〇b與安裝基板的端子經由例如焊錫材料（接合材料）連 接，則能夠使在半導體裝置1中產生了的熱更高效地向安裝基板側散熱。
[0057] 另外，如圖3以及圖4所示，在本實施方式中，對半導體芯片3和管芯焊盤10進行 電連接，將管芯焊盤10用作外部端子。通過這樣使管芯焊盤10的下表面l〇b露出而與未 圖示的安裝基板進行電連接，能夠有效地利用半導體裝置1的端子配置空間。另外，對管芯 焊盤10供給例如基準電位（例如接地電位）。根據使半導體裝置1的電特性提高的觀點， 關于供給基準電位的端子，優選增大傳送路徑的面積。即，通過如圖3、圖4所示，作為被供 給了基準電位的外部端子，利用管芯焊盤10,從而能夠擴大傳送路徑的面積，并提高半導體 裝置1的電特性。
[0058] 另外，在圖2所示的例子中，在管芯焊盤10的下表面10b，形成了在安裝時作為接 合材料發揮功能的金屬膜SD，并覆蓋著所述基體材料的下表面。金屬膜SD是如上述那樣通 過例如鍍覆法形成了的焊錫膜。通過這樣在管芯焊盤10的露出面形成金屬膜SD，能夠將管 芯焊盤10容易地與未圖示的安裝基板的端子連接。
[0059] 〈內部構造〉
[0060] 接下來，說明半導體裝置1的內部構造。如圖3所示，關于管芯焊盤10的上表面 (芯片搭載面）l〇a，平面形狀由四邊形構成。另外，在本實施方式中，相比于半導體芯片3的 外形尺寸（圖4所示的背面3b的平面尺寸），管芯焊盤10的外形尺寸（平面尺寸）更大。 通過這樣將半導體芯片3搭載于具有比其外形尺寸更大的面積的管芯焊盤10,并如圖2所 示使管芯焊盤10的下表面l〇b從密封體7露出，能夠提高散熱性。管芯焊盤10的其他詳 細的構造將后面敘述。
[0061] 另外，如圖3所示，在管芯焊盤10的周圍（半導體芯片3的周圍），配置多個引線 4。如圖4所示，多個引線4分別具備被密封體7密封的內部引線部4a、和從密封體7露出 的外部引線部4b。另外，在外部引線部4b的表面（上表面、下表面、以及側面）形成了金屬 膜SD。另外，在內部引線部4a中，包括接合導線5的導線結合部。
[0062] 另外，如圖3所示，對管芯焊盤10連接（連結）了多個懸掛引線9。多個懸掛引線 9各自的一個端部在俯視時與構成四邊形的管芯焊盤10的角部（角）連接。另外，多個懸 掛引線9各自的另一個端部朝向密封體7的角部延伸，在角部從密封體7露出。
[0063] 但是，如圖4所示，管芯焊盤10配置（偏移（offset)配置）于與內部引線部4a不 同的高度。詳細而言，管芯焊盤10配置（下移（downset)配置）于比內部引線部4a低的 位置。在如本實施方式那樣引線4被形成為鷗形翼狀的封裝中，引線4優選在密封體7的 側面7c，從作為上表面7a和下表面7b的中間的位置導出。這是為了將內部引線部4a用密 封體7緊固地固定。另一方面，為了使管芯焊盤10從密封體7露出，需要配置于與內部引 線部4a不同的高度。因此，在本實施方式中，對管芯焊盤10進行了偏移配置（下移配置）。
[0064] 作為這樣進行偏移配置的方法，在本實施方式中，在支撐管芯焊盤10的多個懸掛 引線9的各個中形成了傾斜部9a(參照圖5)。由此，能夠對管芯焊盤10進行偏移配置（下 移配置）。
[0065] 另外，如圖3所示，在管芯焊盤10上搭載了半導體芯片3。半導體芯片3搭載于位 于管芯焊盤10的中央的芯片搭載區域l〇d(參照圖4、圖5)上。如圖4所示，半導體芯片3 在背面3b與管芯焊盤10的上表面10a對置的狀態下，隔著結合材料（粘結材料）8搭載于 管芯焊盤10上。即，通過使形成了多個焊盤的表面（主面）3a的相反面（背面3b)與 芯片搭載面（上表面l〇a)對置的、所謂面朝上安裝方式來搭載。該芯片結合材料8是對半 導體芯片3進行管芯結合時的粘結材料，使用例如環氧系的粘結材料，或者在環氧系的熱 硬化性樹脂中含有由銀（Ag)等構成的金屬粒子的導電性粘結材料。
[0066] 如圖3所示，在管芯焊盤10上搭載的半導體芯片3的平面形狀由四邊形構成。 在本實施方式中，是例如正方形。另外，如圖4所示，半導體芯片3具有表面（主面、上表 面）3a、與表面3a相反側的背面（主面、下表面）3b、以及位于該表面3a與背面3b之間的 側面。另外，如圖3以及圖4所示，在半導體芯片3的表面3a形成了多個焊盤（結合焊盤） PD，在本實施方式中，沿著表面3a的各邊形成了多個焊盤H)。另外，雖然省略圖示，但在半 導體芯片3的主面（詳細而言，在半導體芯片3的基體材料（半導體基板）的上表面設置 的半導體元件形成區域），形成了多個半導體元件（電路元件）。另外，多個焊盤ro經由在 半導體芯片3的內部（詳細而言，表面3a和未圖示的半導體元件形成區域之間）配置的布 線層中形成了的布線（省略圖示），與該半導體元件電連接。
[0067] 半導體芯片3 (詳細而言，半導體芯片3的半導體基板）由例如硅（Si)構成。另 夕卜，在表面3a形成了覆蓋半導體芯片3的基體材料以及布線的絕緣膜，多個焊盤各自的 表面在形成于該絕緣膜中的開口部中，從絕緣膜露出。另外，該焊盤ro由金屬構成，在本實 施方式中，由例如鋁（A1)構成。另外，在焊盤ro中，也可以采用以鋁（A1)為主體的合金層。
[0068] 另外，如圖3所示，在半導體芯片3的周圍（詳細而言，管芯焊盤10的周圍），配置 了例如與管芯焊盤10相同的由銅（Cu)構成的多個引線4。另外，在半導體芯片3的表面 3a形成了的多個焊盤（結合焊盤）PD經由多個導線（導電性部件）5與多個引線4分別電 連接。導線5由例如金（Au)構成，導線5的一部分（例如一個端部）與焊盤接合，其他 部分（例如另一個端部）與引線4的結合區域接合。另外，雖然省略圖示，但優選在引線4 的結合區域的表面形成由例如銀（Ag)或者金（Au)構成的鍍覆膜。通過在引線4(內部引 線部4a)的結合區域（導線結合區域）的表面形成由銀（Ag)、金（Au)構成的鍍覆膜，能夠 提高與由金（Au)構成的導線5的接合強度。
[0069] 另外，在本實施方式中，多個焊盤ro中的一部分經由導線（導電性部件）5b與管 芯焊盤10的導線結合區域電連接。換言之，在與半導體芯片3的多個焊盤ro連接的多個 導線5中，包括對多個焊盤ro和多個引線4進行電連接的多個導線5a、以及對焊盤ro和管 芯焊盤10進行電連接的導線5b。通過這樣經由導線5b對半導體芯片3的焊盤ro和管芯 焊盤10進行電連接，能夠將管芯焊盤10有效利用為外部端子。例如，如上述那樣，對管芯 焊盤10供給基準電位（例如接地電位），經由管芯焊盤10以及導線5b對半導體芯片3供 給基準電位。
[0070] 〈管芯焊盤的詳細構造〉
[0071] 接下來，說明圖2?圖4所示的管芯焊盤10的詳細的構造、以及通過采用該構造 而得到的效果。圖6是將圖3所示的管芯焊盤放大而示出的放大俯視圖。另外，圖7是沿 著圖6的A-A線的放大剖面圖。另外，圖8是圖3的C部的放大俯視圖，圖9是沿著圖8的 A-A線的放大剖面圖。另外，在圖6中，為了易于判定中央部11和邊緣部12的邊界，對邊緣 部12附加點圖案而示出。另外，在圖9中，為了明確示出導線5的一部分（導線5a)與引 線4連接，導線5的另一部分（導線5b)與管芯焊盤10連接，用虛線表示導線5a，用實線表 示導線5b。
[0072] 在本實施方式的半導體裝置1中，如使用圖1?圖5說明，管芯焊盤10的平面面 積大于半導體芯片3的背面3b的平面面積。另外，如圖4所示，使比半導體芯片3的平面 面積大的管芯焊盤10的下表面l〇b從密封體7露出。但是，如果管芯焊盤10的平面面積 變大，則對半導體芯片3進行密封的密封體7和管芯焊盤10易于發生剝離，半導體裝置1 的可靠性降低成為問題。例如，半導體芯片3和管芯焊盤10的線膨脹系數不同，所以施加 溫度循環，從而易于在半導體芯片3和管芯焊盤10的粘結界面中產生剝離。詳細而言，在 對半導體芯片3進行粘結固定的管芯結合材料8和管芯焊盤10的粘結界面，產生溫度循環 負荷所引起的應力，由于該應力而發生剝離。該溫度循環負荷所引起的應力與管芯焊盤10 的平面面積成比例地變大，所以如果管芯焊盤10的平面面積變大，則易于發生剝離。
[0073] 另外，如果在管芯焊盤10和管芯結合材料8的粘結界面發生了剝離之后，進而施 加溫度循環負荷，則以剝離的發生部位為起點，剝離朝向管芯焊盤10的邊緣部（側面l〇c) (沿著管芯焊盤10的上表面l〇a)發展。另外，在管芯焊盤10的芯片搭載區域10d與側面 l〇c之間，密封體7和管芯焊盤10的上表面10a緊貼，但管芯焊盤10和密封體7的緊貼強 度相比于管芯焊盤10和芯片結合材料8的緊貼強度，為相同的程度或者在其以下。因此， 上述剝離發展至管芯焊盤10和密封體7的緊貼界面。
[0074] 如果管芯焊盤10和密封體7的緊貼性降低，則成為管芯焊盤10從密封體7脫落等 的原因，所以根據抑制半導體裝置1的可靠性降低的觀點，優選防止或者抑制剝離的發展。 特別，在如本實施方式那樣地對管芯焊盤10的一部分接合導線5b的情況下，如果剝離發展 至導線5b和管芯焊盤10的接合部，則成為導線5b斷線的原因。因此，根據提高半導體裝 置1的電可靠性的觀點，優選防止或者抑制剝離的發展。
[0075] 此處，本實施方式的半導體裝置1所具備的管芯焊盤10如圖6所示，在俯視時，具 有作為包括芯片搭載區域l〇d的部分的中央部11、和作為以包圍中央部11的方式設置的 部分的邊緣部12。另外，如圖7所示，在中央部11和邊緣部12的邊界，以相比于中央部11 的高度使邊緣部12的高度更高的方式，設置了階梯面13a、13b。
[0076] 換言之，如圖7所示，管芯焊盤10的中央部11具有作為芯片搭載面的上表面11a、 以及位于上表面11a的相反側的下表面lib。另外，在中央部11的外側（側面10c側）設 置的邊緣部12具有與中央部11的上表面11a朝向相同方向（在圖7所示的例子中Z方 向）的上表面12a、以及位于上表面12a的相反側的下表面12b。另外，在中央部11和邊緣 部12的邊界形成了階梯部13,邊緣部12的上表面12a處于比中央部11的上表面11a高的 位置。另外，邊緣部12的下表面12b處于比中央部11的下表面lib高的位置。
[0077] 進一步換而言之的話，在管芯焊盤10的邊緣部12的上表面12a與中央部11的上 表面11a之間，沿著相對于上表面11a以及上表面12a正交的厚度方向（在圖7中Z方向） 形成了階梯面13a。階梯面13a與邊緣部12的上表面12a以及中央部11的上表面11a分 別相連。另外，在管芯焊盤10的邊緣部12的下表面12b與中央部11的下表面lib之間，沿 著相對下表面lib以及下表面12b正交的厚度方向（在圖7中Z方向）形成了階梯面13b。 階梯面13b與邊緣部12的下表面12b以及中央部11的下表面lib分別相連。
[0078] 詳細情況將后面敘述，階梯部13是通過在用未圖示的夾具（剪切夾具）按壓了管 芯焊盤10的中央部11和邊緣部12的狀態下施加沖壓加工的加工法（以下記載為錯開加 工）形成的。這樣通過錯開加工形成了的階梯部13的階梯面13a、13b分別成為通過夾具 剪切了的剪切面。
[0079] 另外，在本實施方式的半導體裝置1具備的管芯焊盤10的邊緣部12,設置了作為 對導線5b(參照圖8、圖9)進行電連接的區域的導線連接區域10wb。換言之，在本實施方 式的半導體裝置1中，在管芯焊盤10的上表面l〇a側設置的導線連接區域10wb與芯片搭 載區域10d之間，配置了具有階梯面13a的階梯部13。
[0080] 此處，說明在本實施方式的半導體裝置1(參照圖8)中，在管芯焊盤10和管芯結 合材料8的粘結界面發生了剝離的情況下的剝離發展的傾向。如果如在圖9中示意地附加 箭頭所示的那樣，在管芯焊盤10和管芯結合材料8的粘結界面中發生了剝離，則剝離沿著 管芯焊盤10的上表面l〇a從中央部11朝向邊緣部12發展。另外，如果剝離到達至密封體 7和管芯焊盤10的上表面10a的緊貼界面，則密封體7和管芯焊盤10的剝離發展。
[0081] 此時，密封體7和管芯焊盤10的緊貼界面的剝離沿著中央部11的上表面11a，朝 向邊緣部12平面地發展。因此，如果如本實施方式那樣，在導線連接區域10wb與芯片搭載 區域l〇d(參照圖7)之間設置了階梯面13a(階梯部13)，則在階梯面13a和上表面11a的 邊界易于使剝離的發展停止。
[0082] 另外，如圖6所示，本實施方式的階梯面13a被設置成連續地包圍芯片搭載區域 l〇d的周圍、換而言之的話圖3所示的半導體芯片3的周圍。因此，即使在例如圖9所示的 密封體7和管芯焊盤10的緊貼界面的剝離在俯視時朝向全方位發展了的情況下，在導線連 接區域10wb與芯片搭載區域10d之間，一定存在階梯面13a。因此，能夠防止剝離蔓延發展 到未設置階梯部13的部分。
[0083] 另外，如圖7所示，通過錯開加工形成了的階梯面13a和中央部11的上表面11a 所呈的角θ 1形成為例如直角、或者比直角小的銳角。在圖7所示的例子中，階梯面13a和 中央部11的上表面11a所呈的角Θ1為直角（90° )。這樣，如果配置以相對剝離的發展 方向呈直角或者銳角的方式設置的階梯面13a，則更易于抑制發展。
[0084] 但是，作為將邊緣部12配置于比中央部11高的位置并在邊緣部12設置導線連接 區域l〇wb的結構，考慮如圖10所示的研究例的管芯焊盤10那樣，在邊緣部12與中央部11 之間實施彎曲加工，而形成了折彎部13H1的實施方式。圖10是作為針對圖9的研究例的 管芯焊盤的放大剖面圖。關于圖10所示的管芯焊盤10H1具有的折彎部13H1，與圖4所示 的引線4的外部引線部4b同樣地，實施基于例如沖壓加工的彎曲加工。折彎部13H1的上表 面l〇a為相對中央部11的上表面11a、以及邊緣部12的上表面12a傾斜的傾斜面13Hla。
[0085] 在如管芯焊盤10H1那樣地在邊緣部12的導線連接區域10wb與中央部11的芯片 搭載區域lOd之間設置了傾斜面13Hla的情況下，當與未圖示的平坦構造的管芯焊盤進行 比較，能夠抑制剝離的發展。但是，關于通過彎曲加工形成了的傾斜面13Hla，難以如圖7所 示的階梯面13a那樣以陡峭的角度形成。因此，如圖10所示，通過彎曲加工形成了的傾斜 面13Hla和中央部11的上表面11a所呈的角Θ 2為比直角大的鈍角，所以抑制剝離的發展 的效果相比于圖7所示的實施方式相對低。換言之，如果如圖7所示通過錯開加工形成階 梯面13a，則相比于如圖10所示地通過彎曲加工形成傾斜面13Hla的實施方式，抑制剝離的 發展的效果變大。
[0086] 另外，在通過彎曲加工形成了傾斜面13Hla的情況下，在俯視時，需要折彎部13H1 的配置空間，所以管芯焊盤10H1的平面尺寸變大。另一方面，如果如圖7所示地通過錯開 加工形成階梯面13a，則在俯視時，幾乎無需階梯部13的配置空間，所以能夠減小管芯焊盤 10的平面尺寸。
[0087] 另外，在通過彎曲加工形成了傾斜面13Hla的情況下，在相對上表面11a正交的方 向的剖面視圖（即圖10所示的剖面視圖）中，中央部11的上表面11a和傾斜面13Hla的邊 界的角易于變圓。另一方面，在如圖7所示，通過錯開加工形成了作為剪切面的階梯面13a 的情況下，中央部11的上表面11a和階梯面13a的邊界的角不易變圓。另外，即使在錯開 加工的情況下，也存在微觀上角變圓的情況，但在與彎曲加工的情況進行比較時，變圓的部 分的半徑（R徑）極其小。換言之，在圖7所示的例子中，在中央部11的上表面11a和階梯 面13a的邊界，存在針對上表面11a的傾斜角度變化的拐點（拐線）。
[0088] 通過這樣以存在傾斜角度相對剝離的發展方向變化的拐點的方式形成階梯面 13a，在拐點中，易于抑制剝離的發展。另外，雖然省略圖示，但通過例如如圖7所示的階梯 面13a那樣，形成相對中央部11的上表面11a呈直角的階梯面13a的方法，還考慮通過蝕刻 處理等利用了化學反應的去除處理，將管芯焊盤10的中央部11的一部分去除來形成的實 施方式。但是，在通過蝕刻處理形成了階梯面13a的情況下，中央部11的上表面11a和階 梯面13a的邊界的角易于變圓。因此，根據抑制剝離的發展的觀點，特別優選如圖7所示， 通過錯開加工形成階梯面13a。
[0089] 另外，圖7所示的中央部11和邊緣部12的錯開量、即階梯面13a、13b的高度相對 管芯焊盤10的板厚（在圖7所示的例子中Z方向的長度）為一半以下例如1/3左右。在 圖7所示的例子中，中央部11以及邊緣部12的板厚分別是150 μ m左右。相對于此，階梯 面13a、13b的高度、即Z方向的長度為50 μ m左右。
[0090] 如圖7所示，在實施錯開加工的情況下，位于階梯面13a、13b之間的連結部13j的 厚度比被加工物（在本實施方式中為管芯焊盤10)的板厚更薄。因此，根據提高將管芯焊 盤10的中央部11和邊緣部12連結的連結部13j的強度的觀點，優選使階梯面13a、13b的 高度分別為管芯焊盤10的板厚的一半以下。在圖7所示的例子中，連結部13j的厚度為 100 μ m左右。
[0091] 另外，在圖7所示的例子中，在導線連接區域10wb與階梯面13a之間，形成有多個 狹縫15。狹縫15是以在管芯焊盤10的邊緣部12所具有的上表面12a和下表面12b中從 一個面貫通至另一個面的方式形成了的貫通槽。
[0092] 如上所述，在本實施方式中，通過錯開加工形成階梯面13a、13b，所以邊緣部12的 下表面12b的位置配置于比中央部11的下表面lib高的位置。因此，如圖9所示，邊緣部 12的下表面12b被密封體7覆蓋。另外，在本實施方式中，在邊緣部12設置了導線連接區 域10wb，所以邊緣部12的寬度（相對延伸方向正交的方向的長度、在圖7中為X方向的長 度）變長。在例如圖7所示的例子中，邊緣部12的寬度大于邊緣部12的厚度，是2mm左右。
[0093] 此處，說明了作為管芯焊盤10和密封體7剝離的原因，在半導體芯片3和管芯焊 盤10的粘結部中發生剝離，該剝離朝向管芯焊盤10的邊緣部12發展的模式。但是，在如 本實施方式那樣使管芯焊盤10的下表面l〇b的一部分（下表面lib)從密封體7露出的類 型的半導體裝置的情況下，作為管芯焊盤10和密封體7剝離的原因，存在其他模式。即，有 時水分從管芯焊盤10的露出部（下表面lib)中的密封體7和管芯焊盤10的緊貼界面侵 入，由于該水分而密封體7和管芯焊盤10剝離。作為從該下表面lib側起的剝離模式的原 因的水分主要從封裝的外部侵入。在管芯焊盤10的露出部的端部，如果密封體7和管芯焊 盤10緊貼，則能夠防止水分的侵入。但是，在管芯焊盤10與密封體7之間有間隙的情況下， 侵入到間隙的水分沿著管芯焊盤10侵入到內部，使管芯焊盤10和密封體7的緊貼性降低。 [0094] 詳細情況將后面敘述，在本實施方式中，通過在將軟化了的樹脂壓入到未圖示的 成形模具內之后使其硬化的所謂傳遞模方式，形成圖9所示的密封體7。在該情況下，如果 如本實施方式那樣，邊緣部12的下表面12b的面積變寬，則難以以覆蓋下表面12b的整體 的方式供給樹脂。另外，如果在邊緣部12與密封體7之間產生了間隙，則有如上所述，水分 從間隙侵入，成為使管芯焊盤10和密封體7的緊貼性降低的原因的擔憂。
[0095] 因此，根據降低作為水分侵入的原因的密封體7與管芯焊盤10之間的間隙的觀 點，如本實施方式那樣，為了易于向面積大的邊緣部12的下表面12b側供給樹脂，優選在導 線連接區域l〇wb與階梯面13a之間設置狹縫15。如果設置狹縫15,則在通過傳遞模方式 形成密封體7時，能夠將狹縫15有效利用作樹脂或者氣體的流路。因此，樹脂向邊緣部12 的下表面12b側的填充性提高。
[0096] 另外，在圖9所示的例子中，狹縫15設置于導線連接區域10wb與中央部11之間、 即邊緣部12中的、在中央部11中比側面10c更接近階梯面13a的位置。由此，樹脂向邊緣 部12的下表面12b側的填充性進一步提高，能夠用樹脂（密封體7)覆蓋邊緣部12的下表 面12b以及下表面10b側的階梯面13b。
[0097] 另外，假設在上述剝離的發展越過階梯面13a而發展至邊緣部12的上表面12a側 的情況下，通過在導線連接區域l〇wb與階梯面13a之間設置狹縫15,能夠通過狹縫15抑 制剝離的發展。但是，為了在邊緣部12設置導線連接區域10wb并且對中央部11的下表面 lib和邊緣部12進行電連接，無法以在俯視時包圍階梯部13的周圍的方式連續地設置狹縫 15。
[0098] 例如，在圖6所示的例子中，在懸掛引線9的延長線上，未形成狹縫15。另外，在管 芯焊盤10的各邊的中央部分，設置了將導線連接區域l〇wb和中央部11連結的連結部12j。 換言之，在本實施方式中，關于管芯焊盤10,以斷續地包圍中央部11的周圍的方式，配置有 多個狹縫15。
[0099] 因此，在不設置例如如圖6所示的階梯部13那樣連續地包圍芯片搭載區域10d的 周圍的部分，而只想要僅僅通過狹縫15防止剝離的發展的情況下，剝離從懸掛引線9的延 長線上的部分、連結部12j蔓延發展至導線連接區域10wb。即，在本實施方式中，通過以連 續地包圍芯片搭載區域l〇d的周圍的方式設置階梯面13a(階梯部13)，并且在階梯面13a 與導線連接區域l〇wb之間設置狹縫15,能夠更可靠地防止剝離發展至導線連接區域10wb。
[0100] 另外，在圖6以及圖7所示的例子中，在邊緣部12的上表面12a的一部分設置的 導線連接區域l〇wb中，形成了作為由例如銀（Ag)或者金（Au)構成的鍍覆膜的金屬膜14。 通過在管芯焊盤10的導線連接區域l〇wb的表面，形成由銀（Ag)、金（Au)構成的金屬膜14， 從而能夠提高與由金（Au)構成的導線5的接合強度。
[0101] 〈半導體裝置的制造工序〉
[0102] 接下來，說明使用圖1?圖9說明了的半導體裝置1的制造工序。本實施方式中 的半導體裝置1是按照圖11所示的組裝流程制造的。圖11是示出圖1?圖9所示的半導 體裝置的組裝流程的說明圖。
[0103] 1.引線框準備工序；
[0104] 首先，作為圖11所示的引線框準備工序，準備圖12所示那樣的引線框20。圖12 是示出在圖11的引線框準備工序中準備的引線框的整體構造的俯視圖，圖13是圖12所示 的多個產品形成部中的一部分的放大俯視圖。另外，圖14是示出在圖11所示的階梯面形 成工序中剛要形成階梯面之前的狀態的放大剖面圖。另外，圖15是示出對圖14所示的管 芯焊盤實施沖壓加工而形成了階梯面的狀態的放大剖面圖。另外，圖16是沿著圖13所示 的引線框的引線的延伸方向的放大剖面圖。另外，圖17是沿著圖13所示的引線框的懸掛 引線的延伸方向的放大剖面圖。
[0105] 在本工序中準備的引線框20在外框20b的內側具備多個產品形成部20a。在圖 12所示的例子中，關于引線框20,而矩陣狀地配置了行方向上14個且列方向上4個的產品 形成部20a，具備合計56個產品形成部20a。引線框20由以例如銅（Cu)為主體的金屬膜 構成。
[0106] 另外，在各產品形成部20a之間，配置了分別包圍各產品形成部20a的周圍的框部 (壩體部）20c。如圖13所示，框部20c被形成為包圍多個引線4的周圍，與圖12所示的外 框20b -體地形成。
[0107] 另外，如圖13所示，在各產品形成部20a的中央部，形成了在俯視時呈四邊形的管 芯焊盤10。在管芯焊盤10的4個角部，分別連接了多個懸掛引線9,并將多個懸掛引線9 配置成朝向產品形成部20a的角部延伸。另外，在管芯焊盤10的周圍，在多個懸掛引線9 之間分別形成了多個引線4。另外，多個引線4與相對管芯焊盤10比多個引線4配置于外 側的框部20c分別連接。換言之，引線框20具備框部20c、在俯視時配置于框部20c的內側 的管芯焊盤10、連結管芯焊盤10和框部20c的多個懸掛引線9、以及配置于管芯焊盤10與 框部20c之間且與框部20c連接的多個引線4。另外，多個引線4經由聯結桿（壩體部）21 連結。該聯結桿21在后面敘述的密封體形成工序中，作為阻攔樹脂的泄漏的壩體部發揮功 能。即，俯視時的密封體7(參照圖1)的輪廓由包圍管芯焊盤10的周圍的聯結桿21規定。
[0108] 另外，在各產品形成部20a的中央配置的管芯焊盤10的上表面10a在俯視時，具 有作為包括芯片搭載區域l〇d的部分的中央部11、和作為以包圍中央部11的方式設置了的 部分的邊緣部12。另外，在中央部11與邊緣部12的邊界，以使邊緣部12的高度高于中央 部11的高度的方式設置了階梯面13a(階梯部13)。另外，如使用圖7說明，在管芯焊盤10 的下表面l〇b側，并且在中央部11和邊緣部12的邊界，以相比于中央部11的下表面lib 使邊緣部12的下表面12b配置于更高的位置的方式，設置了階梯面13b (階梯部13)。
[0109] 另外，在邊緣部12的上表面12a，設置了在后面敘述的導線接合工序中接合導線 的導線連接區域（導線結合區域）l〇wb。在邊緣部12的上表面12a的一部分中設置的導線 連接區域10wb中，形成了作為由例如銀（Ag)或者金（Au)構成的鍍覆膜的金屬膜14。另 夕卜，在導線連接區域l〇wb與階梯面13a之間，如圖7所示，形成有在邊緣部的上表面12a和 下表面12b中從一個面貫通至另一個面的多個狹縫15。
[0110] 上述引線框20是按照例如圖11所示的流程制造的。首先，在圖案化工序中，準備 作為基體材料的金屬板（省略圖示），在該金屬板中對圖13所示的產品形成部20a內的構 成部件（管芯焊盤10、多個引線4以及聯結桿21)的外形形狀進行成形。成形方法沒有特 別限定，能夠通過使用了例如管芯和沖頭的沖壓加工、或者蝕刻來成形。圖13所示的多個 狹縫15能夠在本工序中與多個引線4 一并地形成。
[0111] 接下來，在階梯面形成工序中，如圖7所示，分別在管芯焊盤10的上表面10a形成 階梯面13a，在管芯焊盤10的下表面10b形成階梯面13b。圖7所示的階梯部13是通過如 圖14以及圖15所示地在分別用獨立的夾具（剪切夾具）31、32按壓了邊緣部12和中央部 11的狀態下實施沖壓加工而形成的。
[0112] 如圖14以及圖15所示，將邊緣部12用夾具31夾入、將中央部11用夾具32夾入 而按壓。夾具31具有上夾具31a和下夾具31b，在分別使上夾具31a抵接到作為邊緣部12 的被保持面的上表面12a、使下夾具31b抵接到作為邊緣部12的被保持面的下表面12b的 狀態下，夾入邊緣部12來固定。另一方面，夾具32具有上夾具32a和下夾具32b，在分別 使上夾具32a抵接到中央部11的上表面11a、使下夾具32b抵接到中央部11的下表面lib 的狀態下，夾入芯片連接部12來固定。
[0113] 另外，夾具31、32為能夠相互獨立地移動的構造，如對圖14附加箭頭而示意地所 示，能夠沿著管芯焊盤10的厚度方向（Z方向），使夾具31、32的相對的位置關系錯開。如 圖14所示，在用夾具31、32分別獨立地按壓了邊緣部12和中央部11的狀態下，在管芯焊 盤10的厚度方向上向夾具31、32施加按壓力（即實施沖壓加工）。此時，在管芯焊盤10的 邊緣部12和中央部11的邊界部分，從夾具31、32集中地施加按壓力，所以邊緣部12和中 央部11的厚度方向上的位置關系被錯開。
[0114] 另外此時，在管芯焊盤10的邊緣部12和中央部11的邊界部分，通過從夾具31、32 傳遞了的按壓力，邊界部分的一部分發生剪切變形。但是，通過調整夾具31、32的錯開量， 能夠以未將邊緣部12和中央部11的邊界部分完全切斷而一部分被連結了的狀態殘留。
[0115] S卩，如果實施了錯開加工，則如圖15所示，在管芯焊盤10中，一并地形成連結邊緣 部12和中央部11的連結部13j、朝向連結部13j的下方的階梯面13b、以及從連結部13j 的上端朝向上方的階梯面13a。
[0116] 階梯面13a是通過上夾具32a被壓入到下方且管芯焊盤10的上表面10a側的一 部分剪切變形而形成了的剪切面，與高度不同的邊緣部12的上表面12a和中央部11的上 表面11a分別相連。另外，階梯面13a是通過剪切變形形成的，所以能夠使在與上表面11a、 上表面12a之間所呈的角度變得陡峭。例如，能夠使上表面11a以及上表面12a、和階梯面 13a所呈的角度分別為90°。
[0117] 另外，階梯面13b是通過下夾具31b被壓入上方且管芯焊盤10的下表面10b側的 一部分剪切變形而形成了的剪切面，與高度不同的邊緣部12的下表面12b和中央部11的 下表面lib分別相連。另外，階梯面13b是通過剪切變形形成的，所以能夠使在與下表面 lib、下表面12b之間所呈的角度變得陡峭。例如，能夠使下表面lib以及下表面12b、和階 梯面13b所呈的角度分別為90°。
[0118] 這樣，階梯部13如上所述是通過錯開加工形成的，所以幾乎不需要俯視時的階梯 部13的配置空間（參照圖6)。另外，關于上述錯開加工，在用夾具31、32夾住了管芯焊盤 10的狀態下在厚度方向上使其變形，所以除了變形用的夾具的形狀不同這點以外，能夠通 過與在圖11所示的偏移工序中對圖17所示的懸掛引線9實施彎曲加工的工序同樣的工序 來形成。
[0119] 另外，在上述錯開加工法的情況下，使管芯焊盤10的一部分剪切變形，所以錯開 加工后的斥力、即加工后的管芯焊盤10想要返回原來的形狀的力小（幾乎沒有）。因此，只 要控制夾具31、32的移動量，就能夠高精度地控制中央部11的下表面lib和邊緣部12的 下表面12b的商低差。
[0120] 接下來，在偏移工序中，如圖16所示，以使管芯焊盤10的上表面10a位置（高度） 為低于引線4 (內部引線部4a)的位置（高度）的位置的方式來進行加工（偏移加工）。在 偏移加工的方法中，通過使用例如成形模具進行沖壓加工，能夠使圖17所示的懸掛引線9 變形而偏移（下移）。
[0121] 2.半導體芯片搭載；
[0122] 接下來，作為圖11所示的半導體芯片搭載工序，如圖18以及圖19所示，在管芯焊 盤10上隔著芯片結合材料8搭載半導體芯片3。圖18是示出在圖13所示的管芯焊盤上隔 著結合材料搭載了半導體芯片的狀態的放大俯視圖，圖19是示出在圖16所示的管芯焊盤 上隔著結合材料搭載了半導體芯片的狀態的放大剖面圖。
[0123] 在本實施方式中，如圖19所示，通過在使半導體芯片3的背面3b (形成了多個焊 盤的表面3a的相反側的面）與管芯焊盤10的上表面10a對置了的狀態下進行搭載的 所謂面朝上安裝方式來進行搭載。另外，如圖18所示，在管芯焊盤10的中央部11的芯片 搭載區域l〇d中，以使表面3a的各邊沿著管芯焊盤10的各邊配置的方式，搭載半導體芯片 3 〇
[0124] 在本實施方式中，例如，隔著作為環氧系的熱硬化性樹脂的管芯結合材料8 (參照 圖19)搭載半導體芯片3,但管芯結合材料8是在硬化（熱硬化）之前具有流動性的膏材 料。在這樣將膏材料用作管芯結合材料8的情況下，首先，在管芯焊盤10上，涂覆芯片結合 材料8,之后，將半導體芯片3的背面3b粘結到管芯焊盤10的上表面10a。然后，在粘結之 后，當使芯片結合材料8硬化（實施例如熱處理），如圖19所示，半導體芯片3隔著管芯結 合材料8固定于管芯焊盤10上。
[0125] 另外，在本實施方式中，說明了作為芯片結合材料8,使用由熱硬化性樹脂構成的 膏材料的實施方式，但能夠應用各種變形例。例如，也可以不是將膏材料，而是將作為在兩 面具備粘結層的帶材料（薄膜材料）的粘結材料預先粘貼到半導體芯片3的背面3b，隔著 帶材料將半導體芯片3搭載于管芯焊盤10上。
[0126] 另外，在本實施方式中，在包括芯片搭載區域10d的上表面10a的整體被粗糙面化 了的狀態下，搭載半導體芯片3。因此，管芯結合材料8和管芯焊盤10的緊貼界面的面積增 力口，所以能夠抑制芯片結合材料8的剝離。因此，根據阻止剝離的發展的觀點，不考慮芯片 搭載區域lOd的表面粗糙度，但根據抑制芯片結合材料8和管芯焊盤10的剝離的觀點，優 選使芯片搭載區域l〇d的表面粗糙度比下表面10b更粗。
[0127] 3.導線結合工序；
[0128] 接下來，作為圖11所示的導線結合工序，如圖20以及圖21所示，經由多個導線 (導電性部件）5a，對半導體芯片3的多個焊盤和多個引線4分別進行電連接。另外，在 本工序中，經由導線5b對半導體芯片3和管芯焊盤10進行電連接。圖20是示出將圖18所 示的半導體芯片、和多個引線以及管芯焊盤經由導線電連接了的狀態的放大俯視圖，圖21 是示出將圖19所示的半導體芯片和多個引線經由導線電連接了的狀態的放大剖面圖。另 夕卜，圖22是將圖21的管芯焊盤的導線連接區域周邊放大而示出的放大剖面圖。
[0129] 在本工序中，例如如圖21所示，將在各產品形成部20a的管芯焊盤10上搭載了半 導體芯片3的引線框20配置于加熱平臺（加熱臺）HS。然后，將半導體芯片3的多個焊盤 和多個引線4經由多個導線5a電連接。另外，在本工序中，將多個焊盤ro的一部分和 管芯焊盤10的導線連接區域l〇wb(參照圖22)經由導線5b電連接。導線5由金屬構成， 在本實施方式中，例如由金（Au)構成。另外，如圖22所示，在導線連接區域10wb的上表面 12a形成了金屬膜14,在本工序中，將導線5接合到金屬膜14。
[0130] 關于導線5的連接方式，通過經由例如圖21所示的毛細管CP供給導線5并且并 用超聲波和熱壓接合來接合導線5的所謂引線頭結合方式來連接導線5。在本實施方式中， 為了提高接合強度，將作為接合對象物的焊盤ro、引線4以及管芯焊盤10的導線連接區域 10wb在分別加熱了的狀態下接合。
[0131] 對焊盤ro、引線4以及管芯焊盤10供給熱的熱源是在例如加熱平臺HS中內置了 的加熱器（熱源）HT。詳細而言，通過使加熱平臺HS的管芯焊盤保持面HSa和管芯焊盤10 的下表面l〇b緊貼，從管芯焊盤10的下表面10b側對管芯焊盤10以及半導體芯片3所具 備的焊盤ro進行加熱。另外，通過使加熱平臺HS的引線保持面HSb和引線4的下表面緊 貼，從引線4的下表面側對引線4的上表面（連接導線5a的面）進行加熱。通過這樣對作 為被接合部件的焊盤ro、引線4、以及管芯焊盤10的導線結合區域進行加熱，能夠提高導線 5、和被接合物的接合強度。
[0132] 另外，在本實施方式中，如上述那樣，中央部11和邊緣部12的高度不同，對配置于 相對高的位置的邊緣部12連接導線5,所以加熱平臺HS如圖22所示，具有配置于比管芯焊 盤保持面HSa高的位置的邊緣部保持面HSc。該邊緣部保持面HSc配置于比管芯焊盤保持 面HSa高、并且比圖21所示的引線保持面HSb低的位置，設置于能夠使管芯焊盤10的邊緣 部12的下表面12b緊貼的高度。
[0133] 這樣，通過使加熱平臺HS的一部分緊貼到邊緣部12的下表面12b、換言之管芯焊 盤10的導線連接區域l〇wb的相反側的面,能夠對導線連接區域10wb高效地進行加熱。
[0134] 4.密封工序；
[0135] 接下來，作為圖11所示的密封工序（密封體形成工序），如圖23以及圖24所示， 形成密封體（樹脂體）7，對半導體芯片3 (參照圖24)、多個導線5 (參照圖24)、引線4的內 部引線部4a、以及管芯焊盤10(參照圖24)的上表面10a(參照圖24)進行密封。圖23是 示出在圖20所示的引線框的產品形成部中形成了密封體的狀態的放大俯視圖，圖24是示 出在圖21所示的引線框的產品形成部中形成了密封體的狀態的放大剖面圖。另外，圖25 是在將圖24的一部分放大了的剖面中，示意地示出密封用的樹脂的流動的說明圖。
[0136] 在本工序中，首先，如圖24所示，準備成形模具35,該成形模具35具備：具有模具 面（第一模具面）36a以及在該模具面36a形成了的空腔（凹部）36b的上模（第一模具）36、 和具有與上模36的模具面36a對置的模具面（第二模具面）37a以及在該模具面37a中形 成了的空腔（凹部）37b的下模（第二模具）37。然后，以使半導體芯片3以及管芯焊盤10 位于上模36的空腔36b以及下模37的空腔37b內的方式，將實施了導線結合工序的引線 框20配置于成形模具35的內部（上模36與下模37之間）。此處，在本實施方式中，為了 使管芯焊盤10的下表面l〇b在密封體7的下表面7b側露出，下表面10b抵接到下模37的 空腔37b的底面。
[0137] 接下來，通過上模36和下模37對引線框20進行夾持。此時，在對引線框20進行 夾持時，對在引線框20中形成了的多個引線4的一部分（至少與圖23所示的聯結桿21重 疊的部分）進行夾持。另外，引線4的一部分（內部引線部4a)配置于空腔36b、37b內，弓丨 線4的其他部分（外部引線部4b)在空腔36b、37b的外側通過成形模具35被夾持。另外， 空腔37b的深度（從模具面37a的高度至空腔37b的底面的高度的距離）是根據管芯焊盤 10的偏移量（以使偏移量和空腔37b的深度相同的方式）形成的。因此，如果用上模36和 下模37對引線框20進行了夾持，則管芯焊盤10的下表面10b與下模37的空腔37b的底 面緊貼。
[0138] 接下來，在用上模36和下模37對引線框20進行了夾持的狀態下，向使上模36的 空腔36b以及下模37的空腔37b重疊而形成的空間內供給樹脂（例如通過加熱而軟化了 的樹脂）7p(參照圖24)。然后，用該密封用的樹脂7p對半導體芯片3、多個導線5、多個引 線4的一部分（內部引線部4a)、以及管芯焊盤10的上表面10a進行密封。最后，通過使所 供給的樹脂7p熱硬化，形成密封體7。將這樣的密封方式稱為傳遞模方式。
[0139] 在傳遞模方式中，從供給部（澆口部）向空腔36b、37b內部供給（壓入）樹脂，從 排出部（排口部）排出空腔36b、37b內的殘留氣體、剩余的樹脂7p。如果根據供給部相對 空腔36b、37b的位置分類，則能夠大致分成在空腔36b的上方配置供給部的頂澆方式、以及 在空腔36b、37b的側面側配置供給部的側澆方式。在本實施方式中，應用了根據成形模具 的小型化的觀點、或者成形模具的維護的難易度的觀點而有利的側澆方式。
[0140] 在本實施方式中，如圖24所示，以使管芯焊盤10的下表面10b的一部分、詳細而 言中央部11的下表面1 lb露出的方式，形成密封體7,但如上所述，在不設置狹縫15的情況 下，在邊緣部12的寬度大的情況下，難以以覆蓋邊緣部12的下表面12b的整體的方式供給 樹脂7p。例如，在圖25所示的例子中，邊緣部12的寬度（與延伸方向正交的方向的長度） 大于管芯焊盤10的厚度，例如為2倍左右。
[0141] 如圖25所示，邊緣部12的下表面12b側的空間被邊緣部12的下表面12b、階梯面 13b、以及下模37的空腔37b包圍。因此，在從側面10c側供給樹脂7p的情況下，需要從樹 脂7p的供給口排出空間內的殘存氣體。另外，邊緣部12的寬度越大，向供給壓力的相反方 向作用的壓力（靜壓）越大，所以殘存氣體的排出變得困難，樹脂7p的填充性降低。
[0142] 另外，關于樹脂7p，為了使密封體7的線膨脹系數接近半導體芯片3的線膨脹系 數，含有二氧化硅等大量填料粒子7f。另外，如果填料粒子7f夾在邊緣部12的下表面12b、 與下模37的空腔37b之間，則有時填料粒子7f阻攔樹脂7p的流動。
[0143] 因此，在本實施方式中，為了易于向面積大的邊緣部12的下表面12b側供給樹脂， 在導線連接區域l〇wb與階梯面13a之間，設置有狹縫15。如果設置狹縫15,則在從例如管 芯焊盤10的側面l〇c和下模37之間供給樹脂7p的情況下，狹縫15作為排出殘存氣體等 的排口部發揮功能。另外，在從狹縫15供給了樹脂7p的情況下，管芯焊盤10的側面10c 與下模37之間的開口部作為排出殘存氣體等的排口部發揮功能。由此，能夠提高向邊緣部 12的下表面12b側的樹脂的填充性。
[0144] 另外，狹縫15設置于導線連接區域10wb與中央部11之間、即邊緣部12中的、在 中央部11比側面10C接近階梯面13a的位置。由此，即使在假設填料粒子7f被夾在邊緣 部12的下表面12b、與下模37的空腔37b之間的情況下，也能夠減小向樹脂7p的供給壓力 的相反方向作用的靜壓，所以能夠進一步提高樹脂向邊緣部12的下表面12b側的填充性。 艮P，根據本實施方式，通過在導線連接區域l〇wb與階梯面13a之間設置狹縫15,能夠降低作 為水分侵入的原因的、密封體7與管芯焊盤10之間的間隙。
[0145] 接下來，通過使向空腔36b、37b內供給了的樹脂7p硬化，得到圖23以及圖24所 示的密封體7。如果作為樹脂7p使用例如環氧系樹脂等熱硬化性樹脂，則能夠通過實施加 熱處理來硬化。
[0146] 5.外裝鍍覆工序；
[0147] 接下來，作為圖11所示的外裝鍍覆工序，如圖26所示，在從密封體7露出的多個 引線4的露出面（外部引線部4b)中形成金屬膜（外裝鍍覆膜、焊錫膜）SD。圖26是示出 在從圖24所示的密封體露出的多個引線以及管芯焊盤的露出面形成了金屬膜（外裝鍍覆 膜、焊錫膜）的狀態的放大剖面圖。
[0148] 在本工序中，將作為被鍍覆加工物的引線框20配置于鍍覆液（省略圖示）進入了 的鍍覆槽（省略圖示）內，通過例如電鍍法來形成金屬膜SD。通過該電鍍法，能夠在從密封 體7露出了的引線框20的各區域中一并地形成外裝鍍覆膜。因此，除了引線4的露出部以 夕卜，還以覆蓋管芯焊盤10的露出部（中央部11的下表面lib)的方式形成金屬膜SD。另 夕卜，在框部20c (參照圖23)中也形成金屬膜SD。
[0149] 6.引線成形工序；
[0150] 接下來，作為引線成形工序，在切斷了與引線框20的框部20c連結了的多個引線4 的連結部之后，對引線4實施彎曲加工來成形。圖27是示出將在圖11所示的外裝鍍覆工 序中形成了金屬膜的多個引線從引線框的框部切斷并成形了的狀態的放大俯視圖。另外， 針對圖23的剖面圖與圖4相同，所以省略圖示。另外，圖27示出圖11所示的單片化工序 完成了的狀態，圖23所示的懸掛引線9也被切斷。
[0151] 在本工序中，首先，將對框部20c分別連結而一體化了的多個引線4用連結部切 斷，作為分別獨立了的部件（引線切割工序）。另外，關于連結多個引線4的聯結桿21，在密 封體工序之后并且在外裝鍍覆工序之前在相鄰的引線之間預先切斷（聯結桿切割工序）。 關于該聯結桿切割工序，還能夠在外裝鍍覆工序之后進行，但通過在外裝鍍覆工序之前切 斷聯結桿21，在切剖面也形成金屬膜SD。因此，根據提高安裝圖1所示的半導體裝置1時 的焊錫的潤濕性的觀點，優選在外裝鍍覆工序之前切斷聯結桿21。
[0152] 在聯結桿切割工序以及引線切割工序中，通過分別在引線框20的一個面（例如下 表面）側配置管芯（支撐部件；省略圖示）、在另一個面（例如上表面）側配置沖頭（切斷 刃；省略圖示）并進行沖壓來切斷引線4。這樣通過沖壓加工切斷了的引線4的端部如圖 4所示，具有大致平坦的切剖面，在切剖面處，引線4的基體材料從金屬膜SD露出。通過本 工序，多個引線4成為分別分離了的獨立部件。
[0153] 接下來，對切斷了的多個引線4實施彎曲加工來成形（彎曲加工工序）。在本實施 方式中，例如，如圖4所示，鷗形翼狀地成形了外部引線部4b。另外，也可以根據需要，進行 進一步切斷引線4(外部引線部4b)的前端，調整引線4的長度的工序。
[0154] 7.單片化工序；
[0155] 接下來，作為圖11所示的單片化工序，如圖27所示，切斷與框部20c連結了的多 個懸掛引線9 (參照圖23)，針對每個產品形成部20a進行單片化，來取得多個半導體裝置 1〇
[0156] 單片化方法沒有特別限定，能夠與上述引線切割工序同樣地，應用使用未圖示的 切斷模具通過沖壓加工來切斷的方法。在本工序之后，進行外觀檢查、電試驗等必要的檢 查、試驗，合格了的產品為圖1?圖9所示的完成品的半導體裝置1。然后，將半導體裝置1 出廠、或者安裝到未圖示的安裝基板上。
[0157] 〈變形例〉
[0158] 以上，根據實施方式，具體說明了由本申請
【發明者】完成了的發明，但本發明不限于 所述實施方式，當然能夠在不脫離其主旨的范圍內實現各種變更。
[0159] 例如，在上述實施方式中，作為管芯焊盤10的下表面10b露出的半導體封裝的例 子，舉出QFP型的半導體裝置1進行了說明，但所應用的半導體封裝不限于QFP型。雖然 省略圖示，但能夠應用于例如多個引線的一部分在密封體7的下表面（安裝面）露出的、 QFN(Quad Flat Non-leaded package)型的半導體裝置。
[0160] 另外，例如，在上述實施方式中，說明了以連續地包圍中央部11的周圍的方式形 成階梯面13a的實施方式。例如如圖6所示的管芯焊盤10那樣，在俯視時，在構成四邊形 的管芯焊盤10的四邊的各邊設置導線連接區域l〇wb的情況下，根據抑制剝離發展到多個 導線連接區域l〇wb的各個的觀點，優選以階梯面13a連續地包圍中央部11的周圍。但是， 作為變形例，還有在四邊中的一部分（例如一邊）設置導線連接區域l〇wb，在其他邊不設置 導線連接區域l〇wb的情況。在該情況下，如果在形成了導線連接區域10wb的邊上，在導線 連接區域10wb與中央部11之間形成了階梯面13a，則也可以在其他邊不形成階梯面13a。
[0161] 另外，例如，在上述實施方式中，說明了通過夾著管芯焊盤10的邊緣部12實施錯 開加工，并使與中央部11的邊界剪切變形，來形成階梯面13a的實施方式。在該情況下，在 邊緣部12的下表面12b與中央部11的下表面lib之間，形成了階梯面13b。但是，根據抑 制中央部11的上表面11a側的剝離的發展的觀點，也可以在管芯焊盤10的下表面10b側 不形成階梯面13b。例如，作為針對上述實施方式的變形例，能夠應用在邊緣部12的上表 面12a側形成階梯面13a，在邊緣部12的下表面12b側不形成階梯面13b的實施方式。在 該情況下，邊緣部12的下表面12b位于與中央部11的下表面lib相同的高度。但是，根據 防止管芯焊盤10從密封體7脫落的觀點、以及抑制水分從管芯焊盤10的下表面10b側侵 入的觀點，優選如上述實施方式說明的那樣，將邊緣部12的下表面12b配置于比中央部11 的下表面lib高的位置，用密封體7覆蓋下表面lib。
[0162] 另外，例如，在上述實施方式中，未特別論及管芯焊盤10的表面的平坦度，但還能 夠對管芯焊盤10和密封體7的緊貼界面實施粗糙面化處理，進一步提高管芯焊盤10和密 封體7的緊貼性。即，能夠使管芯焊盤10的中央部11的上表面11a的表面粗糙度比下表 面lib的表面粗糙度更大（粗糙）。但是，如果對導線連接區域10wb實施了粗糙面化處理， 則存在導線5的連接強度降低的擔心，所以即使在對中央部11的上表面11a實施粗糙面化 處理的情況下，優選不對邊緣部12的上表面12a實施粗糙面化處理。即，優選使上表面11a 的表面粗糙度比上表面12a的表面粗糙度更大（粗糙）。
[0163] 另外，在所述實施方式中，說明了通過在形成了密封體7之后，形成由例如焊錫構 成的金屬膜（外裝鍍覆膜）SD，來提高安裝到未圖示的安裝基板時的焊錫的潤濕性的方法 (后鍍覆法），但能夠應用以下的變形例。即，作為提高半導體裝置的端子表面的焊錫的潤 濕性的技術，除了上述后鍍覆法以外，還有在引線框的表面預先形成金屬膜的所謂先鍍覆 法。在所述實施方式中說明了的技術還能夠應用于該先鍍覆法的情況。
[0164] 在應用了先鍍覆法的情況下，在圖11所示的引線框準備工序中，在例如階梯面形 成工序或者偏移工序之后，追加在引線框的整個露出面形成提高焊錫的潤濕性的表面金屬 膜的表面金屬膜形成工序。在該表面金屬膜形成工序中，通過鍍覆法，形成例如由鎳（Ni)、 鈀（Pd)、金（Au)構成的表面金屬膜。另外，在應用了先鍍覆法的情況下，能夠省略圖11所 示的外裝鍍覆工序。因此，在應用了先鍍覆法的半導體裝置的情況下，圖9所示那樣的由焊 錫構成的金屬膜SD未形成。另外，在應用了先鍍覆法的半導體裝置的情況下，在管芯焊盤 10以及引線4的整個表面（上表面以及下表面），形成由例如鎳（Ni)、鈀（Pd)、金（Au)構 成的表面金屬膜。
[0165] 另外，能夠組合應用上述各變形例的結構。
【權利要求】
1. 一種半導體裝置，其特征在于，具有： 管芯焊盤，具有第一面、位于所述第一面的相反側的第二面； 多個引線，配置于所述管芯焊盤的旁邊； 半導體芯片，具有表面、在所述表面形成的多個電極、以及位于所述表面的相反側的背 面，搭載于所述管芯焊盤的所述第一面的芯片搭載區域上； 多個第一導線，對所述半導體芯片的所述多個電極的一部分與所述多個引線進行電連 接； 第二導線，對所述半導體芯片的所述多個電極的其他部分與所述管芯焊盤進行電連 接；以及 密封體，以使所述多個引線的一部分以及所述管芯焊盤的所述第二面露出的方式，對 所述半導體芯片、所述多個第一導線以及所述第二導線進行密封， 所述管芯焊盤具備： 第一部分，包括所述芯片搭載區域，具有朝向與所述第一面相同的方向的第三面、和位 于所述第三面的相反側的第四面； 第二部分，具有朝向與所述第一面相同的方向的第五面和位于所述第五面的相反側的 第六面，被設置成俯視時包圍所述第一部分；以及 第一階梯面，在所述第一面被設置于所述第一部分的所述第三面與所述第二部分的所 述第五面之間， 所述第二導線與設置在所述第二部分的所述第五面的導線連接區域連接， 所述第二部分的所述第五面配置于比所述第一部分的所述第三面更高的位置。
2. 根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于， 所述第一階梯面被形成為連續地包圍所述第一部分的所述第三面的周圍。
3. 根據權利要求2所述的半導體裝置，其特征在于， 所述第二部分的所述第六面配置于比所述第一部分的所述第四面更高的位置，并且被 所述密封體覆蓋。
4. 根據權利要求3所述的半導體裝置，其特征在于， 在所述第二部分的所述導線連接區域與所述第一階梯面之間，以從所述第五面以及所 述第六面中的一個貫通至另一個方式，形成有狹縫。
5. 根據權利要求4所述的半導體裝置，其特征在于， 所述第二部分的寬度比所述管芯焊盤的厚度更大。
6. 根據權利要求4所述的半導體裝置，其特征在于， 所述第一階梯面的高度是所述管芯焊盤的厚度的一半以下。
7. 根據權利要求4所述的半導體裝置，其特征在于， 在所述密封體中包含多個填料粒子。
8. 根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于， 所述第一階梯面與所述第一部分的所述第三面所成的角被形成為直角或者比直角小 的銳角。
9. 根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于， 所述第一階梯面是通過使所述第一部分與所述第二部分的邊界剪切變形而形成的剪 切面。
10. 根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于， 在所述管芯焊盤的所述第二面，將第二階梯面設置在所述第一部分的所述第四面與所 述第二部分的所述第六面之間， 所述第二階梯面以及所述第二部分的所述第三面被所述密封體覆蓋。
11. 一種半導體裝置的制造方法，其特征在于，具有： (a) 準備具備具有第一面、位于所述第一面的相反側的第二面的管芯焊盤、和配置于所 述管芯焊盤的旁邊的多個引線的引線框的工序； (b) 將具有表面、在所述表面形成的多個電極、以及位于所述表面的相反側的背面的半 導體芯片搭載于所述管芯焊盤的所述第一面的芯片搭載區域上的工序； (c) 在所述（b)工序之后，經由多個第一導線對所述半導體芯片的所述多個電極的一 部分和所述多個引線進行電連接，經由第二導線對所述多個電極的其他部分和所述管芯焊 盤進行電連接的工序；以及 (d) 在所述（c)工序之后，以使所述多個引線的一部分以及所述管芯焊盤的所述第二 面露出的方式，用樹脂對所述半導體芯片、所述多個第一導線以及所述第二導線進行密封 的工序， 在所述（a)工序中準備的所述引線框的所述管芯焊盤具備： 第一部分，包括所述芯片搭載區域，具有朝向與所述第一面相同的方向的第三面、和位 于所述第三面的相反側的第四面； 第二部分，朝向與所述第一面相同的方向，具有配置于比所述第一部分的所述第三面 更高的位置的第五面、以及位于所述第五面的相反側的第六面，被配置成俯視時包圍所述 第一部分；以及 第一階梯面，在所述第一面設置于所述第一部分的所述第三面、與所述第二部分的所 述第五面之間， 在所述（c)工序中，所述第二導線與設置在所述第二部分的所述第五面的導線連接區 域連接。
12. 根據權利要求11所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于， 所述第一階梯面被形成為連續地包圍所述第一部分的所述第三面的周圍。
13. 根據權利要求12所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于， 所述第二部分的所述第六面配置于比所述第一部分的所述第四面更高的位置， 在所述（d)工序中，以用所述樹脂覆蓋的方式，對所述第二部分的所述第六面進行密 封。
14. 根據權利要求13所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于， 在所述第二部分的所述導線連接區域與所述第一階梯面之間，以從所述第五面以及所 述第六面中的一個貫通至另一個方式，形成有狹縫。
15. 根據權利要求14所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于， 在所述（d)工序中，在成形模具內配置了所述引線框的狀態下，壓入軟化了的所述樹 脂之后使所述樹脂硬化。
16. 根據權利要求15所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于， 所述第二部分的寬度比所述管芯焊盤的厚度更大。
17. 根據權利要求15所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于， 所述第一階梯面的高度是所述管芯焊盤的厚度的一半以下。
18. 根據權利要求15所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于， 在所述（d)工序中，在對所述半導體芯片、所述多個第一導線以及所述第二導線進行 密封的所述樹脂中，包含多個填料粒子。
19. 根據權利要求11所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于， 所述第一階梯面與所述第一部分的所述第三面所成的角被形成為直角或者比直角小 的銳角。
20. 根據權利要求11所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于， 在所述（a)工序中，包括通過使所述管芯焊盤的所述第一部分與所述第二部分的邊界 剪切變形而形成所述第一階梯面的工序。
【文檔編號】H01L23/28GK104218013SQ201410233734
【公開日】2014年12月17日 申請日期:2014年5月29日 優先權日:2013年5月29日
【發明者】清水曉人, 岡田史朗 申請人:瑞薩電子株式會社